DE1437476A1 - Breitband-Verstaerker - Google Patents

Description

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Dipl.-ing.
Mönchen-Pullach

Wim« Str. 2 -Tel. München 790670 K/Hb 8992 Münohen-rPullaoh, den 16.6.64

143747ΊΒ

TEKTRONIX ISO. 13 955 Southwest Millikan Way, Beayerton, Oregon USA

Breitband-Verstärker

Me Erfindung betrifft im allgemeinen elektrische Signalverstärker und insbesondere einen Breitband-Verstärkungskreis mit einer Stromverstärkungs-Eingangsstufe und einer Betriebsverstärker-AusgangBstufe, welche mittels einer Übertragungsleitung niedriger Impedanz verbunden sein können um ein Stromsignal vom Ausgang des Stromverstärkers durch die Übertragungsleitung zum Eingang des Betriebeverstärkers im wesentlichen ohne Verzerrung über einen weiten Frequenzbereich Übertragen zu können. Bei einer bevorzugten Ausführung der Erfindung ist der Stromverstärker ein Spaiinungs- Strom - oder Transadmittanz-( transadmittanoe amplifier) Verstärker, welcher in Form eines verbesserten Gleichphasen-Verstärkers (paraphase amplifier) ausgeführt sein kann um Gegentakt Stromsignale am Ausgang zu liefern. Die Ausgänge des Paraphasert-Verstärkers sind mittels zweier Übertragungeleitungen mit den Eingängen zweier Betriebs-Verstärker verbunden, welche zur Strombegrenzung Dioden aufweisen können, um ein sättigen oder abschalten der AuBgangs-Transistoren in den Betriebs-Verstärkern zn rerhindern.

Der gemäss der Erfindung ausgebildete Breitband-Verstärkungskreis ist besonders gut verwendbar als Horizontal-Verstärker eines Kathodenstrahloszillographen, und zwar zur Lieferung der Gegentaktablenksignale an die horizontalen Ablenkplatten des Oszillo-

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graphen. Um die Verwendungsmöglichkeiten eines Oszillographen zu erhöhen ist es oft wünschenswert mehrere verschiedene Vertikal · und Horizontal-Vorverstärker zu verwenden, welche in Form von Einschüben ausgebildet eind, und zwar zusammen mit dem Haupt-Vertikalbzw. Horizontalverstärker, die jeweils fest im Gehäuse des Oszilligraphen untergebracht sind. Bekannt gewordene Verstärkerkreise dieser Art haben wegen Streukapazitäten die Wellenform verzerrt, und zwar wegen der Übertragung von Spannunssignalen vom Vorverstärker über die üblichen Verbindungen hoher Impedanz zwischen dem Vorverstärker und dem Haupt- Ausgangeverstärker. Im Gegensatz dazu vermeidet der Breitband-Verstärker gemäes der Erfindung eine derartige Verzerrung der Signalwellenform dadurch, dass die Spannungseingangssignale in Stromsignale in einer Übertragungsleitung verwandelt werden und dass diese Stromsignale durch ein Koaxial-Kabel niedriger Impedanz einem Betriebs-Verstärker zugeführt werden. Die Verwendung eines Koaxial-Kabelß mit niedriger Impedanz, wobei die charakteristische Impedanz In der Hähe von 5o Ohm liegt, bringt es mit sich, dass parallel zu einem solchen Kabel liegende Streukapazitäten sehr hoch sein müssten, bevor eine bemerkenswerte Verzerrung der Wellenform der Stromeignale auftreten würde«

Die Betriebsverstärker-Ausgangsstufe nach der Erfindung kompensiert Schwankungen der Transistor-Parameter und weist ein Minimum an Prequenz-Kompensationseinstellungen auf, um einen verbesserten Horizontal—Verstärker zu schaffen, welcher zur Erzeugung von horizontalen Gegentaktablenksignalen zwei Betriebs-Verstärker aufweist. Die Mngangsetufe des Gleichphasen-Verstärkers der ganzen Verstärker-Anordnung kann eine Rückkopplung aufweisen» um die Verstärkung einer Seite des Verstärkers zu verringern, damit die Amplituden der zwei Ausgangseignale des Gleichphasen-Verstär-. kers ausgeglichen werden. Dies wird bei einer Ausführung der Erfindung mittels eines Emitter- Folgetransistors erreicht, welcher

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in Kaskadeneohaltung mit jedem der emitter geschalteten Trane-Bietoren dee Paraphasen-Verstärkers geschaltet ist, so dase ein Eückkopplungssignal durch einen eier üiaitterfolgetransistoren vom Kollektor des Emitters eines Jeden in Emitterschaltung geschalteten Transistors übertragen wird.

