DE1283499B

DE1283499B - Verfahren zum Herstellen einer duennen Gummischichtplatte aus Organopolysiloxan-Kautschuk

Info

Publication number: DE1283499B
Application number: DEG40216A
Authority: DE
Inventors: Walter Lee Robb
Original assignee: General Electric Co
Current assignee: General Electric Co
Priority date: 1963-04-01
Filing date: 1964-03-28
Publication date: 1968-11-21
Also published as: JPS4948635B1; FR1393703A; JPS5024357B1

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES 4iiS7¥W PATENTAMT Int. α.:

B29h

AUSLEGESCHRIFT

Deutsche Kl.: 39 a6 - 3/00

Nummer: 1283499

Aktenzeichen: P 12 83 499.0-16 (G 40216)

Anmeldetag: 28. März 1964

Auslegetag: 21. November 1968

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer dünnen Gummischichtplatte aus Organoporysiloxan-Kautschuk, bei dem die Schichten zur Verringerung ihrer Dicke gestreckt und in diesem Zutand miteinander unter Vulkanisation verbunden werden.

Es ist bekannt, daß Silikonkautschuk-Membranen die ungewöhnliche Fähigkeit besitzen, gewisse Gase oder Gasmischungen zu trennen. So ist beispielsweise bekannt, Kohlendioxid aus einer Gasmischung, die solches und andere Gase wie Wasserstoff, Stickstoff, Sauerstoff und Helium enthält, dadurch zu trennen, daß man die Gase durch eine dünne, nicht poröse Silikonkautschuk-Membran hindurchschickt. Die Silikonkautschuk-Membran erlaubt einen viel größeren Durchtritt an Kohlendioxid als an jedem anderen obenerwähnten Gas. Dies bedeutet eine Abtrennmöglichkeit des Kohlendioxids beispielsweise von Luft, der damit das Kohlendioxid z. B. weitgehend entzogen werden kann. ao

Die Menge an Gas, die durch eine Membran einer vorgegebenen Flächengröße in einer gegebenen Zeit hindurchtreten kann, hängt jedoch außer von gewissen Faktoren, wie dem Druck über der Membran, von deren Dicke ab. Gute Resultate konnten daher *5 dann erhalten werden, wenn die dünnstmögliche Membran benutzt wurde, die noch dem auf die Membran ausgeübten Druck widerstehen konnte.

Derzeit können Silikonkautschuke durch Kalandrieren zu verhältnismäßig dünnen Filmen einer Stärke von etwa 0,05 bis 0,25 mm verarbeitet werden. Diese Dicken sind im allgemeinen zur Bewirkung einer gewissen Gastrennung brauchbar.

Es wäre jedoch in höchstem Maße wünschenswert, dünnere Filme aus Silikonkautschuk-Membran zu besitzen, so daß weniger Membranfläche erforderlich wäre, mm eine vorgegebene Gasmenge zu verarbeiten. Wenn man jedoch Versuche unternimmt, die Dicke der Filme unterhalb 0,05 bis 0,1 mm unter Benutzung an sidh bekannter Techniken zur Herstellung dünner Filme, beispielsweise durch Kalandrieren, Extradieren und Lösungsgießen, herabzusetzen, stellen sich verschiedene Schwierigkeiten ein. Bei der Herstellung von Membranen einer Dicke unterhalb von etwa 0,05 bis 0,075 mm entstehen bei Anwendung der bekannten Techniken Ungleichmäßigkeiten bezüglich der Dicke und feine Löcher; beides ist der Verwendung der Filme als gasdurchlässige Membran abträglich. Ferner erfolgt häufig ein Zerreißen, da die Dicke der Membran bei Anwendung der bekannten Techniken häufig verringert wird, weil infolge des Mangels an entsprechender Festigkeit des Silikon-Verfahren zum Herstellen

einer dünnen Gummischichtplatte

aus Organopolysiloxan-Kautschuk

Anmelder:

General Electric Company,

Schenectady, N. Y. (V. St. A.)

Vertreter:

Dipl.-Chem. Dr. rer. nat. Gerhard Ratzel,

Patentanwalt, 6800 Mannheim

Als Erfinder benannt:

Walter Lee Robb, Scotia, N. Y. (V. St. A.)

Beanspruchte Priorität:

V. St. v.. Amerika vom 1. April 1963 (269 430)

kautschuks im Zustand verringerter Dicke die üblichen Verfahrensbeanspruchnngen nicht mehr ausgehalten werden.

