DE1514734A1 - Verfahren zum Anbringen von plaettchenfoermigen Bauelementen und Festkoerperschaltungen auf einer Unterlage - Google Patents

Verfahren zum Anbringen von plaettchenfoermigen Bauelementen und Festkoerperschaltungen auf einer Unterlage

Info

Publication number
DE1514734A1
DE1514734A1 DE19651514734 DE1514734A DE1514734A1 DE 1514734 A1 DE1514734 A1 DE 1514734A1 DE 19651514734 DE19651514734 DE 19651514734 DE 1514734 A DE1514734 A DE 1514734A DE 1514734 A1 DE1514734 A1 DE 1514734A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
characters
plate
platelets
layer
disc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19651514734
Other languages
English (en)
Other versions
DE1514734B2 (de
Inventor
Roger Cullis
Payne Roland Francis
Abbey Peter John
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
T Ind Deutsche GmbH
Original Assignee
T Ind Deutsche GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by T Ind Deutsche GmbH filed Critical T Ind Deutsche GmbH
Publication of DE1514734A1 publication Critical patent/DE1514734A1/de
Publication of DE1514734B2 publication Critical patent/DE1514734B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01058—Cerium [Ce]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Description

  • Verfahren zum Anbringen von plättchenf örmigen BP.-utle#nenten imd FebtkörDerschaltungen auf einer Unte;plgapA-_t Die Erfindung bezieht sich auf die orientierte Montage voii Plättchen, weiche eines oder mehrere -Bwiele.mente entl,alten, insbesenderet jedoch nicht ausschlie.21ich, aui- HalbleiterplEitChen, Halbleitervorrichtungen und Festkörperschaltungert, die in einer eeten Lagen nach diesem Verfahren montiert werden können =d auf Schaltungskonstruktionene welche solche Vorrichtungen und Schaltungen enthaltene .L Gegenstan(# der Erfindung ist ein vereinfachtcs VarfalL'ren z-cLr Montage von Vorrichtungen mit Hilfe von te2timt#,ten Zeichen auf der FLückseite der Flättchen.
  • Der Ausdruck "Unterlage" aol"-'t. auch eIne #mordnung von ch-ähten umfassen, die in einer festgelegten Lage angeordnel sind und bei de-- ein Ende jedes Drahtes eine solche Lage ha-,4 daß alle Enden gleichzeitig mit dem Plättchen in Kor-,takt gebracht werden könne.r.. Die Erfindung besteht in einem Verfahren zur Montage von Plätteheng welche eines oder mehrere Bauelemente enthalten, in einer definierten Lage auf einer Unterlage, wobei die Plättchen von einer Scheibe abgetrennt wurdeng auf oder in der eine Anzahl von. Bauelementen erzeugt wurde. Die Montage geschieht mittels bestimmter Zeichen aur der Fläche des Flättchensq die der-Seitet mit der das Blättchen auf der Unterlage befestigt wirdx abgewandt ist, Die Zeichen haben eine solche Formg daß sie allein oder in Kombination mit den Kanten des Blättchens eine eindetrulige Orientierung des Blättchens ermöglichen. Diese Zeichen wurden auf den Plättehen angebrachti bevor sie von der Scheibe abgetrennt wurden. Die Erfindung besteht weiter in einem Verfahren zur Montage eines Blättchens, welches eines oder mehrere Bauelemente enthältt auf einer Unterlage, so daß die Elektroden dieser Vorrichtung oder dieser Vorrichtungen mit den Leitern auf der Unterlage in Kontakt kommeng wobei das Blättchen von einer Scheibe abgetrennt wurdeg in oder an der eine Anzahl von Bauelementen erzeugt wurde. Die Orientierung des Blättchens geschieht mittels der Kanten des Plättchens und mittels Zeichen auf der Fläche des Blättchens, die der Fläche gegenüber liegt, welche mit der Unterlage in Kontakt kommt. Die Zeichen haben eine solche Form, daß sie allein oder in Kombination mit den Kanten das Blättchens eindeutig die Lage'des Blättchens angeben. Die Zeichen wurden auf dem Blättchen angebracht, bevor es von der Scheibe abgetrennt wurde* Es wurden bereits Verfahren zur Montage von Halbleitervorrichtungen vorgeschlagenp bei denen alle metallischen Kontakte an den Elektroden auf einer Seite des Blättchens aus Halbleitermaterial angeordnet sind. Bei einem der vorgeschlagenen Verfahren wird eine Halbleitervorrichtung auf einer Dürinfilmschaltunr, in der Weise in die richtige Lage gebrachtg daß sie durch c> die Glasunterlage der Schaltung mittels eines beobachtet wird. Dieses Verfahren kann jedoch Licht benutzt werden, wenn die Unterlage undurchsichtigt istp Jerlochkann in dieseim Falle eine genügend genaue Festst211ung de-- Lage erzielt werden, wenn die Rückseite des Plättcllens beobachtet wird -und die Kanten des Plättehens bezüglie'.li des aufgedainpften Musters der Dünnfilmschaltung in eine best-imte Iage gebracht werden. Wenn das 2lättehen jedoch eine symmetrische Forn, ha-ty wie das bei den meisten nach den bekannten Verfa."L-Lrjn er"-eiig4-en Plättchen der- Fall ist" sind jedoch mehrere Stelltii-iger,. möglich. Es ist deshalb erforderlichg auf die Lage ulir_-z Elektroden auf der Vorderseite Bezug zu nehmen, oder aul der Rückseite Orientierungsmittel vorzuseheng so daß dieses Plättühen sowohl in der genauen Lage als auch in der richtigen Stellung angeordnet werden kann. Das Verfahren gemäß der Erfindung soll für den Fall. de.