Demnach besteht ein Ziel der Erfindung darin einen Verstärker zu schaffen, bei dem über einen grossen Frequenzbereich keine bignalwellenverzerrung stattfindet» Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht in der Schaffung eines Breitband-Verstärkers, welcher eine utromverstärkungs-Eingangsstufe und eine Betriebsverstärker-Ausgangsstufe hat, welche mittels einer übertragungsleitung niedriger Impedanz verbunden sind, so dass ein Stromsignal aus der Mngangsstufe zur Ausgangsstufe ohne »Yellenformverzerrung übertragen werden kann.

Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht in der Schaffung eines Gegentaktverstärkers, der eine Iransadmittanz-Paraphasen-Veretärker-Eingangsstufe aufweist und zwei Betriebs-Verstärker-Ausgangsstufen, die mit den Ausgängen des ersteren Verstärkers über zwei Koaxial-Kabel niedriger Impedanz oder anderer Übertragungsleitungen verbunden sind, um auf diese v/eise einen Gegentaktverstärker zu bilden, welcher minimale Frequenz-Kompensationseinstellungen benötigt, und welcher Schwankungen der Iransistorparameter kompensiert, üin weiteres Ziel der Erfindung besteht in der Schaffung eines iietriebe-Verstärkere, welcher einen iiiicicko^plungskreie zur opannungsbegrenzung aufweist, um zu verhindern, dass der Ausgangsi'raneistor des üetriebs-Verstärkers in den nicht leitenden Zustand gebracht wird. _.—

weiteres Ziel der Erfindung besteht darin einen Paraphaeen-Verstärker zu schaffen, welcher abgestimmte Ausgangssignale το« im wesentlichen gleicher Amplitude über einen groastn Frequenzbereich abgibt.

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Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nun folgenden Beschreibung zweier Ausführungsbeispiele an Hand der Zeichnung. In dieser zeigern

Pig. 1 Einschalteoheraa einer Ausführungsform des erfindungsgemässen Verstärkere; und

Fig. 2 ein Sehaltschema einer weiteren Ausführung des Paraphasen-Verstärkers in Verwendung als Eingangsstufe des in Pig. I gezeigten Verstärkers.

Wie in Pig. 1 gezeigt ist, kann der Breitband-Horizcntal-Verstärkerkreis gemäss der Erfindung eine Transadmittanz-Paraphasen-Veratärkereingangsstufe aufweisen, welche ihrerseits einen Eingangs-Transistor Io hat, zum Beispiel einen n-p~n-Transiator, der als Emitterfolge-Verstärker geschaltet ist, und zwar mit seiner Basis an der JDingangsklemme 12 des Paraphaeen-Verstärkerβ. Der Emitter des Eingangs-Transistors ist -mit einer negativen Grleichspannungs-Vorspannungsquelle über eine Zener Diode 14 und einen Belastungswiderstand 16 verbunden. Der Emitter des Eingangstransistore Io ist mit der Basis des Traneistors 18 verbunden, welcher ein n-p-n-Transistor sein kann und zwar wie ein gewöhnlicher Emitter-Verstärker. Der Kollektor des Ausgangstransistors 18 kann mit einer positiven Vorspannung versehen sein, und zwar über einen Kollektor-Widerstand 2o, wobei sein Emitter mit einer gemeinsamen Emitter-Impedanz verbunden ist. Die gemeinsame Emitter-Impedanz weist einen VorBpannungs-W'iderstand 22 auf, der an einer negativen Gleichspannung als Vorspannung liegt und einen festen Koppelwideretand 24· Der Transistor 18 weist einen HebenüchlusB-Widerstand 26 auf, der zwischen dem Kollektor und der Basis dieses Transistors liegt· Da die «Vechselspannungti-Bilastungs-Impedanz des Transistors 28, welche ein Koaxial-Kabel 54 und

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dessen. Begrenzung aufweist, niedrig ist, bleibt die Ausgangsspannung am Aneohluss 5o im wesentlichen konstant und der nebengeeohlossene Widerstand 26 bewirkt keine negative Spannungsrückkopplung für den Transistor. Statt dessen bewirkt der Nebensohluss-Widerstand eine negative Strom "Vorwärtskopplung", in dem er einen Teil desjenigen Eingangssignales nebenschliesst, welches der Basis des Traneistors 18 um die Kollektor-Verbindung des Transistors herzum zugeführt wird, was seinerseits das ütromsignal verringert, welches in das Koaxial-Kabel 54 flieset, um die vom Paraphasen-Verstärker übertragenen Stromsignale auszugleichen.

