DE1514070A1 - Umschaltbare Kapazitaetsdiode - Google Patents
Umschaltbare KapazitaetsdiodeInfo
- Publication number
- DE1514070A1 DE1514070A1 DE19651514070 DE1514070A DE1514070A1 DE 1514070 A1 DE1514070 A1 DE 1514070A1 DE 19651514070 DE19651514070 DE 19651514070 DE 1514070 A DE1514070 A DE 1514070A DE 1514070 A1 DE1514070 A1 DE 1514070A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- junction
- capacitance
- capacitance diode
- conductivity type
- diode according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 102000013081 Tumor Necrosis Factor Ligand Superfamily Member 13 Human genes 0.000 claims 1
- 108010065323 Tumor Necrosis Factor Ligand Superfamily Member 13 Proteins 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/92—Capacitors having potential barriers
- H01L29/93—Variable capacitance diodes, e.g. varactors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
- H03J5/244—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
Ea sind bereits Kapazitätsdioden mit pnp- bzw. npn-Zonenfolge
bekannt (siehe Proc. IRE 1960, Seiten 25*3 - 255 * Electr.
Ind. Mai 1958, Seiten 69-79 und Juli 1958, Seiten 77-80).
Diese haben gegenüber normalen, aus nur zwei Zonen bestehenden Kapazitätsdioden den Vorteil, daß sie annähernd temperaturkompensiert
sind und bei Wechselspannungsübersteuerung nicht in den fflußbereich gelangen, da stets ein äußerer pnübergang
in Sperrichtung gepolt ist.
Bekanntlich kann man mit Hilfe von Kapazitätedioden die Mittelwellen-,
Kurzwellen- und Ultrakurzwellen-Bereiche eines Rundfunkempfänger* abstimmen. Dazu werden eine entsprechende
Anzahl besondere dimensionierter Kapazitätsdioden benötigt*
Zur Abstimmung einee Überlagerungsempfängers mit je einem
Mittelwellen- und UKW-Bereich sind beispielsweise zum Durchstimmen für jeden Bereich mindestens zwei Kapazitätsdioden
erforderlich, nämlich eine für den Eingangskreis und eine für den Oszillatorkreis. Zu diesem Zweck werden gewöhnlich je zwei
für diese Bereiche entsprechend dimensionierte Kapazitätsdioden
verwendet.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die
für diese zwei Frequenzbereiche erforderlichen je zwei Kapazltätsdio^en
durch je eine besonders konstruierte, umschaltbare Kapazitätsdiode zu ersetzen. Die umschaltbare Kapazitätsdiode
soll so dimensioniert werden, daß sie je nach Richtung
909834/0518'
ORIGINAL INSPECTED
-2 -
INTERMETALL
2. Dezember 1965
Pat.Mo/Bu - IM 233 - Pl 268
1514076
der angelegten Gleichspannung eine größere und eine kleinere Kapazität besitzt und daß die größere Kapazität eine
größere Steigung der Kapazitats-Spannungs-Kennlinie hat als
die kleinere Kapazität bei entsprechend umgekehrter Polung der Gleichspannung.
Die vorliegende Erfindung betrifft somit eine Kapazitätsdiode mit drei aufeinanderfolgenden Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitstype und zwei von diesen gebildeten pn-übergängen, die je nach Polung der angelegten Gleichspannung auf zwei Kapazitätsbereiche unterschiedlicher Größe
der Grundkapazität und unterschiedlicher Abhängigkeit der Kapazität von der Spannung umschaltbar ist.
elöst, c
baw. P+P-P+P*"- Schichtenfolg· besteht.
durch gelöst, dak die mittlere Zon· aus einer n+n~n+n~- ,
01t Erfindung wird la folgenden anhand der Pig. 1 mid der \
71g. 2 und mit der Zonenfolge pnp beispielsweise erläutert.
Fig. 1 ieigt tine Kapazitätsdiode alt den Merkmalen der *
Erfindung,
einer Kapazitätsdiode mit den Merkmalen der Erfindung·
Die in Fig. 1 dargestellte Kapazitätsdiode mit pnp-Zonenfolge weist niedrig dotierte n~ -Zonen 2 und 3 beiderseits
einer hochdotierten Halbleiterplatte 1 auf, die die mittlere
n+ -Zone bildet. Diese mittlere n+-Zone ist aus bekannten
Gründen dicker als die Diffusionslänge der Minoritäten (siehe
deutsche Auslege schrift 1 162 484 , Spalte 6), um einen Traneistereffekt zu verhindern· Die n~-Zonen 2 und 3 sind
— 3 -
0983 kl OS1«
INSPECTED
INTERMETALL
2. Dezember 1965 Pat.Mo/Bu - IM 233
dünner als die Diffusionslänge der Minoritäten, um den ■Verlustwiderstand bei höheren Frequenzen der je nach Polarität
in Durchlaßrichtung geschalteten Diode herabzusetzen. Auf der Seite der n~-Zone 2 befindet sich ein beispielsweise
durch Legieren oder durch Diffusion von p-dotierendem. Material entstandener pn-übergang 5 mit steilem Störeteilengradienten, dessen Fläche relativ klein gegenüber der Fläche
des auf der anderen Seite der Halbleiterplatte 1 befindlichen pn-Übergange β 8 gewählt wird. Dieser größerflächige
pn-Übergang 8 schließt an eine n+-Zone 9 an, deren Störstelienkonzentration vom pn-übergang 8 aus nach innen hin
abnimmt. Mit diesen Maßnahmen wird erreicht, daß der Exponent der Spannungsabhängigkeit der Kapazität für die beiden
pn-übergang« 5 und 8 unterschiedlich groß ist. Die Kontaktierung der Kapazitätsdiode ist über ohmsche Kontakte 6 und
11 vorgenommen.
