DE1292267B - Magnetisches Speicherelement - Google Patents

Magnetisches Speicherelement

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DE1292267B
DE1292267B DE1962S0080046 DES0080046A DE1292267B DE 1292267 B DE1292267 B DE 1292267B DE 1962S0080046 DE1962S0080046 DE 1962S0080046 DE S0080046 A DES0080046 A DE S0080046A DE 1292267 B DE1292267 B DE 1292267B
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thin
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Application number
DE1962S0080046
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Inventor
Dipl-Pyhs Gerhard
Dipl-Phys Hans-Eberhard
Kobale
Kuny
Dr Phil Manfred
Mayer
Wiehl
Dipl-Phys Wilhelm
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Siemens AG
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Siemens AG
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/26Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers
    • H01F10/28Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by the substrate or intermediate layers characterised by the composition of the substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

  • Die Erfindung betrifft ein magnetisches Speicherelement mit hoher Spindämpfungskonstante, mit einer auf einem Schichtträger aufgebrachten dünnen magnetisierbaren Schicht.
  • Die magnetisierbaren Schichten dieser Speicherelemente weisen eine Vorzugsrichtung der Magnetisierung auf, so daß im allgemeinen zwei Zustände eingespeichert und abgefragt werden können. Der eine magnetische Zustand entspricht einer positiven Vorzugsrichtung der magnetisierbaren Schicht und der andere Zustand der entgegengesetzten, also negativen Vorzugsrichtung.
  • Die magnetisierbaren dünnen Schichten mit einer Schichtdicke in der Größenordnung von etma 1000A gestatten es, die Speicher- bzw. Schaltaufgaben durch kohärente Drehung bzw. völliges Umklappen des magnetischen Zustandes auszuführen. Die dünnen magnetisierbaren Schichten, z. B. aus einer magnetostriktionsfreien Nickel-Eisen-Legierung, werden auf verschiedene Unterlagskörper wie Glas, Aluminium und ähnlichem z. B. durch elektrolytische Abscheidung, Aufdampfung, Kathodenzerstäubung od. dgl. niedergeschlagen. Dabei legte man bisher auf eine in mikroskopischen Bereichen ebene Unterlage großen Wert.
  • Es hat sich nun gezeigt, daß die Schalt- bzw. Speichervorgänge in magnetisierbaren dünnen Schichten nicht nur durch eine bestimmte Zeitkonstante charakterisiert sind, sondern daß beim Einspeichern bzw. Abfragen des Speicherelements abklingende Schwingungen um die neue Ruhelage ausgeführt werden, die sehr lange, bis zur zehnfachen Schaltzeit andauern können. Da diese Nachschwingungen unter Umständen die Zykluszeit erhöhen, ist es erwünscht, die Nachschwingungszeit möglichst klein zu halten bzw. ein überschwingen über den Sollwert vollständig zu vermeiden.
  • Es ist daher Aufgabe der Erfindung, das Nachschwingen bei der Einstellung oder Abfragung eines magnetischen Zustandes in einer auf eine Unterlage aufgebrachten dünnen magnetisierbaren Schicht und den für die Schaltung od. dgl. erforderlichen elektrischen Leitungszügen abzukürzen, d. h. ein Speicherelement mit hoher Spindämpfungskonstante zu schaffen.
  • Bei einem Speicherelement der eingangs erwähnten Art sieht die Erfindung vor, daß die dünne magnetisierbare Schicht in viele kleine magnetische Teilbereiche, z. B. einer Ausdehnung von 100 Eim2, aufgeteilt ist, indem ihre Oberfläche in mikroskopischen Bereichen rauh ausgebildet ist, wobei die mittlere Rauhtiefe in der Größenordnung der Schichtdicke liegt. Weist die Oberfläche der Unterlage der dünnen magnetisierbaren Schicht diese Rauhigkeit auf, dann kann sich die dünne magnetisierbare Schicht z. B. bereits während ihrer Aufbringung auf die Unterlage in derartige magnetische Teilbereiche einer relativ geringen Ausdehnung aufteilen.
  • Es hat sich gezeigt, daß eine weiterverbesserte Aufteilung und damit eine erhöhte Spindämpfungskonstante des Speicherelements erzielbar ist, wenn auch die Oberfläche des Schichtträgers eine mittlere Rauhtiefe in der Größenordnung der Dicke der magnetisierbaren Schicht aufweist. Infolge der Wechselwirkung der Teilbereiche erhöht sich die Gesamtdämpfung der Schicht. Wird z. B. eine etwa 800 A dicke Schicht aus einer Ni-Fe-Legierung auf eine 0,2 mm dicke Unterlage mit einer Rauhtiefe im Mikrobereich von kleiner als etwa 200 A aufgedampft, dann ergibt sich eine Spindämpfungskonstante dieser auf dem Mikroskopdeckgläschen als »optisch ebene« Unterlage befindlichen dünnen magnetisierbaren Schicht von etwa 9. = 0,9- 10-$ s-1 bis 1,3 - 10-$ s-1 bei etwa f = 1 GHz.
  • Wird an Stelle dieser optisch ebenen Unterlage eines Mikroskopdeckgläschens ein Schichtträger mit geschliffener Oberfläche, z. B. ein geschliffenes Glasplättchen mit einer mittleren Rauhtiefe von etwa 600 A verwendet und eine ebenso dicke magnetisierbare Schicht aus einer Ni-Fe-Legierung in der gleichen Weise auf diese Unterlage aufgedampft, dann wird diese dünne Schicht in eine Vielzahl kleiner magnetischer Teilbereiche aufgeteilt. Die Spindämpfungskonstante ist dann hoch gegenüber der oben angegebenen bei einer »optisch ebenen« Unterlage gemessenen. Eine Abschätzung ergibt, daß die geschliffene Oberfläche des Glasplättchens Flächenelemente aufweist, die weit mehr als 10° gegen die geometrische Oberfläche geneigt sind.
  • Der Einfluß der Oberflächenrauhigkeit des Unterlagskörpers wird auch dadurch deutlich gemacht, daß die Spindämpfungskonstante wiederum vermindert wird, wenn die starke Rauhigkeit dieser Oberfläche durch kurze Abätzung der scharfen Kanten und Ecken reduziert wird. Auf diese Weise kann die Spindämpfungskonstante nahezu bis auf Werte einer unbehandelten Unterlage vermindert werden. Bei einer derartigen Spindämpfungskonstante führen aber die Nachschwingungseffekte zu einer Verlängerung der Zykluszeit des magnetischen Speichers. Diese geebneten Unterlagen sind deshalb bei kurzen Zykluszeiten nicht erwünscht.
