DE1282614B - Verfahren zum AEndern der Konzentration eines Fremdstoffes in einem Halbleiterkoerper - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

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DEUTSCHES M)9®& PATENTAMT Int. α.:

AUSLEGESCHRIFT

BOIj

Deutsche Kl.: 12 g-17/34

Nummer: 1 282 614

Aktenzeichen: P 12 82 614.1-43 (N 25407)

Anmeldetag: 22. August 1964

Auslegetag: 14. November 1968

Zum Reinigen eines Halbleiterkörpers sind verschiedene Verfahren bekannt. Oft wird zu diesem Zweck das Zonenschmelzen verwendet. Dieses Verfahren hat unter anderem den Nachteil, daß verunreinigende Fremdstoffe mit einem Segregationskoeffizienten etwa gleich 1 schwer oder nicht aus dem Halbleiterkörper entfernt werden können.

Es ist auch bereits bekannt, einen Halbleiterkörper dadurch zu reinigen, daß eine elektrische Spannung an den Körper angelegt und der Halbleiterkörper ίο zugleich erwärmt wird. Infolge des dabei im Halbleiterkörper erzeugten elektrischen Feldes diffundieren die verunreinigenden Fremdstoffbestandteile an das eine Ende des Halbleiterkörpers, wodurch dieser gereinigt wird. Die Segregationskonstante der Fremdstoffbestandteile ist bei diesem Verfahren von keiner Bedeutung. Es entsteht jedoch dabei ein Gleichgewichtszustand, in dem die Diffusion der Fremdstoffbestandteile in die eine Richtung infolge des elektrischen Feldes durch die Diffusion der Fremdstoffbestandteile in entgegengesetzter Richtung infolge des Gradienten in der Konzentration der Fremdstoffbestandteile ausgeglichen wird, wodurch endgültig im gereinigten Halbleiterkörper ein Gradient in der Konzentration der Fremdstoffbestandteile bestehenbleibt und man keinen homogen gereinigten Halbleiterkörper erhält.

Zum Vergrößern der Konzentration an Fremdstoffbestandteilen in einem Halbleiterkörper werden gewöhnlich Diffusionsverfahren angewendet, bei denen z. B. Fremdstoffe aus der Gasphase oder aus einer auf dem Halbleiterkörper angebrachten Menge Material, das die gewünschten Fremdstoffe enthält, in den Halbleiterkörper diffundieren. Es ist jedoch schwierig, bei diesen bekannten Verfahren eine genau definierte Fremdstoffmenge in den Halbleiterkörper zu diffundieren.

Es wird bemerkt, daß hier unter »Fremdstoffe« die in einem Halbleiterkörper vorhandenen oder in einen Halbleiterkörper einzubringenden Stoffe zu verstehen sind, die aus einem Element bestehen, das nicht zugleich einen zusammensetzenden Bestandteil des Halbleitermaterials selbst bildet, aus dem der Halbleiterkörper besteht.

Bei einem Verfahren zum Ändern der Konzentration eines in einem Halbleiterkörper beweglichen elementaren Fremdstoffes in diesem Halbleiterkörper können die Nachteile der bekannten Verfahren verringert und auf einfache Weise eine genau definierte Fremdstoffmenge in einen Halbleiterkörper eindiffundiert werden, wenn erfindungsgemäß der Halbleiterkörper in eine elektrochemische Feststoffkette Verfahren zum Ändern der Konzentration eines
Fremdstoffes in einem Halbleiterkörper

Anmelder:

N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven

(Niederlande)

Vertreter:

Dipl.-Ing. E. E. Walther, Patentanwalt,

2000 Hamburg 1, Mönckebergstr. 7

Als Erfinder benannt:

Kurt Walter Weiss, Emmasingel (Niederlande)

Beanspruchte Priorität:

Niederlande vom 27. August 1963 (297 199) -

der Form I.E./H.K./I.L./Me aufgenommen wird, deren Einzelteile aneinandergelegt und zusammengedrückt werden, wobei

H. K. der Halbleiterkörper ist,

I. L. eine ionenleitende Verbindung von Typ MeX ist, in der die Ionenleitung größer, vorzugsweise wenigstens tausendmal größer als die Elektronenleitung ist, die den Fremdstoff aufnehmen kann und deren Ionenleitung sich bei einer Aufnahme des Fremdstoffes aus dem Halbleiterkörper im wesentlichen nicht ändert,

