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Transistorsperrschwinger werden dann bevorzugt zur Impulserzeugung
verwendet, wenn Impulse großer Amplitude zur Verfügung gestellt werden sollen. Wenn
außerdem noch eine große Flankensteilheit der erzeugten Impulse und eine genau definierte
Impulsdauer gefordert wird, verwendet man für den Rückkoppelübertrager des Sperrschwingers
Material, das eine rechteckförmige Hystereseschleife aufweist. Derart aufgebaute
Transistorsperrschwinger weisen dann bekanntlich außer einer im Hauptstromkreis
des Transistors liegenden Wicklung und einer zwischen Basis und Emitter des Transistors
angeschlossenen Rückkoppelwicklung als dritte Wicklung eine Rückstellwicklung auf.
Über diese Rückstellwicklung wird der Magnetkern von einem konstanten Rückstellstrom
jeweils in denjenigen Sättigungszustand zurückmagnetisiert, von dem aus er über
die im Hauptstromkreis des Transistors liegende Wicklung während des leitenden Zustandes
des Transistors von einem über den Hauptstromkreis des Transistors fließenden Strom
ummagnetisiert worden war.
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Für manche Anwendungsfälle derartiger Transistorsperrschwinger wird
gefordert, daß sich die Impulszeit sowie die Pausenzeit der erzeugten Impulsfolgen
unabhängig voneinander regeln lassen. So werden beispielsweise für die Wählregister
in Fernsprechanlagen Impulsgeber benötigt, die Impulsfolgen mit den Impuls-Pausen-Zeitverhältnissen
60: 40 (ms) und 35: 35 (ms) liefern. Bei einem bekannten Transistorsperrschwinger
der eingangs geschilderten Art (deutsche Auslegeschrift 1084 306) wird die Impulszeit
und die Pausenzeit dadurch verändert, daß die den Strom durch die im Hauptstromkreis
des Transistors liegende Wicklung bestimmende Spannung und die den durch die Rückstellwicklung
fließenden Strom bestimmende Spannung jeweils in ihrer Amplitude variiert werden.
Hierzu sind die Betriebsspannungsquelle des Transistors und die Rückstellspannungsquelle
voneinander getrennt und jeweils regelbar. Wenn nur die Pausenzeit der Impulsfolge
geändert werden soll, können gemäß einer Ausgestaltung des erwähnten bekannten Transistorsperrschwingers
zwar die Betriebsspannung und die den Rückstellstrom hervorrufende Spannung konstant
bleiben, also auch von ein und derselben Spannungsquelle geliefert werden, es ist
jedoch bei diesem Ausführungsbeispiel eine weitere Wicklung des Magnetkerns notwendig,
der über die Hauptstromstrecke eines zusätzlichen Transistors eine Steuerspannung
zugeführt werden muß.
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Auch der erfindungsgemäße Transistorsperrschwinger dient zur Erzeugung
von Impulsfolgen, deren Impuls- und Pausenzeit unabhängig voneinander regelbar ist.
Er erfordert aber im Gegensatz zu dem bekannten Transistorsperrschwinger dieser
Art nur einen geringen Mehraufwand gegenüber Transistorsperrschwingern, bei denen
die Impuls- und die Pausenzeit nicht geregelt werden kann. Die Erfindung betrifft
daher einen Transistorsperrschwinger mit einem Magnetkern aus Material mit rechteckförmiger
Hystereseschleife, der von einem über die Hauptstromstrecke des Transistors fließenden
Strom in den einen Sättigungszustand und von einem Rückstellstrom in den anderen
Sättigungszustand ummagnetisiert wird, wobei jeweils in einer zwischen Basis und
Emitter des Transistors angeschlossenen Rückkoppelwicklung des Magnetkernes den
Transistor in Sperr- oder in Durchlaßrichtung beeinflussende Rückkoppelspannungen
induziert werden. Dieser Transistorsperrschwinger ist dadurch gekennzeichnet, daß
für den Strom, der infolge der Rückkoppelspannungen über die Rückkoppelwicklung
fließt, zusätzlich zu dem bei leitendem Transistor ausgenutzten, ein einstellbares
strombegrenzendes Schaltungselement enthaltenden Stromweg ein zweiter, während der
Zeit der Sperrung des Transistors ausgenutzter Stromweg vorgesehen ist, der ebenfalls
ein einstellbares strombegrenzendes Schaltungselement enthält, und daß die einstellbaren
strombegrenzenden Schaltungselemente in den beiden Stromwegen zur voneinander unabhängigen
Einstellung der Ummagnetisierungszeiten des Magnetkernes und damit der Impulszeit
und der Pausenzeit der Impulsfolgen verwendet werden.
