DE1446221C3 - - Google Patents

Info

Publication number
DE1446221C3
DE1446221C3 DE1446221A DE1446221A DE1446221C3 DE 1446221 C3 DE1446221 C3 DE 1446221C3 DE 1446221 A DE1446221 A DE 1446221A DE 1446221 A DE1446221 A DE 1446221A DE 1446221 C3 DE1446221 C3 DE 1446221C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor
oxide
metal
germanium
solder
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE1446221A
Other languages
English (en)
Other versions
DE1446221A1 (de
DE1446221B2 (de
Inventor
Horst 2000 Hamburg Kutschera
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Original Assignee
Philips Patentverwaltung GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Patentverwaltung GmbH filed Critical Philips Patentverwaltung GmbH
Priority to DE19511446221 priority Critical patent/DE1446221A1/de
Priority to US87063A priority patent/US3128538A/en
Priority to GB8483/61A priority patent/GB958524A/en
Priority to FR855125A priority patent/FR1288290A/fr
Publication of DE1446221A1 publication Critical patent/DE1446221A1/de
Publication of DE1446221B2 publication Critical patent/DE1446221B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1446221C3 publication Critical patent/DE1446221C3/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
    • B23K35/34—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material comprising compounds which yield metals when heated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01049—Indium [In]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Exhaust Gas After Treatment (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Description

Halbleiterkörpern zwischen den Halbleiterkörpern und dem einzudiffundierenden Material eine Oxidschicht vorzusehen, die während der' Diffusionsbehandlung teilweise reduziert wird. Dieses bekannte Verfahren vermag jedoch dem Durchschnittsfachmann keinen Hinweis auf das vorliegende Verfahren zum Benetzen und Verbinden von Halbleitern mit Halbleitern, Metallen oder Glas zu geben.
Die Erfindung wird im folgenden an zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert.
Ausführungsbeispiel I
Auf eine zu benetzende Oberfläche eines Germaniumplättchens wird eine Germaniumdioxid-Pulverschicht gebracht. Auf die Germaniumdioxidschicht wird Blei gelegt. Diese Anordnung wird in inertem Gas mit einem Zusatz von Wasserstoff auf 750° C erhitzt. Das Germaniumdioxid wird dabei reduziert; gleichzeitig sublimiert es und gelangt an die Oberflächen des Germaniumkristalls und des Bleies. Das Blei benetzt danach gleichmäßig den Germaniumkristall. Dabei bilden sich gleichmäßige und ebene Übergangsflächen zwischen der Legierungszone und dem unlegierten Kristall.
Ausführungsbeispiel II
Auf ein Germaniumplättchen wird eine Schicht aus Germaniumdioxid gebracht. Auf das Germaniumdioxid wird ein Nickelplättchen gelegt. Die gesamte Anordnung wird daraufhin in inertem Gas mit einem Zusatz von Wasserstoff auf 700° C erhitzt. Das dabei durch Reduktion gebildete reine Germanium verbindet das Germaniumplättchen einwandfrei mit dem Nickelplättchen.

Claims (2)

