DE1497164A1 - Lichtempfindliches Element und Verfahren zur Herstellung von Elektrografien - Google Patents
Lichtempfindliches Element und Verfahren zur Herstellung von ElektrografienInfo
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Description
44o5
Katsuragaw,a Denki Kabushiki Kaisha, Tokyo-To/Japan
Lichtempfindliches Element und Verfahren zur Herstellung von Elektrografien
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Blektrografien. Sie "betrifft insbesondere ein neues lichtempfindliches
Element und ein Verfahren, nach dem unter Verwendung dieses lichtempfindlichen Elementes dauerhafte,
latente, elektrostatische Bilder angefertigt werden können.
Insbesondere beseitigt die Erfindung auch verschiedene Schwierigkeiten, die z.B. die Lichtempfindlichkeit, die
Intensität der latenten Bilder, die Eonservierung derselben oder ähnliches betreffen, und mit denen die bekannten
elektrοgrafischen oder elektronisch photografischen Verfahren
behaftet sind.' Das geschieht dadurch, daß auf einfachem
Wege 1stente Bilder höchster Intensität hergestellt werden.
Die bekannten, sogenannten trockenen Verfahren zur Herstellung
von Elektrogrcsfien können entsprechend ihrer Aus führ ungs form
in die folgenden vier Verfahrenstypen eingeteilt werden:
1) Der erste Verfahrenstyp wird im allgemeinen als xerografisches
oder Elektrpnenstrahlverfahren bezeichnet. Solche Verfahren sind z.B. in den US-Patenten No. 2 221 776 und
2 727 8o8 sowie in dem japanischen Patent 6517 aus dem Jahre 1958 beschrieben. Hierbei wird eine in einem dunklen
Eaum befindliche elektrostatische Oberflächenladung lokal
durch Belichtung geschwächt.
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2) Der zweite Verfahrenstyp ist z.B. aus der japanischen
Patentschrift 82o4 aus dem Jahre 1957 "bekannt, die dem
US-Patent 2 825 814 entspricht. Bei diesem Verfahren wird ein spezielles Registrierpapier verwendet, während eine
Schicht aus lichtleitendem Material als lichtelektrischer [\
"Wandler verwendet wird, mit dessen Hilfe auf dem Registrierpapier ein latentes elektrostatisches Bild entworfen wird.
3) Bei dem dritten Verfahrenstyp wird ein innerer Polarisationseffekt ausgenützt, der im Innern eines speziellen Regi£i?riermediums
auftritt, welches keine Lichtempfindlichkeit aufweist.
4) Der vierte Verfahrenstyp macht sich schließlich eine sogenannte persistente innere Polarisation zunutze, die in
denjenigen Teilen einer fluoreszierenden Substanz auftritt, die von den Lichtstrahlen getroffen 'werden, und dort ein
latentes Bild erzeugt.
Die Verfahren des ersten Verfahrentyps werden komerziell
verwertet, da der apparative Aufbau, die Wirkungsv/eise
und die Steuerung der einzelnen Arbeitsgänge leicht verständlich
sind. An das- lichtempfindliche Material selbst sind jedoch einige grundsätzliche Anforderungen zu stellen,
da bei diesen Verfahren der Strom, der durch das lichtempfindliche
Element fliesst," ausgenutzt wird. So ist es nach den in den obigen Veröffentlichungen beschriebenen
Verfahren unbedingt notwendig, die vorher aufgebrachte elektrostatische Ladung lokal aufrechtzuerhalten, indem
man lichtempfindliche Elemente verwendet, die im-Dunklen
einen hohen elektrischen Widerstand haben. Vom fotografischen Standpunkt aus betrachtet sind eine hohe Lichtempfindlichkeit
und Lichtleitfähigkeit an der Oberfläche
' ' ■ ■ ' BAD ORIGiMAL
9 O 9 S 1 e / O B 6 Λ
des lichtempfindlichen Elementes notwendig. Daher können diese Verfahren nur dann durchgeführt werden, wenn man einen geeigneten
Kompromiß zwischen diesen sich widersprechenden Bedingungen gefunden hat. Wegen der Bbtwendigkeit eines hohen Widerstands
im Dunklen und einer hohen Lichtempfindlichkeit ist daher das
verwendbare Material begrenzt. Auch wenn die mechanische festigkeit durch Verbesserung der Eigenschaften des ZnO ,
ausreicht, wenn man eine aufgedampfte Selenschicht verwendet und wenn man mit der Herstellung zusammenhängende Schwierigkeiten
beseitigt, dann besteht immer moch das ProOem einer ungenügenden
Lichtempfindlichkeit. Weiterhin ist es notwendig, das Registriermedium nach der Registrierung im Dunklen aufzubewahren, bis die
Entwicklung beendet ist.
Der zweite Verfahrenstyp bzw. das Verfahren, welches aus dem
japanischen Patent 82o4 aus dem ,Jahre 1957 ( =U.S. Patent
2 825 814) bekannt wurde, macht von dem folgenden Phänomen Gebrauch. Wenn ein Registriermedium nur durch einen winzigen
Luftspeit von z.B. 2- Io Mikrons von einem lichtempfindlichen
Element getrennt ist, dann verursacht eine lokale Belichtung, daß die' Ladungsträger aus der lichtempfindlichen Schicht in
das Registriermäium wandern. 'Hierbei'wirkt der sehr kleine
Luftspalt als besonderer Widerstand, so daß keine Felcfcnission
auftritt, bevor die Feldstärke im Luftsxjalt einen vorgewählten
Wert erreicht. Beim Erreichen dieses vorgewählten Wertes tritt die Feldemission jedoch sehr plötzlich ein und verbessert
damit die Klarheit der erzeugten Aufnahme. Dieses Phänomen ist '
für die Haltbarmachung des latenten elektrostatischen Bildes
wesentlich, das suf dem Registriermedium gebildet worden i-st,
und dieses Verfahren charakterisiert. Es ist jedoch außerordentlich
schwierig, einen solchen Mikroluftspalte aufrechtzuerhalten
und zu steuern.
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ITaeh. dem dritten Verfahrenstyp, der aus dem japanischen
Patent No. 3ol7 aus dem Jahre 1959 bekannt ist, "besitzt
das Registriermedium die Eigenschaft, daß es die juurückbleibende
dielektrische Polarisation über lange Zeiten hinweg konservieren kann. Es ist insbesondere versucht
worden, die Aufnehme durch Einführen einer besonders ausgewählten Substanz in das Registriermedium haltbar
zu machen, durch die die elektrische Feldstärke, die der lichtempfindlichen Schicht an den von'den Lichtstrahlen
getroffenen Stellen aufgeprägt wird, lokal erniedrigt und dadurch der proportionale Anteil der elektrischen Feldstärke
auf dem Registriermedium erhöht werden sollte. Das würde ein entsprechendes Anwachsen der dielektrischen
Polarisation im Registriermedium zur Folge haben und diese auch über eine gewisse Zeitspanne aufrechterhalten. Dieser
Verfahrenstyp unterscheidet sich vom zweiten Verfahrenstyp dadurch, daß die Persistenz der dielektrischen Polarisation
ausgenützt wird. Die Verfahren nach dem dritten Typ sind
leicht zu kontrollieren, da es nicht notwendig ist, wie nach dem Verfahren des zweiten Typs einen Mikroluftspalt^aufrechtzuerhalten.
Wichtigste Bedingung bzw. die einzige Möglichkeit zur Konservierung der dielektrischen Polarisation ist jedoch
die Verwendung eines sehr speziellen Materials. Weiterhin kann beim wirklichen Gebrauch die dielektrische Polarisation
nur für eine sehr kurze Zeit haltbar gemacht werden, so daß viele Probleme noch ungelöst bleiben.
Im Gegensatz zum dritten Verfahrenstyp, der auf der Persistenz
der dielektrischen Polarisation auf einem nichtlichtempfindlichen
Material beruht, beschreibt der vierte Verfahrenstyp Verfahren.,
denen der Effekt der sogenannten persistenten inneren Polarisation, zugrunde liegt. Hierbei wird unter Ausnutzung-
BAD
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dieses.Effekts sowie durch die Verwendung einer fluoreszierenden
Substanz ein latentes Bild im Dunklen .erzeugt und konserviert,
wobei auch die tiefen Niveaus der lallen dieser Substanz kontrollierbar sind.Obwohl eine Anzahl verschiedener Verfahren
zur Lösung dieses Problems vorgeschlagen worden ist, liegt
die Hauptschwierigkeit bei ihnen darin, daß es nicht nur Ladungsträger
bedarf, die in den von den Lichtstrahlen getroffenen Eallen eingefangen werden, sondern daß auch über einem bestimmten
Wert liegende Widerstände in den belichteten Heilen nötig sind.
Daher ist das lichtempfindliche Material, das bei den Verfahren der persistenten inneren Polarisation verwendet
werden kann, auf fluoreszierende Stoffe begrenzt, was in Bezug
auf eine Steigerung der Lichtempfindlichkeit bei solchen Verfahren eine ernsthafte Schwierigkeit bedeutet. Würde man
stark lichtempfindliche Stoffe, wie z.B. GdS gemäß der
jäpfindung verwenden, dann würde der proportionale Anteil
der elektrischen Feldstärke längs- der Schicht des lichtempfindlichen Stoffs abnehmen und die Zahl der Ladungsträger-'
fr Ilen beim !Fallenniveau stark anwachsen, weil der Widerstand
der dem Licht susgesetzten Teile plötzlich abfällt. Jo!glich
ist der Überg -ng zwischen Hell und Dunkel sehr gering und
es ist unmöglich, gute Bilder herzustellen. Diese Eigenschaft,
weisen nahezu alle lichtleitenden Stoffe mit starker Lichtempfindlichkeit
auf, und dss ist auch einer der wesentlichsten
Gründe, weswegen es nicht möglieh ist, mit den Verfahren der persistenten inneren Polarisation Bilder mit hoher
Geschwindigkeit aufzunehmen.
öbviöbl die Verfahren des zweiten, dritten und vierten Typs
zur Beseitigung der mit dem xerographischen Verfahren verbundenen
Schwierigkeiten gedacht sind, sind auch bei diesen Verfahren noch, viele Probleme ungelöst.
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Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein lichtempfindliches
Element neuartiger Bauweise und mit neuartigen Eigenschaften herzu*eilen, indem lichtleitfähige Substanzen
hoher Empfindlichkeit verwendet werden, die bisher in der Elektrografiertechnik nach nicht verwendet worden sind.
Weiterhin wird ein .Verfahren angegeben, wie man mit Hilfe dieses Elementes ein latentes elektrostatisches Bild eines be
eeleuchteten Gegenstandes herstellen kann.
Gemäß der Erfindung ist ein lichtempfindliches Element vorgesehen, wobei mittels ein-S durchsichtigen Bindemittels
eine pulverförmige, lichtleitfähige oder fluoreszierende
Substanz gebunden und das Gemisch anschliessend in eine dünne Schicht ausgewalzt ist. Auf eine oder auf beide
Seiten dieser Schicht ist gleichförmig eine hoch isolierter Pifm aufgetragen, und durch Aufbringen einer leitenden
Substanz auf eine Oberfläche dieser dünnen Schicht ist für eine Elektrode gesorgt. Wie aus der späteren Beschreibung
deutlicher wird, sollte das Bindemittel einen spezifischen Widerstand von vorzugsweise mehr als 10 Ohm · cm aufweisen,
während die Dicke der dünnen Schicht vorzugsweise kleiner als 200 Mikrons sein sollte . Der spezifische
Widerstand des stark isolierenden films sollte grosser
10 Ohm#^m sein, dessen Oberflächenwiderstand mehr
2
12 2
• als 10 0hm·cm und dessen Dicke weniger als 5o Mikrons betragen. Der Widerstand dieses lilms von Oberfläche zu Oberfläche sollte pro Einheitsfläche grosser als 10^ 0hm sein.
• als 10 0hm·cm und dessen Dicke weniger als 5o Mikrons betragen. Der Widerstand dieses lilms von Oberfläche zu Oberfläche sollte pro Einheitsfläche grosser als 10^ 0hm sein.
Hach dem Verfahren gemäß der Erfindung wird eine, durchsichtige
Elektrode mit dem stark isolierenden PiIm des lichtempfindlichen
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Elementes in Berührung gebracht, dann wird ein Gleichfeld
oder eine Gleichspannung zwischen die Elektrode des lichtempfindlichen
Elementes und die durchsichtige Elektrode angelegt, und die Polarität des Gleichfeldes umgekehrt.