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Bei einem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Transistorsperrschwingers
führt der Stromweg, der während der Zeit der Sperrung des Transistors ausgenutzt
wird, entweder über die Betriebsspannungsquelle des Transistors oder aber von der
Basis des Transistors zu dem dem Emitter des Transistors zugewendeten Anschluß der
Rückkoppelwicklung und enthält im letzteren Falle außer dem einstellbaren strombegrenzenden
Schaltungselement eine Diode, die derart gepolt ist, daß die Ströme, die beim Auftreten
von den Transistor in Durchlaßrichtung beeinflußende Rückkoppelspannungen über die
Rückkoppelwicklung fließen, sperrt.
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In weiterer Ausgestaltung der Erfindung werden außerdem auch Angaben
über die Anordnung der Wicklungen des Magnetkernes gemacht, über die durch den über
die Hauptstromstrecke des Transistors fließenden Strom bzw. durch den Rückstellstrom
der Magnetkern zwischen seinen beiden möglichen Sättigungszuständen hin und her
magnetisiert wird. Während nämlich normalerweise zur Beeinflussung des Magnetkernes
durch den Hauptstrom des Transistors und durch den Rückstellstrom zwei getrennte
Wicklungen vorgesehen sind, beeinflussen gemäß einem Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen
Schaltungsanordnung diese Ströme den Magnetkern über ein und dieselbe Wicklung,
die so angeordnet ist, daß die beiden Ströme sie in entgegengesetzter Richtung durchfließen.
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Außerdem wird noch ein Ausführungsbeispiel angegeben, bei dem der
Transistorsperrschwinger aus zwei Transistoren aufgebaut ist und bipolare Impulse
liefert. Es führt bei diesem Ausführungsbeispiel der zweite, zusätzliche Stromweg,
der während der Zeit der Sperrung des Transistors ausgenutzt wird, über die Basis-Emitter-Strecke
eines zusätzlichen Transistors. Dieser zusätzliche Transistor, der hier einen dem
ursprünglichen Transistor entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp aufweist, bildet mit
diesem zusammen eine symmetrische Anordnung, bei der sich immer ein Transistor im
leitenden Zustand und der andere im gesperrten Zustand befindet. Bei dem letztgenannten
Ausführungsbeispiel können außer den in die Basiszuleitung eingefügten einstellbaren
strombegrenzenden Schaltelementen zusätzliche in die Kollektorleitungen der Transistoren
eingefügte einstellbare strombegrenzende Schaltelemente vorgesehen sein. Dadurch
kann der Regelbereich für die Impulszeit und die Pausenzeit der erzeugten Impulsfolgen
noch erweitert werden.
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Der erfindungsgemäße Transistorsperrschwinger wird bevorzugt zur Ansteuerung
eines Impulsrelais verwendet.
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Zur Erläuterung von Aufbau und Funktionsweise
des
erfindungsgemäßen Transistorsperrschwingers und dessen verschiedenen Varianten dienen
sechs Figuren.
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F i g. 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen
Transistorsperrschwingers; F i g. 2 zeigt ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen
Transistorsperrwingers, bei dem der während der Sperrung des Transistors ausgenutzte
zweite Stromweg einen anderen Verlauf hat; F i g. 3 und 4 zeigen zwei Varianten
des Ausführungsbeispiels gemäß F i g. 2, bei denen der Regelbereich erweitert ist;
F i g. 5 zeigt ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Transistorsperrschwingers,
bei dem eine Wicklung des Magnetkernes eingespart ist; F i g. 6 zeigt ein weiteres
Ausf ührungsbeispiel des erfindungsgemäßen Transistorsperrschwingers, das zwei Transistoren
enthält und zur Erzeugung bipolarer Impulse dient.