Ein Vergleichstransistor 28, der beispielsweise ein n-p-n Transistor sein kann, ist mit seiner Basis über eine Koppeldiode mit einer Quelle negativer Vergleichespannung verbunden, die an einem Bezugspotentiometer 3o abfällt. Die Stellung des beweglichen Kontaktes des Vergleichspotentiometers bestimmt die horizontale Stellung der Signalwellenform auf f¥oureszierendem Schirm des Oszillographen. Her Kmitter des Bezugstransistors ist über einen Belastungs-iViderstand 32 mit einer negativen Vorspannungsquelle verbunden, so dass der Bezugstransistor ein Emitterfolge-Verstärker ist, dessen Ausgang mit der Basis des Transistors 34 verbunden ist. Der Transistor 34 kann ein n-p-n Transistor sein und er ist als Basis-Verstärker geschaltet, wobei ein Kollektor-Widerstand 36 und ein Shunt-Widerstand 38 zwischen Kollektor und Basis liegt. Der Emitter des Transistors ist mit dem gemeinsamen Emitterkreis des Transistors 18 über den Koppel-Widerstand 24 verbunden. Ein Vorspannungs-tfiderstand 24 liegt zwiBohen dem Emitter des Transistors 3o und einer Quelle negativer Gleich- Vorspannung über den beweglichen Kontakt des Potentiometers 42, wodurch die Betriebsgleichspannungen der Transistoren 18 und 34 ausgeglichen werden· Kin veränderlicher Koppe 1-f/iderstand 44 liegt in Reihe mit dem festen Koppel-Widerstand 24 um die Verstärkung des Paraphaeen-Verstärkere dadurch

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zu ändern» dass der Betrag des Koppelwideretandes zwischen den Ausgangs-Transistoren 18 und 34 verändert wird. Die Transistoren 18 und 34 bilden auf diese Weise die Ausgangs-Transietoren der Paraphasen-Verstärker-Stufe.

Zwischen dem Kollektor des Transistors 18 und Erde liegt eine spannungsbegrenzende Diode 46, um die Kollektor-Spannung des Transistors auf der Spannung 0 oder darunter zu halten· Eine Koppeldiode 48 ist mit ihrer Kathode mit der Anode der Begrenzer-Diode 46 verbunden, um hierdurch zum ersten Ausgangsanechluse des Paraphasen-Verstärkers negative Signale zu übertragen. Hie Dioden 46 und 48 verhindern die Sättigung des Ausgangs-Transistors des Betriebs-Verstärkers, der mit dem Ausgangs-Anschluss verbunden ist. Der Spannungsabfall über der Begrenzer-Diode spannt normalerweise umgekehrt die Koppel-Diode 48 derart vor, dass sie für positive Signale nicht leitend ist. rfenn somit der Ausgangs-Transietor 18 derart betrieben wird, dass er abschaltet, dann wird die positiv werdende Spannung an seinem Kollektor nicht über die Koppel-Diode 48 geleitet und bewirkt, somit nicht, dass der Transistor des ersten BetrietJS-Verstärkers eich sättigt. Ein negatives Ausgangssignal spannt jedoch diese KoppelDiode in Vorwärtsrichtung vor und macht sie leitend. Dadurch wird eine Quelle negativer Vorspannung (Gleichspannung) mit dem Kollektor des Transistors 18 über einen Belaetungs-»«Y'iderstand 52 verbunden, damit die Spannung der Ausgangsklemme 5o negativ wird und auf diese Weise ein negativ ansteigendes Signal erzeugt wird.

