DE1521509A1 - Verfahren zum Herstellen von Metallstrukturen auf Halbleiteroberflaechen - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Metallstrukturen auf Halbleiteroberflaechen

Info

Publication number
DE1521509A1
DE1521509A1 DE1966S0105855 DES0105855A DE1521509A1 DE 1521509 A1 DE1521509 A1 DE 1521509A1 DE 1966S0105855 DE1966S0105855 DE 1966S0105855 DE S0105855 A DES0105855 A DE S0105855A DE 1521509 A1 DE1521509 A1 DE 1521509A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
metal
production
vapor deposition
treated
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE1966S0105855
Other languages
English (en)
Other versions
DE1521509C3 (de
DE1521509B2 (de
Inventor
Dipl-Phys Dr Helmuth Murrmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE1521509A priority Critical patent/DE1521509C3/de
Priority to DE1564707A priority patent/DE1564707C3/de
Priority to SE09344/67*A priority patent/SE334400B/xx
Priority to NL6710496A priority patent/NL6710496A/xx
Priority to US666582A priority patent/US3607479A/en
Priority to AT833867A priority patent/AT269222B/de
Priority to FR120712A priority patent/FR1536696A/fr
Priority to CH1273167A priority patent/CH466667A/de
Priority to GB41757/67A priority patent/GB1144993A/en
Publication of DE1521509A1 publication Critical patent/DE1521509A1/de
Priority to US413269A priority patent/US3877062A/en
Publication of DE1521509B2 publication Critical patent/DE1521509B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1521509C3 publication Critical patent/DE1521509C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
    • Y10S428/9335—Product by special process
    • Y10S428/938—Vapor deposition or gas diffusion
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12528—Semiconductor component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12736—Al-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
    • Y10T428/264—Up to 3 mils
    • Y10T428/265—1 mil or less