-% Montage eines Transistorplättehens auf einer dünnen isolierenden Platte, wobei die Lage durch bestimmte Zeichen auf del- Rückseite des :Plättchens bestimmt ist# anhand der Figuren näher beschrieben werden. Figur 1 zeigt den Grundriß eines Transistorsplättchens mit aufgebrachten Kontakten. Diese Seite, weiche an der Unterlage befestigt werden kann$ wird als Vorderseite bezeichnet. Figur 2 zeigt den Grundriß der Vorderseite einer Scheibe aus Halbleitermaterial mit einer Anzahl von Transistoren und aufgebrachten Kontakten. Figur 3 zeigt den Grundriß der Rückseite einer Scheibe aus Halbleitermaterialt auf dem die Zeichen zur genauen LagebestimmiIng zu sehen sind. Figur 4- zeigt den Grundriß einer Dünnfilmschaltung-auf der ein TransistoTplättchen nach Figur 1 angebracht werden kann. Die dargestellt#9 Seite wird als Vorderseite bezeich-iieto. Figur 5 zeigt das Orientierungsmuster auf der Rückseite des Transistorplättchens na--h Figur 1 zusammen mit dem Mußter der Blektrodenkontakte auf der Vorderseite des Trausistorp:L4ttchens =id, die entsprechenden leitenden Flächenteile auf der. Vorderseito der Dünnfilmschaltung2-die als Unterlage verwendet wird. Ein Verfahren zur Herstellung von planaren Siliziiimtraasistoren mit- aufgebrachten Kontakteng die zur Montage nach der vorstehend beschriebenen Methode dieneny ist bereits vorgeschlagen worden. Die SiliziumscIaeibeg welche die Transistoren enthälti, ist in Figur 2 dargeste-llty wobei die gestrichelter- Linien 5 die Grenzen dex einzelnen Bauelemente andeuten" Ein einzelnes ,mransistorplättchen ist in Figur 1 dargest,-,11-t, Die verschiedenen Fotomaaken, die bei der Herstellung der Transistoren verwendet werdeng werden alle -nach der geraden Kante 13 der Scheibe ausgerichtet. So ist die Lage, der. aufgebrachten Kontakte 19 2 und 3 be-ij#I-glich der geraden Kante 13 Z,> bekannt. Bevor die Scheibe in einzelne Plättchen zerteilt ,wird.. werde-n Orientierungszeichen auf die Rückseite der'S,cheibe 12 aufgebracht* Auf die Rückseite der Scheibe wird durch: die Öffnungen:, in#reiner Maske eine Schicht abgestuft-er Zusammensetzungege, Gold und Ohrzza in Form von Dreiecken a-ufgedampft. Die Maske- wi-rd in bekm#-#iy#ter We-1,--ge nach der geraden Kante 13, der Scheibe 12 ausgerichtet. Es itst nicht erforderlich.9 daß die Zeichen auf der Rückseite eine bestimmte Iage bezüglich der Tran-sistoxen habene Der Abst":#nd der Zeichen wird JedGeh wesentlich geringer gewählt als der Abstand der Transistoren, so daß auf jeden Fall mindestens ein., Dreieck 6 auf der Rückseite eines Transistors vorhanden ist. Figur 4 zeigt einen Teil einer Dünnfilmschaltung auf einer Glasunterlage-11, Unter einer Dünnfilmschaltung ivird eine Schaltung verstandent bei der eine Anzahl von Flächenteilen dünner metallischer Schichten auf einer Unterlage in Form einer dünnen Iaolierplatte so angeordnet sind, daß sie die zuleitungaz lÜr verschiedene Bauelemente bilden, auf der Unterlage gebildet oder angebracht sind. Die dxei Flächenteile aus der niedergeschlagenen Schicht a*us Gold und Chrom 7p 8 und 9 sind in Figur 4 dargestellt und-bilden einen Teil des Anschlußmusters einer Dünzifilmsobalttmg, Das Transistorplättchen ist mit den prcßflächigen Anseblußkon1-,akten lp 2 und 3 versehen und wird dann in der Figur 5 dargestellten Lage an der Düni-i-Eilmschaltung angelötet. Der großflächige Clcoldchronücontakt für den Kol-lektor wi-rd verbunden mit der Gnldchromfläche 9,9 der Basiskontakt 6 mit der Fläche 8 und der Emitterkentakt 1 mit der Fläche 7, Der Abstaftd zwischen den Karten des Plättchens und den Kontakten 19 2 und 3,ist genau definiert" so daß das Kontaktmuster eine korrekte Lage dadurch erhäLlty daß die Kanten des 21ältehens nach den Kanter. 10 der Xontaktzoner- 7y 8 und 9 der Dünnfilmschaltung ausgerichtet werden. Die dreleekigen Zeichen 6 auf der Mckseite des 2lättchens 4 ermöglichen es$ daß daz Plättchen in die, genaue liage bezüglich der -Vorderseite das Plättehens gebracht de Wenn.eines oder mehrere 23-ä,ttehen aur einer Dünnfilmschaltung angebracht werden m-ti--eserLg können sie auch so Li ihre Iage ge bracht, we rden., dag man sie in Öffnungen einer Schablone einbringtg die auf die Dännfilmschaltung aufgelegt wird. Diese Schablone kann beispielsweise aus rostfreien-Stahl bestehen. So kann der Montagevorgang besser kontrolliert werden, als beim Jünlöten von Hand,. Durch die Dreiacke 6 wird bei der Orientierung der Plättchen in den- Öffn= gen,' v-fel Zie-it gespart* Das Verfahren gemäß der Erfindung ist jedoch nicht auf die Orientierl.mg von Transistorplättehen für die Montage auf einer Dünnfilmschaltiuig unter Verwendung eines aufgedampften Goldchrommusters auf der Rückseite des Plättchens beschränkt. Beispielsweise kann das Plättchen ein aktives oder passives Bauelement oder eine Kombination davon enthalten. Die Zeichen können aus in die Halbleiteroberfläche eingeätzten Vertiefungen oder Erhöhungen. bestehen. Die Vertiefungen oder Erhöhungen können auch mechanischg beispielsweise durch Ultraschal lsägen, erzeugt werden. Die Zeichen können auch aus einer Substanz bestehenp die auf die Oberfläche aufgebracht wurde, wie zum Beispiel ein Anstrich, ein Metall oder ein anderes guthaftendes Matiarialg das sich auf der Halbleiteroberfläche gut abhebt. Anstelle der Montage auf einer Dünnfilmschaltung kann das Plättchen auch auf einer Anordnung von Zuleitungsdrähten montiert werden, deren,Lage den Kontaktzonen der Dünnfilmschaltunig entspricht. In der vorstehenden Beschreibung sind jedoch nur einzelne Ausfiähru-ngsbeispiele angegebeng die keine Beschränkung des Erfindungsgedanken bedeuten sollen.