Dann wird auf der Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes
das Bild eines beleuchteten Gegenstandes erzeugt, in-dem Lichtstrahlen durch die durchsichtige Elektrode hindurehtre&en,
während die Polarität umgekehrt bleibt. Ha eh Unterbrechung der Belichtung des Gegenstandes,nach
Ausschaltung -der angelegten Spannung und' nach der Trennung
der durchsichtigen Elektrode von dem lichtempfindlichen Element befindet sich auf der Oberfläche der stark isolierenden
Schicht ein latentes elektrostatisches Bild, welches sich dadurch auszeichnet, daß es nicht durch später auftreffende
Lichtstrahlen ausgelöscht wird» Die einzelnen Verfahrensschriirfce
können, wenn es erwünscht ist, wiederholt werden.
Eines der wesentlichsten Merkmale des Elementes und des
Verfahrens gemäß der Erfindung ist es, daß trotz der Tatsache, daß das latente Bild auf der Oberflächenschicht
des lichtempfindlichen Elementes gebildet ist, dieses nicht durch Lichteinfluss geschwächt oder ausgelöscht werden
kann. Eine Auslöschung kann allein durch das Anlegen -ines elektrischen Feldes geschehen. Von den bekannten
Verfahren kann das gleiche nach dem Verfahrenstyp 2 erreicht werden, indem eine verschiedene Art von Eegistrierpapier
zur Herstellung der Aufnahmen verwendet wird. Nach diesem Verfahren wird nämlich, wie oben beschrieben, die Feld- .
emission zur Aufnahme von Bildern ausgenützt und es ist notwendig, einen Kikroluftspalt auszubilden, da sonst
die Aufnahme verschwindet. Die-Ausbildung solcher Mikroluftspalte
ist aber sehr kompliziert, was die Ausnutzung .
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dieses Verfahrens stark einschränkt. Bei den "beiden Verfahrenstypen 1) -und 4), nämlich der Xerografie und dem Verfahren
der persistenten inneren Polarisation, müssen die Entwicklung
und ä,hniiche Prozesse im Dunklen vorgenommen werden, da:
bei diesen Verfahren das latente Bild durch Lichteinwirkung ausgelöscht wird. Andererseits ist bei den Verfahren des
dritten Typs die Zeitspanne, während der die Polarisation
anhält, sehr kurz. Weiterhin ist es in der Xerografie, und
"beim Verfehren der persistenten inneren Polarisation schwierig,
ein lichtempfindleiches Material mit der geeigneten Empfindlichkeit
aufzufinden. Demgegenüber erscheint der zweite Verfahrenstyp vorteilhaft zu sein, da die Feldsaission unterhalb
einer bestimmten Schwellspannung nicht auftritt. Bei diesen Verfahren können auch sehr empfindliche Substanzen verwendet
v/erden, da die Feldemission nicht auftritt, wenn die elektrische., Feldstärke im Luftspalt an den Stellen, die nicht vom Licht
getroffen werden, nicht den; kritischen Wert erreicht. Folglich
entstehen keine zum Rauschon beitragenden Ladungen im Registriermedium,
wenn dieses nicht unmittelbar dem Licht ausgesetzt ist, und man erhält.ein günstiges Signal/Rausch-Verhältnis. Veränderungen
in der Grosse des Luftspaltes haben natürlich starke
Veränderungen der Feineinstellung des Spaltes zur Folge.
Das bedeutet, wie schon mehrfach betont wurde, daß es wesentlich ist, den Luftspalt gleichförmig und genau eingestellt
zu lassen, da die ^ualität der aufgenommenen Bilder allein
von der richtigen Lage des Mikroluftspaltes abhängt.
Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung ist eine solche Schwierigkeit nicht vorhanden. Die Berührung zwischen der
durchsichtigen Elektrode und der Obe-rfläche des lichtempfindlichen
Elementes kann durch einen von einer geeigneten
Vorrichtung erzeugten Druck herbeigeführt werden. Der Mechanismus der Erzeugung eines Bildes und der Konservierung des
BAD ORIGINAL
8Ö§S16/0564
latenten Bildes härg£ nicht davon ab, ob ein kleiner Luftspalt
vorhanden ist, der eine Loslösung der Ladungsträger, die die'Oberfiächenladung
darstellen, erschwert, oder ob die Elektrode und das lichtempfindliche Element in inniger Berührung stehen, so
daß die Ladungsträger, die das latente Bild ausbilden, leicht
in die durchsichtige Elektrode übergehen können. Obwohl
die Erfindung nicht von einer besonderen theoretischen Analyse
der entsprechenden Phänomene abhängt, wird später noch theoretisch
begründet, warum man auch unter Verwendung eines sehr empfindlichen Materials leicht befriedigende Ergebnisse erzielen kann.
Die Erfindung wird nun auch anhand der beiliegenden Abbildungen
ausführlich beschrieben, wobei alle aus der Beschreibung und den Abbildungen hervrgehenden Einzelheiten oder Merkmale zur Lösung
der Aufg3be im Sinne der Erfindung beitragen können und mit
dem -Willen zur Patentierung in die Anmeldung aufgenommen wurden* .
Die Pig. 1 zeigt ein teilweise geschnittenes lichtempfindliches Element gemäß der Erfindung.
In der Pig. 2 ist eine Seitenansicht einer Anordnung air Bildung
eines latenten Bildes gemiiß der Erfindung gezeigt.
Me IMg. 3 zeigt die Abhängigkeit der angelegten Spannung
und der Belichtung von der Zeit.
Die Pig. 4 gibt an, wie sich das Potential einer elektrostatischen
£·.-■>&uu# auf der Obe-'fl-'iche des lichtempfindlichen Elementes mit
aer Zeit ändert.
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-Ιο-.
Die ffigur 5 zeigt schema tisch, eine an das. lichtempfindliche
Element angeschlossene Schaltung. ■
Die Mg. 6 und 7 sind Potential-Zeit- bzw. Strom-Zeit-Charakteristiken
eines lichtempfindlichen Elementes. ■
Figur 8 zeigt die Ladungsverteilung in einem lichtempfindlichen
Element.
Aus der Kg. 9 ist wiederum zu ersehen, wie die angelegte
Spannung und die Belichtung von der Zeit abhängen.
Die Figur Io gibt weitere Beispiele für eine elektrostatische
Ladung auf der Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes.
Die Fig. 11 gibt ein anderes Ausführungsbeispiel eines lichtempfindlbhen
Elementes an.
Die Mg. 12 gibt wiederum die Zeitabhängigkeit der Ladungsverteilung
auf der Oberfläche eines lichtempfindlichen Elementes
εη, ' -
während die Mg. 13 die Abhängigkeit der angelegten. Spannung und
der Belichtung von der Zeit für ein besonderes Ausführungsbeispiel der Erfindung angibt.
Im folgenden wird nun ein einfaches Ausführungsbeispiel der Erfindung in allen Einzelheiten beschrieben, um den Erfindungsgedanken klar herauszustellen.
Die Mgur 1 zeigt ein lichtempfindliches Element 1 , das aus
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mehreren Schichten besteht. Es enthält eine lichtempfindliche Schicht 2, eine dünne Schicht oder einen dünnen Film 3, der stark
isoliert und auf der Schicht 2 aufliegt, sowie eine Elektrode 4, die die Form eines dünnen Metallfilms hat und unterhalb
der lichtempfindlichen Schicht liegt. Die lichtempfindliche Schicht 2 enthält feine Teilchen aus CdS-Kristallen, die eine
Kirrngrösse von etwa Io Mikrons haben und die ferner durch
Kupfer aktiviert sind und mitteeis eines isolierenden Bindemittels,
z.B. Cellulosenitrat, derart aneinander gebunden sind, daß sich eine dünne Schicht von etwa 8o Mikron Dicke
ausbilden läßt. Der isolierende Film 3 besteht aus einem synthetischen
Harz auf Polyesterbasis, z.B. einem Film, der von der Firma Toyo Rayon Co. ltd., Japan, unter der Handelsmarke "Lumiler"
verkauft wird. Er ist mittels eines synthetischen, herzförmigen Bindmittels auf Polyesterbasis, welches unter der Bezeichnung
"Bond-L" von der Firma Konishi Grisuke Co.. ,Japan, vertrieben
wird, an die obere Oberfläche der lichtempfindlichen Schicht
2 gekittet. Die Elektrode 4 enthält einen elastisch deformierbaren
Film aus elektrisch leitendem Material, der mittels eines elektrisch
leitenden Bindemittels gleichförmig an die untere Seite der lichtempfindlichen Schicht 2 angebracht ist. Da jede der
Schichten, aus denen das gezeigte Element 1 besteht, elastisch deformierbar ist, weist auch 4s gesamte Element eine elastische
Deformierbarkeit auf.
Die Fig. 2 zeigt einzelne Teile, die zur Bildung eines latenten
Bildes in Abhängigkeit eines Lichtbildes notwendig sind. Die Anordnung enthält das oben gezeigte lichtempfind]!; ine■Clement
und eine für Lichtstrahlen durchsichtige Elektrode 5 au£ G-las,
z.B. aus "jJESA-Gias", <*as von der Firm? Corning Glass Co..,USA
vertrieben.wird, die euf den isolierenden Film 3 des lichtemipfindlichen
Elementes gelegt ist .Yieiterhin enthält d :e ■
HS7164
Anordnung eine Gleichspannungsquelle 6, mit der zwischen die
Elektroden 4 und 5 eine Gleichspannung angelegt werden kann.
Ein Umschalter,. mit dem das angelegte Potential umgepolt werden kann, liegt zwischen der Spannungsquelle und den Elektroden.
Weiterhin kann eine geeignete Einrichtung (nicht gezeigt) vorhanden sein, die die durchsichtige Elektrode 5 gegen die
Oberfläche des isolierenden Films 3 drückt. Weiterhin ist
ein durch eine Linse 8 angezeigtes optisches System vorhanden,
welches zwischen dem lichtempfindlichen .Element 1 und einem Gegen- .*
stand 9 angeordnet ist, der von einer nicht gezeigten lichtquelle
in geeigneter Weise beleuchtet ist, damit er auf das lichtempfindliche
Element 1'projiziert wird.
In der Fig. 3 sind die zwischen der durchsichtigen Elektrode
5 und der Elektrode 4 des lichtempfindlichen Elementes liegende
Spannung und die Belichtung in Abhängigkeit von der Zeit miteinander
verglichen. Dabei ist die Polarität der Obafflache
des lichtempfindlichen Elementes 1 oder die des isolierenden
Films 3 sowie das Potential* der dsri^f befindlichen Ladung
berücksichtigt. Die Abszisse der Fig. 3 ist die Zeit.Wenn
währsend eines Zeitintervalls von t bis t-,ohne Beleuchtung
des- Gegenstandes einj^ positives Potential an der durchsichtigen
Elektrode 5 liegt,· wird dieses Potential, wenn der Gegenstand
während eines Zeitintervalls zwischen t-, und to beleuchtet wird,
zum Anlegen eines negativen Potentials an diese Elektrode
umgepolt. Zur Zeit tp werden die Spannungzufuhr und die
Beleuchtung gleichzeitig unterbrochen.
Ifech dem Entfernen der durchsichtigen Elektrode 5 vom lichtempfindlichen Element l· bleibt ein fern" "Gegenstand entsprechendes
latentes, elektrostatisches Bild auf der Oberfläche des isolierenden
Filmes 3 zurück, welches sich dadurch auszeichnet, äs& es
bei einer späteren Bestr hlung mit Licht kaum geschwächt oder
- ■ . CAD
&Ö981β/0564
U97164
ausgelöscht wird'· Me beiden Zeitintervalle zwischen t und t-,
."bzw, zwischen't-, und tg können o,l sek "betragen, während die
Beleuchtungsstärke auf dem photoem.pfindlbli.en Element. etwa 2o Lux
"betragen kann, unter Verwendung dieser Werte und bei einer über die
Spannungsquelle 6 an das photoempfindliche Element angelegten Spannung
Ton 20G0 'Volt bildet sich auf den Teilen der Oberfläche des isolierenden I1UmS 3, die das Lichtbild des Gegenstandes aufgenommen
haben, eine Ladung entsprechend - 15oo Volt aus, während die
Teile, die nicht von der Strahlung getroffen werden, auf nahezu Hull Volt bleiben. Daher ist es sehr leicht, solch ein latentes^
Bild durch die Zustände geladener und nichtgeladener Teilchen, .
die von den grossen Potentialunterschieden herrühren, sichtbar
zu machen. In dieser Hinsicht ist die Polarität der elektro;-statischen
Ladung auf der Oberfläche des .lichtempfindlichen . Elementes/ 1, die durch die Polarität des angelegten elektrischen
leides festgelegt ist, gleich der Polarität der durchsichtigen
Elektrode, d.h. das latente elektrostatische Bild, .das nach dem.
oben beschriebenen Verfahren.entsteht, kommt durch elektrostatische
Aufladung oder ähnliche Effekte und nicht durch Polarisationserscheinungen zustande.. '.. .. -.,....-■...■ ....
