DE1521990A1 - Verfahren zum Bedecken zweier eng benachbarter Bereiche einer Halbleiteroberflaeche mit Dotierungs- und/oder Elektroden-Material - Google Patents
Verfahren zum Bedecken zweier eng benachbarter Bereiche einer Halbleiteroberflaeche mit Dotierungs- und/oder Elektroden-MaterialInfo
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DES0101951 | 1966-02-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1521990A1 true DE1521990A1 (de) | 1970-02-05 |
Family
ID=7524100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19661521990 Pending DE1521990A1 (de) | 1966-02-11 | 1966-02-11 | Verfahren zum Bedecken zweier eng benachbarter Bereiche einer Halbleiteroberflaeche mit Dotierungs- und/oder Elektroden-Material |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| AT (1) | AT265371B (https=) |
| CH (1) | CH485325A (https=) |
| DE (1) | DE1521990A1 (https=) |
| FR (1) | FR1511237A (https=) |
| GB (1) | GB1113489A (https=) |
| NL (1) | NL6616165A (https=) |
| SE (1) | SE340027B (https=) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2186424A (en) * | 1986-01-30 | 1987-08-12 | Plessey Co Plc | Method for producing integrated circuit interconnects |
-
1966
- 1966-02-11 DE DE19661521990 patent/DE1521990A1/de active Pending
- 1966-11-16 NL NL6616165A patent/NL6616165A/xx unknown
-
1967
- 1967-02-09 CH CH194467A patent/CH485325A/de not_active IP Right Cessation
- 1967-02-09 AT AT126467A patent/AT265371B/de active
- 1967-02-10 GB GB6452/67A patent/GB1113489A/en not_active Expired
- 1967-02-10 SE SE01929/67A patent/SE340027B/xx unknown
- 1967-02-10 FR FR94541A patent/FR1511237A/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL6616165A (https=) | 1967-08-14 |
| CH485325A (de) | 1970-01-31 |
| FR1511237A (fr) | 1968-01-26 |
| GB1113489A (en) | 1968-05-15 |
| SE340027B (https=) | 1971-11-01 |
| AT265371B (de) | 1968-10-10 |
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