DE1449778A1 - Vorrichtung zur Anzeige des Leitfaehigkeitszustandes eines Widerstandselementes - Google Patents

Vorrichtung zur Anzeige des Leitfaehigkeitszustandes eines Widerstandselementes

Info

Publication number
DE1449778A1
DE1449778A1 DE19641449778 DE1449778A DE1449778A1 DE 1449778 A1 DE1449778 A1 DE 1449778A1 DE 19641449778 DE19641449778 DE 19641449778 DE 1449778 A DE1449778 A DE 1449778A DE 1449778 A1 DE1449778 A1 DE 1449778A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resistance element
tunnel diode
pole
current
state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19641449778
Other languages
English (en)
Inventor
Schlig Eugene Stewart
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE1449778A1 publication Critical patent/DE1449778A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/44Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using super-conductive elements, e.g. cryotron
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S505/00Superconductor technology: apparatus, material, process
    • Y10S505/825Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
    • Y10S505/831Static information storage system or device
    • Y10S505/833Thin film type

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)

Description

Neue Anmeldungsunterlogen
IBM Deutschland Int*rnetiomale Bäro-Maeehinen Uetellidiaft mbH
Böblingen, 18, Juni 1968 ru-hn
Anmelderin: International Business Machines
Corporation, Armonk, N. Y. 10 504
Amtliches Aktenzeichens J 26 130 IXc/Zla1 - P 14 49 778.0
Aktenzeichen der Anmelderin: Docket 10 606
Vorrichtung zur Anzeige des Leitfähigkeitszustandes eines Widerstandselementes
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Anzeige des Leitfähigkeitszustandes eines in seinem Leitfähigkei te zustand veränderbaren stromdurchflossenen Widerstandselementes, insbesondere des Torleiters eines Kryotrons.
Derartige Anzeige-vor richtungen werden z.B. in den für die Verwendung in Speicher-, Steuer- und Recheneinrichtungen der Nachrichtentechnik, der Steuer- und Regeltechnik sowie der Datenverarbeitungstechnik entwickelten Supraleiter schaltungen benötigt, um Ausgangs signale zwischen Teilschaltungen oder zu außerhalb de» Kryostaten befindlichen Auswerteeinrichtungen zu übertragen. Bisher bekannte derartige Anordnungen arbeiteten entweder mit Stromimpulsen und waren wegen der erforderlichen Koppelinduktivität in ihrer Arbeitsgeschwindigkeit beschränkt oder mit Spannungsimpulsen und benötigten aufwendige Gleichstromverstärker mit hohem Verstärkungsfaktor. Eine an sich wünschenswerte j
Spannungeverstärkung innerhalb des Kryostaten scheiterte bisher wegen der damit verbundenen Wärmeentwicklung an der extremen Temperaturempfindlichkeit solcher Supraleiter schaltungen.
Gegenstand der Erfindung ist eine Anzeigevorrichtung der eingangs genannten Art, welche gegenüber den bisher bekannten derartigen Vorrichtungen den Vorteil aufweist» daß sie schneller
BAD ORIGINAL
809813/0449 Neue lJn*f^'i*f|o^ 'r> ' *'Al ' "r ^r '* * ^qn ^*"1'"'""''""''0'3" * ° ■if>r""
- 2 - Docket 10 δ 06
arbeitet, einfacher aufgebaut ist, weniger Stromwärme erztu-t und einen besseren Störabstand, besitzt. Dies wird erfindußgsge— ziliß dadurch erx'eieht, daß dem tv'iderstandseleraent ein monostabiler nicht-linearer Zweipol mit mindestens zwei Arbeifcsbereicnen verschiedener Leitfähigkeit parallel geschaltet ictj? ·-.. daß dieser Zweipol durch kurzer Abtastirapulse vorübergehend : in einem zweiten Arbeitsbereich umsteuerbar ist, wenn die Leitfähigkeit des. Widerstaiid-jelementes einen vorbestimmten Wert unterschreitet und daß die Dauer der Äbtastimpulse klein ist ^ gegen die induktive. Zeitkonstante der mit dem Widerstands- · element abgeschlossenen Zuleitung zum Zweipol. Damit die Abtastimpulse im wesentlichen nur den Zweipol-beeinflussen, kann in die mit dem Widerstandselement abgeschlossenen Iu- -■-leitung zum Zweipol eine Serieninduktivität eingefügt sein..