Die erste Ausgangsklemme 5o des Paraphasen-Verstärkers ist Über den inneren Leiter eines ersten Koaxial-Kabel 54 mit niedriger Eigenimpedanz von etwa 5o - loo Ohm mit der Eingangeklemme 56 eines ersten Betriebe-Verstärkers verbunden. In ähnlicher Weise ist eine zweite Ausgangeklemme 58 des Paraphasen-Verstärkers am Kollektor des zweiten Ausgangs-Transistors 54 über den inneren Leiter eines zweiten Koaxial-Kabels 6o mit niedriger Eigen-

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Impedanz mit der Eingangsklemme 62 eines zweiten Betriebs-Verstärkers verbunden. Der erste Betriebe-Verstärker kann einen Bingangs-Transietor von MP-Bauart aufweisen, der als iümitter-Polgeveretärker geschaltet ist, d.h. dass sein Emitter mit einer quelle positiver Vorspannung über einen Belastungs-.Viderstanu 66 verbunden ist. Die Basis des Eingangs-Transistors 64 ist mit der Eingangs lemme 56 verbunden, während der Emitter dieses Transistors mit der Basis eines Auegangs-Transistors 58 verbunden 1st, so dass das negative Abtaetsignal, welohes durch das Kabel 54 geleitet wird, an die '^ingangsklemme des Ausgangs-Transistors 68 gelegt wird. Der Ausgänge-Transistor 68 kann ein HPN-Transistor sein, der als normaler Emitter-Verstärker mit hohe» Spannungs-Verstärkung ausgelegt "ist. Auf diese ./eise bewirkt ein an die Basis dieses Ausgangs-Transistors angelegtes positives Spannungssignal eine Sättigung dieses Iransietors, wenn die Begrenzer-Dioden 46 und 48 nicht vorhanden wären. Es ist nämlich möglich, dass der positiv werdende Kückführungsteil des Abtastsignales, welches an der Basis des Ausgangs-Transistors 68 des Betriebe-Verstärkers liegt, diesen Transistor zur Sättigung bringt, was jedoch gerade durch,die Begrenzungs-Dioden verhindert wird.

..enn der Ausgangs- Trans is tor 68 gesättigt wurde, dann würde natürlich die Wellenform des nächstfolgenden Ausgangsablenksignale s, welohes an der Ausgangeklemme 78 auftritt, erheblich verzerrt werden, und zwar wegen der Ladungsträger-Speicherung in dem Transistor. Der Kolektor des Ausgangs-Transistors 68 ist mit einer poeltiven Vorspannung über ein paar pareller Belaetungs-Widerstände 7o und eine Induktivität (peaking inductance coil) 72 verbunden. Zwischen dem Kollektor des Ausgänge-Transistors 68 und der idLngangsklemme 56 des Betriebs-Verstärkers ist über einen veränderlichen Hüokkopplungswiderstand 78 ein fester Rückkopplunge-//!derstand 74 gelegt, um vom Ausgang zum Eingang des Betriebe-Verstärkers eine negative

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Hückkopplungaspannung zu legen. Dadurch bleibt die Spannung an der Eingangeklemme 56 im wesentlichen konstant, während die Ausgangsspannung an der Ausgangsklemme 68 des Betriebs-Verstärkere 7o ändert, um ein positiv ansteigendes Ablenksignal zu erzeugen. Um hohe Frequenzen zu kompensieren 1st zwischen dem Kollektor des Ausgänge-Transistors 68 und der Basis des Eingangs-Transistors 64 ein Kondensator veränderlicher Kapazität vorgesehen; dieser Kondensator ist die einzige Einstellmöglichkeit des ersten Betriebsverstärkers.

Der zweite Betriebe-Verstärker ähnelt dem oben beschriebenen ersten Betriebs-Verstärker, so dass nur unterschiedliche Merkmale im einzelnen beschrieben werden. Dieser Betriebs-Verstärker weist einen Eingangs-Transistor 82 auf, der als Emitterfolge-Veretärker geschaltet ist, dessen Ausgang mit dem Eingang eines Ausgangstransistors 84 verbunden ist, der als normaler Emitter-Verstärker gestaltet ist. Der Kollektor des Ausgangs-Transistors 84 ist über einen festen Rückkoppelwiderstand 86 und einen veränderlichen Rückkoppelwiderstand 88 mit. der Eingangskiemme 82 dieses Betriebs-Verstärkers verbunden, um eine negative Spannungsrückkopplung zu erzielen. Wie beim ersten Betriebs-Verstärker bewirkt der Ausgangs-Transistor 84 " eine hohe Spannungs-Verstärkung um die Eingangs-Spannung dieses Betriebs-Verstärkers im wesentlichen konstant zu halten und um ihm eine niedrige Eingänge-Impedanz zu geben. Zwischen dem Kollektor des Ausgangs-Transistors 84 und der Basis des Eingangs· Transistors 82 liegt ein Kompensations-Kondensator 6o für verschiedene Frequenzen. Der zweite Betriebs-Verstärker ist ebenfalls mit einem Spannungs-Begrenzungskreis versehen, damit der Ausgänge-Transistor 84 nicht abgeschaltet werden kann. Dies ist deswegen nötig, weil der erste und der zweite Betriebs-Verstärker dazu verwendet werden ein Gegentaktabtastsignal für die horizontalen Ablenkplatten des Oszilloskops zu erzeugen. Somit wird ein positives Abtastsignal durch das Kabel 6o zur Basis des Transistors 84 geleitet, welcher dieses Signal umkehrt,