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Der Transistorsperrschwinger gemäß F i g. 1 besteht aus einer induktiv
rückgekoppelten Transistorverstärkerstufe. Diese Transistorverstärkerstufe enthält
den Transistor T, der bei dem beschriebenen Ausführungsbeispiel vom npn-Typ ist.
Der Kollektor dieses Transistors ist über die Wicklung des Relais I, zu dessen Ansteuerung
der Transistorsperrschwinger dient, an dem positiven Pol einer Betriebsspannungsquelle
angeschlossen. Der Emitter des Transistors T steht über den Widerstand R4 mit dem
negativen Pol der Betriebsspannungsquelle in Verbindung. Zur induktiven Rückkoppelung
dient ein Transformator, dessen Kern Maus Material mit rechteckförmiger Hystereseschleife
besteht. Die Primärwicklung w1 dieses Transformators ist in die Emitterleitung des
Transistors T eingefügt. Seine Sekundärwicklung w2 ist zwischen dem Emitter des
Transistors T und dessen Steuereingang s angeschlossen und hat denselben
Windungssinn wie die Wicklung w 1. Der Magnetkern M trägt außerdem noch eine Rückstellwicklung
w3, deren Windungssinn dem der Wicklungen w1 und w2 entgegengesetzt ist. Der eine
Anschluß der Rückstellwicklung w3 ist über den Widerstand R3 mit dem negativen Pol
der Betriebsspannungsquelle verbunden, während ihr anderer Anschluß über einen Kontakt
k mit dem positiven Pol der Betriebsspannungsquelle in Verbindung steht. Der Kontakt
k dient zur Inbetriebnahme des Transistorsperrschwingers. Der Transistorsperrschwinger
gemäß F i g. 1 enthält außerdem noch die beiden einstellbaren Widerstände R1 und
R2. Sie liegen in zwei getrennten Stromwegen für Ströme, die beim Ummagnetisieren
des Magnetkernes M infolge der an der Wicklung w2 auftretenden Rückkoppelspannungen
durch diese Wicklung fließen. Der einstellbare Widerstand R1 liegt in dem Stromweg,
der über die Wicklung w 2 und die Basis-Emitter-Strecke des Transistors T führt,
und der einstellbare Widerstand R2 liegt in einem zusätzlichen Stromweg, der über
die Wicklung w2 und die Betriebsspannungsquelle des Transistors führt.
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Die durch den einstellbaren Widerstand R2 und durch den Widerstand
R4 bestimmte statische Vorspannung des Transistors T hat eine derartige Größe, daß
dieser bei geschlossenem Schalter k normalerweise leitend ist. Die Größenverhältnisse
der beiden Widerstände sollen so gewählt sein, daß auch bei einer Veränderung des
Widerstandes R2 in den zur Regelung vorgesehenen Grenzen diese Bedingung eingehalten
wird. Zur Erläuterung der Funktionsweise des erfindungsgemäßen Transistorsperrschwingers
wird also von einem Zustand der Schaltungsanordnung ausgegangen, in dem der Transistor
T leitend ist und in dem der Sättigungszustand des Magnetkernes M durch den über
die Wicklung w1 des Magnetkernes fließenden Strom bestimmt wird.
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Bei Schließen des Kontaktes k fließt durch die Rückstellwicklung w3
ein Strom, der so groß sein soll, daß er den Magnetkern von dem durch den Strom
durch die Wicklung w1 bestimmten Sättigungszustand in den entgegengesetzten Sättigungszustand
ummagnetisieren kann. Während dieses Ummagnetisierungsvorganges wird an der Wicklung
w2 eine Spannung induziert, die auf Grund des angegebenen Windungssinnes der statistischen
Vorspannung des Transistors entgegengerichtet ist und auf Grund einer genügend großen
Windungszahl diese Spannung überwiegt. Der Transistor wird daher durch die an der
Wicklung w2 induzierte Steuerspannung vom leitenden in den gesperrten Zustand übergeführt.