Bekannt ist die Herstellung eines Formkörpers auf die Weise, daß dünne Kautschukblätter gestreckt und in Sandwichform gebracht werden, wobei zunächst ein dünnes Blatt aus Gummi gestreckt und ein zweites nicht gestrecktes dünnes Blatt aus Gummi auf das erstere aufgegeben und mit diesem verhaftet wird. Darauf wird auf den entstandenen Verbundkörper ein drittes dünnes Blatt aus Gummi aufgesteckt, wobei die Streckung der der Basisschicht erteilten Streckung identisch ist. Die dritte Schicht wird sodann gleichfalls mit der zweiten Schicht verhaftet. Anschließend läßt man das Dreikomponentengebilde sich entspannen, wobei als Folge dieser Entspannung die mittlere Schicht einer Kompression unterliegt.

Zum Stand der Technik gehört ferner ein Verfahren zur Herstellung von aus einzelnen Schichten bestehendem Blattmaterial relativ großer -Dicke, das darm besteht, daß man auf eine Unterlage zunächst eine Schicht aus flüssigem Latex aufsprüht, diese vulkanisiert, jedoch nicht völlig trocknet, dann eine weitere Schicht aus flüssigem Latex aufsprüht, diese wiederum ¹VuUCaHiSJeIt, jedoch nicht völlig austrocknet usw. Auf diese Weise wird eine Verbindung der einzelnen Schiohtelemente erreicht.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, dünne Gummiplatten aus Silikonkautschuk für gasdurch-

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lässige Membranen herzustellen, wobei sich die Diese teilweise Härtung verbessert die Festigkeit und

Schwierigkeit ergibt, daß sich dünne Rohplatten oder Bearbeitbarkeit des Films, so daß er bei der folgen-

auch stärkere und dann zur Verringerung ihrer Dicke den Weiterverarbeitung derart streckbar ist, daß er

gestreckte Rohplatten wegen der geringen Festigkeit das Zwei- bis Vierfache seiner ursprünglichen

des Rohmaterials nicht herstellen lassen. 5 Flächengröße erreicht, ohne daß ein Reißen erfolgt,

Erfindungsgemäß werden diese Schwierigkeiten wobei die Streckung sowohl lateral als auch longitudi-

dadurch überwunden, daß die Schichten vor dem nal erfolgt. Hierdurch wird eine Vergrößerung des

Streckvorgang vorvulkanisiert werden. Flächenbereichs auf das Vier- bis Sechzehnfache der

Diese Verfahrensführung führt zu einem SiIi- ursprünglichen Fläche und eine Verringerung der konkautschukblattmaterial gleichförmiger Dicke, das io Dicke auf ein Viertel bis ein Sechzehntel der ur-

im wesentlichen frei von feinen Löchern und sprünglichen Dicke erreicht. Die Verwendung von

Rissen ist. Strahlen hoher Energie zum Zwecke der Bewirkung

Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht darin, der partiellen Härtung ist nicht ausgeschlossen.

daß leicht Silikonkautschuk-Membranen einer Dicke Nachdem der Silikonkautschuk-Film hergestellt ist,

von unter 0,05 bis 0,1 mm kontinuierlich als Massen- 15 wird er sorgfältig auf feine Löcher oder Risse, welche

produkt herstellbar sind. gegebenenfalls entstanden sein könnten, untersucht.

Das Verfahren wird nun an Hand der Zeichnun- Wenn die Häufigkeit dieser Defekte niedrig ist,

gen, welche eine bevorzugte Ausführungsform dar- braucht nichts weiter getan zu werden, weil bei der

stellen, weiter erläutert und beschrieben. darauffolgenden Schichtung eines Films auf den

Fig. 1 bis 5 beinhalten ein Verfahren zur Her- ao anderen eine Abdeckung dieser Defekte erfolgt.