Me eine Metallelektrode ist, die aus dem Metall Me der ionenleitenden Verbindung besteht, und

I.E. eine inerte Elektrode ist, die weder die betreffenden Fremdstoffbestandteile noch eine Komponente der ionenleitenden Verbindungen liefern kann,

wenn die Feststoffkette durch eine äußere Verbindung zwischen den Elektroden zu einem Stromkreis geschlossen wird und wenn in die äußere Verbindung eine Spannungsquelle eingeschaltet wird, deren Spannung größer als die EMK der Feststoffkette ist, wenn die Fremdstoffkonzentration verringert und kleiner als die EMK oder gleich Null ist, wenn die Fremdstoffkonzentration vergrößert werden soll, wobei die Spannung jeweils kleiner als die Zersetzungsspannung für die ionenleitende Verbindung ist und der EMK der Feststoffkette entgegengerichtet ist.

Der Ionenleiter kann aus einer ionenleitenden Verbindung vom Typ MeX oder z. B. aus einem Misch-

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kristall von zwei oder mehreren ionenleitenden Verbindungen vom Typ MeX bestehen.

Eine wichtige Ausgestaltung des Verfahrens nach der Erfindung, die ein Verringern der Fremdstoffkonzentration im Halbleiterkörper ermöglicht, ist dadurch gekennzeichnet, daß eine ionenleitende Verbindung verwendet wird, deren eine Komponente, die infolge der angelegten Spannung die Neigung aufweist, in den Halbleiterkörper einzudiffundieren, in

Dieser Zusammenhang kann experimentell bestimmt und auch theoretisch abgeleitet werden. Wenn dieser Zusammenhang einmal bestimmt ist, so kann man einen Halbleiterkörper mit einer gewünschten Fremd-5 Stoffkonzentration dadurch dotieren, daß man den Strom durch die elektrochemische Kette unterbricht, wenn die der gewünschten Konzentration zugehörige elektromotorische Kraft erreicht ist, oder daß man verhindert, daß während des Stromdurchganges

erläutert.

F i g. 1 und 2 zeigen schematisch bei einem Verfahren nach der Erfindung verwendete elektro

den! Halbleiterkörper und/oder in der ionenleitenden io durch die elektrochemische Kette die Spannung an Verbindung einen Difüusionskoeffizienten aufweist, der elektrochemischen Kette weiter als bis zu der der klein gegenüber dem Diffusionskoeffizienten des Spannung abnehmen kann, die der gewünschten Fremdstoffes im Halbleiterkörper ist. elektromotorischen Kraft entspricht. Letzteres kann

Vorzugsweise wird eine ionenleitende Verbindung auf einfache Weise mittels der in die äußere elekverwendet, deren andere Komponente aus dem glei- 15 irische Verbindung aufgenommenen Spannungsquelle chen Element wie der Fremdstoff besteht. erreicht werden.

Eine weitere wichtige Ausgestaltung des Ver- In den Fallen, in denen man die Diffusion der

fahrens nach der Erfindung, die eine Vergrößerung Fremdstoffbestandteile zeitweilig zu beschleunigen der Fremdstoffkonzentration im Halbleiterkörper er- wünscht, kann man vorteilhaft in die äußere elekmöglicht, ist dadurch gekennzeichnet, daß eine ao irische Verbindung wenigstens zeitweilig eine Spanionenleitende Verbindung verwendet wird, deren nung einschalten, durch die die Diffusion von Ionen eine Komponente im Halbleiterkörper löslich ist. aus dem Ionenleiter in den Halbleiterkörper gefördert Dabei wird eine äußere elektrische Verbindung ohne wird.

eingeschaltete Spannung zwischen der inerten Elek- Die Diffusion von Fremdstoffbestandteilen in den

trode und der Metallelektrode der Feststoffkette ge- 25 Halbleiterkörper kann in vielen Fällen dadurch beschaffen. Es fließt dann ein elektrischer Strom durch schleunigt werden, daß der Halbleiterkörper erwärmt den Kreis, und Ionen, die aus der genannten Korn- wird. Auch die Ionenleitung im Ionenleiter kann in ponente bestehen, diffundieren aus dem Ionenleiter vielen Fällen durch Erwärmen des Ionenleiters verin den Halbleiterkörper hinein. Die äußere elektrische größert werden.