Description

a & Halske München 2, 1 ^.SER 196
Aktiengesellschaft V/ittelcsbacherplata
ΡΛ
66/2859
Vorfahren zurri Herstellen von Metallotrukturen auf Halbleitcroberflüchen
Zusatz zu: Patent . ... ... (Patentanmeldung S 101 956 VIl)AQtJ PA 66/2123).
Dan Ilauptpatent . (Patentanmeldung
S 101 956 VIb/401>; ΡΛ 66/2123) besieht aich auf ein Verfahren sun Herotollen von aus einer Metallschicht bestehenden, sehr feinen Strukturen, inc-
PA 9/493/81öa
3Jdt/\7i 17.0. GG - 2 -
909838/0513
BAD ORIGINAL
15215C9
ΡΛ 9/493/818a - 2 -
besondere von solchen zur Herstellung von Kontaktflächen auf Halbleitereinkristallen durch gansflächige Motallabschcidung auf der zu behandelnden Oberfläche, anschließende Abdeckung mit einen entsprechenden Fotolack und Abbildung der gewünschten Strukturen durch Belichtung und Entwicklung den Fotolacks und Ablösung der mit einer Ätzmaske nicht abgedeckten Bereiche der ft Metallschicht, wobei die ganzflächige Metallaoacheiduijg auf der au behandelnden Oberfläche unter Zusatz mindestens einen weiteren, insbesondere gegenüber Wasserstoff unterschiedliches Redoxpotential aufweisenden Metalls erfolgt.
Das der Erfindung au Grunde liegende Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß sun Horstollen der gansflächigen I-Ietallabscheidung Aluminium und als zusätzliches lletall Nickel und/oder Titan Verwendung findet.
Durch das auf der Lehre der Erfindung beruhende Verfahren ist die Möglichkeit gegeben, eine sichere Ätzung feinster Leitbahngeonetrien aus Aluminium durchzuführen. Durch den Nickel- oder Titanzusatz bei dor Bodempfui ig wird erreicht, daß die Ätzzeit zur Herstellung der I.Iotallstrukturen etwa uni den Faktor 2-3 gegenüber der Ätzung reiner Aluniiniumschichten verkürzt wird, was sieh besonders günstig auf die Haftung den die Kontaktbahnen
909838/0513
PA 9/493/818a - 3 -
abdeckenden Lackes auswirkt. Eo v/erden ohne großen Aufwand reproduzierbar kleine UnterUtsungcn (kleiner 0,5/u) erreicht.
Ea iot besondere vorteilhaft, wogen der nachfolgenden maskierten Ätzung die Schichtdicke der ganzflächigen Lletallsehicht auf ca. 1 /u, insbesondere auf 0,5/U, einzustellen.
Eo liegt auch in Rahmen der Erfindung, die Ketallabscheidung auf der zu behandelnden Oberfläche durch Aufdampfen im Vakuum bei einem Druck von 5 - 8.10 Torr vorzunehmen.
Gemäß einen besonders günstigen Ausführungsbeispiel wird •ilt: Aufdampf quelle eine Legierung der zu verdampfenden Mo tal Ic verwendet.
'■Λ·'Λ einer auf den Erfindungagedanken beruhenden Aus-. ^}.ii;n;^;forri wird «or Anteil des Zusatzmotallr: co gew;Ji:lt, fjfjß er i::.'iXir:ial 0,(3 r/o beträgt. Dicrso Einschränkung l::\ !iOi-.Ycndi,'-, damit die aufgebrachte Aluiainiumocliiclit j.ioht ;:u hart wird und gut koritaktierbar bleibt..
Die· Au.l''lanp.i'ungi:bcdingungon werden so gewählt, dai3 die Temperatur der Aufdampfquelle 900 - 10000G, insbesondere
909838/0513
PA 9/493/318» - 4 -
auf 90O0C, eingestellt wird und die Aufdampfgeschwindigkeit ungefähr 30 A/Sek. beträgt.
Das Verfahren gemäß der Erfindung eignet sich in besonders vorteilhafter Y/eise zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere von Silicium-Planartransistoren und -dioden sowie zur Herstellung von integrierten Schaltungen und Feldeffekttransistoren.
Es ist aber ebenso vorteilhaft aur Herstellung von elektrischen, mehrpoligen Bauelementen wie z. B. Widerständen und Kondensatoren anwendbar.
Durch das folgende Ausführungsbeispiel und die Figuren und 2 soll das der Erfindung su Grunde liegende Verfahren näher erläutert werden.
In Figur 1 ist im Schnitt eine etwa 160/U dicke, beispielsweise mit Antimon η-dotierte, Siliciumeinkristallscheibe 1 dargestellt, in welcher mittels bekannter Diffusions- und Fototechniken eine p-dotierte Zone 2 erzeugt wurde. Die in Figur 1 mit 3 bezeichnete η-dotierte Zone entsteht durch Diffusion mittels Phosphor durch ein in die Oxidschicht auf der Zone 2 geätztes, (in der Figur nicht dargestelltes) Fenster. Bei dieser
