DE1464914A1 - Verfahren und Einrichtung zur Messung der Durchbruchsspannungen (z.B. Lawinendurchbruchsspannungen) von Dioden und Transistoren und der Beruehrungsspannung von Transistoren - Google Patents

Verfahren und Einrichtung zur Messung der Durchbruchsspannungen (z.B. Lawinendurchbruchsspannungen) von Dioden und Transistoren und der Beruehrungsspannung von Transistoren

Info

Publication number
DE1464914A1
DE1464914A1 DE19641464914 DE1464914A DE1464914A1 DE 1464914 A1 DE1464914 A1 DE 1464914A1 DE 19641464914 DE19641464914 DE 19641464914 DE 1464914 A DE1464914 A DE 1464914A DE 1464914 A1 DE1464914 A1 DE 1464914A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage
measuring
measured
pulses
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19641464914
Other languages
English (en)
Other versions
DE1464914B2 (de
Inventor
Kocsis Dipl-Ing Miklos
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Egyesuelt Izzolampa es Villamossagi Rt
Original Assignee
Egyesuelt Izzolampa es Villamossagi Rt
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Egyesuelt Izzolampa es Villamossagi Rt filed Critical Egyesuelt Izzolampa es Villamossagi Rt
Publication of DE1464914A1 publication Critical patent/DE1464914A1/de
Publication of DE1464914B2 publication Critical patent/DE1464914B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/2632Circuits therefor for testing diodes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/2608Circuits therefor for testing bipolar transistors
    • G01R31/261Circuits therefor for testing bipolar transistors for measuring break-down voltage or punch through voltage therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Testing Of Devices, Machine Parts, Or Other Structures Thereof (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Nitrogen And Oxygen As The Only Ring Hetero Atoms (AREA)

Description

  • Verfahren und Einrichtung zur Messung der Durchbruchsspannungen (z. B. Lawinendurchbruchsspannungen) von Dioden und Transistoren und der Berührungsspannung von Transistoren.
  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zur Messung der Durchbruchsspannungen (z. B. Lawinendurchbruchsspannungen) von Transistoren, bzw. Dioden und der Berührungsspannung von Transistoren durch automatisch einstellende, unmittelbare Ablesung der zu messenden Werte mit Hilfe der Impulsmethode Die Prüfung der Zuverlässigkeit der Lebensdauer von Halbleitern auf Grund der Messung der Durchbruchs-und Berührungsspannungen war bis jetzt nicht bekannt.
  • Dieser physikalische Zusammenhang wurde in der Fachliteratur im Artikel Influence of non uniform basewiS h on transistor f ailurees"Proceding IEEE-Vol.51.No.1, 1963, Page 229, oder KOCSIS: "Zusammenhang zwischen inhomogener 3asisdicke und Zerstörung des legierten Transistors", Tungsram Techn.
  • Mitteilungen No. 8 Jan. 1963S behandelt.
  • Die Erfindung verfolgt dcn Zweck, auf Grund der bcschriebenen Erkenntnis ein solches Ver ahren und eine solche Einrichtung vorzuschlagen, das und die ermöglicht, die hinsichtlich der Lebensdauer und Zuverlässigkeit der Halbleitergeräte wichtigen Qualitätsmerkmale bei der industriomässigen Herstellung der Halbleitergeräte mit einem einfachen Messvcrfahren bestimmt werden.
  • Man verwendet zur Messung der Durchbruchsspannungen von Transistoren und Dioden gewöhnlich die Impulsmethode ; bei dicser Mcthode werdin im allgemeinen Impulse der Breite von 10-50/usec und der Frequenz von 50-100 Hz an die Klemmen der zu prüfenden Geräte gegeben. Mit dieser Methode will man erreichen, dass die durchschnittliche Disspation niedrig bleibt, also die schädliche Erwärmung des zu prüfenden Gerätes vermieden wird.