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so dass es ale negatives Abtastslgnal an der Ausgangsklemme 92 des zweiten Betriebe-Verstärkers erscheint. Der Begrenzungskreis weist einen Steuer-Transistor 94 von PNP-Bauart auf, der als normaler Basis-Verstärker geschaltet ist, deseen Basis mit einer im wesentlichen positiven Bezugs-Spannung verbunden ist, die über einer immer leitenden lo-ner Diode 96 abfällt. Der Emitter des Steuertransistors ist Über einen Belastungs-Widerstand 98 mit einer positiven Vorspannung verbunden, während der Kollektor dieses. Transistors über einen Belaatungs-.widerstand loo und einer Zener Diode Io2 mit Erde verbunden ist. Eine Begrenzungs-Diode Io4 ist mittels ihrer Anode mit der Anode der lo-ner Diode Io2 verbunden und mit ihrer Kathode mit der Basis des Eingangs-Transistors 82. Diese Begrenzungs-Diode ist normaler Weise duroh den Emitter-Kollektor-Strom des Transistors 94 im Sinne einer Lichtleitung vorgespannt, wobei dies einen Spannungsabfall von etwa o,2 Volt über dem Widerstand loo erzeugt. Die Spannungsabfälle über den Ermitter-Verbindungen der Transistoren 82 und 84 erzeugen eine Gleich- Vorspannung von 1,2 Volt an der Kathode der Begrenzungs-Diode, so dass die Begrenzungs-Diode Io4 nicht leitend ist. Hierdurch tritt auch die 3ignalverZerrung nicht auf, die durch diese Verhältnisse bedingt wird, so dass die Anfahrzeit eines nächstfolgenden Abtastsignales an der Ausgangsklemme 52 nicht dadurch verzögert wird, dass der Transistor aus der Abschaltstellung gebracht werden muss.

Auoh zwischen dem Kollektor deθAusgangs-Transistors 84 und dem Emittor des Steuur-Transistors 94 liegt eine Begrenzungs-Diode Io6. Da die Zener Diode 96 die Basis-Spannung des Steuer-Transistors auf etwa 115 Volt festsetzt und der Kollektor des Ausgangs-Transistors 84 von Io Volt bis ungefährt loo Volt vorgespannt werden kann, leitet die Begrenzungs-Diode Io6 normaler Weise nicht und ist in einem Vorspannungszustand umgekehrt mit ungefähr 15 Volt vorgespannt. Solange diese umgekehrte Vorspannung anhält wird nur der Strom duroh den Widerstand 98 und den Steuer-Transistor 94 zum Aufbau der Vorspannung an der Begrenzunga-Diode Io4