Nach einem weiteren Merkmal der Erfindung kann eine solche < - '-; Anordnung auch als Majoritätsschaltung betrieben werden, weiche· '" erst bei einer vorbestimmten.Mindestanzahl von öingangssei-tigeh LeitfShigkeitsveränderungcn anspricht. Dies wird erfIndung-sge-' maß dadurch erreicht, daß das Widerstandselement aus der-Hinter--' einanderschaltung mehrerer Einzelelemente besteht. ■·■'■· ■■ '=;ΰ1"
Der nichtlineare Zweipol ist dabei vorteilhafterweise eir.e3-' Tunneldiode. ·..;.-.. .".
Im folgenden wird die Erfindung anhand einiger-in den böigefügten Zeichnungen dargestellter Ausführurigsbeisplele nähsr'
Es zeigen;
Fig. 1, 2 und 5 die Ausführungsbeispiele,
Pig, 5 die Strom- Spannungs-Charakteristik
• einer tunneldiode und
Pig. 4 das Impulsdiagrainrn einer Anordnung nach
Pig. I oder 2.
Die Fig. 1 und 2 zeigen als Beispiel für eine Supraleitorschaltun eine an sich bekannte Speichereinrichtung mit einer Speieher-
9813/0 44? . BA0
Neue
- 3 - Docket 10 605
schleife 1. Die Speicherschleife 1 besteht aus zwei parallele -weigen 3 und 5 &U3 einem harten Supraleitermaterial, z. B. Blei, welche über die Ansehlüße 9 und 11 an eine Stromquelle 7 und an Masse angelegt sind. Die Zweite 3 und 5 enthalten Ja einen Abschnitt 13 aus einem v/eichen Supairieitermaterial, ζ . B. Zinn, welcher den Torleiter Je eines Einsabekryotrons 15 oder 17 bildet. - Neben dem Torleiter 13 enthält Jedes diese=!' Eing&bekryotrons in bekannter Weise einen Steuorleiter 19 aus hartem Supraleiternaterlsl. In den Zweie 5 ist weiterhin der auf den Torleiter 25 einwirkende Ste-uerleitcr 2'ß eines Aus-Cabekryotrons Π vorgesehen, so daß der Leitfä"hi£kei"cszustand des Torleiteis 25 als Anzeige für oen in der Speicherschleife sespeichertcn üinärwert dienen kann.
Da der Strom von der Stromquelle 7 sich umgekehrt proportional zu ihrem Widerstand auf die beiden parallelen Zweige 3 und 5 aufteilt, führt stets derjenige Zweig* dessen Torleiter 13 supraleitend war, während der Torleiter 13 des anderen Zweites in den nornalleitenden Zustand überführt wurde, den gesamten Strom aus der Stromquelle 7 so lange, bis einmal sein Torleiter 13 normalleitend gemacht wird. So lanse beide Zweite supraleitend sind, bleibt eine einmeJ. eingestellte Stromverteilung unbegrenzt gespeichert. Die Arbeitsweise der Speicherschleife 1 ist demnach bistabil, und ein Speicherzustand wird durch einen Stromfluß durch e.inen bestimmten der beiden parallelen Zweige 3 und 5 dargestellt. Die Speicherschleife 1 wird durch Erregen des Steuerleiters 19 ihrer Eingabekryotrons 15 und 17 zwischen ihren beiden Speieherzustanden umgesteuert.
Da der Steuerleiter 23 des Ausgabenkryotrons 21 in c-:.na.-n dar bellen parallelen Zweige l> und 5 liest, wird der Sccichersustand der Speicherschleife 1 durch den Leitfähigkeitssustand des Torleiters 25 dieses Kryotrons ansegelst. Der Torleiter 25 ist über die Zuleitungen 37 und 49c sowie die Anschlüsse 39 und 40 an die Stromquelle 7 sowie an Kasse angeschlossen. Wenn der Strom in der Speicherschleife 1 vollst^rä.£ in dem Zweig 5 fliesst, was dam Spe-lcherzuatand "1" entsprechen ms-s, 3*1anju üer Torleiter 25 in den normaileitenden Zustand und es füllt an ihm eine Spannung V. ab. Uenn umgekehrt der Stro:.:
tO3
Neue Änmeldyngsuntenagen
- 4 - Docket 10 606
in der Speicherschleife 1 vollständig durch den Zweig 3 fliesst (Zustand "0"), so verbleibt der Torleiter 25 im supraleitenden Zustand und es fällt keine Spannung an ihm ab.