Claims (1)

  1. PatentansprUche s das Oder Verf,-ahren z um Anbrizigun o:Lnc-u pl#t t Che, me-hrere Beuelemente unthält iw&d daz von einer Scheibe abge#reruit wurde, auf oder in der cine Anzahl -voll ba-ucle. menten er-zeugt wurde, in c1.ner de fir3,iarteii baGe auf ciner iinterlageg dadurch grekerinzeichnety dak vor dem Äbtrenrion vor, der Scheibe Zeichen auf de£ iles Plättehe . 0 angebracht worden# die de;# mit der UnterlaZe In Kontakt komenden Pläche uüd daüe diese Zeichen eine solche Form haben# daß jie allein oder zusamen mit den Kanten des Plättchene eine- eindeutige Postetellung der La.ge.er-2*) Verfahren nach A=pruch 19 dadurch "e! kerniz-fsichnötp duL die L'lekt,rodeim der in odur an dem Plattehen vorhandeaen Bauelemente mit entsprechenden Leitern auf der Unterluge In £Qntakt gebracht werden* Verfahren nach Anspruch 1 und 29 dadurch gekennzeichnet, daß auf der Scheibe eine 4azahl von Zeichen In aulehem gegenseltigen Abstand angebracht werden# daßmIndestene ein volletändigee Zeichen auf der Rückeelte jedes Plättcheno vorhanden ist» 4.) Verfahren nach *nopruch 39 dadurch gekennzeichnet» daf-, Zeicben In Porm v-in Dreiecken verwendet iier'den,6 Vvrfahren auch Anapruch 3 und 49 dadurch &*ko-unzeichi-.;et2 daß die Zeichen auf die Plätteben durch iuf-.dam22en einer ästallechicht m:Lt Hilfe einer Xauke aufgebracht werdena 6*) Verfahren nach Anspruch 3 und 4# dadur(1-b gekeu-nzeichr-etg daß eile Zeichen-auf den Plättchen oo erzeugt werdeng daß eine X-etallschicht auf die Plättchen aufgedampft und diese inachließend einem Ätsverfahrenunterworfen worden* 7.) Verfrahrenz. nach Anspruch 3 -und 4 9 dadurch gekennzeichnet,9 daß die tLeichun aue Vertlefungen oder Erhöhungen auf der der Mcnta&meaeite abgewandten FlUche bc"utehent 8.) Ver..fahren nach Anspruch 5 und 69 dadurch Zekonnzeichnotg da£ eine Goldschicht aufgedampft wird* Verfahren nach Anspruch 5 und 69, Aladurch &kennzeichnet# daß eine Alumiiziumßchicht Urd. 109) Verf&hren nach Ampruch 5 und E-9 dadurch grekennzeichrtett, daß eine'Schicht abget.;tufter aue Gold und Chrom wird. 11,) Verfahren nach einem Gler vorhergehenden ArteprUcheg dadurch gekiannzeichr&tg di:iß Plättchen tun Halbleitermuterial verwendet worden.
DE19651514734 1964-01-20 1965-01-08 Verfahren zum Verbinden des Elektrodenmusters eines elektrischen Bauelements mit dem Zuleitungsmuster einer Isolierunterlage Pending DE1514734B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB237064A GB1027550A (en) 1964-01-20 1964-01-20 Electrical circuit elements and method of mounting