Die Figur 4 zeigt die Änderung des elektrostatischen Potentials -..
der Zeit, vvöoei die Zeiten t, t-j und t„ den Zeiten in der Pig. 3
entsprechen. Eine K rve a gibt die Änderung des elektrostatischen..
Potentials auf der Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes . im Zeitintervall zwischen t und..t-, an, .wobei die gestrichelte . ,.-Kurve
angibt, daß das Potential auch dann nicht weiter ansteigt, wenn das gleiche elektrische. PeId noch .na,ch der Zeit t,-,, aufrechterhalten
wird. Eine Kurye b zeigt, wie. sich das/'^lektrostatische
Potential auf den Teilen der. .Oberflächs. eines: lichtempfindltiien
ELements ändert, die im. gleichen Intervall nicht von. Lichtstrahlen
getroffen werden, tyenn Jedoch das PeId noch .nach -der,.Zeit t . .. .·
909 8 ί#/05
-14- - -
aufrechterhalten wird , dann nähert sich, die Kurve .b. einer-. „
Kurve c an, aber mit vielkleinetff Geschwindigkeit: alsj während -:-
des Intervalls zwischen tQ und t.^. Die Kurve c dagegen ändert.,,,,
sich nach dem Zeitpunkt tρ nicht weiter, wie durch eine
weitere gestrichelte linie· in der Pig, 4 angedeutet ist. .·-... ,
Der Buchstabe G- stellt dabei die Differenz zwischen, dem .·
elektrostatischen Oberflächenpotential der vom Licht getroffenen
Teile und der nicht vpm licht getroffenen Seile zur Zeit t.g
dar, woraus sieh direkt die Intensität, des Ladungsbildes, .
ergibt. "■-....._, --..,.-■-. , , ■ . - ... - .-■<·....
Die Fig. 5 zeigt eine Schaltung," die mit dem lichtempfindlichen Element 1 gemäß der Erfindung verbunden, ist t a^ welchem eine ..-.
Gleichspannung anliegt. Das, Symbol Z-. stellt die Impedanz t,
des hoch isolierenden Films. 3 auf der Oberfläche des licht- . . empfindlichen Elementes dar, während Zg die Impedanz der
lichtempfindlichen.Schicht 2 ist, Entgegen der üblichen ■ . ;
G-ewphnheitf die angelegte» Gleichspannung zwischen den -;. ,
Impedanzen Z1 und Zg sntspreehend. ihren: Werten aufzuteilen,;
empfiehlt es,sich hier, vto der Strom, durch den sehr hohen _. Widerstand
eines lichtempfindlichen Elementes fIiesst., .;
die yerteilung, oder den -Anteil de.s elektrostatischen.
Potentials längs- des Elementes, mit hohem Widerstand zu . . .. ;
betrachten. In dem, gezeigten Beispiel, ist, da ein "hoch- . .
isolierender T?ilM*3 aus JrLumiler" verwendet wird,, der, ..;-.- .
Widerstand pro Flächeneinheit etwa.^25 · 10 Ohm-, während .,
die Dielektrizitätskpnstsnte 3,. 1 ist. Dagegen ist der, . -·■·.·■.-■...
Widerstand der photοempfindlichen Schicht2 nach einer langen,—
12
Aufbewahrungszeit im Dunkeln etwa; 10 ,Ohm, während .; ...a· ',.^i?
er na ch einer Beleuchtung« mit ELcht t dasv eine Beleuehtungs.n; i,- v:
Il
stärke von 2i> lux' ha t, etwa 10 fOhm b.eträgt. Die mit - eine^oi-ol 1
Wechs eistro ms chaltung vorgenommenen Meßergebniss e ζ eigen,
daß die Dielektrizitätskonstante im Dunklen 2,4 beträgt,
daß sie aber bei einer Bestrahlung mit 2o Iiux auf über 3o
909816/Ö56Ä
anwächst. Wenn daher eine Spannung von 2000 Volt von aussen
angelegt ist, dann beträgt die Spannung längs des isolierenden
Films im Dunklen etwa 14 $, während sie auf etwa 66 $>
der angelegten Spannung anwächst, wenn man mit einer Beleuchtungsstärke
von 2o Lux arbeitet. Beim vorliegenden Ausführungs- .
beispiel sinkt die Spannungsverteilung längs der isolierenden
Schicht 3 jedoch etwas unter die oben gegebenen Werte ab, da sich zwischen den einzelnen Sch/ichten eine Isolierschicht
des Bindemittels befindet und der Eontaktwiderstand zwischen
den Schichten einen wesentlichen Betrag der an des lichtempfindliche
Element angelegten Spannung verbraucht. In jedem Pail ist aber das Potential der elektrostatischen Ladung, die
auf der Oberfläche des isolierenden Films 3 gebildet ist,
der wiederum mit der durchsichtigen Elektrode 5 in Berührung steht, der Grosse der Spannung proportional,, die von aussen
her an das lichtempfindliche Element angelegt ist.
Unabhängig von der oben beschriebenen Spannungsverteilung längs der entsprechenden Schichten unterliegt das Qberfläehenpotentiai
des lichtempfindlichen Elementes einer besonderen zeitlichen Änderung, wie es in der Fig» 6 gezeigt ist. I1*
dieser Figur stellen die Kurven D+ bzw. D- die Änderung
der Oberfläehenpotentiale im Dunklen dar, wenn positive bzw.
negative Potentiale en die durchsichtige Elektrode 5 angelegt
sind, während die Kurven L* und L- das gleiche für den Fall
zeigt, daß die Oberfläche dem Licht ausgesetzt ist. Wenn das
äußere Feld über eine relativ lange 2eit angelegt ist, dann
streben alle Kurven, wie aus der Fig. 6 deutlich hervorgeht,
asymptotttseh einem Grenzwert zu. Es ist jedoch zu bemerken,
daß diese Grenzwerte nicht mit'den Änderungen der Dielektrizitätskonstante
oder der Impedanz innerhalb- der lichtempfindlichen
Schicht übereinstimmen, die'oben bezüglich der Fig."3 ·
ii:-:1-- :?„ : leb
beschrieben wurden, sondern daß die Potentiale'der Oberflächenladungen
im Dunklen groß sind. Diese Zusammenhänge wurden im einzelnen näher untersucht, und man kann aus den
Untersuchungen den Schluß ziehen, daß das oben "beschriebene
Phänomen der Gegenwart von Fallenniveaus innerhalb des lichtleitenden Materials zuzuschreiben ist. Da diese Schlußfolge
eterung für die Anwehdung des lichtempfindlichen
Elementes gemäß der Erfindung von besonderer Bedeutung ist, wird auf die Einzelheiten im folgenden genauer eingegangen.
Da die oberste Schicht des lichtempfindlichen Elementes 1 gemäß
der Erfindung aus einem hodi isolierenden Film 3 besteht, der' einen
spezifischen Widerstand von etwa 10 Ohm pro cm aufweist,
empfiehlt es sich,, diesen Film als Kapazität zu berücksichtigen,
wenn man die zum Element 1 gehörende Schaltung betrachtet. IU ähnlicher Weise muß die liehtempfindühe Schicht 2, da sie im
Dunklen ebenfalls einen sehr hohen Widerstand hat, als Kapazität behandelt werden. Da jedoch, wenn man die Schichten als Kapazitäten
auffasst, die eine Platte jedes Kondensators in direkter Berührung
mit der Oberfläche der Elektrode ist, ohne daß irgendein Widerstand
dazwischen liegt, ist d.e Aufladezeit der Kapazitäten sehr kurz. Das Zeitintervall T in der Fig. 6, das vom Oberflächenpotential
des Elementes bis zur asymtotischen AniMierung an den Grenzwert
benötigt wird, beträgt etwa o,l Sekunden, wenn man das in der
Fig. 1 gezeigte lichtempfindliche Element 1'verv/endet.
Wenn man die Aufladezeit unter Voraussetzung eines einfachen Kondensators baechnet, dann kommt eine weitkürzere Zeit
als o,l Sekunden heraus, was die besondere Änderung des Potentials der lichtempfindlichen Schicht 2 im Dunklen bei einer Zunahme
des angelegten Oberflächenpotentials anzeigt.
BAD ORiQSNAL
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Bekainntlich'läßt sich die Empfindlichkeit eines lichtempfindlichen
Materials mit Hilfe eines geeigneten Activators vergrössern.
Weiterhin ist "bekannt, daß im Bändermodell von mit Kupfer aktiviertem GdS, das im Beispiel der Jig. I verwendet
wird, eine Anzahl von Störstellenniveaus auftreten, die vom Grundniveau einen Abstand von 1,4 eV und o,o3 eV haben*
Obgleich die Tatsache, daß das lichtleitende CdS hohe und
niedrige Störstellenniveaus aufweist, für die Empfindlichekeit gegenüber Licht eine wichtige Rolle spielt, steht diese Tatsache
auch mit den Merkmalen gemäß der Erfindung in engem Zusammenhang. Insbesondere zeigen viele Versuche, daß in einem aus
CdS und Cu bestehenden Lichtleiter der Lichtstrom auch noch eine Zeitlang fortbesteht bzw. nur langsam abnimmt, wenn die
Belichtung: des mit einer Gleichspannung; versehenen Lichtleiters abgeschaltet wird. Weiterhin steht fest f daß dies durch
die Einwirkung des Kupfers bewirkt wird, das sieh als Aktivator zwischen den OdS-Kristallen befindet, um die Dichte
der Ladungsträger im Leitfähigkeitsbsnd anzuheben, welche
den Strom in diesen Kristallen führen, wenn dieser der Beleichtung ausgesetzt sind. Wie oben angegeben wurde.,
verbleiben die Elektronen, wenn unter Aufrechterhaltung
der Gleichspannung die Belichtung.unterbrochen wird, über
eine betächtliche Zeitspanne im Leitungsband einer aus CdS
und Cu bestehenden, lichtleitenden Schicht und c-vergrössern
auf diese Weise stufenweise die Impedanz der Kristalle.
Ss läßt sich jedoch, wie es in der 3Pi g.. 7 gezeigt ist,
eiie charakteristische Änderung der Impedanz beobachten,
wenn während des Ansteigens der Impedanz, die angelegte Gleichspannung plötelich umgekehrt wird. Die Jig. 7 zeigt
diese Änderungen in Stromeinheiten, wobei Spannungen der
einen Polar tat während des zwischen t-, mnd tp liegenden
Zeitintervalls und nach einer Zeit t^angelegt sind, während
eine Spannung der umgekehrten Polarität während des zwischen
909816/05 64 .--r op»4AL '.
tp und t, liegenden Zeitintervalls anliegt. Eine Bestrahlung
mit Licht findet zwischen t und t-, statt. .Uach der Pig. 7
beginnt der Strom "vom Zeitpunkt t-, an, bei dem die Liehteinwirkung
unterbrochen wurde, abzufallen , und wenn die Polarität "bei t?
nicht umgekehrt würde, würde der Strom längs der gestrichelten
Linie weiter langsam abnehmen. Fach der Umpolung der angelegten Spannung steigt der Strom entsprechend der neusn Polarität
einen Moment lang stark an, doch nimmt dann bald abTso daß
.ein relativ kleiner Strom weiterfliegst. Wenn zum Zeitpunkt
t-? die ursprüngliche Polarität wiederhergestellt wird, dann
steigt der Strom momentan an und fältt dann schnell auf den sogenannten
Dunkelstrom ab, der in einer lichtempfindlichen Schicht fliesst, wenn diese einige Stunden im Dunklen aufbewahrfworden
ist. Dieser Effekt ist noch stärker ausgeprägt, wenn eine oder auch beide Seiten einer lichtempfindlichen Schicht
mit einem stark isolierenden Film bedeckt sind. Eine Abhängigkeit von der Polarität der angelegten Spannung kann beobachtet
werden, wenn nur eine Seite mit einem hoch isolierenden lilm
bedeckt ist. Solche .Stromänderungen sind in einem licht leitenden
Element,, das aus einem dünnen Pulverfiim aus""lichtleitenden Kristallen besteht, die mittels eines geeigneten, elektrisch
isolierenden Bindemittels gebunden sind, stärker als in
einem monokristallinen Element oder einem Element mit aufgedampften
Schichten ausgeprägt. Dieser Effekt ist sehr wichtig, da er direkt die Impedanz der lichtempfindlichen Schicht
steuert. Insbesondere sollte die Aufgabe der Fallenniveaus, die
den Halbleitern eigen sind, besonders beafechtet werden.
In dem CdS-Gu-Material sind eine grosse Anzahl von Störstellenniveaus
vorhanden, die eine nicht gleichförmige Verteilung der Ladungsträger verursachen. Trotzdem ist aber der Grund,
weswegen ä GdStGu nicht bei den Verfahren der persistenten,
' ■ - - ' ■"■■■'■■ - BAD ORiGiNAL
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inneren Polarisation verwendet werden kann, der, daß der
Aktivator, der zum Herstellen einer -hohen Lichtempfindlichkeit
zugegeben wird, eine Verteilung zeigt, die nicht dazu geeignet ist, die eingefangenen Ladungsgträger für längere Zeit auf
ihren charakteristischen Niveaus zu halten. Die Voranregung, die durch den zugefügten Aktivator verusacht wird, ist
sehr lang, so daß der Lichtleiter selbst im Dunklen eine starke
■Polarisation zeigt. Da weiterhin die Impedanz an den vom
Licht bestrahlten Stellen wegen der hohen Empfindlichkeit stark abnimmt, nimmt auch die Feldstärke, .die längs der nicht
bestrahlten Teile aufgeprägt ist, stark ab, wodurch ein Fortdauern
der Polarisation verhindert wird. Dabei wirken die einzelnen !Faktoren kummulativ.
Die Erfindung geht von der Ausnutzung solcher Eigenschaften
aus, die bei 6,en Verfahren der peasisteten inneren Polarisation
nicht so gut geeignet sind. Außerdem wird der oben beschriebene Effekt ausgenützt, daß sich nämlich durch Umpolung der Gleichspannung
im Dunklen das Verhalten der Leitungselektronen in den Kristallen des CdS in bestimmter Weise ändert. Im
folgenden wird des Prinzip der Erfindung noch einmsl eingehend
erörtert.
Während des Zeitintervalls zwischen t und t-, wirkt sich die
"zuvor vorgenommene Bestrahlung der CdS-Kristelle dahingehend
aus, daß die Elektronendichte im Leiimngsband, oder in
denjenigen Eallenniveaus, die leicht Elektronen in das
Leitungsband abgeben können, groß ist. Wenn nun an die OdS-Kristalle von außerhalb eine Gleichspannung im Sinne eines
konstanten elektrischen Feldes angelegt wird, dann wandern die
Elektronen zur positiven Seite» und bilden eine innere Polarisation.
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Die Polarisation erscheint in diesem Pall bezüglich, des von
außen angelegten Feldes in entgegengesetzter Richtung, wie es die Pig. 8 wiedergibt, in der ebenfalls der Ladungszustand
in einem lidit empfindlichen Element zu erkennen
ist. Die Elektronendichte im Leitungsband nimmt nicht wesentlich, ab, da wegen der nichtgleichförmigen Verteilung
der· Elektronen eine nur geringere Möglichkeit zur Rekombination besteht. Nach dem Entstehen der inneren
Polarisation sollte der Hauptanteil des elektrischen
leides, dessen Verteilung durch die entsprechende Impedaffi
und Dielektrizitätskonstante bestimmt ist, längs der Impedanz Zp der lichtempfindlichen Schicht erscheinen, wohingegen nur
ein geringer Teil an der Impedanz Z-, des hoch isolierenden Films abfallen sollte. In Wirklichkeit aber wächst, wenn in der
lichtempfindlichen Schicht ein Polarisationsfeld entstanden
ist, die Feldstärke längs··'der Impedanz Z-, der hoch isolierenden
Schicht an, wenn das Polarisationsfeld aufgebaut wird, was
ein Anwachsen des Potentials der elektrostatischen Ladung auf der Oberfläche des hoch isolierenden Films, wie es in der
Fig. 4 gezeigt ist, zur Folge hat. Das kann durch einen wesentlichen
Abfall der Impedanz Zp oder ein'Anwachsen der Dielektrizitätskonstante
erkl3?ärt werden. Ein anderer wesentlicher Punkt in diesem Stadium ist der, daß dann, wenn auf der Oberfläche
des hoch isolierenden Films eine elektrostatische Ladung erzeugt ist-, ein Gleichgewicht des Feldes nicht nur dadurch
aufrechterhalten werden kann, äaß das Feld durch die Wirkung
der inneren Polarisation gelöscht wird, sondern auch dadurch., daß-auf der rückwärtigen Oberfläche des hoch isolierenden
Films oder an der Grenzfläche zwischen den Kristallen des lichtempfindlichen Materials und des Bindemittels elektrische
Ladungen angesammelt werden, die eine entgegengesetzte Polarität
zu denen auf der Oberfläche des Films heben.
9 616/0564 bad original
Bezüglich des Zeitintervalle zwischen t-, und t2 sollen zunächst
die Zustände derjenigen Teile besprochen werden, die nicht vom Licht bestrahlt werden. Während des zwischen t, und t^ liegenden
ZextintervalIs wandern im Leitungsband verbliebene Elektronen
oder Elektronen, die von den Lsdungsträgern losgelöst sind,
die als lolge der inneren Polarisation unter Einwirkung der
durch die Feldänderung hervorgerufene Feldluminiszenz nicht gleichförmig verteilt gewesen sind, ge.mäß der Richtung des
neuon elektrischen leides durch das Leitungsband und konzentrieren
sich an dem entgegengesetzten Pol im Vergleich zum zwischen t
und t-, liegenden Zeitintervall. Wegen der hohen Dichte an
Rekombin'-tionszentren, die während des Zeitintervalls zwischen
t und t·, bestanden, ohne zu Rekombinationen geführt zu hsben,
nimmt die Rekombinationswahrscheinlichkeit ernorm zu, so daß die Zahl der Elektronen, die zum Strom beitragen, und daher
euch die Geschwindigkeit der Polarissfcäonsbildung stark
abnimmt. Deswegen ist das Feld während der unmittelbar auf die Umpolung der Spannung folgenden Zeitspanne entsprechend der
gegenüber dem zwischen t und t-, liegenden Zeitintervall umgekehrten Polarität plötzlich an den hoch isolierenden Film
angelegt, wie es aus der Kurve b der Fig. 4 zu ersehen ist.
Nachdem die Feldstärke eine bestimmte G-rösse erreicht hat,
wird die Steigerungsgeschwindigkeit sehr klein, so daß sich nur d.?nn, wenn die zwischen t und t-, entstandene Polarisation
durch Wärme vernichtet wird oder durch irgendetwas anderes in der neuen Richtung ansteigt, die Oberflächenladung schrittweise
aufbout. Das kenn auch dadurhh erklärt werden, daß die
scheinbare Impedanz Zp der lichtempfindlichen Schicht stark
anwächst. In dem gezeigten Beispiel muß berücksichtigt werden, daß sich die Pol' ris-?tions- und elektrostatischen Ladungen
&uf gegenüberliegenden Seiten auslöschen. Bezüglich der
.wise ho η t-, und tr-, bestrahlten Teile ergibt sich-, daß durch
die iJoGtrshlunj die «v/ischon t und t-, erzeugten Polarisationen
816/0564 BäD ORlGiMAL.
völlig ausgelöscht werden, so daß sie keine eigentliche
Wirkung ausüben und daher eine Abnahme der Impeadanz Zp
in der lichtempfindlichen Schicht verursachen. Dadurch
steigt die Dielektrizitätskonstante und daher auch das an die hoch isolierende Schicht angelegte Seid und dadurch
wiederum deren Oberflächenpotentisl an.
Gleichzeitig mit dem Auftreten einer Falle entsprechend
der neuen Polarit&t der Ladungsträger in der■lichtempfindlichen
Schicht, die Polarisation zeigen, tiitt eine innere elektrostatische Ladung an der Grenzfläche der lichtempfindlichen
Schicht und des hoch isolier nden Films auf, deren Grund ein anderer als das Ün; fs ng en der Ladungsträger ist.
Hinsichtlich der Entfernung des erleuchteten Bildes und des
elektrischen Feldes, ergibt sich sowohl in den beleuchteten
als auch in den nicht beleuchteten Teilen, daß die dielektrische Polarisation und die innere elektrostatische Ladung auf de::·
Oberfläche des isolierenden Films nach einem weiteren Merkmal, der Erfindung auch nach dem Abschalten des angelegten Feldes
ihren ausgeglichenen Zustand beibehalten, da sowohl die Polarisation als auch die Ladung, die auf der Oberfläche
des isolierenden Films erzeugte elektrostatische Ladung
anziehen. Wenn daher dieser ausgeglichene Zustand zwischen der Oberfläche und dem Innern des lichtempfindlichen Elementes
nicht existiert, dann wurden nach der Abschaltung des angelegten Feldes die Ladungen auf der Oberfläche durch die
durchsichtige Elektrode ausgewichen, mi.t der die Oberfläche in direkter Berührung steht, so daß die belichteten und nie
nicht belichteten Teile das gleiche Potential hätten. Bei einer Anordnung, in der die durchsichtige Elektrode in
direkter Berührung mit dem isolierenden Film ist, kann der
Ladungsausgleich in Abwesenheit einer Ladung entgegengesetzter
Polarität durch eine Anzahl von Versuchen bewiesen werden, die
909810/0 66«
später beschrieben werden. Das innere Feld jedoch, das von den
eingefangenen Ladungsträgern herrührt, wird leicht geschwächt, was eine Änderung des inneren Feldes und damit auch eine
Änderung der Ladungen auf der Oberfläche des lichtelektrischen
Elementes zur Folge hat.
Bezüglich der Trennung der durchsichtigen Elektrode von dem
lichtempfindlichen Element und der auf diese Trennung folgenden Erscheinungen kann folgendes gesagt werden. Selbst wenn die
Kapazität aufgrund einer nicht gleichförmigen Trennung zwischen der durchsichtigen Elektrode und dem lichtempfindlichen
Element verändert wird, so verhindert trotziem
die Gegenwart der oben erwähnten inneren Kräfte zur Zurückhaltung
der elektrostatischen Ladung auf der Oberfläche in wirksamer Weise die Ladung an einer Bewegung, wodurch
ein klares latentes Bild gewährleistet ist. Da außerdem
der spezifische Oberflächenwiderstand des hoch isolierenden Films sehr hoch ist, kann eine Oberflächendiffusion nicht
stattfinden, ϊο Ig Ii eh. ist es n^ch der Abtrennung der durchsichtigen
Elektrode für den Mechanismus zur Au:'rechterhaltung
eines latenten Bildes nicht notwendig, im .lichtempfindlichen
Element zu verbleiben, so daß auf der Oberfläche keine Änderung auftritt, wenn das lichtempfindliche Element belichtet
wird. Demgemäß ist es nicht nur möglich, des Entwickeln
ohne Lichtunterbrechung durchzuführen, sondern man kann auch das latente elektrostatische Bild helbdr-uernd erholten,
solange kein elektrisches Feld angelegt ist. Dieser Yortsil
beim Entwickeln kann der Tatsache zugeschrieben werden, daß der Effekt außerhalb de:: oben erwähnten inneren
elektrostatischen Ladung enöefcgegengesetzter Polarität
durch die in dss lichtempfindliche 31ement selbst eingelegte
Elektrode abgeschirmt wird. Die Anwesöntheit dieser eingelegten-
90981670564
Elektrode hat "bei. den nachfolgenden Ver£ahrensschritten eine
Anzahl von technischen Vorteilen zur PoIge.
Das lichtempfindliche Element gemäß der Erfindung kann mehrmals verwendet werden. .Insbesondere wird das latente Bild, wie es
o"ben erklärt wurde, chiröh das Zusammenwirken mit der inneren.
Ladung ohne merkbare Veränderung haltbar gemacht. Indem man das lichtempfindliche Element jedoch einfach einer Belichtung
und anschliessend einem elektrischen Feld aussetzt, beginnt ein neuer Zyklus in der gleichen, oben basüglich- der Zeitintervalle
zwischen t und t-, und der folgenden beschriebenen Weise, so daß die elektrostatische Ladung, die zuerst auf
der Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes gebildet wird, in keiner Weise die Bildung eines nachfolgenden latenten
Bildes beeinflusst. Überdies ist jede mechanische Kraft, die auf das lichtempfindliche Element ausgeübt wird, nur auf die Oberfläche
der stark isolierenden Oberfläche begrenzt und wird
nicht auf die lichtempfindliche Schicht übertragen, so daß eine mechanische Erschlaffung oder ein Zerbrechen derselben nicht
eintreten kann.
Wie/in Bezug auf die einzelnen Verfahrensschritt.e ausführlich
erläutert wurde, liegt der Erfindung das Grundproblem zugrunde,
daß in Abhängigkeit von der Verteilung der el&ktrostatischen
Ladung innerhalb der lichtempfindlichen Schicht des lichtempfindlichen Elementes eine Änderung des effektiven elektrisches
Feldes, das längs der isolierenden Oberfläche angelegt ist,
zur Bildung eines latenten elektrostatischen Bildes hervorgerufen wird, die vom Licht auf der Oberfläche des-hoch isolierenden
Films gesteuert wird. Dabei entlallt die Notwendigkeit, zwischen
der durchsichtigen Elektrode und dem isolierenden Film einen
BAD CRiSINAL
iO 9 δ 18/05 64
: ■ US7164
Spalt vorauseilen oder auf der Oberfläche des isolierenden Films
eine "besondere Charakteristik zu fordern. Daher kann auch
mit Hilfe der folgenden Versuche- gezeigt werden,, daß an
der Grenzfläche zwischen der durchsichtigen Elektrode "
und dem photoempfindlichen Element kein besonderer Zustand
herrschen muß.
Ein nail dem oben beschriebenen Verfahren entstandenes afektrostatisches
Bild wird zerstört r indem die ina das lichtempfindliche
Element eingelassene und die durchsichtige Elektrode vor der
Trennung der letzteren von dem. lichtempfindlichen Element kurzgeschlossen werden« Das liegt ·?η dem schnellen Abfall
des Oberflächenpotentials des lichtempfindlichen Elements
auf Full und zeigt, daß sich die elektrische ladung suf der
Oberfläche des■lichtempfindlichen Elementes durch die äußeren
Kurzschlußsch"ltung entlädt.. Zur gleichen Zeit .wird natürlich
die innere Ladung, die sich mit der Oberflächenladung zur
Aufrechterhaltung eines ausgeglichenen Zustandes anzieht,
■ ebenfalls freigelassen. Wenn man dieses Experiment zusammen
mit den oben erwähntem Polaritäten des latenten Bildes und
des angelegten Feldes betrachtet,- dann ergibt sich,: daß es
on der Grenzfläche zwischen der Beru.hrungselekt.rode und der
Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes nichts gibt,
das den Transport von Ladungsträgern durch diese Grenzschicht
verhindern könnte. Als Ergebnis dieses Versuches
muß also festgestellt werdenr d.yß der Spalt zwischen
der durchsichtigen Elektrode und der öb-erfläche des photoempfindlichen Elementes die Bildung tines Bildes nicht
materiell beeinflusst und das nur notwendig ist,, sie unter
Druck in Berührung .zu'halten. Aber auch mit einem relativ
großen Spalt arbeitet das Elektrografiergerät gemäß
der Erfindung unter Erzeugung, von guten latenten Bildern noch zufriedenstellend. Die Tatseche, daß die Ladung in der
lichtempfindlichen Schicht die Ladung auf der Oberfläche
9 Ö 9-61 6 / 0.5 6 4 bad original
1487164
des- hoch isolierenden Films dteüert und aufrechterhält, kann '
durch die folgenden Versuche bewiesen werden. Man erzeugt auf
die weiter oben beschriebene ΐ/eise ein latentes,, elektrostatisches
Bild eines beleuchtet en- Gegenstandes, bevor man die-durchsichtige
Elektrode von dem lichtempfindlichen Element trennt. Wenn man
nun belichtet, während die in das.lichtempfindliche Element
eingelegte Elektrode und die durchsichtige Elektrode vollständig
voneinander isoliert sind und des mittlere Potential
über die gesamte Oberfläche des lichtempfindlichen Elementes
langsam abnimmt, dann verschwindet die Oberflächenpotentia1-differenz
zwischen de-n vom Licht getroffenen und den nicht getroffenen Teilen, so daß eine Entwicklung des latenten '
Bildes unmöglich ist. Das kann daran lieber., d.f ß die Eigenschaft, das ..latente Bild aufrechtzuerhalten, verloren gegangen
ist, was wiederum von dem Ausgleich der inneren Ladungsvertexlung
aufgrund der Belichtung herrührt. In der gleichen Weise vLe
oben kann jedoch das OberflächenpOtential snschliessend
'-"'Uf ITuIl gebracht werden, indem man die durchsichtige Elektrode
and die innere Elektrode kurzschliesst. :.;::■■ -"■■■■■-;■
Es ist offenbar, äsß die" Erfindung ein neues lichtempfindliches
Element sowie ein neuartiges Verfahren zu dessen Steuerung ' '
angibt, indem verschiedene Eigenschaften lichtleitender Stoffe mit Vorteil zur Erzeugung von latenten Bildern mit
hoher Empfindlichkeit ausgenutzt werden. In den bekannten
ElektrOskopiervafahren konnten dagegen diese wünschenswerten
Eigenschaften nicht verwendet werden, da sie sich nicht für
die bekannten lichtempfindlichen Elemente und die entsprechenden
Behandlungsverfahren eigneten. Zur Lösung der Aufgabe, die der
Erfindung zugrunde liegt, sollte ein lichtempfindliches Element
mit den oben beschriebenen Eigenschaften verwendet werden.
Durch Vergleich von zahlreichen Arten lichtempfindlicher
BAD- QRIGINAL
SO981 S/0 564
Schichten hat sich herausgesteilt, deß die besten "Schichten
-gemäß der Erfindung dadurch hergestellt werden, daß man gebundenes,
pulverförmiges hochempfindliches und lichtleitendes Material in dünne Schichten formt. Es wird angenommen, daß eine solche
lichtempfindliche Schicht e-_nen plötzlichen Abfall in der Dichte
der lichtleitenden Elektronen herbeiführt, wenn die angelegte
Spannung oder das entsprechende EeId umgepolt wird, und auch
die Erzeugung des inneren, polarisierten Feldes in der oben
beschriebenen Weise bewirkt. Die Auswahl des Bindemittels hängt
im wesentlichen von den folgenden Gesichtspunkten ab.
Zunächst sollte das-■ Bindemittel so ausgewählt sein, daß es
die Beziehung zwischen den Impedanzen oder den Dielektrizitätskonstanten
der lichtempfindlichen Schicht und des hoch isolierenden
Films einstellt. Zweitens sollte« es zur Aufrechterhaltung des
latenten Bildes und zur Verbesserung des Auflösungsvermögens alle Teilchen des lichtempfindlichen Materials gegeneinander
isolieren, da diese ihre Eigenschaften auf des Innere
des Bindemittels beschränken müssen. D?zu ist es notwendig,
ein Bindemittel zu wählen, das einen spezifischen friderstan'd
von mehr als 10 Ohm* cm hat· und gegenüber Lichtstrahlen
durchsichtig ist. Das erste Erfordernis für den lichtleit-.n en
Film, der aus Teilchen des lichtempfindlichen HoteriaIs bestellt,
und für den hoch isolierenden Film ist ein hoher Absorptionskoeffipzient
gegenüber einfallendem Licht, ds dieser Koeffizient
die Empfindlichkeit bestimmt, isine sehr dicke lichtempfindliche
Schicht erc^frdert weiterhin nicht nur eine höhere,- von aussen
anzulegende Spannung, sondern beeinträchtigt such den Auflademechanismus,
so dsß eine unnötig dicke Schicht vermieden werden sollte. Zur Erhöhung ■ des Wirkungsgrades müssen weiterhin die
Imped nz und die Dielektrizitätskonstante der hoch isolierenden
909816/0564
Schicht, die mit der lichtempfindlichen Schicht einen Teil
bildet, einen geeigneten Wert "bezüglich den gleichen 'Grossen
der lichtempfindlichen Schicht haben.
Da die elektrostatische ladung, die auf der Rückseite des hoch isolierenden Films gebildet wird, zur Haltbarmachung
des latenten Bildes dient, sollten als Bindemittel für die
lichtempfindliche Schicht und für den.hoch isolierenden
Fi3?lin vorzugsweise verschiedene Materialien gebraucht
werden. Zur Einstellung der oben geforderten Beziehung zwischen den Impedanzen der beiden Schichten sollten auch
verschiedene Substanzen für das Bindemittel und den isolierenden PiIm susgewählt v/erden, de auf diese Weise am leichtesten das
lichtempfindliche Element hergestellt werden kann.
Es ist auch noch darauf hinzuweisen, daß trotz gleichförmiger Berührung zwischen der durchsichtigen Elektrode
und dem lichtempfindlichen Element eine nicht gleichförmige Zementierung zwischen der lichtempfindlichen Schicht und dem
hoch isolierenden Film oder eine lokale änderung der Dicke
der Bindemittelschicht eine lokale, nichtgleichförmige
Verteilung des ■ elektrische*. Feldes zur Folge haben. Ein
lichtempfindliches Element, bei dem der hoch isolierende Film lediglich in Berührung mit der· lichtempfindlichen
Schicht steht, anstatt mit dieser zu einem gleichförmigen
Gebilde verbundaen zu sein, kann, wie aus dem vorstehenden hervorgeht, ebenfalls in befriedigender Weise arbeiten.
Ein Element, bei dem diese beiden Komponenten gleichförmig
aneinander gebunden sind, ist jedoch vorzuziehen, um Aufnahmen zu machen, die größere Flächen bedecken, und um
ohne von aussen auferlegte mechanische Kräfte latente Bilder
herzustellen und aufrechtzuerhalten.
- BAD ORIGINAL
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Während bisher lediglich anhand des Beispiels. 1 die der Erfindung
zugrunde liegade Theorie' beschrieben wurde, werden weitere
Ausführungsbeispiele noch weiter unten angegeben.
Aus der anhand des Beispiels 1 gegebenen Beschreibung geht hervor, daß zu den Faktoren, die zur Bildung eines latenten
Bildes beitragen, die dielektrische Polarisation und die Ladung auf der rückwärtigen Oberfläche des hoch isolierenden Films
oder im Inneren der lichtempfindlichen Schicht gehören, d.h.
eine Ladung mit einer zu der Ladung, die das latente Bild
auf dei" Oberfläche des hoch isolierenden Films bildet, entgegengesetzten
Polarität. Die entstandene Polarisation wirkt aber nur bei der Aufrechterhaltung der Verteilung des elektrischen
Feldes zur Zeit der Bildung des latenten Bildes und bei der Aufrechterhaltung
des latenten Bildes mit, bis die durchsichtige Elektrode und das lichtempfindliche Element voneinander getrennt
sind, so daß sie ohne ernstliche Folgen nach dieser Trennung
schnell zum Verschwinden gebracht werden kann. Daher beidarf es gemäß der Erfindung keines sehr tiefen Fallenniveaus,
welches zu einer dauerhaften inneren Polarisation führt. Des ist einer der wichtigsten G-ründe dafür, daß es nicht
so schwierig ist, geeignete lichtempfindliche Materialien auszusuchen, wie es bei den bekannten Verf-hren, die den Effekt
der dauerhaften-InnerIcn Pol-risstion ausnutzen, der Fall ist.
D" weiterhin Stoffe mit einer starken persistenten inneren
Polarisation in dlgemaineh eine geringe Lichtempfindlichkeit
heben und bei ihnen kloine Änderungen der Impedanz auftreten,
w nn sie nicht durch den dielektrischen Polarisationseffekt verursacht sind, kann dieser Effekt auch,wie im folgenden
Beisoiol gezeigt wird, in einem Ausführungsbeispiel der
Erfindung verwendet werden.
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Beispiel 2 . '.-■-·
In diesem Ausführungsbeispiel werden die Partikel der fluoreszierenden
Substanz Zn CdS (Partikelgröße 5 Mkrons), die mit Ag aktiviert sind, mittels eines Bindemittels gebunden, das
aus liitrocellulose besteht, und in dünne Schichten oder eine
lichtempfindliche Schicht 2 von 50 Liikrons Dicke gewalzt. Auf
die eine oberfläche der Schicht 2 ist ein Aiuminiumblatt -aufzementiert,
das als Elektrode dient, während auf der gegenüberliegenden Oberfläche ein H-.rzfilm auf Polyesterbasis befestigt
ist, der eine Dicke von 12,5 liikrons hat und als stark isolierender
5ELni > dient. In jedem Fall ist ein geeignetes Bindemittel verwendet, um das lichtempfindliche Element 1 zu vervollständigen.
Das lichtempfindliche element ist weiterhin mit
einer durchsichtigen Elektrode 5 ausgerüstet, die mit der im
Beispiel 1 verwendeten identisch ist, und eine G-leichspannungsquelle
sorgt zur herstellung eines latenten Bildes für ein. Gleichfeld. Das "Verfahren zur Herstellung des latenten Bildes
unterscheidet sich von dem im Beispiel T gegebenen Verfahren dadurch, daß während des Zeitintervalls zwischen t und t-(j?ig.
9) ein elektrisches Feld angelegt ist, das die durchsichtige
Dlekcrode 5 positiv macht, während die gesamte Oberfläche
des lichtempfindlichen Elements gleichförmig belichtet wird, una daß während des Zeitintervalls zwischen t.. und t„ der Gegenstand
beleuchtet wird. Die gleichförmige Beleuchtung sowie die Projektion werden 2 Sekunden lang durchgeführt, wobei die"
Beleuchtung des Gegenstands mit 20 Lux stattfindet. Die von außen angelegte Spannung beträgt 2000 Volt, so daß eine zu einem
Potential von +200 Volt gehörende Oberflächenladung auf den dunklen Stellen des Lichtbilds zu beobachten! ist, wohingegen an
den hellen Seilen des Lichtbilds ein Potential von '-400 Volt - ' entsteht. ' . "
Die Fig. 10 (A) zeigt die Veränderung des Potentials der Oberflächenladung in den verschiedenen Zeitintervallen, die Fig'.:-
10 (B) läßt das gleiche für den Fall erkennen, daß keine Be-' ·
leuchtung stattfindet, wenn das Feld"anfänglich angelegt wird. ■
Aus dem Vergleich der Fig. 10 (A) und 10 (B) geht hervor, daß
9098 16/056V · -BAD ORBlNAL
■:i
1497184
•die Differenz G- zwischen (ten Oberflächenpotentialen, die von der
Intensität des Lichtbildes abhängen, größer ist, wenn beim An- fahgsschritt beleuchtet wird. Die Differenz G- gibt direkt die
- •Intensität des latenten Bildes an. Dieses Ausführungsbeispiel
zeichnet sich durch ein sehr niedriges Potential der Oberflächenladung,
wenn an den hellen Stellen des Lichtbilds ein latentes Bild gebildet ist, und dadurch aus, daß das lichtempfindliche'
Element nach der Abtrennung der durchsichtigen Elektrode belichtet
wird. Bei diesem Aasführungsbeispiel zeigte es sich, daß vor der Belichtung gemessene '.7erte von -200 Volt nach der Belichtung
auf -400 Volt anstiegen.
Es wird angenommen, daß dieser Potentialanstieg der Oberflächenladung
durch eine nachfolgende Belichtung durch die !Tatsache hervorgerufen wird, daß die dielektrische Polarisation eine BiI dung
und Haltbarmachung des latenten Bildes in dem lichtempfindlichen Element bewirkt, und daß diese Polarisation in einem
tiefen Fallenniveau vorliegt, welches die sogenannte persistente
innere Polarisation bewirkt, die von Lichtstrahlen ausgelöscht
werden kann. .7enn daher erst einmal ein latentes -^iId ausgebildet ist, dann bcsxeht auch nach der Abtrennung der cVarchsicheigen
Elektrode vom lichtempflnalluhen Lleiiun': im "Dunkeln eine persistente
innere Polarisation,· . odurch ein der öterflächenladung
entgegenwirkender Effekt eintritt, der die '.,irkung >es latenten
Bilds auf der Oberfläche beseitigt. .'.Venn je. och die dielektrische
Polarisation durch Belichtung beseitigt i^-.t, dann bleibt1-allein
die ',rirkune der Oberfir.cheniaauna übrig, um den äußeren Effekt
zu unterstützen. en:i aber, wie ic Beispiel 2 als Ii eh t CM1: findliebes
kaTerial eine fluor, stierende oubs^anz verwendet v;irä,
dann scheint n„r Qie -=.ecildete ai .i&Irfcrische Polarisation .bei
der Bildung des l.>tenxen Bildes Eiltüuwirjcen, ca die ..i-■ erstandε-änderung
.kleix.isi;. Lauer Ist zwar kein ö/stem r.it hoher lichtempfiii-liciiEit
zu erv/...rten, aber ein solches oyszen ..a:in ir.it
Vorteil zur Hei stellung des Bile.es eines Gegenstands verwendet
weräen, der z:it einer str^ihlenfcri-ioen" Lichtquelle beliclruet
wjrd.« -" . "
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Yifenn im Beispiel 1 die Spannung am licht empfindlichen Element
umgepolt wird, um während der ersten Periode zwischen tQ und t.^
ein negatives Potential an;die durchsichtige Elektrode anzulegen, und während der nächsten Periode zwischen t., und t2 erneut
umgepolt wird, dann wird nicht nur die Lichtempfindlichkeit sondern auch die'Sehärfe des latenten Bildes abnehmen, was eine
Verschlechterung des latenten Bildes "bei zn starker Belichtung
schnell steigern würde* Bb wird angenommen, daß"dies durch die
asyjäetrische Anordnung des lichtempfindlichen Elements hervorgerufen wird, das eine Art von gleichrichtender Wirkung zeigt.
Die gleiche Erscheinung kann im Beispiel 2 jjedooh nicht gefunden
werden, in dem das lichtempfindliche Material die Eigenschaft
einer fluoreszierenden Substanz hat* . -
Die folgenden Beispiele 3 und 4 sollen Verfahren- angeben, bei
denen eine solche Asymmetrie vermieden ist, und sie sollen beweisen, daß gemäß der Erfindung das latente Bild nicht durch Über-1
tragung von Ladungsträgern zwischen dem lichtempfindlichen Materi-
;al und der von außen angelegten Spannungsquelle aufgrund der sogenannten
Licht3eitfähigkeit zustande kommt, sondern daß es allein durch die Phänomene innerhalb der lichtempfinalichen Schicht
gebildet wird.
Seispiel 3 ' - -
iu'acb. der -»-'ig. 11 enthält ein lichtempfinaliches Element 11 entgegen
dem Äusiührungebeispiol der £'ig» 1 einen hoch isolierenden
Film 10 wie bisher, der aber entgegen dem ■"•usführungsbeispiel eier
■Pig-. 1 gleichförmig zwischen der lichtempfindlichen Schicht 2
und üer Elektrode 4 angeordnet ist. Mit diesem element werden
mittels der gleichen Verfahrensschritte wie im Beispiel 1 ebenfalls
latente Bilder erzeugt. Die Lichtempfindlichkeit aieses
Elementes ist die gleiche wie die im Beispiel 1, so daß durch
eine Belichtung mit 20 Lux, die jeweils 0,1 Sekunden dauert,
scharfe latente Bilder entstehen. Die gleichförmige Belichtung:, die Projektion des Lichtbildes und die Zeitintervalle, in denen
da· f«ld angelegt wird, ent»p?*©btn genau dem Beispiel 1. ,/enn
BAD -ORiQtNAL
jedoch wie im Beispiel 1 von außen eine Spannung von 2000 Volt
angelegt ist, dann beträgt das Potential der Oberflächenladung
des lichtempfindlichen Llements an den hellen Stellen des Lichtbilds -1200 Volt, während an äen dunklen Stellen das Potential
etwa 0 Volt ist, ' v?as einen etwas schlechteren Wirkungsgrad bedeutet.
Auf der anderen ieite zeigte sich, daß das lichtempfindliche
-"lenient in diesem Beispiel die folgenden kerkmale aufweist.
Jas äignal/Rau&ch-fex-hältnis ist im Vei"gleich zum BeI-spa;l
1 -.vesentlich günstiger. Daher werden räischbiläer» die von
einer unbefriedigenden Konstruktion aes lichtempfindlichen Jb1Iemefits
oder von lichtscbwaeben jSingangsbildern h-.rrühren, die
bei Cier Aufnahme unerwünscht sind, vermieden. Üine vollständige
^liminierung des xiauschens, uas von einer nichtgleichförmigen
.Anordnung des lichtempfindlichen -Clements herrührt, ist von besonderer
praktischer Bedeutung.
L^s ist noch anzumerken, daß in öen j3eispiele.n 1-3 der G-egenstand
und aas lichtempfindliche Slement so angeordnet sind, wie
es in der Fig. 2 &eseigt ist, daß aber auch viele andere ■anordnungen möglich sind.
Beispiel 4 ■
In ö.iesem Beispiel wird das gleiche lichtempfindliche Clement
und andere Komponenten wie im Beispiel 3 verwendet, während,
wie die Ifig. 13 zeigt, zwischen tQ und t^ eine Spannung gemäß
«es Beispiels 1 angelegt ist. Zwischen-t,- und tp. werden die
durchsichtige elektrode und das lichtempfindliche Clement
kurzzeitig getrennt und dann bei Abwesenheit des Lichtbilds und :-ines elektrischen Feldes gegeneinander gedrückt. Anschließend
-viici in «-egenv/art des Lichtbilds ein Feld angelegt, das eine
im Vergleich zu dem zwischen tQ und t^ anliegenden i'eld entgegengesetzte
Polarität aufweist* Während des Zeitintervalle zwischen '
t2 und t, liegt ein Feld mit der gleichen Polarität wie während
des J-ntervalls zwischen t^ und tp an, wobei das Lichtbild nicht ■
■kt uxii. ..o^ei axe durchsichtige Elektrode zum Zeitpunkt t„
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■vom lichtempfindlichen■Element getrennt Wird. Das Ergebnis
ist ein latentes Bild mit nahezu, der gleichen Intensität
und Schärfe, ^ie oben angegebenen Verfahrensstufen erfüllen
alle Bedingungen, die zur Ausführung des sogenannten Äbtastverfahrens
notwendig sind5 bei dem aas lichtempfindliche -^lenient
kontinuierlich bewegt unü die Beleuchtung des Lichtbilds
c.tufenteise und synchron mit der Belegung des lichtempfindlichen
Clements vorgenommen v;iid. Sei einet: sogenannten synchrone^
Actastverfahrsa, bei dein die üilektroae im lichxe.„ .finaxichen
element ;-.ur herstellung eines dauernden liuilpütentiais geerdet
ist, kann man mit Hilfe zweier opannun^s,'uelltn an einen Ieil
des lichtempfindlichen ^lenents eine positive opant-ung .-.nieren, während'gleichzeitig
ein anderer" i'eil auf negativea Jroxential
gelegt werfen kann. In diesem EaIl al.*ü die -.ui -_inei_ ceotioiten
Punkt der Oberi'läche- des lichtempfindlichen ^lenen.is oso'·achtbaren
Erscheinungen bei der Lsme^ang die gleicher.; die'auch
aus der Ii1I0;. 13 hervorgehen, as kann also aer gleiche L-.bh^-
nismus aur _^ilö.ung eines .Latenten ISildes -,vie der ο ο en in einzelnen beüohi'iebene zugrunde gelegt werden, .-enn auch die Haltbarmachung
aes latenten Hildes nicht ganz befriedigt, t-o \.u.rae
das latente Bild, das nach ---er Abtrennung des licht&iapfii.diici:en
Elements zurückbleibt, doch nicht schlechter ,Ver^en, lo ds.ß
die Vielseitigkeit bei der Auswahl des - lic nt empfind Ii-. hen -.-_■: trials
erhöht werden kann.
f Wie anhand der entsprechenden Beispiele ausführlich besc..rieb.-.η
j wurde, sind zur Verwirklichung aer Aul'ga'.e, die ..er ^-rfi^^ar^·
zig?unde' liegt, besonders die verschiedenen Eigen cha:':"ü&n cer
lichtempfindlichen Substanzen -zu beachten. Jis h t sich ^zei-t,
] daß sich der vTiLderstand der (ichtempfindlichen .--Jclii-oht bei uiipolung
des angelegten Feldes sehr icinell ändert uac dat1 diese
Eigenschaft bei Zusatz von Verunreinigungen lui· _rhöh-i.-^ eier
iimpfindlichkeit -er Schicht noch vergrößert v/ird, wenn pulverförmige,
lichtempfindliche SubsGanaon mit Hilfe öin=ö isolierenden
-^inciemittöls zu einer dünnen schicht geformt werden, .-enn
ferner die Schicht von der einen Elektrode durch einen ^iIc
- - ■ BAD ORIGINAL
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497164 .