_ 5 _ 909838/0513 BAD 0RlaiNAL
PA 9/493/81Qa - 5 -
Phosphordiffusion, wird die gesamte Siliciumkristallscheibe mit einer Phosphoroxidschicht versehen, in die mittels Fototochnik und gepufferter Flußsäurelö'sung ein weiteres Fenster 10 zum Anbringen des Metallkontakto nach dein erfindungsgemäßen Verfahren geätzt wird,"so daß die Teile der Oxidschicht auf der Siliciumkristallscheibe stehenbleiben, die mit 4 bezeichnet sind. Der ir.it 7 bezeichnete Bereich des Halbleitorkörpers stellt die erfindungsgemäß durch eine gansflächige Metallabscheidung erzeugte Metallschicht, bestehend aus Aluminium und Wickel dar. Die Kristallscheibe wird nach der Bedampfung mit einem handelsüblichen Fotolack abgedeckt und die gewünschten Strukturen durch Belichtung und Entwicklung des Fotolacks festgelegt. Anschließend werden die nicht abgedeckten Bereiche in einer gebräuchlichen Atz'lüsung bei 60 0 herausgelöst und die Kristallscheibc zur Herstellung eines Silicium-Planartransistors weiterverarbeitet.
In Figur 2 wird die für das erfindungsgemäße Verfahren verwendete Aufdampfapparatur schematisch dargestellt. Vor der !,letallbedampfung wird die mit den verschieden dotierten Zonen versehene, eine Vielzahl von Bauelementen enthaltende Siliciumeinkristallscheibe von dem für die Fensterützung (Fenster 10 in Figur 1) aufgebrachten
- 6 909838/0513 bM>
PA 9/493/810a
-G-
Fotolack in üblicher Weise "befreit. Pur ;jeden Aufdanpfprozcß werden mehrere Kristallscheiben 12 in eine Halterung 14 au α Tantalblech eingeklemmt, in eine aus den Resipienten 11 bestellende Aufdampfapparatur, wie in Figur 2 abgebildet, eingebracht. An die Aufdampfapparatur ist bei dem mit 15 bezeichneten Pfeil zur Evakuierung des Resipienten 11 eine 01-diffusionspumpe angeschlossen. Als Verdampfer für die abzuscheidenden Metalle wird eine Yfolframwendel 16 verwendet, in die eine Legierung 17, bestehend aus Aluminium mit einem Gehalt von 0,5 cf> Nickel, eingebracht worden ist. Eo kann aber auch eine Aluninrunpille (ca. 270 mg) verwendet werden, die mit einen kleinen Stück Nickelblech (0,1 - 0,5 mg) entsprechender Reinheit in Vakuum aufgeschmolzen ist. Der Abstand zwischen Verdampferquolle 16 und den zu bedampfenden Kristallschoiben 12 betrügt ca. 100 mm. Die V/olfraiawendel 16 mit der Legierung 17 wird nun bei geschlossener Blende 10 mittels der Stromzuführungen 19 auf eine Temperatur gebracht, bei der die Legierung kontinuierlich verdampft, z. B. auf ca. 900 G. Wenn der Druck in Rezipienten 5 .- 8.10" Torr beträgt, wird bei geöffneter Blende 18 die in der V/olframwondel 16 befindliche Metallegierung 17 mit eiiier Auf dampf geschwindigkeit von 30 Λ/Sek. verdampft und bis zur gewünschten
909838/0513 BADORiGiNAL
PA 9/493/818a - 7 -
Schichtstärke von f beispielsweise 0,5/U auf den in den Craper 14 eingeklemmten Kristallscheiben 12 abgeschieden.
ICach den Entfernen auo dem Rezipienten v/erden die Kristallscheiben sofort mit einem handelsüblichen Fotolack in einer Schichtstärke von ungefähr 0,5/U versehen und 15 Minuten bei 90° C getrocknet. Dann wird die Fotolaekschicht entsprechend der gewünschten Struktur mittels einer 2u justierenden Maske belichtet und anschließend entwickelt. Die gewünschte Geometrie bleibt dabei als Lackotruktur erhalten und dient während des Ätsprosesses als Schutzüberzug oder Ätzmaske. Die Xxistallscheiben werden in alkalischer Lösung, s. B. in obiger Kaliuncarbonatlüsung von 60 C, ca. 10'Minuten geätzt, wobei die für die Herstellung von Kontaktflächen auf Plar.arbauelementen notwendigen feinsten Leitbahngecr-otrien unter der ?otolackcchicht mit ausgezeichneter KoiiVurc-nschtirfc und Gleichmäßigkeit erhalten bleiben.
3 Fritei'itanspriiohc
2 Figuren
909838/0513 bad