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1514734A1 true DE1514734A1 (de) 1969-02-20
DE1514734B2 DE1514734B2 (de) 1970-09-10

Family

ID=9738347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651514734 Pending DE1514734B2 (de) 1964-01-20 1965-01-08 Verfahren zum Verbinden des Elektrodenmusters eines elektrischen Bauelements mit dem Zuleitungsmuster einer Isolierunterlage

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE1514734B2 (de)
GB (1) GB1027550A (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3457639A (en) * 1967-02-16 1969-07-29 Bell Telephone Labor Inc Method for alignment of microcircuit devices on substrate

Also Published As

Publication number Publication date
GB1027550A (en) 1966-04-27
DE1514734B2 (de) 1970-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2817286C2 (de) Verfahren zum Anbringen von Distanzgliedern auf Hybrid-Schaltungen
DE2732529C2 (de) Gedruckte Schaltungsplatine
DE3716196C2 (de)
DE1591186B1 (de) Verfahren zum simultanen Herstellen von Zufuehrungs-verbindungen mittels Kontaktbruecken auf Festkoerperbauelementen mit Hilfe von abziehbildartigen Vorrichtungen
DE3733304A1 (de) Vorrichtung und verfahren zum versiegeln eines hermetisch dichten keramikgehaeuses mit einem keramikdeckel
DE1300788B (de)
DE1640457B1 (de) Elektrische Verbindungen in Schaltkreisanordnungen und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0016925A1 (de) Verfahren zum Aufbringen von Metall auf Metallmuster auf dielektrischen Substraten
DE1180067C2 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Kontaktieren mehrerer Halbleiteranordnungen
DE1922654B2 (de) Elektrische Festkörperschaltungsanordnung
DE1514734A1 (de) Verfahren zum Anbringen von plaettchenfoermigen Bauelementen und Festkoerperschaltungen auf einer Unterlage
DE4129964A1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrisch leitenden befestigung einer integrierten schaltung auf einer gedruckten schaltung
EP1374257B1 (de) Verfahren zum herstellen von dünnschicht-chipwiderständen
DE2736056A1 (de) Elektrisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE1965493B2 (de) Schichtmaterial
DE1514734C (de) Verfahren zum Verbinden des Elektro denmusters eines elektrischen Bauelements mit dem Zuleitungsmuster einer Isolierun terlage Annr Deutsche ITT Industries GmbH, 7800 Freiburg
DE1243254B (de) Traegerkoerper fuer Mikroschaltkreise
DE1285581C2 (de) Traeger mit einer Mikroschaltung und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2101179A1 (de) Verbesserungen an einsteckbaren Karten mit gedruckten Schaltungen
DE1591751C3 (de) Schaltungsanordnung
DE1958811A1 (de) Biegsame Isolierfolie mit einem Muster von Leiterbahnen
DE1965493C (de) Schichtmaterial
DE2444418C3 (de) Gehäuse für ein Halbleiterbauelement
DE2259132C3 (de) Verfahren zum Herstellen eines Meßkopfes zum Messen an elektrischen Bauelementen
DE1804349C3 (de) Elektrische Kontaktanordnung an einem Halbleiterabschnitt und Verfahren zu ihrer Herstellung