Das Potential an seinem Kollektor wechselt nun daher von einem während der Impulspause
eingehaltenen negativen Wert auf einen während der Impulsdauer eingehaltenen positiven
Wert über. Die Zeit, die der Magnetkern zur Ummagnetisierung von einem Sättigungszustand
in den anderen benötigt, d. h. also die Impulspausenzeit der am Kollektor des Transistors
T auftretenden, das Impulsrelais 1 beeinflussenden Impulse, ist im wesentlichen
von der Größe des Stromes abhängig, der während des Ummagnetisierungsvorganges durch
die Rückkopplungswicklung w2 fließt. Dieser Strom hat nämlich wiederum an der Wicklung,
über die die Ummagnetisierung des Magnetkernes eingeleitet wurde, in diesem Falle
die Wicklung w3, das Auftreten einer Gegenspannung zur Folge. Wenn also wie im Falle
des erfindungsgemäßen Transistorsperrschwingers für den während der Ummagnetisierung
über die Rückkopplungswicklung w2 fließenden Strom zusätzlich zu dem bei leitendem
Transistor ausgenutzten Stromweg ein Stromweg vorgesehen ist, der ein einstellbares
strombegrenzendes Schaltungselement enthält, kann die Zeit dieser Ummagnetisierung
des Magnetkernes M und damit die Pausenzeit der erzeugten Impulsfolge eingestellt
werden, Der Stromweg führt in diesem Falle vom positiven Pol der Betriebsspannungsquelle
über den einstellbaren Widerstand R2, die Rückkoppelwicklung w2, die Wicklung w1
und den Widerstand R4 zurück zum negativen Pol der Betriebsspannungsquelle.
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Wenn der Magnetkern M bis in seinen Sättigungsbereich ausgesteuert
ist, verschwindet die an der Rückkoppelwicklung w2 induzierte, den Transistor sperrende
Spannung, so daß jetzt wieder die statische den Transistor in den leitenden Zustand
steuernde Spannung überwiegt. Bei Leitendwerden des Transistors steigt der durch
die Wicklung w 1 fließende Strom an und hat an der Rückkopplungswicklung w2 das
Entstehen einer Rückkopplungsspannung zur Folge, die so gerichtet ist, daß sie den
Übergang des Transistors T in den leitenden Zustand noch unterstützt. Der hierdurch
noch größer gewordene Strom durch die Wicklung w 1 ist nun in der Lage, den Magnetkern
M wieder in seinen anderen Sättigungszustand zurückzumagnetisieren. Sobald die Sättigungslage
des Magnetkernes erreicht ist, verschwindet die an der Rückkopplungswicklung w2
induzierte, den Transistor in den leitenden Bereich steuernde Spannung. Hierauf
beginnt wieder eine Sperrung des Transistors T. Während des Rückfalls des Magnetisierungszustandes
des Magnetkernes M
vom Sättigungszustand in den Remanenzzustand
wird nämlich an der Rückkopplungswicklung w2 eine Sperrspannung für den Transistor
T induziert. Diese Sperrspannung wird noch vergrößert, wenn wie zu Beginn der geschilderten
Vorgänge auf Grund des durch die Wicklung w3 fließenden Rückstellstromes der Magnetkern
wieder in seinen anderen Sättigungszustand ummagnetisiert wird.
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Bei der zuvor geschilderten Ummagnetisierung des Magnetkernes M infolge
des über die Wicklung w 1 fließenden Stromes fließt wieder über die Rückkoppelwicklung
w2 ein Strom, der den Ummagnetisierungsvorgang und in diesem Falle die Impulslänge
der Impulsfolge bestimmt. Der Stromweg für diesen Strom führt jetzt über die niederohmige
Basis-Emitter-Strecke des Transistors T. Zur Einstellung des Stromes und damit der
Impulslänge dient der zwischen der Basis des Transistors und dem der Basis abgewendeten
Anschluß der Rückkoppelwicklung w2 angeschlossene einstellbare Widerstand R1.
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Die erfindungsgemäßen Maßnahmen, die eine getrennte Impuls- und Pausenzeitregelung
gestatten, können auch bei solchen Transistorsperrschwingern angewendet werden,
bei denen der Rückstellstrom nicht aus der Vorspannungsquelle des Transistors, sondern
beispielsweise durch Entladen eines Kondensators geliefert wird.