Claims (9)

Patentanspruch ο
1. Vorfahren zum Herstellen von aus einer Metallschicht bestehenden, sehr feinen Strukturen, insbesondere von solchen zur Herstellung von Kontaktflüchen auf Halbleitercinkristallen durch ganzflüchige lletallabschoidung auf der su behandelnden Oberflüche, anschließende Abdeckung mit einem entsprechenden Fotolack und Abbildung der gewünschten Strukturen durch Belichtung und Entwicklung des Fotolacks und Ablösung der mit einer Ätzmaske nicht abgedeckten Bereiche der Metallschicht, wobei die ganzflächige Metallabscheidung auf der zu behandelnden Oberfläche unter Zusatz mindestens eines weiteren, insbesondere gegenüber Wasserstoff unterschiedliches Redoxpotential aufweisenden Metalls erfolgt, nach
Patent . (Patentanmeldung S 101 956 VIb/48b;
PA 66/2123), dadurch gekennzeichnet, daß zum Herstellen der ganzflüchigen Metallabscheidung Aluminium und als zusätzliches Metall Nickel und/oder Titan verwendet werden.
BAD ORIGINAL
909838/051 3
ΡΛ 9/493/818a - 9 -
2. Tc rf ohr on nach Anspruch. 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schichtdicke der aufgebrachten Metallschicht ca. 1 /Xi, insbesondere 0,5/U, beträgt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die JJctallabschcidung auf der zu behandelnden Oberfläche durch Aufdampfen in Vakuum bei
5 - 8.10 Torr erfolgt.
4. Verfahren nach mindestens einen der Ansprüche 1 bin 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Aufdampfquelle eine Legierung der eu verdampfenden Metalle verwendet wird.
5. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Anteil des zusätzlichen Metalls in der Quelle maximal 0,5 ü' beträgt.
6. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche-1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur der Aufdanpfquelle auf 900 ~ 1000° C, insbesondere auf 900 C, eingestellt wird.
7. Verfahren nach mindestens einen der Ansprüche 1 bis #s6, dadurch gekennzeichnet, daß die Aufdampfgeschwindigkeit auf ungefähr 30 Ä/Sok. eingestellt wird.
- 10 -
909838/0513
ΡΛ 9/493/81Ba - 10 -
8. Verwendung doc Verfahrene nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7» zur Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere von Silicium-Planar transistoreiT. und -dioden Gov/ie zur Herstellung von integrierten Schaltungen und Feldeffekttransistoren.
9. Verwendung des Verfahrens nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7 zur Herstellung von elektrischen, mehrpoligen Bauelementen v/i ο ζ. Β. Widerständen und Kondensatoren.
BAD ORIGINAL
909838/0513
DE1521509A 1966-09-14 1966-09-14 Verfahren zum Herstellen von Metallstrukturen auf Halbleiteroberflächen Expired DE1521509C3 (de)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1521509A DE1521509C3 (de) 1966-09-14 1966-09-14 Verfahren zum Herstellen von Metallstrukturen auf Halbleiteroberflächen
DE1564707A DE1564707C3 (de) 1966-09-14 1966-09-14 Verfahren zum Herstellen eines mit pn-Übergang versehenen Halbleiterbauelements
SE09344/67*A SE334400B (de) 1966-09-14 1967-06-27
NL6710496A NL6710496A (de) 1966-09-14 1967-07-28
US666582A US3607479A (en) 1966-09-14 1967-09-11 Method for producing metal structures upon semiconductor surfaces
FR120712A FR1536696A (fr) 1966-09-14 1967-09-12 Procédé pour réaliser des structures métalliques sur des surfaces de corps semi-conducteurs
AT833867A AT269222B (de) 1966-09-14 1967-09-12 Verfahren zum Herstellen von Metallstrukturen auf Halbleiteroberflächen
CH1273167A CH466667A (de) 1966-09-14 1967-09-12 Verfahren zum Herstellen von Metallstrukturen auf Halbleiteroberflächen
GB41757/67A GB1144993A (en) 1966-09-14 1967-09-13 Improvements in or relating to the production of metal structures on semiconductor surfaces
US413269A US3877062A (en) 1966-09-14 1973-11-06 Method for producing metal structures upon semiconductor surfaces

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1521509A DE1521509C3 (de) 1966-09-14 1966-09-14 Verfahren zum Herstellen von Metallstrukturen auf Halbleiteroberflächen
DE1564707A DE1564707C3 (de) 1966-09-14 1966-09-14 Verfahren zum Herstellen eines mit pn-Übergang versehenen Halbleiterbauelements