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- Io -

verwendet· Wenn jedoch der positiv werdende Rüofctührungeteil des Abtasteignales über 116 Volt hinausgeht, dann wird die Begrenzungs-Diode I06 leitend· Jeder weitere Anstieg der Kollektor-Spannung des Ausgangs-Transistors 84 bewirkt ein Ansteigen des Stromes durch die Diode I06 und den Steuer-Transistor 94» und damit einen Anstieg des Spannungsabfalles über dem Belastungs-Widerstand loo. Dieser verstärkte Spannungsabfall suoht die Diode 1©4 in Vorwärtsriohtung vorzuspannen und legt ein positives Spannungs-Rückkopplungs-Signal an die Basis des Mngangs-Transiators 82. Dieses Hückkopplungssignal wird vom Emitter des Eingangs-Tranaistors 82 zur Basis des Ausgänge-Transistors 84 geleitet und es hat die Tendenz den Ausgangs-Transistor leitend zu machen um auf diese Weise zu verhindern, dass dessen Kollektor-Spannung noch stärker positiv wird. Dadurch wird verhindert, dass der Ausgänge-Transistor 84 abgeschaltet wird_sund die Kollektor-Spannung des Ausgänge-Transistors wird unter einer oberen Grensspannang gehalten, die etwas höher ist als 115 Volt, um eine Zerstörung des Transistors zu verhindern. Diese Masanahme verhindert auch eine üignalverzerrung, so dass die Anlaufzeit eines nachfolgenden Abtastsignales an der Ausgangsklemme 92 nicht dadurch verzögert wird, dass der Transistor aus dem Abschaltzustand gebracht werden muss. Zwischen dem Kollektor des Ausgangstranaistors 68 des ersten Betriebs-Verstärkers und der Kathode der o»Diode 96 liegt eine weitere spannungsbegrenzende Diode Io8. Diese Diode Io3 begrenzt die HÖohstspannung, welche am Kollektor des Ausgänge-Transistors auftreten kann auf etwa 116 Volt und verhindert, dass der ansteigende Teil des Ausgangs-Abtast-Signales an der Ausgangsklemme diesen Wert überschreitet und möglicher Weise den Ausgangs-Transistor zerstört.

In Fig. 2 ist eine zweite Ausführungsform dee Paraphasen-Verstärkere dargestellt, der in der in Fig. 1 dargestellten Verstärker-Schaltung verwendet werden kann· Dieser Paraphasen-Verstärker ist dem in Fig· 1 gezeigten ähnlich, so dass gleich« Bauteile

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I IVf

-limit gleichen Beiugsseiohen versehen wurden und nur die Unterschiede zwischen den beiden Schaltungen beschrieben werden müssen. So ist der Transistor 18* ein PNP-Transistor, der als normaler Emitter-Verstärker geschaltet ist, dessen Kollektor mit der Basis eines Transistors Ho verbunden ist, der seinerseits als Emitter-Folgeverstärker geschaltet 1st, um einen Kaskaden-Transadmittane-Verstärker zu bilden. Der Emitter-Folger-Trans is tor Ho kann ein NPN-Transistor sein, dessen Emitter über einen Belastungs-Widerstand 112 mit «iner negativen Vorspannung verbunden sein kann und dessen Kollektor über einen sohwlngungsunterdrückenden Widerstand 114 mit dem Emitter des Transistors 18* verbunden ist. Von der Basis des Transistors Ho zu dem Emitter des Transistors 18· führt ein Nebenschluss-Kondensator 116, der mit dem Widerstand 114 im Sinne einer Verhinderung von Schwingungen zusammenwirkt. Der Emitter-Folger-Transistor Ho erhöht die Eingangsimpedanz des Verstärkers ein-Bchliesslioh des Transistors 18·, verringert jedoch die effektive Emitter-Verbindungs-Impedanz eines jeden Transistors auf näherungsweise o,3 Ohm oder weniger, so dass die Emitter-Basis-Spannung weniger schwankt. Dadurch ist die Verwendung einer festen Bmitter-Kopplungs-Impedanz 24* möglich und die Verstärkung der Paraphasen-Yerstärkerstufe kann ungefähr 5o-faoh erhöht werden, indem man einfach einen zweiten Emitter-Koppel-Widerstand des entsprechenden Wertes einschaltet, ohne dass eine Einstellung eines veränderlichen Widerstandes ähnlich dem Widerstand 44 der fig. 1 notwendig ist. Ausβerdem ist die Eingangs-Impedanz des kaskadengesohalteten Transadmittanz-Verstärkers mit den Transistoren. 18· und Ho näherungsweise gleioh dem Widerstand 112. Ein weiterer Emitter-Folger-Verstärker-Transistor 118 ist mit seiner Basis mit dem Kollektor eines normalen Basis-Verstärker-Tranaistors 341 verbunden und mit seinem Kollektor mit dem Emitter des Transistors 54', damit die Wirkungsweise der des Transistors gleioh bzw. ähnlich wird. Somit kann der Transistor 118 ebenfalls mit einem Koppel-Widerstand 12o und einen Nebenschluss-Kondensator 122 versehen sein, um Schwingungen zu verhindern}