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Die F i g. 2 zeigt eine Variante der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung.
Diese Variante unterscheidet sich von der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 1 im
wesentlichen dadurch, daß der zusätzliche während der Zeit der Sperrung des Transistors
ausgenutzte Stromweg nicht über die Betriebsspannungsquelle des Transistors, sondern
von der Basis des Transistors zu dem dem Emitter des Transistors zugewendeten Anschluß
der Rückkoppelwicklung w2 führt. Dieser zusätzliche Stromweg enthält außer dem einstellbaren
Widerstand R2 noch die DiodeDl. Die Diode D1 ist so gepolt, daß sie Ströme, die
bei Auftreten von den Transistor in Durchlaßrichtung beeinflussenden Rückkoppelspannungen
über die Rückkoppelwicklung w2 fließen, sperrt. Auf diese Weise ist gewährleistet,
daß die Ströme, die über den ersten und über den zweiten Stromweg fließen, unabhängig
voneinander eingestellt werden können, was, wie schon angegeben, gleichbedeutend
mit einer unabhängigen Regelung der Impuls- und der Pausenzeit der Impulsfolgen
ist. Der Strom im ersten Stromweg, der von der Rückkoppelwicklung w2 über die niederohmige
Basis-Emitter-Strecke des Transistors T führt, wird nämlich auch hier mit Hilfe
des an die Basis des Transistors T angeschlossenen einstellbaren Widerstandes R
1 geregelt. Über den Stromweg, der den Widerstand R2 und die Diode D1 enthält, fließt
hingegen während dieses Zustandes des Transistorsperrschwingers kein Strom, da die
Diode D1 sperrt. Es hat also die Einstellung des Widerstandes R2 auch keinen Einfluß
auf den im ersten Stromkreis fließenden Strom. Der bei dieser Schaltungsanordnung
vorgesehene Verlauf des zusätzlichen Stromweges hat den Vorteil einer geringeren
Abhängigkeit der Ummagnetisierungszeit von der Spannung der Betriebsspannungsquelle
Der Regelbereich der Pausenzeit kann bei dieser Schaltungsanordnung an sich durch
Vergrößern des strombegrenzenden Widerstandes R2 erweitert werden. Der Vergrößerung
des Widerstandes R2 ist jedoch eine obere Grenze gesetzt, da hierdurch die Amplitude
der an der Rückkoppelwicklung w2 induzierten Spannung ebenfalls vergrößert wird
und somit, wenn diese Spannung so gepolt ist, daß sie die Basis-Emitter-Strecke
des Transistors T in Sperrichtung beansprucht, den Transistor zerstören könnte.
In den F i g. 3 und 4 sind daher zwei Varianten der Schaltungsanordnung gemäß F
i g. 2 angegeben, bei denen der Regelbereich der Pausenzeit erweitert ist, ohne
daß die Gefahr einer Zerstörung des Transistors entsteht.
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In der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 3, sind abweichend von der
Schaltungsanordnung gemäß F i g. 2 zusätzlich noch die Diode D2 und der Widerstand
R6 vorgesehen. Der Widerstand R6 ist zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors
Tangeschlossen und dient zur Zuführung der Basisvorspannung. Die Diode D2 ist zwischen
dem strombegrenzenden Widerstand R1 und der Basis des Transistors angeschlossen
und hat dieselbe Polung wie dessen Basis-Emitter-Diode. Wenn nun die an der Rückkoppelwicklung
w2 induzierte Spannung so gerichtet ist, daß sie die Basis-Emitter-Diode des Transistors
T in Sperrrichtung beansprucht, wird die Diode D2 ebenfalls in Sperrichtung beansprucht,
so daß der größte Teil der Sperrspannung an dieser Diode abfällt und der an die
Basis-Emitter-Diode des Transistors T gelangende Teil der Sperrspannung diese nicht
mehr gefährden kann. Bei dieser Schaltungsvariante hat also die Erweiterung des
Regelbereiches durch Vergrößerung des strombegrenzenden Widerstandes R2 keine nachteiligen
Folgen für den Transistor T.