Verbindung kann ein elektrischer Kurzschluß zwi- 30 Die Erfindung wird nachstehend an Hand einiger sehen den genannten Elektroden sein. Dadurch, daß Ausführungsbeispiele und der Zeichnung näher man die einen Querschnitt der Kette durchfließende
Gesamtladung mißt, kann man die in den Halbleiterkörper eindiffundierte Fremdstoffmenge genau

bestimmen, da der Ladungstransport durch Ionen 35 chemische Ketten mit einer äußeren elektrischen stattfindet, die im Halbleiterkörper die gewünschten Verbindung zwischen ihren Elektroden. Fremdstoffbestandteile bilden. Wünscht man, daß In F i g. 1 ist die elektrochemische Feststoffkette

eine bestimmte Fremdstoffmenge in den Halbleiter- mit 1, die inerte Elektrode mit Z₁ der Halbleiterkörper eindiffundiert, so berechnet man die Gesamt- körper mit 3, der Ionenleiter mit 4 und die Metallladung, die diese Fremdstoffmenge in Form von 40 elektrode mit 5 bezeichnet. Ionen transportieren kann, und unterbricht den

Strom durch die elektrochemische Kette in dem Beispiel 1

Augenblick, in dem die Gesamtladung, die einen

Querschnitt der Kette durchflossen hat, gleich der Der Halbleiterkörper, der die Abmessungen von

berechneten Ladung, ist. Die einen Querschnitt eines 45 1 · 1 · 1 cm hat, besteht aus Wismuttellurid (Bi₂Te₃), Leiters durchfließende Ladung kann man auf übliche das eine Konzentration von 3 · 10¹⁸ Silberatome/cm³ Weise aus der Stromstärke und der Zeit, während aufweist. Diese Konzentration an Silber soll verweicher der Strom fließt, bestimmen. ringert werden. Zu diesem Zweck wird mittels der

Vorzugsweise wird in die äußere elektrische Ver- Spannungsquelle 6 eine äußere Spannung an die bindung ein elektrischer Widerstand geschaltet. Hier- 50 elektrochemische Kette 1 angelegt, wobei die durch wird der Strom durch die Kette begrenzt, Me-Elektrode 5 eine negative Spannung gegenüber wodurch der Ionentransport und damit der Ladungs- der inerten Elektrode 2 erhält und das Silber in Form transport langsamer vor sich geht und man genauer von Ionen mit einer positiven Ladung unter Einfluß den Zeitpunkt bestimmen kann, in dem der ge- der angelegten Spannung aus dem Halbleiterkörper wünschte Gesamtladungstransport stattgefunden hat. 55 in den Ionenleiter 4 eindiffundiert.

Bevor die äußere elektrische Verbindung zwischen Dabei besteht der Ionenleiter 4 aus einem Silber-

der inerten Elektrode und der Metallelektrode ge- jodidkörper, mit Abmessungen von 1 · 1 · 1 cm, und schaffen wird, weist die elektrochemische Feststoff- die Elektrode 5 aus einer Silberbüchse. Zu der Ionenkette eine elektromotorische Kraft auf. Durch die leitung in Silberjodid tragen im wesentlichen die Erhöhung der Fremdstoffkonzentration im Halb- 60 Silberionen bei, während die Jodionen schwer in den leiterkörper, die entsteht, wenn die äußere elektrische Halbleiterkörper 3 aus Wismuttellurid eindiffundieren. Verbindung zwischen den Elektroden der elektro- Die inerte Elektrode 2 besteht aus sehr reinem

chemischen Kette geschaffen ist und Strom die Kette Graphit.

durchfließt, verringert sich die elektromotorische Die Elektroden 2 und 5, der Halbleiterkörper 3

Kraft der Kette. Es hat sich nämlich herausgestellt, 65 und der Ionenleiter 4 werden durch einen leichten daß zwischen der Fremdstoffkonzentration im Halb- Federdruck gegeneinandergedrückt und in der Umleiterkörper und der elektromotorischen Kraft der gebung der elektrochemischen Feststoffkette 1 eine elektrochemischen Kette ein Zusammenhang besteht. Stickstoffatmosphäre aufrechterhalten.