Stellung dünner Füme, die keine Unterlage auf- Wenn jedoch eine beträchtliche Anzahl oder gar eine

weisen; große Menge an Defekten in den Finnen vorhanden

F i g. 6 zeigt ein kontinuierliches Verfahren zur sind, sind diese durch Auflegung eines kleinen Stücks

Herstellung dünner Filme aus Silikonkautschuk, ge- des gleichen Films über den Defekt korrigierbar, wo-

mäß dem die gebildete Doppelfilm-Zubereitung nur 25 bei von den Kohäsiv-Eigenschaften des Films bezüg-

an einer Seite mit einer porösen Unterlage versehen lieh der Adhäsion Gebrauch gemacht wird.

ist; Sodann werden zwei oder mehr Silikonkautschuk-

F i g. 7 zeigt ein kontinuierliches Verfahren zur Filmteile über einen Rahmen gespannt und unter

Herstellung dünner Silikonkautschuk-Doppelfilme, Verwendung von entweder mechanischen Mitteln

welche auf beiden Seiten durch eine poröse Unterlage, 30 zum Zwecke der Herstellung eines Kontakts zwischen

beispielsweise aus porösem Papier oder Tuch, abge- den Filmen oder von Luftdruck oder Vakuum zum

stützt sind. Zwecke der Herstellung eines sehr engen Kontakts

Mit dem Ausdruck »Organopolysiloxan-Kautschuk« gegeneinandergepreßt. Eine teilweise Streckung kann

sollen sowohl gefüllte als auch ungefüllte Organo- bereits zu dem Zeitpunkt durchgeführt werden, bei

polysiloxane bezeichnet sein, welche auf jede dem 35 dem die Filme in Kontakt miteinander gebracht wer-

Stand der Technik bekannte Art, beispielsweise durch den, der Rest der Streckung wird dann ausgeübt,

Erhitzen in Anwesenheit von Härtebeschleunigern nachdem sich die Filme in Kontakt befinden. Wenn

wie organische Peroxide oder durch Bestrahlung mit es gewünscht wird, kann die gesamte Streckung zu

Elektronen hoher Energie, in den gehärteten, festen dem Zeitpunkt durchgeführt werden, zu dem der

und elastischen Zustand überführbar sind. 40 Kontakt bereits hergestellt wurde, oder auch unmittel-

Diese Organopolysiloxane oder Silikonkautschuke, bar vor der endgültigen Härtung,

die bei der Verfahrenführung gemäß der Erfindung Da der Film bezüglich seiner Dicke (als Ergebnis

verwendet werden, können hochviskose Massen oder der Kontakte von zumindest zwei Finnen) zumindest

gummiartige elastische Festkörper sein, was jeweils verdoppelt ist, kann die Streckung des Films in einem

vom Kondensationsgrad, dem verwendeten Konden- 45 viel größeren Ausmaß erfolgen, als dies beim einzel-

sationsmittel und den Ausgangsorganopolysiloxanen nen Film im partiell gehärteten oder ungehärteten

abhängt, die zur Herstellung der überführbaren Zustand möglich ist. Im unvollständig gehärteten

Organopolysiloxane eingesetzt wurden. (oder vollständig ungehärteten) Zustand kann die

Gemäß einer Ausführungsform der Verfahrens- Streckung zu etwa 50 bis 500% oder sogar mehr in

führung wird ein Silikonkautschuk, der vorzugsweise 50 jeder Richtung (zu Dicken von 0,0025 bis 0,05 mm)

(jedoch nicht unbedingt) einen Füller und einen erfolgen, ohne daß eine nachteilige Beeinträchtigung

Härtebeschleuniger (und zwar in dem Falle, wenn der Eigenschaften des endgültigen Filmproduktes

eine Hitzehärtung vorgesehen ist) enthält, auf be- erfolgt. Im allgemeinen kann der Streckungsgrad an

kannte Weise in einen dünnen Film einer Stärke von diesem Punkt innerhalb ziemlich weiter Grenzen

etwa 0,05 bis 0,1 mm übergeführt, beispielsweise 55 variiert werden, was jeweils von der gewünschten

durch Kalandrierung oder Extrusion. Wenn dies ge- Anwendungsweise, dem jeweilig beteiligten Organo-

wünscht ist, kann der Silikonfilm auf einen film- polysiloxan-Film, vom Füller und vom Härtungsgrad

förmigen Träger aus Celluloseazetat-Papier aufgerollt abhängt.

werden oder auf diesen hergestellt werden; es kann Nach dieser Streckung wird dann, während der

auch ein anderer Träger (Unterlage) verwendet wer- 60 Streckzustand beibehalten wird, bei sehr engem

den, welcher leicht entfernbar ist. Nachdem der Film Kontakt des Doppelfilms (oder, wenn gewünscht, der

durch Kalandrieren oder Extrusion oder andere Maß- Vielzahl von sich berührenden Filmen) die endgültige

nahmen hergestellt ist, wird der Silikonkautschuk- Aushärtung entweder durch nochmaliges Erhitzen,