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Bei der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 4 ist die den Dioden D 1
in den Schaltungsanordnungen gemäß F i g. 2 und 3 entsprechende, hier ebenfalls
mit D 1
bezeichnete Diode, die die Unabhängigkeit der Regelung von Impulszeit-
und Pausenzeitverhältnis gewährleistet, nicht in Reihe, sondern parallel zum strombegrenzendenWiderstandR2
geschaltet. Diezusätzliche Diode D2 ist hier parallel zur Basis-Emitter-Strecke
des Transistors geschaltet und derart gepolt, daß sie durch eine an der Rückkoppelwicklung
w2 induzierte Spannung, die als Sperrspannung für den Transistor T wirkt, in Durchlaßrichtung
gepolt ist, also eine derartige Sperrspannung begrenzt.
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Die Schaltungsanordnung gemäß der F i g. 4 weist außerdem noch abweichend
von den Schaltungsanordnungen gemäß F i g. 1 bis 3 einen dem Kontakt k parallelen
Kontakt i des Relais I, eine an den Kollektor des Transistors angeschlossene,
zur Spule des Relais I in Reihe liegende Diode D3 und einen zwischen dem positiven
Pol der Betriebsspannungsquelle und dem Kollektor des Transistors T angeschlossenen
Widerstand R7 auf. Diese zusätzlichen Schaltelemente, die übrigens auch bei den
bisher beschriebenen Ausführungsbeispielen vorgesehen sein können, dienen dazu,
die Impulszeit und die Pausenzeit der von dem Transistorsperrschwinger abgegebenen
Impulse unabhängig von der Dauer der Schließung des Kontaktes k zu machen, wie im
folgenden kurz erläutert wird. Wenn nach Schließen des zum Anlassen des Transistorsperrschwingers
dienenden Kontaktes k entsprechend den vorangegangenen Erläuterungen der Transistor
T in den leitenden Zustand übergegangen ist, wird das Relais I erregt und
damit der Kontakt i geschlossen. Da dieser Kontakt den Kontakt k überbrückt,
hat das Öffnen des Kontaktes k zu diesem Zeitpunkt keinen Einfluß auf die Dauer,
während der der Transistor T leitend ist. Dieser wird vielmehr, wie schon erläutert,
erst dann wieder in den gesperrten Zustand übergeführt, wenn nach Ummagnetisierung
des Magnetkernes durch
den über die Wicklung ii,l fließenden Strom
eine Sättigung des Magnetkernes M erreicht ist.
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Ist dagegen die Schließungszeit des Kontaktes k derart kurz, daß es
überhaupt nicht zu einem Anlassen des Transistorsperrschwingers kommt, so muß dafür
Sorge getragen werden, daß die geringfügige, während der kurzen Schließungszeit
durch den Rückstellstrom bewirkte Magnetisierung des Magnetkernes M wieder rückgängig
gemacht wird, so daß bei einem erneuten Schließen des Kontaktes k sofort wieder
eine Impulspause der vollen vorgeschobenen Länge auftritt. Aus diesem Grunde sind
die Schaltelemente R7 und D3 vorgesehen. Da durch den Widerstand R7 auch bei geöffneten
Kontakten k und i der Arbeitsstromkreis des Transistors geschlossen
ist, kann durch die Wicklung w 1
auch jetzt ein Strom fließen, dessen Wirkung
infolge des entgegengesetzten Wicklungsverhältnissesder Wicklungen ivl und w3 die
durch den Rückstellstrom hervorgerufene teilweise Magnetisierung des Magnetkernes
wieder rückgängig macht. Die Diode D3 verhindert dabei, daß der über den Widerstand
R7 gelieferte Strom auch über die Spule des Relais I fließt.