1 2 Träger zunächst eine Suspension aus Molybdänoxid Patentansprüche: aufgebracht, diese dann zu Molybdän reduziert und dann das weitere Metall oder der Halbleiter aufge-
1. Verfahren zum Verlöten von Halbleiter- bracht und in einer reduzierenden Atmosphäre er- : plättchen mit Körpern aus Halbleitermaterial, 5 hitztwird.
Metall oder einem anderen Material unter Ver- JEs ist auch vorgeschlagen worden (deutsche Pa-
wendung eines Lotes, das ebenfalls aus Halb- tentschrift 1 109 483), beim,Verbinden eines Metalls
leitermaterial besteht, dadurch gekenn- oder einer Legierung mit einem Halbleiterkörper,
zeichnet, daß zwischen die zu benetzenden wobei das Material in geschmolzenem Zustand mit
und zu verbindenden Flächen ein pulverförmiges io dem Halbleiterkörper legiert wird und ein Flußmittel
Oxid des als Lot dienenden Halbleitermaterials Anwendung findet, welches im Stande ist, das HaIo-
gebracht und diese Anordnung in einer reduzie- genid mindestens eines der legierenden Elemente zu
renden Atmosphäre bis zur vollständigen Redu- bilden, den Halbleiterkörper vor der Aufbringung
zierung des Oxides erhitzt wird. . des Metalls bzw. der Legierung bei einer Temperatur
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge- 15 von mindestens 1500C in einer oxidierenden Atmokennzeichnet, daß als das andere Material Glas Sphäre zu erhitzen.
gewählt wird. Es hat sich jedoch gezeigt, daß die Verwendung
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch von Halbleitermaterial oder einem zu reduzierenden gekennzeichnet, daß als Oxid Germaniumdioxid Metalloxid als Lot nicht immer zu. zufriedenstellenverwendet wird. 20 den Ergebnissen führt.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch ge- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, weitgekennzeichnet, daß Germanium mit Blei verbun- hend unabhängig von dem Material, mit dem das den wird. Halbleiterplättchen verlötet wird, eine sichere Benet- /
5. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch ge- zung der zu verlötenden Materialien mit dem Lot zu kennzeichnet, daß Germanium mit Nickel ver- 35 erreichen. .
bunden wird. Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch ge-
6. Verfahren nach einem der vorhergehenden löst, daß zwischen die zu benetzenden und und zu , Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Re- verbindenden Flächen ein pulverförmiges Oxid des duktion des Halbleiteroxides in einem inerten als Lot dienenden Halbleitermaterials gebracht und ■ Gas mit einem Zusatz von Wasserstoff bei einer 30 diese Anordnung in einer reduzierenden Atmosphäre Temperatur oberhalb von 650° C und unterhalb bis zur vollständigen Reduzierung des Oxids erhitzt des Schmelzpunktes der zu verbindenden Mate- wird. j rialien erfolgt. Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß, j
wenn Halbleiteroxide, wie z.B. Germaniumoxid, in '
35 einer wasserstoffhaltigen Atmosphäre reduziert wer-
" den, atomares Material entsteht, das unmittelbar j
nach der Reduktion sehr reaktionsfreudig ist. j
Während der Reduktion sublimiert das Material;
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verlöten es gelangt dabei an die Oberfläche der zu behandeln- j
von Halbleiterplättchen mit Körpern aus Halbleiter- 40 den Stoffe, zwischen denen es eingeschlossen ist, und
material, Metall oder einem anderen Material unter dringt in diese ein.
Verwendung eines Lotes, das ebenfalls aus Halb- Die Reaktionsfreudigkeit der reduzierten Halbleitermaterial besteht. leiteroxide schafft eine Verbindung zwischen den zu
Für das Verlöten von Halbleiterplättchen mit Kör- benetzenden Stoffen, indem die reaktionsfreudigen
pern aus Halbleitermaterial, Metall oder einem ande- 45 Atome beide Stoffe angreifen. Die Oberflächenspan-
ren Material ist es wichtig, daß die zu verlötenden nung des Metalls bzw. des Halbleiters hat dabei kei-
Materialien, insbesondere das Halbleiterplättchen, nen Einfluß auf die Benetzung mehr,
mit dem Lötmaterial gut benetzt werden. In der Re- Vorzugsweise wird das Oxid in Pulverform zwi-
gel läßt sich jedoch Halbleitermaterial mit den übri- sehen die zu verbindenden Flächen gebracht,
gen Lötmaterialien nur außerordentlich schlecht be- 50 Das Verfahren nach der Erfindung ist besonders
netzen. Die Verwendung von Flußmitteln, die unter geeignet, um Germanium mit Germanium, Blei, Nik-
Umständen eine Benetzung erleichtern könnten, ist kel oder Glas zu verbinden.
in der Regel bei bereits zu Halbleiterbauelementen Bei allen Anwendungen des Verfahrens gemäß der
verarbeiteten Halbleiterplättchen nicht zulässig. Erfindung muß darauf geachtet werden, daß die zu
Eine unzureichende Benetzung zeigt sich aber 55 benetzenden und die zu verbindenden Flächen klein
auch dann, wenn man versucht, das als Lot verwen- sind. Anderenfalls würde der reduzierende Wasser-
dete Metall bzw. Legierung in das Halbleiterplätt- stoff daran gehindert werden, an alle Teile des Oxi-
chen einzulegieren. des heranzukommen. Die inneren Flächenbereiche
Es ist bereits bekannt (USA.-Patentschrift blieben dann unbenetzt, was zu ungleichmäßigen
2 555 001), ein Halbleiterplättchen mit einem metal- 60 Verbindungen führen würde.
lischen Träger zu verbinden, wobei als Verbindungs- Die Reduzierung des Oxides erfolgt vorzugsweise
material ein Halbleitermaterial verwendet wird. Das in inertem Gas mit einem Zusatz von Wasserstoff;
verbindende Halbleitermaterial ist dabei ein anderes zwischen einer Temperatur oberhalb von 650° C
als das, aus dem das Halbleiterplättchen besteht. und unterhalb des Schmelzpunktes der zu verbinden-
Es ist weiter bekannt (USA.-Patentschrift 65 den Materialien.
2 876 139), Molybdän, Wolfram, Legierungen Hier- Der Vollständigkeit halber sei noch darauf hinge-
von oder Graphit mit Metallen und Halbleitern mit wiesen, daß es bereits bekannt ist (USA.-Patent-
Hilfe eines Verfahrens zu verbinden, bei dem auf den schrift 2 823 149), bei der Diffusionsbehandlung von
DE19511446221 1951-01-28 1951-01-28 Verfahren zum Benetzen und Verbinden von Halbleitern und Metallen mit Halbleitern und Metallen Granted DE1446221A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19511446221 DE1446221A1 (de) 1951-01-28 1951-01-28 Verfahren zum Benetzen und Verbinden von Halbleitern und Metallen mit Halbleitern und Metallen
US87063A US3128538A (en) 1951-01-28 1961-02-06 Semiconductor-metal bonding method
GB8483/61A GB958524A (en) 1951-01-28 1961-03-08 Improvements in or relating to methods of wetting bodies and securing bodies together
FR855125A FR1288290A (fr) 1951-01-28 1961-03-09 Procédé d'humectation de semi-conducteurs et de métaux par des semi-conducteurs et des métaux