Die Kapazitätsdiode nach der Erfindung kann wie folgt hergestellt werden. Zunächst wird eine relativ niederohmige
(Ό, 01 SL cm) Halbleiterplatte 1 beiderseits mit 7 /U dikken, relativ hochohmlgen (1ilcm) Halbleiterzonen 2 und 3 des
gleichen Leitfähigkeitstype versehen. Danach wird die Zone 2 mit einer gegen die Diffusion von Verunreinigungen schützenden Schicht 4 bedeckt, so daß bei einer nachfolgenden Diffusion von η-dotierenden Verunreinigungen anschließend an
die Zone 3 tine n+-Zone 9 mit einem von ihrer Oberfläch·
(dem nachfolgenden pn-übergang 8) aus abnehmenden Störittllengradlenten entsteht· Hitrauf wird die Schicht 4 mit
eintm Durchbruch versehen, so daß bti eintr nachfolgenden.
Diffusion von p-dotiertndtn Verunrtlnigungtn hochdotiert·
Zonen 7 und 10 entatthen. In bekannter V·!·· wtrdtn danach
die ohmschen Kontakte 6 und 11 angebracht und dit Diod·
verkappt·
909834/051$ BADORlGiMAL -V
IUTERMETALL
2. Dezember 1965 Pat.Mo/Bu - IM - Fl
der Erfindung ist in Fig.2 dargestellt. Die Spannung ist
in Bezug auf den größerflächigen pn-übergang 8 angegeben.
Das Maximum 12 läßt sich durch das Störstellenprofil am
pn-Ubergang 8 und die Flächenverhältnisse der pn-tbergänge
5 und 8 verschieben. Der Verlauf der Kennlinie ist gegeben
durch die Störstellengradienten an den pn-Ubergangen
und 8 . Bei der Kapazitätsdiode nach der Erfindung wird der Ast 13 der Kennlinie für die höheren der abzustinkenden
Frequenzen benutzt. Der Betrag der Kennliniensteigung des Astes 13 ist kleiner als der Betrag der Kennliniensteigung
des Astes 14· , der bei den niedrigeren der abzustimmenden
Frequenzen ausgenutzt wird. Der Ast 13 hat somit eine kleinere Grundkapazität und entspricht der Kapazität des pn-£berganges
5 ; der Ast 14 hat eine größere Grundkapazität und
entspricht der Kapazität des pn-tjberganges 8 .
- 5 909834/051$
Claims (6)
- I Ii T E R Ä IS T A L L 2. Dezember <1965 Pat.Mo/Bu - IM - Fl15.1.407 GHS\1 .,/Kapazitätsdiode mit drei aufeinanderfolgenden Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps und zwei von diesen gebildeten pn-übergängen, die Je nach Polung der angelegten Gleichspannung auf zwei. Kapazitätsbereiche unterschiedlicher Größe der G-rundkapazität und unterschiedlicher Abhängigkeit der Kapazität von der Spannung um- · schaltbar ist, dadurch gekennzeichnet, daß die mittlere kione aus e^ner n+n~n+n~~ , bzw. p+p~p+p"" -Schichtenfolge besteht..
- 2. Kapazitätsdiode nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die n+-Zone (9) einen vom pn-übergang (8) aus abnehmenden Störstellengradienten aufweist, und daß die Fläche des pn-Überganges (5) kleiner ist als die Fläche des pn-Uberganges (8).
- 3· Kapazitätsdiode nach den Ansprüchen 1 und 2 , dadurch gekennzeichnet, daß die· Kapazität des pn-Uberganges (5) kleiner ist als die des pn-Uberganges (8) .
- 4. Kapazitätsdiode nach den Ansprüchen 1 bis 3 * dadurch gekennzeichnet, daß der Betrag der Steigung der Kapazitäts-Spannungs-Kennlinie des pn-Überganges (5) kleiner ist als der Betrag der Steigung der Kapazitäts-Spannungs-Kennlinie des pn-Uberganges (8).