  • Die Erfindung betrifft also ein Verfahren zur Messung von Durchbruchsspannungen (z.B. Lawinendurchbruchsspannungen ) von Transistoren und Dioden und zur Messung von Berührungsspannung von Transistoren mit Impulamethode. Die Erfindung liegt darin, dass die Regelung des, die zu den erwähnten Messungen notwendigen Impulse lieferndcn Generators bei der Messung der Lawinendurchburchsspannungen mit cinem, infolge der Wirkung der Messimpulse rückkoppelnden Stromkreis, wobei mit vom tuber den zu messenden Transistor bzw. über die Diode fliessendon Strom hervorrufenden Impulsen, bei der Messung der Berührungsspannung mit Hilfe der zwischen dom frcien Ausgang des zu messenden Transistors und zwischen dem Ausgang der Basis infolge der Mossimpulse entstehenden Spannungsimpulse erfolgt, wodurch die Amplitude der Messimpulse auf den, vom zu messenden Transistor oder von der zu messenden Diode bestimmten Wert eingestellt wird, welcher Wert dann mit einem entsprechenden Gerät gemessen wird.
  • Die zur Durchführung des crfindungsgomässen Verfahrens dicnende Einrichtung ist dadurch gekennzeichnet, dass an das zu messende lomont einerseits der Ausgang des die Messimpulse liefernden Impulsgenerators, andererseits der zur Messung der Impulsamplitude geeignete Stromkreis und der Eingang des Roglerstromkreises angeschlossen ist, der Ausgang des Roglerstromkreises an die Reglerklemme des Impulsgencrators angeschlossen ist, weiterhin, dasc der Impulsgcncrator einen geerdeten Messwiderstand hat.
  • Um die Erfindung leichter zu verstehen, werden die bei der Messung von Lawinendurchbruchs-und Berührungsspannung üblichen Messchaltungen, dann das Verfahren nach der Erfindung, bzw. der Aufbau und die Funktion der zur Durchführung des Verfahrens dienenden Einrichtung im Zusammenhang cincs Ausführungsbeispiels mit Hilfe der Abbildungen erklart. Von den Abbildungen zeig' Fig. 1 die zur Messung der Spannung BVCBo verwendete Schaltung, Fig. 2 das Diagramm der Aenderung der Spannung BVCBo, Fig. 3 die zur Messung der Spannung BVCEO verwehdete Schaltung, Fig. 4 die zur Messung der Spannung BVCER verwendete Schaltung, Fig. 5 das Diagramm der Spannungen BVCBo, BVCEo und BVCER, Fig. 6 die zur Messung der Spannung BV verwendete Schaltung, Fig. 7 die zur Messung der Berührungsspannung, Fig. 8 das Diagramm der Spannung Up Fig. 9 das allgemeine Blockschema der Einrichtung nach der Erfindung, Fig. 10 das Blockschema einer als Beispiel angeführten Ausfiihrungsform der Messeinrichtung nach der Erfindung, Fig. 11 den Schaltplan eines Ausführungsbeispiels dieser Messeinrichtung.
  • Wie es bekannt ist, kann eine Spannung von vier verschiedenen Werten in Verbindung mit der Lawinendurchschlagerscheinung bei den Transistoren gemessen werden undzwar : 1)-In dem Falle, wenn IE = 0 ist, ergibt die Lawinendurohbruchsspannurg der Kollektorbasisdiode des zu messenden Transistors 1 die Sp. nnung BVCBo. Die hierzu verwendete Messschaltung ist in der Fig. 1 zu sehen.
  • Die Kollektorspannung kann auch bei Erhöhung der Spannung U nicht höher sein, als die Lawinendurchbruchsspannung. Die Messung der Lawinendurchbruchsspannungen ist in der Praxis edtch nicht einfach, da der Kollektorstrom (siehe Fig. 2) auch schon bei einer um 20-40 V niedrigeren Spannung als BVCBo im Vergleich zum Wert der niedrigen Spannung bedeutend ansteigt.
  • Der Wert von BYCBo kann folgendermassen berechnet werden : 'BOBo-88..b°'M. wobei g b der spezifische Widerstand der Basisschicht in Ohm cm ist.
  • Die Gleichung bezieht dich auf einen Kollektorstrcm von 100 mA. Bei der Messung der Durchbruchsspannung geht man also dann richtig vor, w3nn die Messungen immer bei der gleichen Stromstärke durchgeführt werden.
  • Die bei dieser Schaltung zu messenden Spannungen sind im allgemeinen im Bereich von 60-300 V.