Der Speicherzuctcnd der Speicherschleife 1 bzw. der Ihrn zugeordnete Leitfähigkeitszustand des Torleiters 25 wird durch eine Anordnung nach Pi's. 1 an den ausserhalb des Kryostaten ^5 gelegenen Abfühl verstärker 41 und. durch eine Anordnung nach Fig.2 an eine weitere derartige Speicherschleife übertragen. Die hier-• für erforderliche Koppelvorrichtung besteht aus der auf die gleiche ünta^la^i 31 aufgebrachte und dem Torleiter 25 über die Zuleitung 49a und 49b parallel geschalte te Tunneldiode 45. Die Scricninduktivität 47 ist dabei entweder die Streuinduktivitiit der Zuleitungen 49a und 49b oder eine zusätzlich eingefügte Induktivität. Die Parallelschaltung aus dom Torleiter 25 und der Tunneldiode 45 ist il'oer die übsrtra.£un£,sleitung 51 ε-** einen ausserhalb des Kryostaten j-,5 eelagenen Inpulsserierator 53 an^csohlcssen und über eine* v.-citei-e ÜbertragunGsleitur-s 55e- oder 55b mit der Einheit verbündet;, an welche der Speicherwert der Speicherschleife 1 übertreten werden soll. In Fig. 1 ist dies der Abfühlverstärker 41, in Piß. 2 der Steuerleiter 19* des Eincabckryotrcns 15* einer weiseren Speichorschleife 11, welche sich auf einer anderen Unterlage 27* befindet.
Zum Ablesen wird über den niedarohnilsen Impulsgenerator 53 entweder ein Einzel impuls oder, wie in Fit;. 4c njezej-o't j_st, . eine Impulsserie an die Parallelschaltung von Torleiter 25 und Tunneldiode 45 BnQeIeQt. Die Dauer eines Abtastinipulses 57 ist klein gegen die induktive 2-eitkonstante des Torleiters 25 una der Serieninduktiviuät 47, so daß der Abtastinipuls nahezu vollständig durch die Tunneldiode 45 fliesst.
'.'oi.ii der Torleiter 25 iai ncrmalleitenderi, wid erst and sbehaf tti'oen Zustand ist (Speichorv/ert 1), "so wird in Pig. 3 der hieraus
809813/CH49
N6Ü
- 5 - JDoclcc-c 10 βθβ
resultierende Vorstroni I^ durch den Ab'cast impuls unters tür zz, so daß beiden den. HÖckerstroni I. überschreiten und die- Tunneldiode 45 in ihren Zustand hoher Spannung gelan^'i;. V/enn dagegen der Torleiter 25 supraleitend ist {Speichersustand nO"), so ist die Tunneldiode 45 nicht vorgespannt und die Abtastimpulse können die'Tunneldiode lediglich auf ihrem im Zustand Modriger Spannung gelegenen Ast hin und zurück aussteuern, wGdtircii<nur ein kleiner Störimpuls 6j5 Entsteht. Wenn der Torleiter 25 z· 3· zur Zeit T0 supraleitend ist, so wird der Vorstrom der Tunneldiode 45 von der Stromquelle 7 aurch den Torleiter kurz geschlossen und die Tunneldiode ist nicht vorgespannt, sondern im Punkt a ihre Strom-Spannungs-Charektaristilc 01 nach Pig. j5. Da in diesem Zustand kein Strom durch die Tunneldiode 45 fliesst, wird auch keine l.'ärme erzeugt und an deti Kryostaten 35 abgegeben. Die Abtastimpulse 57 steuern die Tunneldiode 45 bis zum Punkt b aus. Sie sind daher nic.it in der Lage, den Höckerstrom I(. zu überwinden, so daß die Tunneldiode nach Beendigung des Abtastimpulses zum Punkt a zurilckyelangt. Die an den dynamischen Widerstand der Tunneldiode, abfallende Spannung V1 verursacht in "Fig. 4d lediglich kleine Störimpulse 65 auf der Übertragungsleitung 35a oder 55b. Da der Widerstand deiJTunneldiode 45 sehr viel Geringer ist als der Wellenwiderstand der Übertragungsleitung 51 * werden die Abtastimpulse 57 mit umgekehrter Polarität als negative Impulse 59 in Fig.^c reflektiert.
Zwischen den Zeiten TQ und T1 werden durch den Steuerleiter 19 des fiingabekryotrons 15 eine binäre "1" in die- Speicherschleife 1 eingeschrieben. Dadurch gelangt der Torleiter 25 in seinen normalleitenden Zustand und spannt die Tunneldiode 45 auf den Wert I, vor. Infolge der Induktivität 47 und des dynamischen Widerstands der Tunneldiode steigt ihr Verström, wie bei 65 in Pig. 4b angedeutet, exponentiell an. Die Tunneldiode gaLanst sun Punkt c ihrer Charakteristik 61. Die Widerstsndsgerade 67 wird dabei im wesentlichen durch den 'Widerstand des Torleiters 25 im normalleitenden Zustand bestimmt. Die von der Tunneldiode im Punkt c erzeugte Wärme ist so gering, daß sie vernachlässigt wei"den knnn. Der Vorstrom I. muß für einen einwandfreien monoctabllen Betrieb lediglich der Bedingung genügen, daß er größer als der Talstrfim.T und kleiner
6 - Locket 10 6o6
als der Höekerstroin I ist.
Der nächste Abtastinipuls 57 zur Zeit T- unterstützt den Verstrcüi I. und schaltet die Tunneldiode in ihren Zustand hoher Spannung um. Die Amplitude des Abt as t impulses 57 Kiui3 dabei *""* etwas größer sein als die Differenz zwischen den Küekerstroza I„ und άοω Vastrom 1^. Z?ieekniZii3iäex*weise wird der VorötroiB
y D ■
1 etx\ra 2U einem Sechstel des Höekerstrorns I, gewählt, um P - P ■-·■■.·..
ausreichende Abtastimpuls-Toleranzen zulassen zu können.
Wenn die Summe I. des Vors trams I. und des Abtastinipulses nur v/enig großer als der Höckers trorn I ist und üelastungseffekte
P- ■
zu vemachlässigen sind, gelangt die Tunneldiode 1Pj, zum Punkt d ihrer Charakteristik öl, uo sie so lange verbleibt., b*s der Abtastilapuls 57 abklingt. Danach duruhv:andert die Tunneldiode ihren Bereich hoher Spannung vom Punkt d über Punkt e zürn Tal Pujdct ν mit einer Geschwindigkeit, die von d^r Induktivität 4Y und aen\ dynamischen Widerstand der Turü'i&ldiode abhänst. Die Ausüan^sspannuns Über der Tunneldiode ist jedoch relativ konstant und hat etwa den Wert V2 in Fig. 4c. Wenn der S tr on in der Tunneldiode auf einen Wert unter dem Talstroiü X,r abgesunken ist, splngt die Tuimeldiode in ihren Dereich xAiedri^er ' Spannung, und zwar ^ura Punkt f auf ihre Charr-üvteristik 61. Und gelangt sohließlicii, da sxe aurch die V.'idertit^ids^erade 67 auf monostabiie Arbeitsweise einsesteilt -ist, zu ihrem stabilen Arbeitspunkt c zurück. Auf diese Weise ist das sehwache Signal V1 am Torleiter 25 gleichsam verstärkt und in den kurzen Inforrnationsimpuls 09 von Fis· 4d umgewandelt worden. Dieser Informationsimpuls 69 wird entweder über die Über leitung 55a zura Abfühlverstärker 41 oder über die leitung 55b zum Steuerleiter 19* des Einsabekryotrons 15* Übertrafen.
In der Anordnung nach Fig. 1 erhöht die ünuiandiunc des schv/achen Gleichstrornslsnal3 am Torieicer £5 in einem verstärktun Informations iinpuis Ö9 ain Anfang der Ubertraguiiissleituiiü 55a ganz beträchtlich den Störabstand der Anzeigevorrichtung ^ecenüber bekannten ßleiehstromgekoppelten An^eigevorriehtunken, in denen
809813/0 449 bad
"' Heue Anm'eidurigsunterlcc-:?:
- 7 - Docket 10 60S *
eine Verstärkung des Inforisatior;csi£nais erstmalig aus serhalb des Kryostaten J5 erfolgt-. Dadurch v/ird der sonst Tür die Unterseheidung einer binären "1" erforderliche kostspielige und umfangreiche äussere Schaltunssaufwand vermieden.
Ba die InformatSonsiinpulse 69 nicht nur auf der ÜbertracurGoleitung 55» sondern euch auf der Übertragungsleitung 51 auftreten, kann der Impulsgenerator 53 gleichzeitig als Abfühl verstärker ausgebildet sein. Hierdurch v/ird der Anschluß an die Supräleiterschaltung vereinfacht, ebc-r der Gesr.ritaufviand durch die erfordex\Liche Unterscheiduns von Ab test- und Informationsimpulsen rnöslicherwoise vergrößert.
In der Anordnung nach Fi£. 2 ist die Tunneldiode -4-5 über die übertrcijiunssleituno 55b Mit den Steuerlcitcr 191 uss EXnscbckryotrons 15* parallel cesclifcj&rt. Tn die Übej.'trc.3un;-vsleitunr 55b ist ein iViderstand 75 eingeschaltet, un einmal ?:u vorKisiden, caß dt.r stets supraleitende S^cuerloitor 19* die Parallelschaltur»c von Torieiter ?5 urid^Tunneldioäe 45 kurr. schließt, und um zum anderen zu erreichen, da.3 der Snannunjsprur^ einer Tunneldiode iit eine-n großen Stro;t:sprun3 unjev;r-r:uelt '.;ii-d, wenn die Tunneldiode durch einen Abts-stira^uls 57 'in ihren zustand hoher Spannung un^eschßltet viird. Kiei-durch gelangt aie Tunneldiode auf einen Punkt im Tal ihrer Chcrc-k^eristi!: in die iiähe des Punktes v. Während des Speicher: ustaiides "0", vicnn öin Abtastir.puls 57 die Tunneldiode 45 lcdirlich r.v.-ischcn ihrcxi Punkten a und b auf der Cliax'öktc-risuik 61 aussteuert, ist der Strom la Steuerleiter 19* kleiner als der zürn U.-steucrn des Torleiters 131 erforderliche kritische Viert. Lor Stroir. von der Stromcuelle 7 fliesst dchei· v/ciiterliin durch der. 'Ζ\;ζ±ζ J* und die Speicherschleife 1* verbleibt in ihre:n Zustand "0". Mann jedoch der Torleiter 25 in seinem noi'malieitencien Hustaud ist und damit den 3peicher2.usta.nd "1" Ejri-sei:;t, verursach« das Umschalten der Tunneldiode 45 durch einen Pbtantimpuls 57 einen Strom im Steuerleiter 191* der mindestens diesen kritischen Wort erreicht und damit den zvii;chörir;i?n Torleiter 1^* in seinen ncraalleitendon Zustand umschaltet und de;i Strom von der Stromquelle 7 in den Zweig 5* umleitet, v.'cdurch die Speicher-
809813/0449 bad or.ginal
schleife 11 in ihren Zustand "1" gelangt. Nach Beendigung dieses Vorgangs gelangt der Torleiter 13' zwar in seinen supraleitenden Zustand zurück, der Strom von der Stromquelle 7 fliesst jedoch weiterhin durch den Zweig 5'. Wegen des relativ hohen Ausgangswiderstandes der Tunneldiode 45 und wegen der relativ großen Amplitude des Informationsimpulses 69 werden der Einfluß der Induktivität von Übertragsleitung 55b und Steuerleiter 19' wesentlich verringert, wodurch die Übertragung mit sehr hoher Geschwindigkeit erfolgt.
Die Anordnung nach der Erfindung kann nach einem weiteren Merkmal auch als Majoritätsschaltung betrieben werden. Eine derartige Anordnung ist in Pig. 5 gezeigt. Hier ist die Tunneldiode 45 " parallel zu einer ungeraden Anzahl von Torleitern 25" geschaltet, welche in Serie an die Stromquelle 7" und Masse angeschlossen sind. Die Arbeitsweise der Anordnung nach Pig. 5 ist im wesentlichen gleich derjenigen der Anordnung nach Pig.1. Wenn mindestens eine vorbestimmte Anzahl von Speicherschleifen im Speicherzustand "1", die entsprechenden Steuerleiter 23" erregt und die zugehörigen Torleiter 25" in den normalleitenden Zustand überführt sind, erhält die Tunneldiode 45" mindestens den Vorstrom I, , aber weniger als den Höckerstrom I von Pig.3. Unter diesen Umständen kann ein Abtastimpuls 57 auf der Übertragungsleitung 51" über den Höckerstrom I hinaus umschalten, so daß ein Informations impuls 69 an die Übertragungsleitung 55" weitergegeben wird. Wenn jedoch weniger als diese vorbestimmte Anzahl von Torleitern 25'· im normalleitenden Zustand sind, erhält die Tunneldiode 45" einen Vorstrom, der geringer ist als der Wert I, und damit nicht ausreicht, um zusammen mit einem Abtastimpuls 57 die Tunneldiode 45" über den Höckerstrom I hinaus umzuschalten. Unter diesen Umständen entstehen auf der Übertragungsleitung 55'* lediglich kleine Störimpulse 63.
Die Anordnung nach Pig.5 kann in bekannter Weise zum Realisieren von logischen Grundverknüpfungen verwendet werden. So kann z.B. zum Realisieren der Verknüpfungen ODER und UND die genannte vorbestimmte Anzahl zu zwei gewählt und jeweils einer
809813/0
- 9 - Docket 10 βθβ
der Torleiter 25" stets im noraalleitenden bzv/. stets im supraleitenden Zustand gehalten werden.
809813/QU9

Claims (2)

  1. N6Ü6
    Bocket 10 βθό
    29. Juni* t964
    Sü-fr
    ?r tentans orüoho
    Vorrichtung zur Anzeige ties Leitx'äiiigkeltsaustandes eines in seinem Lelti'ähi&'keitszustand voränderbaren strorndurchriossenen Widerstandselementes, insbesondere des Chorleiters eines Kryotrons, dadurch gekennzeichnet, daß dem Widerstandscleraent (25) ein nonostabiler nichtlinear-er Zweipol (45) ziit mindestens zwei Arbeitsbereichen verschiedener Leitfähigkeit parallel geschaltet j.st, daß dieser Zweipol (45) durch kurze Abtastirnpulse (57) vorübergehend in einen zweiten Arbeitsbereich umsteuerbar ist, uenn die Leitfähigkeit des Widerstandselementes (25) einen vorbestinaritcn. Wert unterschreitet und daß die Dauer der Abtastimpulse (57) klein 1st ge^en die induktive Zeitkonstante der mit dem Widerstandselement (25) Zuleitung (49a, 49b) zum Zweipol (45).
  2. 2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in die mit dem Widerstanaselement (25) abgeschlossene Zuleitung (49a, b) aura Zweipol (45) eine Serieninduktivität (47) ein-. gofi'-.t ist.
    ~$. Anorwiiuns nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Widerstandselement (25) aus der Hintereinanderschaltung mehrerer Einzelelemente (25") besteht.
    809813/CU49
    IC νίν^ο
    ^. A.iorar*uriS nach Anspruch 1, 2 oder'5» dadurch ^ekcnnsoichiiet, daß eier nichtlincare Zweipol (45) eine Tunneldiode ißt.
    809813/0AA9
DE19641449778 1963-07-01 1964-07-01 Vorrichtung zur Anzeige des Leitfaehigkeitszustandes eines Widerstandselementes Pending DE1449778A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US292043A US3303478A (en) 1963-07-01 1963-07-01 Information coupling arrangement for cryogenic systems