- 5. Kapazitätsdiode nach den Ansprüchen 1 bis 4 , dadurch gekennzeichnet, daß ein niederohmiger Halbleiterkörper (1) eines Leitfähigkeitstyps (n+ oder p+) an zwei gegenüberliegenden Flächen ^e eine hochohmige Schicht (n~ oder p~) des gleichen90983Α/0δ1δ " 6 "INTJBEJIE -T A'LL 2. Dezember 1965 Pat.Mo/Bu - IM 233■ - Fl 268Leitfähigkeitstyps besitzt (2, 3)» daß eine kleinerflächige niederohmige Zone (7) des anderen Leitfähigkeitstyps (p+oder n*) in die eine hochohaige Schicht (n~ oder p~) (2) des Halbleiterkörpers (1) eingesetzt ist und mit dieser einen verhältnismäßig kleinflächigen pn-übergang (5) bildet, daß auf der anderen hochohmigen Schicht (n~ oder p~") (3) des Halbleiterkörper (1) zunächst eine niederohmige Schicht (9) des gleichen Leitfähigkeitstyps mit nach innen abnehmender Störstellenkonzentration angeordnet ist und eine sich über die gesamte Fläche erstreckende Schicht (10) des anderen Leitfähigkeitstyps Cp+ oder n+) mit dieser Schicht (9) einen großflächigen pn-übergang (8) bildet.
- 6. Kapazitätsdiode nach den Ansprüchen 1 bis 4- , dadurch gekennzeichnet, daß die Kapazitätsdiode des pn-überganges (5) für den höheren der abzustimmenden Frequenzbereiche und die Kapazität des pn-tiberganges (8) für den niedrigeren der abzustimmenden Frequenzbereiche benutzt wird. .; ■■-■■-■■ ■ .. >.|7» Kapazitätsdiode nach den Ansprüchen 1 bis 5 » dadurch gekennzeichnet, daß die Umschaltung durch Umpolen einer Gleichspannung bestimmter Höhe erfolgt.909834/05 16
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEJ0029509 | 1965-12-03 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1514070A1 true DE1514070A1 (de) | 1969-08-21 |
DE1514070B2 DE1514070B2 (de) | 1972-05-10 |
DE1514070C3 DE1514070C3 (de) | 1975-06-19 |
Family
ID=7203622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19651514070 Expired DE1514070C3 (de) | 1965-12-03 | 1965-12-03 | Umschaltbare Kapazitätsdiode |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1514070C3 (de) |
FR (1) | FR1508404A (de) |
GB (1) | GB1116250A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4916716A (en) * | 1980-02-13 | 1990-04-10 | Telefunken Electronic Gmbh | Varactor diode |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2199198B1 (de) * | 1972-09-08 | 1977-12-30 | Korovin Stanisl V | |
GB2104725B (en) * | 1981-07-17 | 1986-04-09 | Clarion Co Ltd | Variable capacitance device |
-
1965
- 1965-12-03 DE DE19651514070 patent/DE1514070C3/de not_active Expired
-
1966
- 1966-12-02 GB GB5410566A patent/GB1116250A/en not_active Expired
- 1966-12-02 FR FR85933A patent/FR1508404A/fr not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4916716A (en) * | 1980-02-13 | 1990-04-10 | Telefunken Electronic Gmbh | Varactor diode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1116250A (en) | 1968-06-06 |
DE1514070C3 (de) | 1975-06-19 |
DE1514070B2 (de) | 1972-05-10 |
FR1508404A (fr) | 1968-01-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2932152C2 (de) | ||
DE10322593B4 (de) | Halbleiterbauteil und dieses verwendender integrierter Schaltkreis | |
DE2851789C2 (de) | Schaltung zum Schalten und Übertragen von Wechselspannungen | |
DE3011557C2 (de) | Zweipoliger Überstromschutz | |
DE1589963A1 (de) | Gleichrichteranordnung | |
DE2047166B2 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung | |
DE3834841A1 (de) | Integrierte schaltung in einem substrat zum abschirmen der injektion von ladungen in das substrat | |
EP1252656B1 (de) | Schutzanordnung für schottky-diode | |
DE3631136C2 (de) | ||
DE1959629A1 (de) | Bedingt geschalteter Feldeffektkondensator | |
DE1075745B (de) | Halbleiteranordnung mit einem pn-Übergang, insbesondere zur Verwendung als spannungsabhängige Kapazität | |
DE6913357U (de) | Integriertes monolithisches halbleiterbauelement. | |
DE1514070A1 (de) | Umschaltbare Kapazitaetsdiode | |
DE2238564B2 (de) | Thyristor | |
DE1274182B (de) | Integrierter Halbleiterschaltkreis mit kurzer Abschaltzeit | |
EP0167929B1 (de) | Halbleiter-Leistungsschalter mit Thyristor | |
DE2361171A1 (de) | halbleitervorrichtung | |
DE2015815B2 (de) | Schutzschaltung fuer einen integrierten schaltkreis | |
DE2009358B2 (de) | Integrierte Halbleiteranordnung mit einer integrierten Impulstorschaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiteranordnung | |
DE2258380A1 (de) | Schutzbeschaltung fuer mit mittelfrequenzschaltfolge gezuendete thyristoren | |
EP1025592B1 (de) | Halbleiterdiode | |
DE2449089A1 (de) | Halbleitergesteuerter gleichrichter | |
DE19843537C2 (de) | Vierschicht-Halbleiterbauelement als Überspannungsschutz | |
DE2055661B2 (de) | ||
DE3046134C2 (de) | Optisch zündbarer Zweirichtungs-Thyristor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |