DE1291835C2 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 239000011538 cleaning material Substances 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010961 commercial manufacture process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910000830 fernico Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Family
ID=
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