Film einer unvollständigen bzw. partiellen Härtung wie beispielsweise 30minutiges Erhitzen auf 175° C

ausgesetzt, beispielsweise dadurch, daß der Film 65 oder mehr, oder durch Bestrahlung mit Elektronen

10 bis 45 Sekunden auf eine Temperatur von 125 hoher Energie bewirkt. Diese Härtung bewirkt eine

bis 175° C erhitzt wird, wobei eine partielle Härtung Vernetzung des Silikonkautschuks und verursacht

des überführbaren Organopolysiloxans bewirkt wird. auch eine Bindung zwischen den einzelnen Film-

schichten, unter Entstehung eines einstückigen Films, bei dem die einzelnen Filmelemente sehr eng und fest miteinander verbunden sind. Gleichzeitig wird die Wahrscheinlichkeit, daß unentdeckte feine Löcher in der Filmkomposition vorhanden sind, auf ein Mindestmaß reduziert, da die Wahrscheinlichkeit, daß ein feines Loch in einem Film genau über einem anderen feinen Loch im benachbarten Film liegt, äußerst gering ist.

Die oben beschriebene gehärtete Filmkomposition von sehr reduzierter Dicke, welche im wesentlichen keinerlei Porosität aufweist, kann nun als Membran mit selektiver Permeabilität benutzt werden.

Im einzelnen zeigen die F i g. 1 bis 5 einen gefüllten Silikonkautschuk-Film 1, der einen Härtungsbeschleuniger aufweist, ferner eine Unterlage 2, wobei eine Abwicklung von einer Walze 3 zusammen mit der Unterlage (die beispielsweise aus Celluloseazetat bestehen kann) unter anschließendem Aufwickeln auf eine weitere Walze 3' erfolgt. Der Silikonkautschuk- *° Film ist vorher durch Kalandrieren oder andere Maßnahmen hergestellt und, wie oben angegeben, einer teilweisen (partiellen) Hitzehärtung unterworfen worden. Jedes gegebenenfalls im kalandrierten Film vorhandene feine Loch 4 kann, wie oben beschrieben, mit Pflästerchen aus dem gleichen Material ausgebessert werden, aus welchem der Film selbst hergestellt wurde. Die Pflästerchen haften leicht auf dem Basisfilm, der sich noch im ungehärteten oder nicht vollständig ausgehärteten Zustand befindet, so daß eine genügende Haftfestigkeit schon allein dadurch erreicht wird, daß man das Pflästerchen in enge Berührung mit dem Film bringt.

F i g. 2 zeigt einen Abschnitt zweier Filme 1 und V, welche vor der Bewirkung einer gegenseitigen Berührung übereinandergelegt werden; das wünschenswerte Nichtvorhandensein einer Koinzidenz der Löcher in den Filmen ist in dieser Figur dargestellt.

Sodann werden, wie in F i g. 3 dargestellt ist, die beiden Filme 1 und 1' (in einer oder in beiden Richtungen) um einen Betrag von etwa 25 bis 500 % gestreckt und in diesem gestreckten Zustand mit Hilfe eines Rahmens 5 sowie von Festhalteschrauben 6 zusammengeklemmt. Der Rahmen wiederum wird durch Klammern 7 (von denen nur eine gezeigt ist) an einen Evakuierapparat 8 befestigt, wie dies in F i g. 4 dargestellt ist, wobei die beiden Filme, welche von einem porösen Schirm 9 unterstützt sind, gezwungen werden, über ihren gesamten Bereich hinweg in sehr engem Kontakt zu treten, was dadurch geschieht, daß die Luft, die sich noch zwischen den Filmen befindet, durch Anlegen eines Vakuums, welches durch den vorerwähnten Evakuierapparat geschaffen wird, unterhalb der Filme entfernt wird. Die Zwei-Film-Schichtplatte 10 wird sodann im gestreckten, eingeklemmten Zustand gehärtet, wie dies durch F i g. 5 symbolisiert ist, und zwar beispielsweise durch Erhitzen auf Temperaturen von etwa 150 bis 250° C innerhalb von Zeitspannen, die im Bereich von etwa 2 Minuten oder 2 Stunden oder darüber liegen können, wobei eine gehärtete und gestreckte dünne Gummischichtplatte erhalten wird, welche in dieser Form als Membran mit selektiver Permeabilität verwendbar ist.