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Die Schaltungsanordnung gemäß der F i g. 5 weist eine weitere Verbesserung
gegenüber den Schaltungsanordnungen gemäß den F i g. 1 und 2 auf. Bei den beiden
ersten Schaltungsanordnungen sind zur Ummagnetisierung des Magenetkernes M zwischen
seinen beiden Sättigungszuständen jeweils zwei Wicklungen vorgesehen, von denen
die eine durch den Rückstellstrom und die andere durch einen über die Hauptstromstrecke
des Transistors gelieferten Strom durchflossen wird. Bei der Schaltungsanordnung
gemäß F i g. 3 wird demgegenüber eine Wicklung des Magnetkernes eingespart. Bei
dieser Schaltungsanordnung, die im übrigen mit der Schaltungsanordnung gemäß F i
g. 1 übereinstimmt, beeinflussen nämlich derüber dieHauptstromstrecke des Transistors
gelieferte Strom und der Rückstellstrom den Magnetkern über ein und dieselbe Wicklung.
Es ist dies die Wicklung 11'13, die zwischen dem Emitter des Transistors T und der
Verbindung der Spannungsteilerwiderstände R3 und R5 eines von der Betriebsspannungsquelle
gespeisten Spannungsteilers angeschlossen ist. Die Wicklung ir 13 liegt damit in
der einen Diagonalen einer Brückenschaltung, deren Zweige durch die Widerstände
R3, R4, R5 und durch die Reihenschaltung der Widerstände R1 und R2 und der
Basis-Emitter-Strecke des Transistors T gebildet werden. An der anderen Diagonalen
dieser Brückenanordnung liegt die Betriebsspannung. Beim Übergang des Transistors
T vom leitenden in den gesperrten Zustand und umgekehrt wird diese Brückenschaltung
derart verstimmt, daß sich der Strom in der Wicklung iv13 jeweils umkehrt, so daß
eine Magnetisierung des Magnetkernes in beiden Magnetisierungseinrichtungen möglich
ist. Im übrigen spielen sich bei dieser Schaltungsanordnung dieselben Vorgänge ab,
wie sie im Zusammenhang mit der Schaltungsanordnung gemäß F i g. 1 erläutert wurden.
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In der F i g. & ist noch ein weiteres Ausführungsbeispiel der
erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung darstellt, bei dem zum Aufbau des Sperrschwingers
zwei Transistoren verwendet sind und bei dem die Impuls- und die Pausenzeit der
erzeugten Impulsfolgen in weiteren Grenzen als bei den zuvor beschriebenen Ausführungsbeispielen
verändert werden können. Der zusätzliche Stromweg für den gesperrten Transistor
über die Rückkopplungswicklung w2 fließenden Strom führt bei dieser Schaltungsanordnung
über die Basis-Emitter-Strecke eines zusätzlichen Transistors von entgegengesetztem
Leitfähigkeitstyp, über dessen Hauptstromstrecke der Rückstellstrom geliefert wird.
Dementsprechend ist bei dieser Schaltungsanordnung außer dem npn-Haupttransistor
T1 der pnp-Transistor T2 vorgesehen. Beide Transistoren bilden zusammen mit den
an ihre Elektroden angeschlossenen Schaltelementen eine symmetrische Anordnung,
bei der immer ein Transistor leitend und ein Transistor gesperrt ist. In die Kollektorleitung
des Transistors TI ist die Wicklung w1 des Magnetkernes eingefügt, über die dieser
in der einen Richtung ummagnetisiert wird, und in die Kollektorleitung des Transistors
T2 ist die Rückstellwicklung w3 eingefügt, über die der Magnetkern durch den Rückstellstrom
in der anderen Richtung ummagnetisiert wird. Die dritte Wicklung 11,2 des Magnetkernes
ist zwischen den miteinander verbundenen Emittern der Transistoren und dem Verbindungspunkt
der in Reihe geschalteten, in die Basiszuleitungen der Transistoren eingefügten
einstellbaren Widerstände R1 und R2 angeschlossen. Zur Regelung der Impuls- und
der Pausenzeit sind außer den einstellbaren Widerständen R1 und R2 noch die beiden
einstellbaren Widerstände R11 und R12 vorgesehen, die in die Kollektorleitungen
der beiden Transistoren T1 und T2 eingefügt sind.