-3Γ-
eines stark isolierenden Materials getrennt ist, der auf einer
oder auf beiden Seiten derselben aufgetragen ist,, und wenn die Anordnung einem elektrischen Feld ausgesetzt ist. Es sind Stoffe
wie CdS, ZnS, ZnO, GdSe, PbS, ZnSe, Zttfe, .GdSe, Cd'fe usw. untersucht
worden, und alle diese Stoffe sind bei der Ausführung der Erfindung- verwendbar. Die Stoffe werden mittels eines durchsichtigen
Bindemittels mit einem spezifischen Widerstand von mehr als 10 Olm.cn gebunden und in-dünne Filme oder Schichten
ausgewalzt, die weniger als 200 Liikrons dick sind» Die Auswahl
üer Dicke des Films hängt von der mechanischen Flexibilität
u»g vom Absorptionskoiiffifaienten gegenüber dem einfallenden
licht ab. Anschließend wird einstark isolierender Film mittels eines durchsichtigen und isolierenden Bindemittels gleichförmig
an der Oberfläche der lichtempfindlichen Schicht befestigt, wobei die stark isolierende Schicht derart ausgewählt ist, daß
der ^auptteil des angelegten Feldes an .er lichtempfindlichen
Schicht liegt, wogegen, wenn belichtet wird, ein wesentlicher
Teil des Feldes an den hoch isolierenden Film erscheint, was durch d?s Verhältnis der 'wir erstände pro Flächeneinheit im
laaix-ien und bei belichtung verursacht wird. Als letztes wird
an üer-entgegengsseTEten Seite uer lichtempfindlio'.en dchicht
mittels „ines geeigneten Lina erlitt tls die leitende Elektrode
befestigt. Im BeaarfsrUll kann ein zusätzlicher Film aus einer
stvz1!;. isolierenden iubst uz zwischen -er lichteinpfictjalichen
Schicht und ^er leitenden —lektroäe angeordnet werden. Der
sΐ-.-ϊϊί isolierende -^i Iu :.:u±" uiner jüer -a-.f beiaen Seiten der
licht ein _.f in-lichvn ccLicLt ces't-er.-c aus einem material, aas einen
nd ein*..n
12 2
Chcpm
s uei:iflachen .,'idex1 stau- vor. .labr als 10 Ohiü.CLi und ein*..n
o·::^ ;.il'i£ci^en Olerf IXcheir..iderstand von mehr als 10 p
aufweist, reiterhin sollte cer.hoch isalierende Film von Oberfll'cl.e
zu Oberfl:,ehe ^ir.en ^^ezifischyn \7iaerstand von :i,ehr als
10'' Jl:^. ^z-Z Flächeneinheit besitzen uu4 das an den hoch isolierenden
Filii angelegte FeL sollte kleiner oder gleich dem an
aer ic.itez-pfinalichen Schicht liegenden Feld sein, deren Yerteil-aiu
^ν,ε aer Dielektri^ixL-tskonstanüe der' llch-feempfindlichen
schicht und der äes bo .hisolierenaen Films im Ausgangszustand
9Q9816/0S84 "
: ' -.:"'' ■ ■ BAD
\. ' 1487164
im Dunklen berechnet wird. Weiterhin sollte dae Feld am hoch
isolierenden Film weit größer als das an der lichtempfindlichen Schicht sein, wenn die Dielektrizitätskonstante·infolge einer
starken Erhöhung der den Strom leitenden Elektronen im Inneren des lichtempfindlichen Materials ansteigt, was wiederum durch
die Lichteinwirkung aäer durch einen Anstieg der Dielektrizitätskonstanten
wegen' der Fallenniveaus verursacht wird.
Ein wesentlicher Unterschied zwischen den Beispielen 1 und 2
ist die Gegenwart einer elektrischen Ladung an der G-renzfläche
zwischen dem Bindemittel und den-lichtempfindlichen Kristallen,
was mit der Impedanzänderung der lichtempfindlichen Kristalle selbst zusammenhängt. In typischer Weise ist beim Beispiel 1
' zwischen t..und tp die Impedanz des nicht beleuchteten Teils
sehr hoch, äo daß sich die Grenzfläche zwischen der lichtempfindlichen Substanz und dem Bindemittels je nach der Polarität des
von außen angelegten elektrischen Feldes genügend aufladen.kann.
Auf der anderen Seite kann sich während des Zeitintervalle
zwischen t«, und t~ auf den beleuchteten Teilen nur schlecht
eine elektrostatische Ladung an der Grenzfläche ausbilden, da der Widerstand^der lichtempfindlichen Kristalle stark abnimmt.
Das gilt aber nicht für das Beispiel 2» .Wie aus der Tatsache
hervorgeht, daß das Einfangen von Elektronen nahe der Grenz- fläche
innerhalb einer fluoreszierenden Substanz infolge der Zunahme der Elektronendichte im Leitungsband nahe der Grenzfläche
erhöht wird, können selbst in den vom Lieht getroffenen
Teilen keine Ladungsträger frei durch die Grenzfläche hindurchwandern.
Mit anderen Worten bedeutet das eine Grenzfläche mit
hohem Widerstand, so daß im Beispiel 2, in dem Kristallpartikel einer fluoreszierenden Substanz verwendet sind, an der Grenzfläche
zwischen den lichtempfindlichen Kristallen und dem "Bindemittel elektrostatische Ladungen sowohl an ten beleuchteten als
'auch an den unbeleuchteten Stellen auftreten. ¥ie aus der obfigen
Beschreibung hervorgeht, gleicht sich die auf der lichtempfina—
liehen Schicht gebildete Oberflächenladung mit üer auf der entgegengesetzten
Seite befindlichen Ladung umgekehrter Polarität und mit der Polarisation innerhalb der lichtempfindlichen xvri-
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■ stalle nicht nur aus, sondern sifeijt auch mit der elektrostatischen
-Hadung. auf der G-renzfläohe zwischen den lichtempfindlichen
Kristallen und dem Bindemittel in Beziehung. In diesem Pail wirkt sich die Grenzflächenladung dahingehend aus, daß'
sie das Feld der dielektrischen Polarisation in den liob/fc-'
empfindlichen Kristallen aufhebt,.was für den Mechanismus bei
der Bildung und Aufrechterhaltung der Bilder gemäß der Erfindung
schädlich ist. Als folge der Versuche ergibt sich, daß das Potential der Oberflächenladuag an den nicht vom Lioht
getroffenen Stellen im Zeitintervall zwischen t^ und i'k ±n
dem das Lichtbild nicht projiziert wird, etwa -100 YoIt'beträgt,, wenn man im Dunklen mißt, während bei Beleuchtung -des
Potential nahezu auf Hull absinkt. Während des Zeitintervalls
zwischen tQ und t.. unterscheiden sich die im Dunklen bzwi die
im Hellen gemessenen Potentiale kaum merklich. Die Kurven L+
und L- der Iig, 6 zeigen weiter, daß die im Dunklen gemessene
Oberflächenladung genau mit der in Gegenwart von lichtstrahlen
gemessenen Oberflächenladung übereinstimmt, wenn das lichtempfindliche Element der Belichtung ausgesetzt ist. Das zeigt, daß
im Dunklen eine elektrostatische Ladung, die·eine von dem äußeren
elektrischen leid abhängige Polarität hat, auf der Oberfläche der Kristalle des im Beispiel 1 verwendeten lichtempfindlichen
Materials gebildet wird. Wenn man berücksichtigt, daß dies von der dielektrischen Polarisation verursacht wird, dann
•sollte die Zahl der lichtleitenden Elektronen klein sein und daher die Möglichkeit zur Bildung der dielektrischen Polarisation
auf den zwischen t.. und tp nicht vom Lioht getroffenen !eilen
ein Minimum haben. Trotzdem ist die Tatsache, daß die Änderung
der Oberflächenladung durch' relativ intensives Licht verursacht wird, schwer zu verstehen. Daher nimmt man besser an, daß auf
der Oberfläche der lieht^empfindlichen Kristalle eine elektrostatische
Ladung ausgebildet ist und daß diese Ladung durch Rekombination durch die Kristalle verschwindet, was von einer
Verkleinerung von deren Widerstand durch die Einwirkung der beleuchtenden Lichtstrahlen herrührt. Das kann dadurch bewiesen
werden, daß man die lichtempfindlichen Elemente untersucht, die
bei den Verfahren der persistenten, inneren Polarisation ver-
9098 16/0564 Bm
'wendet werden»
Wie schon beschrieben wurde, wird ein .lichtempfindlich«!} Element
gemäß der Erfindung hergestellt, indem zunächst ein pulverförmiges, lichtleitendes oder fluoreszierendes Material ausgewählt
wird, das bei den herkömmlichen elektroskopiscben Verfahren wegen bestimmter Eigenschaften nicht brauchbar ist.· Das
Pulver wird mittels eines durohsichtigen, isolierenden Bindemittels
gebunden und in eine dünne Schicht geformt, woiiach ein stark isolierender PiIm auf eine oder auf beide Oberflächen
dieser dünnen Schicht zementiert wird. Durch Befestigung einer leitenden Substanz auf einer Oberfläche dieser dünnen Schicht
wird eine Elektrode gebildet (d.h. auf die entgegengesetzte Oberfläche, wenn der hoch isolierende Film nur auf die andere
Oberfläche aufgetragen ist, oder auf eine der beiden Oberflächen, wenn beide Seiten mit dem isolierenden Film bedeckt sind). Dadurch
ist für ane elektrische leitfähigkeit gesorgt und das
lichtempfindliche Element ist vollständig. Das Verfahren gemäß der Erfindung umfaßt mehrere Stufen. Zunächst wird die durchsichtige
Elektrode mit dem hoch isolierenden Film des lich't-■
empfindlichen Elements in Berührung gebracht, dann wird zwischen die Elektrode, die einen Teil des lichtempfindlichen Elements
bildet, und die durohsiohtige Elektrode ein·Gleichfeld anlegt.
Nach der ümpolung dieses Gleichfeldes wird das Bild eines beleuchteten
Gegenstandes auf der Oberfläche des lichtempfindlichen Elements gebildet, indem die Lichtstrahlen von dem
beleuchteten Gegenstand durch die durchsichtige Elektrode hindurchgehen, während die Polarität umgekehrt bleibt, fach der
Unterbrechung der Belichtung und nach Abschalten des Feldes und Abtrennen der durchsichtigen Elektrode von dem lichtempfindlichen
Element ist auf dem hoch isolierenden Film des Jiohtempfindlichen Elements ein latentes elektrostatisches Bild
entstanden, daß sich dadurch auszeichnet,daß es durch eine spätere Belichtung nicht ausgelöscht werden kann. Daher kann
,im Gegensatz zuvden bekannten elektrofotografischen Verfahren
das latente Bild aufbewahrt, bei Beleuchtung entwickelt und nur
durch Anlegen eines elektrischen Feldes geschwächt oder ge-
909816/0564 ., BADOM.NAL
löscht werden. Auf Wunsch können die einzelnen Verfahrensschritte
zur Herstellung eines latenten Bildes auch wiederholt werden.
•Während sich das Prinzip des Verfahrens, bei dem die Kristalle
eines-lichtleitehden Materials verwendet werden, wesentlich von
dem des Verfahrens mit den Kristallen einer fluoreszierenden Substanz unterscheidet, sind beide Verfahren dadurch' gekannzeichnet,
daß eine Veränderung der Eigenschaften der.licht-· empfindlichen Schicht eine Veränderung der elektrischen Ladung
eines Kondensators verursacht, der durch diesen stark isolierenden Film und die in Serie verbundene lichtempfindliche Schicht
gebildet ißt. Außerdem ist es ein wesentliches Merkmal, daß
die Ladung bei der Aufrechterhaltung des latenten Bildes mitwirkt, nachdem die durchsichtige Elektrode abgetrennt ist, und
daß sie nach cer Abtrennung keinen Einfluß hat. "ach der Erfindung
ist es also leicht, ein elektroskopisches Element herzustellen,
das sehr empfindlich und leicht zu handhaben is^, da
eine große Anzahl von lichtempfindlichen Stoffen verwendet werden kann, ohne daß ihre lichtempfiülichen Eigenschaften beschränkt
sind. -
■ ■ ■; ' - " BAD ORKäW
0 9 8 16/0564
Claims (12)
1. Elektrofotografisches Element, dadurch gekennzeichnet,
daß auf der einen Seite einer dünnen, lichtempfindlichen Schicht (2), deren Impedanz
bei einer Belichtung abnimmt und welche aus feinen Partikeln eines lichtempfindlichen Materials besteht, welche mittels eines elektrisch nichtleitenden, lichtdurchlässigen Bindemittels in dieser Schicht gebunden sini, ein dünner, isolierender durchsichtiger Film (3) befestigt ist, dessen Impedanz bei einer Belichtung nahezu unverändert bleibt, während auf der anderen Seite der lichtempfindlichen Schicht (2) eine elektrisch leitende Elektrode (4) in großer Nähe angeordnet ist.
bei einer Belichtung abnimmt und welche aus feinen Partikeln eines lichtempfindlichen Materials besteht, welche mittels eines elektrisch nichtleitenden, lichtdurchlässigen Bindemittels in dieser Schicht gebunden sini, ein dünner, isolierender durchsichtiger Film (3) befestigt ist, dessen Impedanz bei einer Belichtung nahezu unverändert bleibt, während auf der anderen Seite der lichtempfindlichen Schicht (2) eine elektrisch leitende Elektrode (4) in großer Nähe angeordnet ist.
2. Element nach Anspruch 1, dadurchgekennzeichnet,
daß die Elektrode (4) unmittelbar mit der lichtempfindlichen Schicht verbunden ist.
3- Element nach Anspruch !,dadurch gekennzeichnet , daß eine weitere dünne, isolierende
Schicht (10) zwischen der lichtempfindlichen Schicht (2) und der Elektrode (4) angeordnet und mit den beiden verkittet ist. .