  • . 2)-Die Messung der Spannung BVCE@ ist nach der Schaltung in Fig. 3 durchzufuhren. BVCEo kannansonsten aus BVCBo folgendermassen berechnet werden.' wobei der Wert des Gleichstromverstärkungsfaktors auf die Schaltung mit geerdeter Basis bezogen ist.
  • Die zu messenden Spannungen sind im Bereich von 25-45 V.
  • 3)-Die zur Messung der @pannung BVCER dienende Schaltung ist in Fig. 3 zu sehen. Die zu messende Spannung muss bei R = # mit BVCEo übereinstimmen. Die Kennlinien der zu den erwähnten drei Fällen gehörenden Kollektorstrom-Kollektorspannung stellt Fig. 5 dar.
  • 4) - @ie Messung der Spannung BVCms erfolgt nach der in Fig. 6 dargestellten Schaltung. Diese Spannung stellt ansonsten den zu R = 0 gehörenden Grenzfall BVCER dar.
  • Es ist wichtig zu bemerken, falls die Beriihrungespannung (Vpt) (punch-through) kleiner als BVCES ist, dann kann die Berührungsspannung mit dieser Schaltung gemessen werden. Diese ieise der Messung der Berührungsspannung kann jedoch zu Irrtümarn fuhren. Bei der Messung der Berührungsspannung auf diese iveise wird erst BVCBo derart gemessen, dass die E'mitterklemcle abgeschaltet wird, dann nach dem Ablesen der Spannung wieder zurückgeschaltet wird.
  • Wenn Vpt kleincr als BVCBo ist, dann sinkt der vom Voltmeter angezeigte Wert auf Vpt. In der Tatsache kann man auch dann das Absinken der Spannung feststellen, wenn Vpt = BVCBo ist, da die beim Kurzschliessen der Emitter-und Basisklemmen auf die Schaltung nach Fig. 6 bezogene Lawinendurchbruchsspannung BVCES ist. Diese Spannung ist jedoch immer niedriger (etwa um 5-15 Y) als BVCBo. Bei dieser Messung kann es also vorkommen, dass die Berührungsspannung - mit BVCES verwechselt - mit einem grossen Fehler gemessen wird.
  • Deswegen wurde die, bzw. das in Fig. 7 dargestellte Schaltung bzw. Prinzip bei der genauen Messung der Berührungsspannung bei der Einrichtung nach der Erfindung verwendet. Auf den Kollektorbasisübergang eine Vorapannung mit t Uc-Sperrichtung geschaltet, kann die Breite der entleerten Schicht aus der Formel errechnot warben.
  • In dem Falle, wenn der Rand der entleerten Schicht den Emitterübergang erreicht, geraten der Kollektor und der Emitter in dynamischen Kurzschluss miteinander. Dann ist wobei Vpt die sogenannte Berührungsspannung und Wm die minimale Basisdicke ist.
  • Solange Uc Vpt ist, solange ist X B dem sogenannten Diffusionspctential von einigen Zehntel V gleich. Dieser Wert kann durch die Oborflächenübergänge noch ein wenig erhöht werden, er bleibt jedoch bei guten Transistoren im allgemeinen unter 1 V.
  • Wenn Uc grösser wird als die Berührungsspannung, so steigt UEB plötzlich an. Der zum Knickpunkt der Kunkticn nach Fig. 8 gehörende Abszissenwert stellt die Beriihrungsspannung V dar.
  • Das Verfahren und die Einrichtung nach unserer Erfindung fuhrt die schon beschriebenen Messungen mit der Impulsmethode durch. Das Messprinzip wird an Hand des in Fig. 9 zu sehenden Blockschemas, bzw. mit Hilfe des Blockschemas der-in Fig. 10 dargestellten, als Beispiel angeführten Ausführungsform erklärt.
  • Das Verfahren beruht darauf, dass die Regelung des, die zu den Messungen notwendigen Impulse herstellenden Generators, mit Hilfe der durch diese Impulse in dem zu messenden Transistor, bzw. durch den, durch die Diode fliessenden Strom hervorgerufenen Impulse , (bei der Messung von Lawinendurchbruchsspannungen), bzw. mit Hilfe der durch diese Impulse zwischen der frein Klemme des zu messenden Transistors (im Beispiel der Emitter) und zwischen der Klemme der Basis hervorgerufenen Spannungsimpulse (bei der Messung der Beriihrungsspannung) erfolgt.
  • Die zur Durchführung des Verfahrens geeignete Einrichtung hat einen solchen Aufbau, dass in den Stromkreis 7 des zu messenden Momentes einerseits der Ausgang des die Measimpulse gebenden Impulsgenerators 2, andererseits der zur Messung der Impulsamplitude geeignete Stromkreis 6 und der Reglerstromkreis 3 angeschlossen sind und der Ausgang des Reglerstromkreises mit dem entsprechenden Punkt des Impulsgenerators 2 verbunden ist.
  • Bei der als Beispiel erwähnten Ausführungsform verwandelt der Impulsgenerator 2 die eintreffeaden sinuslinienförmigen Signale-zweckmassig von 50-100 Hz-in Impulse von 50-100 Hz und gibt dem zu messenden Transistor 1 eine entsprechende Leistung ab. Der als Maximum abgegebene Strom beträgt in unserem Beispiel 100 mA. Die Spannung der Impulsamplitude des Impulsgenerators 2 kann durch Aenderung der Speisespannung der Endstufe geregelt werden. Diese Aufgabe wird vom Reglerstromkreis 3 versehen, der ermöglicht, die Spannungsamplitude mit Gleichspannung von einigen Zehntel Volt zu regeln.
  • . Bei der Messung von Lawinendurchbruchsspannungen wird der durch den zu messenden Transistor 1 bzw. durch die Diode fliessende Strom über den Messwiderstand 4 geleitet. Die erhaltene Spannung wird durch Einschaltung von Gleichrichter-Stromkreisstufen gleichgerichtet, dann wird die so erhaltene Gleichspannung an den gAng des Reglerstromkrcises 3 geschaltet.
  • Auf diese eise-mit Hilfe der Rückkopplung-kann erreich werden, dass das Mcssystcm immer dic zum durch den Messwiderstand festgelegten Kollektrostrom gehöronde Lawinendurchbruchsspannung messen wird. Die Messung der Spannungsamplitude wird vom Stromkrois 6 durchgeführt.
  • Bei der Messung der Berührungsspannung wird die Spannung UEB zurückgekoppelt.
  • Hinsichtlich der Schaltungstechnik kann die Messung auf zweierlei Weise durchgeführt werden: a) Die Amplitude des Impulses hat am Anfang der Messung bzw. im Moment der Einschaltung des zu messenden Elementes, den Maximumwert und sie sinkt infolge der Rückkopplung, bzw. der Rcgelung auf den gemessenen Wert ab (auf den vom Transistor oder von der Diode bestimmten'Wert). b) Der Impulsgencrator liefert am Anfang der Messung bzw. im Moment der Einschaltung des zu mossenden Elementes von Null beginnend Impulse mit st4igenden Amplituden, die infolge der iRückkopplung, bzw.
  • Regelung bis zum vom Transistor oder von der Diode bestimmten Wert ansteigen.
  • Der Aufbau einer als Beispiel angeführten Ausführungsform der zur Durchfiihrung des Verfahrens nach der Erfindung dienenden Einrichtung und deren Funktion wird ausführlich an Hand des Schaltplanes mit den Bezeichnungen von Fig. 11 wie folgt erklärt: In der Zeichnung wurden die im Blockschema der Fig. 10 verwendeton Einheiten bzw. Stromkreise mit Strichlinien begrenzt. Die zu den Transistoren V1 und V2 gehörende Stufe ist die Diffcrenzierschaltung. Die Transistorstufe V3 dient als Phasenumkehrstufe und liefert sur Regelung der Endstufe eine entsprechende Leistung. Die Transistoren V4 und V5 der Endstufe worden mit Hilfe einer Spannung von +9 V während der Paueen zwischen den Impulsen in Sperrichtung vorgespannt, dadurch verbessert sich die Wärmestabilitat bedeutend, gleichzeitig sinken die Schaltzeiten. Die Diode D1 hat die Aufgabe, die Schwingungen negativer Polarität abzuschneiden. Die Diode D2 und der Kondensator Cl verrichten die Gleichrichtung. Der Transformator T1 dient zur Herstellung der Spannungsimpulse mit entsprechend grosser Amplitude.