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der Emitter dee Irene ie tore kann auoh mit einer negati Yen Vorspannung Utter einen tfideretand 124 verbunden sein, der etwa den gleichen Wert hat wie die Auegange-Impedan* des «weiten Iransadmittana-Verstärkere. Zueätalioh können «wei trennende Dioden 126 bzw. 128 «wischen den Emittern der Traneietoren Io* bzw« 28* und dm Basen der Traneietoren IS¹ bsw. 34 · vorge- -eehen sein. Zwischen dem Emitter de« Sraneietore 38* und Erde liegt ein weiterer der Unterdrückung von Schwingungen dienender Kreis eineohlieealioh einer Induktivität 13o und eines nebenge-Bchloeeenen Kondensators 132·

Alle dargestellten Einzelheiten sind für die Erfindung von Bedeutung«

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Claims (1)

Patentansprüche

1. Slektrisoher Yeretärker gekennzeichnet durch ein« ötromveratärkUAgs-Singaitgsstufe, «in· Betriebs~Verstärker-Ausgang»- stufe Kit sitter Rüokkopplungs-Impedans «wischen gingang und Ausgang des Betrieb»-Verstärkers, um «in« negative Spannungs-Rttokkopplung «u erhalten, und «ine Übertragungsleitung niedriger Impe4«ns ewisohen dem Ausgang des Stromrerstärkere und dem Singaag des Betriebe-Verstärkers, um ein Stromsignml το» 3troanrerstttrker sun Betriebe-Verstärker übertragen su kunnen, «otMil ttber einen grossen Frequensbereloh in wesentlichen keine Verzerrung auftritt.

2· Verstärker naoh Anspruoh 1 daduroh gekennzeichnet, dass der Stromverstärker ein Transadnittans-Verstärker ist« der ein Spannungs-Blngangasignal in ein Strom-Signal umwandelt·

3» Verstärker naoh den Ansprüchen 1 oder 2 dadurch gekenn-

zwei

Belohnet, dass ale üingangastufe τοπ iinen Paraphasen-Veretarker bildenden Stromverstärkern gebildet 1st» dass die AuBgangsstufe 2 Betriebe-Verstärker und 2 Übertragungeleitungen aufwaist, wobei jede übertragungsleitung ewieohen eines Stromverstärker und einem Betriebs-Verstärker derart verbunden lat« dass der Veretärkerkreis flegentakt-Signale erhält*

4· Verstärker naoh einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche dadurch geken&seiohnet, dass der Stromverstärker einen als : Seitter-Veretärker geeohalteten Transistor aufweist und dass ä*r Betriebe-Veretärker einen ßingangs-Traneietor aufweiet, der als Bmitter-Folfer-Veretärker wirkt und einen Ausganga-

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Iran»!«tor» welcher als Emitter-Verstärker geschaltet ist·

5· Verstärker nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass die Parapnasen-VerBtärker-Eingangsetufe zwei Transistoren aufweißt, deren Emitter miteinander verbunden sind» wobei die Basis eines Transistors mit der Signaleingangsklemme und die Basis des anderen Transistors mit einer Gleichspannungs-Bezugsquelle verbunden ist, und dass der Kollektor jedes dieser Transistoren mit der Basis des anderen Transistors über einen Shuntresistor verbunden ist,

6· Verstärker nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass jede Übertragungsleitung ein Koaxtal-Kabel ist.

7· Verstärker naoh einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass ©ine Spannungs-Begrenzungs-Vorrichtung vorgesehen ist, welche verhindert, dass der Ausgänge-Transistor eines der Betriebs-Verstärker in den nichtleitenden Zustand gebracht wird und dass der Aus» gangs-Transistor des anderen Betriebs-Verstärkers gesättigt wird· .

8» Verstärker nach Anspruch 7 dadurch gekennzeichnet, dass äi» Vorrichtung zur Spannungs-Begrenzung einen als Basis-Verstärker geschalteten Steuer-Transistor aufweise, eine erste Diode zwischen dem Emitter des Steuer-Tranaiatore und dem Kollektor des Ausgangs-Transistora des einen Betriebs-Veratärkers, eine zweite Diode zwischen der Basis des Steuer« Transistor« und dem Ausgangs-Transistor des anderen Betriebe-Verstärkers und eine dritte Diode zwischen dem Kollektor des\ Steuer-Transistors und der Basis des Eingänge-Transistors des ersten Betriebs-VtretMrker* aufweist·

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Leertfcif e

ORIGINAL INSPECTED