In F i g. 6 ist ein kontinuierliches Verfahren zur Herstellung der Doppelfilm-Zubereitung dargestellt, wobei diese auf einer Seite durch eine poröse Unterlagenschicht, beispielsweise aus Tuch oder Papier, gestützt ist. Im einzelnen ist dargestellt, wie ein kalandrierter, unvollständig ausgehärteter Silikonkautschuk-Film 1 (der etwa 0,05 bis 0,5 mm dick ist) zusammen mit einer Unterlage 2 (z. B. aus Celluloseazetat) von einer Walze 3 abgewickelt wird. In dem Maße, wie der kalandrierte Silikonkautschuk-Film abgewickelt wird, wird die Unterlage (die zur Herstellung des kalandrierten Silikonkautschuk-Films benutzt wurde) mit Hilfe einer Walze 3' entfernt, so daß lediglich der Silikonkautschuk-Film seinen Weg über eine Walze 11 fortsetzt. Gleichzeitig trifft ein anderer unvollständig gehärteter Silikonkautschuk-Film 1' den Film 1, und zwar beim Lauf über die Walze 11. Bevor die Walze 11 erreicht wird, bei der die beiden Filme übereinandergelegt und vereint werden, können gegebenenfalls vorhandene kleine Löcher 4, welche in den Einzelfilmen vorhanden sein können, in der oben beschriebenen Weise mit einem Pflästerchen abgedeckt werden.

Sodann wird die Filmpaar-Komposition, die aus den Filmen 1 und 1', welche miteinander in Berührung liegen, besteht, über Streckwalzen 12 geführt und sodann über eine perforierte Trommel 13, welche an einen Evakuierapparat 14 angeschlossen ist, wodurch bewirkt wird, daß die Filme eng aneinandergedrückt werden. Eine Heizung 15 ist dabei über den sich in Kontakt befindenden Filmen angeordnet, um eine partielle Härtung der Filme und die Bindung zwischen den einzelnen Filmschichten und zwischen den Filmschichten und jedem gegebenenfalls vorhandenen porösen Stützmaterial zu bewirken. Diese erste partielle Härtung und Bindung kann ferner durch Mittel bewirkt werden, welche eine Strahlung hoher Energie verursachen, beispielsweise eine Elektronenstrahlung hoher Energie, wobei diese genau an der Stelle des Heizelements 15 einwirkt. Sodann wird die Filmkomposition dadurch einer endgültigen und vollständigen Härtung unterworfen, daß sie unterhalb einer Heizung 16 hindurchgeführt wird, unter anschließendem Aufrollen auf eine Walze 10'. Zu dem Zeitpunkt, an dem die beiden Silikonkautschuk-Filme über die perforierte Trommel 13 laufen, kann eine poröse Unterlage 17 (die beispielsweise aus Papier oder Tuch besteht) eingeführt werden. Vorher kann die Adhäsion dieser porösen Unterlage dadurch verbessert werden, daß etwas Silikonlack aus einem Tank 18 mittels einer Überzugswalze 19 auf die Oberfläche der Unterlage aufgebracht wird, um die Bindung zwischen der Unterlage 17 und der Filmkomposition zu verbessern, wobei an der Kante ein Zement 20 (z. B. eine ungehärtete Dispersion eines Silikonkautschuks, welche einen Härtebeschleuniger enthält) verwendet wird, um eine zusätzliche Bindung an der Kante (bzw. den Kanten) des Silikonfilms zu bewirken.

An Stelle einer Unterstützung des Silikonkautschuk-Films an nur einer Seite kann auch, wie in F i g. 7 dargestellt ist, an beiden Seiten eine poröse Unterlage vorgesehen sein. So kann, wenn der Film die perforierte Trommel 13 verläßt, eine andere poröse Unterlage 21 über eine Walze 22 eingeführt werden, so daß jetzt auf beiden Seiten der Silikonkautschuk-Film-Komposition ein Stützfilm vorhanden ist; dabei kann derselbe Lack und Kleber verwendet werden, der bereits oben erwähnt wurde. Der zuletzt aufgebrachte Stützfilm wird in seiner Lage gesichert und die gesamte Anordnung durch Hindurchführen der Filmzubereitung und der Stützunterlagen über eine er-

'hitzte Walze 23 gehärtet, wobei ein endloser Riemen 24 dazu dient, den gestützten Film auf die erhitzte Walze zu pressen, bevor die Aufwicklung in der endgültigen Form auf eine Walze 25 erfolgt. -Diese eben beschriebene Ausbildung bzw. Anordnung, welche -bis zur perforierten Trommel 13 in Fig. 6 gezeigt ist, hat als Teil-der Gesamtanordnung gemäß ¹F i g. 7 zu gelten.