  • Der die Transistoren V6 und Vn enthaltende Differentialverstärker crmöglicht, die Stufe V bis dahin in Sporrotcllung zu halten, bis deren Basisspannung kleiner ist, als die Basiaspannung des Transistors 6. Diese beträgt etwa-0, 2 V. Der Rogl rstromkrois regelt mit Hilfe der Transistoren V8 und V9 die Speisespannung der Endstufe.
  • Wenn die Basisspannung von V7 -0,27 V beträgt, 8££net der Transistor vollkommen und V9 sperrt ab, also wird die am Punkt B1 herrschende Spannung mit guter Näherung zu Null.
  • Zur Betätigung des Differentialverstärkers wird Gleichspannung benötigt, die von der Gleichrichterstufe 5 geliefert wird.
  • Bei der Messung von Lawinendurchbruchsspannungen ist der Schalter K1 in abgeschaltetem Zustand.
  • Infolge der Wirkung des über den Messwiderstand R = 15 Ohm fliessenden Stromes-er kann höchstens 100 mA betragen-erhält man Spannungsimpulse mit der Amplitude von-1, 5 V. Der Transistor T2 dient nur als Phagenumkehrer, zur Regelung werdcn nämlich Impulse mit negativer Polarität benötigt.
  • Die Reglerimpulse werden an die dem Emitter-Polger Stufen V10 und Vll gegeben, die in der Lage sind, auch einen Strom von 50-70 mA abzugeben. Die Gleichrichtung erfolgt mit der Diode D3 Die Diode D4 begrenzt die Amplitude der an den Fingang der Stufe Vll gelangenden Impulse auf 1,5 V.
  • Bei der Messung der Berührungsspannung kann es nämlich vorkommen, dass eine Spa mung von über 200 V im Moment der Einschaltung des Transistors l am Emitter entsteht. Diese kann einerseits schädlich auf die Str/omkreise wirken, anderorseits verursacht sie im surückgekeppelten System Schwingungen. Diese letztere verlangsamt die Messung und deswegen ist es zu vermeiden. Um die Schwingungen zu vermeiden, wurden die an den Emitter des Differentialverstärkers und an den Kollektor geschalteten Kondensatoren C2 und C3 verwendet.
  • Bei der : essung der Berührungsspannung ist der Schalter K1 cinzuschalten. In dcm Falle, wenn die Berührungsspannung kleiner ist, als dic Lawincndurchbruchsspannung dcr Schaltung mit geerdeter Basis : BVCBo, steuert die Spannung am Emitter des System solange zurück, solange die Berührung gerade erfolgt. Die Amplitude der Emitterspannung beträgt etwa 1, 5 V.
  • Die Dioden D5 und D6 ermöglichen, dass der Kollektorstrom bei der Messung der Berührungsspannung auch dann nicht grosseur wird als bei der Messung der Lawinendurchbruchsspannungen, wenn die Berührungsspannung des zu messenden Transistors höher ist als BVCBo.
  • Im Stromkreis des Impulsamplitudenmessers wurde ein Standardgerät M1 mit 100 µA verwendet. Da der auf die Impulse bezogene Füllfaktor etwa 1/450 betragt, fliesst ein Spitzcnstrom von etwa 45 mA über die Diode D7. Mit Hilfe des Transformators kann es erreicht werden, dass der vom Eingang während der Dauer der Impulse verbrauchte Strom etwa 3 mA beträgt.
  • Dieser kann im Vergleich zu 100 mA schon vernachlässigt werden.
  • Der Schalter K hat die Aufgabe, dass er bei der Entnahme des zu messenden Transistors 1 aus dem Einspannelement die Kollektorspannung abgeschaltet und damit die Gefahr eines Stromachlages beseitigt.
  • Die einzelnen Bauelemente der als Beispiel angefuhrten Einrichtung sind so berechnet, dass wenn Impulse mit einer Amplitude von weniger als 1-1g V an den Eingang des Reglerstromkreises 3 gelangcn, dic vom Impulsgenerator 2 gelieferte Spannung etwa 350 V beträgt.