  • Es ist dagegen möglich, bei optisch ebenen Unterlagen auch dadurch eine Vergrößerung der Spindämpfungskonstante zu erzielen, daß man diese Unterlagen einer längeren Ätzbehandlung unterzieht. Wird z. B. ein optisch ebenes Mikroskopdeckgläschen längere Zeit, z. B. 45 Minuten, einer Ätzbehandlung mit verdünnter Flußsäure unterzogen, dann bilden sich Ätzgruben aus, die zu einer Vergrößerung der Oberflächenrauhigkeit führen. Auf diese Weise ist es möglich, die Spindämpfungskonstante um etwa das Doppelte wie bei einem unbehandelten Mikroskopdeckgläschen zu vergrößern. Durch die Art der Rauhigkeit kann also die Dämpfung beeinflußt werden. Die gewünschte Rauhigkeit läßt sich durch Sandstrahlen der Schichtträgeroberfläche erzielen.
  • Es hat sich überdies gezeigt, daß auch die elektrischen Eigenschaften des Unterlagskörpers in der Lage sind, das Dämpfungsverhalten der dünnen magnetisierbaren Schicht zu beeinflussen. So kann z. B. durch Wahl des spezifischen elektrischen Widerstandes des Unterlagskörpers eine weitere Dämpfungserhöhung erreicht werden. Erfindungsgemäß sind besonders Schichtträger aus einem Werkstoff mit einem spezifischen elektrischen Widerstand zwischen etwa 10-4 und 10-1 Ohm - cm, z. B. eine Chrom-Nickel-Legierung, dotiertes Zinnoxid (Sn02) oder Kohle, z. B. Retortenkohle, Graphit od. dgl., in der Lage, die Dämpfung um etwa mehr als das Zweifache zu erhöhen.
  • Man hat es durch die geschilderten Möglichkeiten in der Hand, durch entsprechende Anätzung und gegebenenfalls entsprechend gewähltes Material der Unterlagen die Dämpfung auf einen bestimmten Wert einzurichten.
  • Zur näheren Erläuterung der Erfindung dienen die nachstehend erläuterten F i g. 1 bis B.
  • In F i g. 1 ist eine Größe A in Abhängigkeit von der Zeit t aufgetragen. Die Aufgabe bei einem magnetischen Speicherelement besteht z. B. darin, kurzzeitig von einem Anfangswert A1 zu einem Endwert A, zu gelangen. Der gewünschte Verlauf dieses Speicherelements ist durch die Kurve angegeben. Zum Zeitpunkt to soll die Umschaltung von A1 auf A, vorgenommen sein. Eine derart exakte Durchführung der Umschaltung ist in der Praxis nicht möglich. Die Speicherelemente benötigen im allgemeinen eine gewisse Zeit, um den Endzustand A, zu erreichen. Der Schaltverlauf eines bekannten Speicherelementes aus einer dünnen magnetisierbaren Schicht wird z. B. durch die Kurve b dargestellt. Mit einer gewissen Verzögerungszeit t1' und einer Anstiegszeit T" = t2 - t,' nimmt die Kurve einen derartigen Verlauf, daß sie über den Sollwert Abis zu einem Wert A2, überschwingt und sich erst nach einiger Zeit des Nachschwingens zwischen den Werten A., und A., in die neue Ruhelage begibt. Gemäß der Erfindung soll das Nachschwingen abgekürzt, eventuell sogar das überschwingen über den Sollwert A, vermieden werden. Die Kurve c gibt an, daß durch- Dämpfung dieses überschwingen vermieden werden kann, wenn eine Vergrößerung der Anstiegszeit, in diesem Beispiel Tb = t2" - t,", vertretbar erscheint.
  • In F i g. 2 ist der Ausschnitt aus einem bereits bekannten Speicherelement aus einer dünnen magnetisierbaren Schicht dargestellt, bei dem die dünne magnetisierbare Schicht in einzelne magnetische Bereiche 1 aufgeteilt ist.
  • In F i g. 3 ist demgegenüber gezeigt, wie die erfindungsgemäße Aufgabe durch Aufteilen des Speicherelements in eine Vielzahl kleinerer magnetischer Teilbereiche 2 gelöst werden kann.
  • In F i g. 4 ist das Dämpfungsverhalten von dünnen magnetisierbaren Schichten der Schichtdicken von etwa 800 A dargestellt, die auf einem geschliffenen Glasplättchen mit einer Rauhigkeit von etwa 600 A aufgetragen sind. Die Kurve d gibt an, wie die Spinkonstante a, abfällt, wenn die dünnen magnetisierbaren Schichten auf Glasplättchen niedergeschlagen sind, die vor dem Niederschlagen verschieden lang durch Flußsäure abgeätzt worden sind. Die große Rauhigkeit wurde also reduziert. Mit t ist die Abätzzeit in Minuten angegeben. Bei einer Abätzzeit von etwa 30 Minuten ist die Oberfläche des Glasunterlagskörpers bereits derart in mikroskopischen Bereichen eingeebnet, daß die Spinkonstante A, einen Wert von etwa 1,3 # 10-a s-1 erreicht.
  • In F i g. 5 ist angegeben, wie durch Abätzung optisch ebener Unterlagskörper - in diesem Beispiel ein Mikroskopdeckgläschen - die Oberfläche des Unterlagskörpers durch Ausbildung von Ätzgruben derart aufgerauht wird, daß sich die Spindämpfungskonstante bei auf derart durch weitere Abätzung aufgerauhten Deckgläschen niedergeschlagenen Ni-Fe-Schichten um etwa das Doppelte bei einer 45 Minuten dauernden Abätzzeit erhöht. Die Kurve e gibt das Dämpfungsverhalten magnetisierbarer dünner Schichten an, die auf verschieden lang einer Ätzbehandlung mit verdünnter Flußsäure unterzogenen Glasunterlagen niedergeschlagen sind.
  • In F i g. 6 ist schematisch die Oberflächenbeschaffenheit einer geschliffenen Unterlage dargestellt, die etwa dem Punkt M der in F i g. 4 dargestellten Kurve entspricht. Durch kurze Abätzung der Oberfläche der Unterlage vor der Aufbringung der magnetisierbaren Schicht auf eine Rauhigkeit entsprechend der F i g. 7 wird die Dämpfung etwa entsprechend dem Punkt N gemäß F i g. 4 vermindert. Durch weitere Abätzung erhält die Oberfläche der Unterlage einen im mikroskopischen Bereich ebenen Verlauf entsprechend der F i g. B. Auf diese Weise ist die Dämpfung einer auf einer derart abgeätzten Unterlage niedergeschlagenen dünnen magnetisierbaren Schicht gemäß Punkt O entsprechend F i g. 4 weiter vermindert.