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1521509A1 true DE1521509A1 (de) 1969-09-18
DE1521509B2 DE1521509B2 (de) 1977-09-08
DE1521509C3 DE1521509C3 (de) 1978-05-03

Family

ID=25998601

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1521509A Expired DE1521509C3 (de) 1966-09-14 1966-09-14 Verfahren zum Herstellen von Metallstrukturen auf Halbleiteroberflächen
DE1564707A Expired DE1564707C3 (de) 1966-09-14 1966-09-14 Verfahren zum Herstellen eines mit pn-Übergang versehenen Halbleiterbauelements

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1564707A Expired DE1564707C3 (de) 1966-09-14 1966-09-14 Verfahren zum Herstellen eines mit pn-Übergang versehenen Halbleiterbauelements

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3607479A (de)
AT (1) AT269222B (de)
CH (1) CH466667A (de)
DE (2) DE1521509C3 (de)
GB (1) GB1144993A (de)
NL (1) NL6710496A (de)
SE (1) SE334400B (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3900598A (en) * 1972-03-13 1975-08-19 Motorola Inc Ohmic contacts and method of producing same
JPS51142988A (en) * 1975-06-04 1976-12-08 Hitachi Ltd Semiconductor devices

Also Published As

Publication number Publication date
DE1564707B2 (de) 1977-10-06
US3607479A (en) 1971-09-21
DE1521509C3 (de) 1978-05-03
DE1564707A1 (de) 1970-02-12
GB1144993A (en) 1969-03-12
CH466667A (de) 1968-12-15
SE334400B (de) 1971-04-26
DE1564707C3 (de) 1978-06-01
DE1521509B2 (de) 1977-09-08
AT269222B (de) 1969-03-10
NL6710496A (de) 1968-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69628704T2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Oxidfilms auf der Oberfläche eines Halbleitersubstrats
DE3490007C2 (de)
DE10021871A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Barriereschicht in einem elektronischen Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements mit einer Barriereschicht
DE1540175A1 (de) Elektrische Widerstaende und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3933965A1 (de) Mesfet und verfahren zu dessen herstellung
DE2123595A1 (de) Halbleiteranordnung
DE19936941B4 (de) Verfahren zur Herstellung dünner Schichten, insbesondere Dünnschichtsolarzellen, auf einem Trägersubstrat
DE3217026A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE2230171A1 (de) Verfahren zum herstellen von streifenleitern fuer halbleiterbauteile
DE1521509A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Metallstrukturen auf Halbleiteroberflaechen
DE1521604A1 (de) Verfahren zum Metallisieren ausgewaehlter Oberflaechenbereiche auf Unterlagen
DE3007500A1 (de) Verfahren zum passivieren eines integrierten schaltkreises
DE2012063A1 (de) Verfahren zum Herstellen von aus Alu minium Legierungen bestehenden Kontakt metallschichten an Halbleiterbauelementen
DE19710237B4 (de) Feinverarbeitungsverfahren
DE1929084A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauelementes
DE2540301A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung mit einem leitermuster und durch dieses verfahren hergestellte anordnung
DE1803025A1 (de) Elektrisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1514668B2 (de) Verfahren zum herstellen von chrom- silber-kontakten auf halbleiterbauelementen
CH503121A (de) Verfahren zur Herstellung von Metallniederschlägen durch Elektrolyse
DE19828846A1 (de) Verfahren zum Beschichten eines Substrats
DE2250989A1 (de) Verfahren zur bildung einer anordnung monolithisch integrierter halbleiterbauelemente
CH670335A5 (de)
DE2018589A1 (en) Aluminium metallising of silicon surfaces
DE1639366A1 (de) Verfahren zur Herstellung des Kontaktes zwischen einer Metallelektrode und einem Halbleiter
DE1696138B1 (de) Aetzloesung fuer duenne aluminiumschichten und verwendung der aetzloesung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
EF Willingness to grant licences