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19511446221 DE1446221A1 (de) 1951-01-28 1951-01-28 Verfahren zum Benetzen und Verbinden von Halbleitern und Metallen mit Halbleitern und Metallen
DEP0024590 1960-03-11

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1446221A1 DE1446221A1 (de) 1969-09-25
DE1446221B2 DE1446221B2 (de) 1973-10-11
DE1446221C3 true DE1446221C3 (de) 1974-05-09

Family

ID=25752091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19511446221 Granted DE1446221A1 (de) 1951-01-28 1951-01-28 Verfahren zum Benetzen und Verbinden von Halbleitern und Metallen mit Halbleitern und Metallen

Country Status (3)

Country Link
US (1) US3128538A (de)
DE (1) DE1446221A1 (de)
GB (1) GB958524A (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL291352A (de) * 1962-04-10 1900-01-01
US3295196A (en) * 1964-01-30 1967-01-03 Zaeschmar Guenther Method for attaching indium arsenide semiconductor to electrical leads
US3678569A (en) * 1970-07-15 1972-07-25 Globe Union Inc Method for forming ohmic contacts

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB483156A (en) * 1936-10-16 1938-04-13 Percy Warren Noble Improvements in and relating to the art of soldering
US2555001A (en) * 1947-02-04 1951-05-29 Bell Telephone Labor Inc Bonded article and method of bonding
US2964839A (en) * 1954-12-14 1960-12-20 Corning Glass Works Flux free bonded article and method
GB785467A (en) * 1954-12-23 1957-10-30 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to the manufacture of semi-conductor devices
US3070466A (en) * 1959-04-30 1962-12-25 Ibm Diffusion in semiconductor material

Also Published As

Publication number Publication date
GB958524A (en) 1964-05-21
DE1446221A1 (de) 1969-09-25
US3128538A (en) 1964-04-14
DE1446221B2 (de) 1973-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2104625C3 (de) Verwendung einer Lotlegierung
US2220961A (en) Soldering alloy
DE2228678A1 (de) Verfahren zum herstellen einer schicht aus leiterzugmaterial fuer halbleiterbauteile
DE2623778A1 (de) Verfahren zum loeten von schwer loetbarem metall und vorrichtung zur durchfuehrung desselben
DE112014002345T5 (de) Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren für die Halbleitervorrichtung
DE3650544T2 (de) Bleibasislegierungen und Verwendung zum Herabsetzen der Elektromigrationsaktivität
DE1446221C3 (de)
DE2104847A1 (de) Dickfilmschaltung
DE1154576B (de) Verfahren zum Herstellen von Legierungskontakten auf Halbleiterkoerpern
DE1059112B (de) Verfahren zur Kontaktierung von mit Aluminium legierten Silizium-Transistoren
DE1167162B (de) Lot zum Verloeten von Teilen, von denen eines Gold enthaelt, und Verfahren zum Loeten mit diesem Lot
DE1060055B (de) Verfahren zur Herstellung der elektrischen Anschluesse von Halbleiteranordnungen
AT202056B (de) Verfahren zum Verbinden keramischer Gegenstände meteinander oder mit Metallgegenständen
DE968557C (de) Verfahren zum Verbinden keramischer Gegenstaende miteinander oder mit Metallgegenstaenden
DE1093643B (de) Verfahren zum Anlegieren einer Goldlegierung an einen Halbleiterkoerper
DE1160192B (de) Verfahren zur Erzeugung von Schwefel enthaltendem Gold
AT214235B (de) Verfahren zum Anlöten eines Diamanten an eine Metallfassung
AT228340B (de) Siliziumgleichrichter
DE923260C (de) Gussverbindung zwischen elektrischen Leitern mit verschieden hohem Schmelzpunkt
DE880365C (de) Kupferoxydul-Trockengleichrichter
DE869830C (de) Verfahren zum UEberziehen von Kathoden-Einsatzkoerpern mit einer Molybdaenschicht
DE976718C (de) Verfahren zum Anloeten elektrischer Anschluesse an eine Metallauflage, die auf einemim wesentlichen einkristallinen Halbleiter aufgebracht ist
DE914522C (de) Verfahren zur Herstellung von stark waermeabstrahlenden UEberzuegen auf Elektroden von elektrischen Entladungsgefaessen, insbesondere Hochleistungskurzwellenroehren
DE418480C (de) Loeten von Aluminium
DE1627611C (de) Verfahren zum flußmittelfreien Verlöten von Werkstücken aus einer Zink enthaltenden Kupferlegierung

Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)