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1449778A1 true DE1449778A1 (de) 1968-12-19

Family

ID=23122939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19641449778 Pending DE1449778A1 (de) 1963-07-01 1964-07-01 Vorrichtung zur Anzeige des Leitfaehigkeitszustandes eines Widerstandselementes

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3303478A (de)
DE (1) DE1449778A1 (de)
GB (1) GB1034748A (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3522492A (en) * 1967-10-23 1970-08-04 Texas Instruments Inc Superconductive barrier devices
US3983546A (en) * 1972-06-30 1976-09-28 International Business Machines Corporation Phase-to-pulse conversion circuits incorporating Josephson devices and superconducting interconnection circuitry
US20060180829A1 (en) * 2003-09-22 2006-08-17 Artemi Markovich Martsinovsky Tunneling gap diodes

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3048825A (en) * 1959-10-28 1962-08-07 Space Technology Lab Inc Computer operating method and apparatus
NL264077A (de) * 1960-04-29
NL264882A (de) * 1960-05-18
US3167748A (en) * 1962-07-05 1965-01-26 Gen Electric Cryotron memory

Also Published As

Publication number Publication date
GB1034748A (en) 1966-07-06
US3303478A (en) 1967-02-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3302357C2 (de)
DE2455501A1 (de) Logische speicher- und verknuepfungsschaltung mit josephson-elementen
DE2311331C2 (de) Integrierte Schaltung
DE2536272A1 (de) Mess-wandler fuer analogsignale
DE2346746A1 (de) Logische verknuepfungsglieder mit josephson-kontakten
DE2835222A1 (de) Polaritaetsempfindliche josephson- schaltung
DE1934278B2 (de) Speicheranordnung mit zugehörigen Decodierschaltungen
DE68920118T2 (de) Josephson-Speicherschaltung.
DE2049076A1 (de) Kreuzpunkt Matnxgedachtnis
DE1449778A1 (de) Vorrichtung zur Anzeige des Leitfaehigkeitszustandes eines Widerstandselementes
DE2252568C3 (de)
DE1192699B (de) Speichermatrix mit Kondensatoren
DE2629327A1 (de) Einrichtung zur abtastung von ladungspaketen eines ccd-registers
DE1574496C3 (de) Symmetrische Digital-Anzeigeschaltung
DE2434997C3 (de) Josephson-Kontakt-Speicher
DE1499853A1 (de) Cryoelektrischer Speicher
DE2356254A1 (de) Analog-digital-wandler
DE1129531B (de) Schaltungsanordnung zur magnetischen Aufzeichnung von Informationen, insbesondere Digitalinformationen
DE1935318C3 (de) Zerstörungsfrei auslesbare Speicherzelle mit vier Feldeffekttransistoren
DE2310626C3 (de) Assoziativer Speicher
DE1227946B (de) Supraleitfaehige Speichervorrichtung
DE1188649B (de) Speicherschaltung mit einer Tunneldiode
DE1474462B2 (de) Kryoelektriecher Speicher
DE2125680C3 (de) Speicher mit Feldeffekttransistoren mit veränderlichem Leitfähigkeitsschwellwert
DE1474462C (de) Kryoelektnscher Speicher