Dünne Filme aus Silikonkautschuk, wie sie hier beschrieben sind, sind insbesondere bei solchen industriellen Atiwendungsweisen brauchbar, bei denen es darauf ankommt, -eine Konzentration an Kohlendioxydgas aus Gasen zu bewirken, welche dieses enthalten und von Xenon und Krypton getrennt werden soll. Ferner 'können diese Filme auch als Mittel zur Erhöhung des Sauerstdffgehälts -der Luft in Sauerstoffzelten benutzt 'werden, welche bei der 'Behandlung von Herzkranken zur Verbesserung der Lüftbeschaffenheit in der Umgebung des Patienten-dienen. Durch bestimmte Anordnungen kann dies ^;aof einer -20 wenig kostspieligen ^ontinuieflicheii «Basis ausgeführt •werden, wobei in vielen Fällen ein angenehmeres Arbeiten möglich ist, als dies 'bisher 'bei Verwendung von Flaschensauerstoff der -Fall war.

Die Silikon-Membranen mit selektiver TPermeäbili- «5 tat, die hier beschrieben-sind, können auch als Mittel zur Reinigung von Luft eingesetzt werden, die toxische oder radioakfive Materialien jenthält. So kann eine luftdichte Maske hergestellt werden, welche von Einzelpersonen verwendet wird, die mit einem Behalter verbunden ist, der einige Quadratmeter eines dünnen Silikonkautschuk-Films einer Dicke von etwa 0,0025 bis 0,025 mm enthält. Dieser Film ist dabei so angeordnet, daß die Luft, die eine Person einatmet, sich auf der einen Seite des Films befindet, -35 während an der anderen, äußeren Seite des Films die verunreinigte Luft vorhanden ist. Durch die Kontraktion und Expandierung wird die Atemluft hinter dem permeablen Film zur Zirkulation gebracht. Durch die regelmäßige Bewegung der -Ausatmungsluft ^;ist es möglich, eine Inhalierung von Luft zu bewirken, deren Sauerstoffgehalt -etwas angereichert ist, welche jedoch eine wesentlich reduzierte Kohlendioxid- und Wasserdampfkonzentration aufweist und welche vollständig frei ist von den jeweiligen toxischen oder 'radioaktiven Stoffen, weiche in der Außenluft vorhanden sind. Eine ähnliche Anwendungsweise der selektiv ;permeablen ■Silikon-Membranen ^erfolgt foei Schutzräumen gegen -radioaktive Niederschläge, wobei -die verunreinigte Außeriluft ;beim Hmdurchgamg durch die Silikonkaütschuk-Meiäbran die LuftveruniEeiriigungsstöffe verliert und gereinigte JLnft, welche •eine erhöhte.Sauerstöfikanzentratian-aufweist, in jden Schutzraum gegen ^radioaktive {Niederschläge einströmt.

-Eine der wichtigsten Ajiweiidungsweisen für die SilikonkautschufeMernbranen mit selektiver Permeabilität !besteht darin, daß cdiese:zor Extraktron von Luft -aus Wasser "verwendbar .sind. -Diese spezielle -Möglichkeit .zur Schaffung "von Luft äst insbesondere !bezüglich Atemluft in "Xflnterwasserfabizeugen anwendbar, welche .unbestimmte Zeitspannen lang unter Wasser 'bleiben.

Claims

Patentanspruch:

Verfahren zum Herstellen einer dünnen -Gummischichtplätte aus Qrganopolysiloxan-Kautschuk, :bei dem die Schichten zur Verringerung ihrer Dicke gestreckt und in diesem Zustand miteinander unter Vulkanisation verbunden werden, dadurch gekemn-zeicähnet, daß die :Schichten vor idem Strecken vorvulkamsiert werden.

In üetracht 'gezogene .Druckschriften: USA-Patentschriften Nr. 2305-853, 2415 028.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

809 638/1594 11.68 © Bundesdruckerei Berlin