Schicht (10) zwischen der lichtempfindlichen Schicht (2) und der Elektrode (4) angeordnet und mit den beiden verkittet ist. .
4· Element nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-3,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Dielektrizitätskonstante der lichtempfindlichen Schicht (2) bei einer Belichtung zunimmt.
Dielektrizitätskonstante der lichtempfindlichen Schicht (2) bei einer Belichtung zunimmt.
5· Element nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 - 4,
dadurch gekennzeichnet , daß das
lichtempfindliche Material feine Partikel einer
tenden Substanz enthält.
lichtempfindliche Material feine Partikel einer
tenden Substanz enthält.
16/0564 8^D ORfelsMAL
6. Element nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-5,
dadurch gekennzeichnet, daß das
lichtempfindliche Material feine Partikel einer fluoreszierenden
Substanz enthält.
7· Element nath einem oder mehreren der Ansprüche 1-6,
dadurch gekennzeichnet, daß das lichtempfindliche Material aus den Stoffen GdS, ZnS, ZnO,
OdSe, PbS, ZnSe, ZnTe und GdTe ausgewählt ist.
8. Element nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-7, dadurch ge k e ri η ζ e i ο h η e t , daß die
lichtempfindliche Schicht (2) eine Dicke von weniger als etwa 200 Mikrons hat und daß das Bindemittel für diese
Schicht einen spezifischen Widerstand von mindestens 10 Ohm.cm aufweist.
9· Element nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-8, dadurch gekennzeichnet, daß der
isolierende Film eine Dicke von weniger als etwa 50 Mikrons,
einen spezifischen Widerstand von mindestens 10 0hm»em,
12
einen Oberflächenwiderstand von mindestens 10 0hm pro cm
und einen spezifischen Widerstand von Oberfläche zu Oberfläche
Q 2
von mindestens 10^ 0hm pro cm aufweist. .
10. Element nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 - 9,
dadurch gekennzeichnet, daß das liclrfcempfindliche
Element aus derartigen Stoffen zusammengesetzt ist, daß sich ein äußeres PeId nur bei Belichtung der lichtempfindlichen
Schicht gleichstark oder weniger stark über
den hoch isolierenden PiIm (3) im Vergleich zu der licht empfindlichen
Schicht (2) verteilt.
16/0564
-«"-■ 1487184
11. Verfahren zur Herstellung eines Elementes nach einem oder mehreren der Ansprüche 1-10, dadurch gekennzeichnet
, daß eine lichtempfindliche , pulverförmige,
lichtleitende oder fluoreszierende Substanz mittels eines durchsiohtigen, hochmolekularen Bindemittels gebunden und in eine
dünne Schicht (2) ausgewalzt wird, an dessen einer Seite mittels eines Bindemittels, das einen spezifischen Widerstand von mindestens
10 Ohm.cm hat, der hoch isolierende Mim (3) und
auf der anderen Seite die Elektrode (4) "befestigt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet
, daß mit dem hoch isolierenden Film eine durchsichtige Elektrode (5) in Berührung gebracht wird.
13· Verfahren aur Herstellung latenter elektrostatischer Bilder
mit einem elektrofotografischen Element nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 - 10, nach dem elektrische Ladungen auf der
Oberfläche einer Schicht aus isolierendem Material verändert werden, dadurch gekennzeichnet, daß an
das Element ohne Belichtung ein elektrisches Feld angelegt wird, welches, während das Element gleichzeitig einem Lichtbild ausgesetzt
ist, eine entgegengesetzte Polarität erhält, und daß anschließend die Einwirkung des Lichtbildes unterbrochen und
das elektrische Feld abgeschaltet wird.
14· Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet , daß vor dem Anlegen des leides eine lichtdurchlässige,
elektrisch leitende Elektrode (5) mit dem isolierenden Film (3) in Berührung gebracht wird, daß zwischen
diese und die andere Elektrode (4) dann eine Gleichspannung angelegt
wird, und daß nach der Unterbrechung des Lichtbildes und nach Abschaltung der Gleichspannung die durchsichtige
Elektrode (5) von dem Film (3) wieder entfernt wird, ohne daß
die Schicht (2) beleuchtet wird, so daß auf der Oberfläche des Films (3) ein Ladungsmuster entsteht, daö ein latentes
Bild des vorher aufgeprägten Liohtbilde darstellt ,welches durch
eine nachfolgende Belichtung nicht auslöschbar ist.
9098 16/05
-jr-
15· Verfahren nach Anspruch. 13 und/oder 14, dadurch,
gekennz* i c h. η e t, daß die ursprünglich, angelegte
Spannung »bgesenaltet und unmittelbar darauf oder eine vorgewählte
Zeitspanne danach die Spannung umgekehrter Polarität
angelegt wird, und daß das Abschalten dieser Spannung gleichzeitig mit oder kurz nach der Unterbrechung der Einwirkung
des Lichtbildes stattfindet.
90 38 1 6/056
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4227764 | 1964-07-25 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1497164A1 true DE1497164A1 (de) | 1969-04-17 |
DE1497164B2 DE1497164B2 (de) | 1973-10-04 |
DE1497164C3 DE1497164C3 (de) | 1974-05-09 |
Family
ID=12631532
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1497164A Expired DE1497164C3 (de) | 1964-07-25 | 1965-07-23 | Verfahren zur Herstellung eines Ladungsbildes auf einer isolierenden Oberfläche |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3457070A (de) |
BE (1) | BE667299A (de) |
DE (1) | DE1497164C3 (de) |
FR (1) | FR1454439A (de) |
GB (1) | GB1120123A (de) |
NL (1) | NL6509608A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6162570A (en) * | 1996-03-29 | 2000-12-19 | Oce Printing Systems Gmbh | Electrophotographic printing process for printing a carrier |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4071361A (en) * | 1965-01-09 | 1978-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic process and apparatus |
DE1797608C2 (de) * | 1965-07-12 | 1980-04-24 | Canon K.K., Tokio | Elektrophotographisches Verfahren zum Erzeugen eines Ladungsbildes auf einer isolierenden Schicht |
US3734609A (en) * | 1966-02-23 | 1973-05-22 | Canon Kk | Electrophotographic process and apparatus |
US3655369A (en) * | 1967-09-05 | 1972-04-11 | Katsuragawa Denki Kk | Persistent internal polarization process in electrophotography |
US3849128A (en) * | 1967-12-30 | 1974-11-19 | Canon Kk | Process for producing a drum photosensitive member for electrophotography |
US3653064A (en) * | 1968-02-25 | 1972-03-28 | Canon Kk | Electrostatic image-forming apparatus and process |
US3697268A (en) * | 1968-04-10 | 1972-10-10 | Ricoh Kk | Electrostatic printing method |
US3597072A (en) * | 1968-10-03 | 1971-08-03 | Owens Illinois Inc | Electrode configuration for electrophotography |
US3948657A (en) * | 1968-11-07 | 1976-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive matter for electrophotography and method of the production thereof |
US3941591A (en) * | 1969-01-22 | 1976-03-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photoconductive member employing a chalcogen alloy and a crystallization inhibiting element |
US3718462A (en) * | 1969-06-03 | 1973-02-27 | Xerox Corp | Manifold electrification process |
JPS494337B1 (de) * | 1969-07-28 | 1974-01-31 | ||
US3720513A (en) * | 1969-08-21 | 1973-03-13 | Xerox Corp | Migration imaging method involving solvent wash-away of unmigrated particles |
US3849129A (en) * | 1970-10-27 | 1974-11-19 | Katsuragawa Denki Kk | ELECTROPHOTOGRAPHIC ELEMENT CONTAINING Se-Te ALLOY LAYERS |
DE2055269C3 (de) * | 1969-11-11 | 1982-07-15 | Canon K.K., Tokyo | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
JPS4938170B1 (de) * | 1969-12-17 | 1974-10-16 | ||
US3976483A (en) * | 1970-01-02 | 1976-08-24 | Xerox Corporation | Erasing process |
JPS4910257B1 (de) * | 1970-05-29 | 1974-03-09 | ||
US3816115A (en) * | 1970-06-26 | 1974-06-11 | Xerox Corp | Method for forming a plurality of electrostatic latent images on an electrophotographic plate |
US3681777A (en) * | 1970-08-28 | 1972-08-01 | Xerox Corp | Recording apparatus |
JPS5642866B1 (de) * | 1970-10-29 | 1981-10-07 | ||
JPS495466B1 (de) * | 1970-12-29 | 1974-02-07 | ||
US3837849A (en) * | 1973-02-20 | 1974-09-24 | Xerox Corp | Multilayered variable speed photoreceptor and method of using same |
US4052208A (en) * | 1973-05-04 | 1977-10-04 | Martinelli Michael A | Image recording medium employing photoconductive granules and a heat disintegrable layer |
JPS5030532A (de) * | 1973-07-04 | 1975-03-26 | ||
GB1520281A (en) * | 1974-07-10 | 1978-08-02 | Canon Kk | Electrophotographic recording apparatus |
US4275134A (en) * | 1974-07-30 | 1981-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic method for reproducing a multicolor image |
JPS5516288B2 (de) * | 1974-11-07 | 1980-05-01 | ||
US4086088A (en) * | 1976-03-25 | 1978-04-25 | Addressograph Multigraph Corporation | Imaging methods for use with charged particle modulator device |
US4063943A (en) * | 1976-08-23 | 1977-12-20 | Xerox Corporation | Electrostatographic imaging method |
US4155640A (en) * | 1977-05-12 | 1979-05-22 | Coulter Systems Corporation | High speed electrophotographic imaging system |
US4170475A (en) * | 1977-05-12 | 1979-10-09 | Coulter Information Systems, Inc. | High speed electrophotographic method |
US4331753A (en) * | 1978-11-27 | 1982-05-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for providing an electrical charge pattern on the insulative layer of an insulative layer-photoconductive layer-conductive layer structure |
US4391512A (en) * | 1979-01-06 | 1983-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Developing device using magnetic developer |
US4352875A (en) * | 1980-02-05 | 1982-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Voltage distribution difference electrophotographic process |
US4444859A (en) * | 1981-05-30 | 1984-04-24 | Olympus Optical Company Limited | Electrophotographic process and photosensitive member for use in said process |
US4621919A (en) * | 1983-07-13 | 1986-11-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Metal drum and image holding member using the same |
JPS6022966A (ja) * | 1983-07-18 | 1985-02-05 | Canon Inc | 塗布方法 |
JP2011018873A (ja) * | 2009-05-22 | 2011-01-27 | Sony Ericsson Mobilecommunications Japan Inc | 電磁シールド方法および電磁シールド用フィルム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2901348A (en) * | 1953-03-17 | 1959-08-25 | Haloid Xerox Inc | Radiation sensitive photoconductive member |
US2741959A (en) * | 1953-04-10 | 1956-04-17 | Haloid Co | Electrophotography |
US2853383A (en) * | 1953-10-02 | 1958-09-23 | Paul H Keck | Method and apparatus for amplifying photoelectric currents |
US2912592A (en) * | 1954-10-07 | 1959-11-10 | Horizons Inc | Memory device |
BE631983A (de) * | 1962-05-08 | |||
US3268331A (en) * | 1962-05-24 | 1966-08-23 | Itek Corp | Persistent internal polarization systems |
DE1252730B (de) * | 1963-09-09 | 1967-10-26 | Rank Xerox Limited, London | Verfahren und Einrichtung zur Umwandlung einer veränderlichen, von einem Videosignal abhangigen Spannung zu einem elektrostatischen Bild |
US3347669A (en) * | 1964-03-27 | 1967-10-17 | Dick Co Ab | Photoconductive copy system |
-
1965
- 1965-07-13 US US471606A patent/US3457070A/en not_active Expired - Lifetime
- 1965-07-20 GB GB30713/65A patent/GB1120123A/en not_active Expired
- 1965-07-23 DE DE1497164A patent/DE1497164C3/de not_active Expired
- 1965-07-23 BE BE667299A patent/BE667299A/xx unknown
- 1965-07-23 NL NL6509608A patent/NL6509608A/xx unknown
- 1965-07-24 FR FR25899A patent/FR1454439A/fr not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6162570A (en) * | 1996-03-29 | 2000-12-19 | Oce Printing Systems Gmbh | Electrophotographic printing process for printing a carrier |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1497164C3 (de) | 1974-05-09 |
NL6509608A (de) | 1966-01-26 |
BE667299A (de) | 1965-11-16 |
FR1454439A (fr) | 1966-02-11 |
DE1497164B2 (de) | 1973-10-04 |
GB1120123A (en) | 1968-07-17 |
US3457070A (en) | 1969-07-22 |
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