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Bei Betätigung des Kontaktes k spielen sich wieder entsprechende Vorgänge
ab wie bei den zuvor beschriebenen Schaltungsanordnungen: Der über die Hauptstromstrecke
des Transistors T2 gelieferte und über die Rückstellwicklung w3 fließende Strom
bewirkt eine Ummagnetisierung des Magnetkernes, was wiederum in der Rückkoppelwicklung
w2 das Auftreten einer den Transistor T1 sperrenden Spannung zur Folge hat. Bei
Erreichen der Sättigung des Magnetkernes M verschwindet die den Transistor T1 sperrende
Rückkoppelspannung, und wenn die Magnetisierung des Magnetkernes M danach vom Sättigungswert
in den Remanenzwert zurückfällt, wird in der Rückkoppelwicklung 11,2 eine entgegengerichtete
Spannung induziert, die den Transistor T1 leitend macht. Die den Transistor T1 in
den leitenden Zustand steuernde Spannung sperrt andererseits den Transistor T2.
Der Übergang in den leitenden Zustand des Transistors TI bzw. der Übergang in den
gesperrten Zustand des Transistors T2 wird jeweils noch durch die induktive Kopplung
zwischen den Wicklungen ivl und w2 bzw. >v3 und w2 unterstützt. Wenn der Transistor
T1 voll ausgesteuert ist, reicht sein Kollektorstrom aus, über die Wicklung w 1
den Magnetkern in einen anderen Sättigungszustand umzumagnetisieren. Bei erreichter
Sättigungsummagnetisierung bzw. bei dem anschließenden Zurückfallen auf die Remanenzmagnetisierung
des Magnetkernes wechselt die Rückkopplungsspannung an der Rückkoppelwicklung iv2
ihre Richtung wieder, so daß die Transistoren T1 und T2 wieder jeweils in den anderen
Leitfähigkeitszustand übergehen.
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Die Ummagnetisierungszeit des Magnetkernes M wird auch hier wieder
im wesentlichen durch den infolge der Rückkoppelspannungen durch die Rückkoppelwicklung
w2 fließenden Strom beeinflußt. Bei leitendem Haupttransistor T1 fließt dieser Strom
über die Basis-Emitter-Strecke des Haupttransistors T1. Bei gesperrtem Haupttransistor
T1 fließt dieser Strom über die Basis-Emitter-Strecke des zusätzlichen Transistors
T2. Dieser Strom ist im einen Fall durch den einstellbaren Widerstand R1 und im
anderen Fall durch den einstellbaren Widerstand R2 regelbar. Die
Ströme
über die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren haben auch Ströme durch die in
die Kollektorleitungen der zugehörigen Transistoren eingefügten Wicklungen iv3 und
ivl zur Folge. Auch die Ströme durch diese Wicklungen beeinflussen die Ummagnetisierungszeit
des Kernes, denn sie rufen jeweils an der Wicklung, über die gerade eine Ummagnetisierung
des Kernes zustande gebracht wird, eine die Ummagnetisierung verzögernde Gegenspannung
hervor. Zur Regelung der durch die Wicklungen ivl und iv3 fließenden Ströme dienen
die einstellbaren Widerstände r11 und r12. Es stehen daher bei der Schaltungsanordnung
gemäß F i g. 4 zur Regelung der Impuls-bzw. der Pausenzeit der Impulsfolgen jeweils
zwei Regelmöglichkeiten zerr Verfügung, nämliche regelbare Widerstände in der Basiszuleitung
und in der Kollektorzuleitung des einen Transistors zur Regelung der Impsteeit und
regelbare Widerstände der Basiszuleiteg send in der Kollektorzuleitung des anderen
TraotWors zur Regelung der Pausenzeit der Impulsfolgen. Die Impulszeit und die Pausenzeit
können bei diesem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen TransWorspexrßchwingers
daher in weiteren Grenzen gereg* worden als bei den zuvor beschriebenen Ausführmpieispielen.
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Auch bei Schaltungsanordnungen, die aus zwei Transistoren gleichen
Leitfähigkeitstyps aufgebaut sind, kinn durch artsprechende Maßnahmen eine unabhängige
Regelung von Impuls- und Pausenzeit erreicht werden, wobei sich auch hier der Vorteil
eines erweiterten Regelbereiches ergibt.