  • Bei der Messung der Lawinendurchbruchs- und Berührungsspannung gelangen Spannungsimpulse von 1,5 V und negativcr Polarität an den Eingang des Gleichrichterstromkreises 5, welche die Ausgangsspannung des Impu@sgenerators 2 auf den entsprechenden Wert herabsetzen.
  • Der Messfehler der als Beispiel erklärten Ausfiihrungsform des Gerätes beträgt höchstens -5% und es kann zur Messung einer Spannung von höchstens 300 V verwendet werden. Die zur Speisung der Stromkreise benötigte Spannung von 26 V ist zu stabilisieren, die beiden Speisegeräto von 9 V können ohne Stabilisierung sein.
  • Bei der Messung von Lawinendurchbruchsspannungen sind die entsprechenden Ausgänge des zu messenden Transistors 1 an die Klemmen B und K des Transistoroinspannelemcntes anzuschliessen, während bei der Messung der Beruhrungsspannung der zu messende Transistor 1 auf die in der Fig. 11 dargestellte Weise angeschlossen wird.

Claims (5)

Patentansprüche.
1. Verfahren zur Messung von Durchbruchsspannungen (z. B. Lawinendurchbruchsspannungen) von Transistoren und Dioden und zur Messungvon.Berührungsspannungvon Transistoren mit Impulsmethode, dadurch g e k e n nz e i c h n e t, dass die Regelung des die zu den erwähnten Messungen notwendigen Impulse liefernden Generators (2) bei der Messung der Lawincndurchbruehsspannungcn mit einem, infolge der Wirkung der Mesa-Impulse rückkoppelndcn Stromkreis, wobei mit vom liber den zu messenden Transistor (l) bzw. über die Diode fliesscnden Strom hervorgerufenen Impulsen, bei der Messung der Berührungsspannung mit Hilfe der zwischen dem froien Ausgang des zu messenden Transistors (1) und zwischen dem Ausgang der Basis infolge der Messimpulse entstehenden Spanhungsimpulae erfolgt, wodurch die Amplitude der Messimpulse auf den vom zu messenden Trensistor oder von der zu messenden Diode bestimmten Wort eingestcllt, wird, welcher Wort dann mit einem entsprechenden Gerät (6) gemessen wird.
2.VerfahrenncchAnspruchl dadurch g e k a n nz c i c h n c t, dass die Amplitude der Messimpulse bei der Regelung des Generators am Anfang der Messung bzw. bei der Finschaltung des zu messenden Elementes "roser eingestellt wird als dia zu messende hbohsta Lawinendurchbruchsspannung und die Spannung des Immolegenerators durch den Rückkoppelungsstromkreis auf den durch das zu messende Element bestimmten Wert herabgeset zt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch g e k e n nz e i c h n e t, dass die Amplitude der Messimpulse "bei der Regelung des Generatora am Anfang der Messung bzw. bei der Einschaltung des zu messenden Elementes, auf Null cingestellt wird und die Spannung des Impulsegenerators durch dcn Rückkoppelungsstromkreis auf den durch das zu messende Element bestimmten Wert herabgesetzt wird.
4. Einrichtung zur Durchführung des Verfahxens nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch g e k e n ns e i c h n c t, dass an das zu messende Element (Fig.9) einerseits der Ausgang des die Messimpulse liefernden Impulsgencrators (2), andererseits der zur Messung der Impulsamplitude geeignete Stromkreis (6) und der Eingang des Reglerstromkruises (3) angeschlossen ist, der Ausgang des Reglerstromkreises an die Reglerklemme des Impulsgeneratorsangeschlossenist,weiterhindass der Impulsgcncrator einen geerdeten Messwiderstand (4) hat.
5. Einrichtung nach Anspruch 4 dadurch g e k e t ns e i c h n e t, dass der Eingang des Reglorstromkreises (3) - zwcckmässigerweise in Diodenausführung - über einen "Oder-Oder" legischen Stromkreis einerseits an den Messwiderstand (4), andererseits über de@ Schalter (K1) an den freien Ausgang dos zu oeBscndenmpnazptors(l) angeschlossen ist.