Claims (6)

  1. Patentansprüche: 1. Magnetisches Speicherelement mit hoher Spindämpfungskonstante, mit einer auf einem Schichtträger aufgebrachten dünnen magnetisierbaren Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne magnetisierbare Schicht in viele kleine magnetische Teilbereiche, z. B. einer Ausdehnung von 100 um2, aufgeteilt ist, indem ihre Oberfläche in mikroskopischen Bereichen rauh ausgebildet ist, wobei die mittlere Rauhtiefe in der Größenordnung der Schichtdicke liegt.
  2. 2. Speicherelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auch die Oberfläche des Schichtträgers eine mittlere Rauhtiefe in der Größenordnung der Dicke der magnetisierbaren Schicht aufweist.
  3. 3. Speicherelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Schichtträgers geschliffen ist.
  4. 4. Speicherelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Schichtträgers angeätzt ist.
  5. 5. Speicherelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche des Schichtträgers sandgestrahlt ist.
  6. 6. Speicherelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Schichtträger aus einem Werkstoff mit einem spezifischen elektrischen Widerstand zwischen etwa 10-4 und 10-1 Ohm - cm besteht.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE647386C (de) * 1935-02-15 1937-07-03 Aeg Bandfoermiger Magnetogrammtraeger
GB888762A (en) * 1958-11-18 1962-02-07 Ibm Improvements in magnetic film elements

Patent Citations (2)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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