DE19641464914 1964-01-06 1964-12-17 Schaltungsanordnung mit direktanzeige des messwertes zum wahlweisen messen der lawinendurchbruchsspannung und der sperrschichtberuehrung bei halbleiterelementen Pending DE1464914B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
HUEE001063 1964-01-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1464914A1 true DE1464914A1 (de) 1969-12-18
DE1464914B2 DE1464914B2 (de) 1971-04-22

Family

ID=10995166

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19641464914 Pending DE1464914B2 (de) 1964-01-06 1964-12-17 Schaltungsanordnung mit direktanzeige des messwertes zum wahlweisen messen der lawinendurchbruchsspannung und der sperrschichtberuehrung bei halbleiterelementen

Country Status (3)

Country Link
AT (1) AT261059B (de)
DE (1) DE1464914B2 (de)
GB (1) GB1099542A (de)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113030676B (zh) * 2021-02-26 2023-03-24 赛英特半导体技术(西安)有限公司 一种基于临近颗粒法的二极管三极管晶圆测试方法
CN113671336B (zh) * 2021-08-20 2024-03-08 上海瞻芯电子科技有限公司 功率器件测试装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB1099542A (en) 1968-01-17
DE1464914B2 (de) 1971-04-22
AT261059B (de) 1968-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2513005C3 (de) Netzgerät zur Transformation einer ungeregelten, pulsierenden Eingangsspannung in eine stabilisierte Gleichspannung
DE2407333C3 (de) Überspannungsschutzschaltungsanordnung
DE2204435A1 (de) Zweiwegregelvorrichtung
DE2607463C2 (de) Schaltungsanordnung zum Schutz eines Schwingkreises gegen Überlast
DE1011482B (de) Schaltungsanordnung zum Stabilisieren der von einer Spannungsquelle einem Verbraucher zugefuehrten Gleichspannung mittels eines Transistors
DE2126439A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung eines Werkstückes durch elektrische Entladung
DE1464914A1 (de) Verfahren und Einrichtung zur Messung der Durchbruchsspannungen (z.B. Lawinendurchbruchsspannungen) von Dioden und Transistoren und der Beruehrungsspannung von Transistoren
DE1095391B (de) Schaltungsanordnung zur Umwandlung einer Gleichspannung in eine ihr verhaeltnisgleiche Frequenz
DE2235944A1 (de) Vorrichtung zur bestimmung des effektivwertes einer pulsierenden elektrischen groesse
DE2052521C2 (de) Zweidraht-Meßanordnung
DE888585C (de) Gluehkathodenroehrenschaltung fuer die Erzeugung von Potential-aenderungen von geradliniger Saegezahnform und/oder von Impulsen mit rechteckiger Kurvenform
DE2146966C3 (de) Abgestimmte symmetrische Transistor-Verstärkerschaltung
DE1948942A1 (de) Lampenschalteinrichtung
DE1096968B (de) Elektrischer Oszillator
DE2122527B2 (de) Schaltung zur Erzeugung sägezahnförmiger Spannungen
DE1139876B (de) Schaltungsanordnung fuer Steuer- und Regelzwecke mit einem astabilen Multivibrator
DE1132223B (de) Regeleinrichtung zur kontaktlosen Regelung der Spannung eines Nebenschlussgenerators, insbesondere einer Lichtmaschine fuer Fahrzeuge
DE1698132C (de) Schaltungsanordnung fur die Prüfung der Isolierung von Rohrleitungen, Behaltern, Tanks od.dgl. auf Fehler
CH448233A (de) Schaltung zur Drehzahlregelung eines Kollektormotors
DE1464914C (de) Schaltungsanordnung mit Direktanzei ge des Meßwertes zum wahlweisen Messen der Lawinendurchbruchsspannung und der Sperr schichtberuhrung bei Halbleiterelementen
DE1563926B2 (de) Anordnung zum steuern des durch eine last fliessenden stromes mittels anschnittgesteuerter elektronischer schaltelemente
DE1266859B (de) Anordnung zur Drehzahlsteuerung eines ein elektrisches Handgeraet antreibenden Gleichstromnebenschlussmotors
DE875962C (de) Frequenzabhaengige Regeleinrichtung
DE1064559B (de) Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Wechselspannungsimpulsen
DE2025335A1 (de) Elektrischer Rauschgenerator