5 6

Aus der Spanniingsquelle 6 wird eine Spannung von dung 15 zwischen der inerten Elektrode 11 und der

0,4 Volt an den Kreis 1 gelegt und der Kreis auf etwa Metallelektrode 14 der elektrochemischen Kette 10

350° C gehalten. geschaffen, wodurch ein elektrischer Strom den

Nach etwa 24 Stunden hat die Silberkonzentration Kreis 10 durchfließt und Ionen aus dem Ionenleiter im Halbleiterkörper 3 von etwa 3 · 10¹⁸ Silber- 5 13 in den Halbleiterkörper 12 eindiffundieren.

atome/cm⁸ auf etwa 3 · 10¹⁷ Silberatome/cm³ abge- Der Halbleiterkörper 12 besteht aus einem Ger-

nommen. maniumkörper von etwa 1-1-1 cm, in den Kupfer

Wenn man eine Spannung von 0,5 V an den einzudiffundieren ist. Der Ionenleiter 13 besteht aus

Kreis 1 anlegt, so hat nach etwa 24 Stunden die einem Kupferjodidkörper von 1 · 1 ■ 1 cm.

Konzentration an Silberatome auf etwa 4 · 10¹⁽ⁱ Silber- io Die äußere elektrische Verbindung 15 bildet im

atome/cm³ abgenommen. wesentlichen einen Kurzschluß zwischen den Elek-

Im Halbleiterkörper 3 aus Wismuttellurid ist nach troden 11 und 14, von denen die Elektrode 11 aus

der Reinigung kein Gradient in der Silberkonzentra- Graphit und die Elektrode 14 aus Kupfer besteht,

tion nachweisbar; der Halbleiterkörper 3 ist damit im Die Teile 11,12,13 und 14 des Kreises 10 werden

wesentlichen homogen gereinigt. 15 wieder durch einen leichten Federdruck gegeneinander

Wird die Spannung am Kreis 1 langer als gehalten; in der Umgebung des Kreises wird eine

24 Stunden aufrechterhalten, ist keine weitere Reini- Stickstoffatmosphäre aufrechterhalten und der Kreis

gung des Wismuttelluridkörpers 3 mehr feststellbar. auf etwa 400° C gehalten.

Bereits beim Zusammensetzen der elektro- Den Kreis 10 durchfließt dann ein Strom von etwa chemischen Kette 1, ehe eine äußere elektrische Ver- 20 1 μΑ. Will man im Germaniumkörper 12 eine Konbindung zwischen den Elektroden 2 und 5 angelegt zentration von z. B. 10¹⁴ Kupferatome/cm³ erhalten, wird, weist die Kette 1 eine innere elektromotorische so muß, da der Germaniumkörper einen Rauminhalt Kraft auf. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel von 1 cm³ hat, etwa 10¹⁴ A/6 · 10²³ g Kupfer in den betrug diese innere elektromotorische Kraft etwa Germaniumkörper eindiffundieren. A ist das Atom-0,3 Volt. 25 gewicht der einzudiffundierenden Fremdstoffbestand-

Der Ionenleiter 4 kann auch aus Silberchlorid oder teile, das für Kupfer 25 beträgt, und 6 · 10^2:j ist die

aus Silberbromid bestehen. Avogadrosche Zahl.

Auch ist es möglich, als Ionenleiter Bleijodid zu Die Zeit, während welcher der Strom von 1 μΑ

verwenden. Bleijodid selbst enthält kein Silber, aber den Kreis 10 durchfließen muß, ist mittels der Formel

kann dieses aufnehmen, ohne daß dabei seine Ionen- 30 q=₇ . i. t. AIF (1)

leitung sich störend ändert. In diesem Fall ist es ** ^ '

jedoch möglich, daß ein wenig Blei in den Halbleiter- zu berechnen, in welcher Formel G das Gewicht der

körper aus Wismuttellurid eindiffundiert, abhängig einzudiffundierenden Fremdstoffbestandteile, ζ die

von der angelegten Spannung und der sich ergeben- Wertigkeit dieser Bestandteile (für Kupfer ζ — 1),

den Konzentration an Silberverunreinigungen im 35 / der Strom durch die elektrochemische Kette, t die

Halbleiterkörper. Da Blei in Wismuttellurid sich wie Zeit, während welcher der Strom fließt, und F die

ein neutraler Fremdstoff benimmt, d.h. im wesent- Faradaykonstante (= 96 500 Coulomb) ist.

liehen keine Donator- oder Akzeptoreigenschaften Für das vorliegende Ausführungsbeispiel kann

hat, stört dies gewöhnlich nicht, zumal Blei sehr man auf diese Weise berechnen, daß man, um eine

langsam in Wismuttellurid diffundiert, so daß nur 40 Konzentration von 10¹⁴ Kupferatome/cm³ im Ger-

sehr wenig Blei eindiffundiert. maniumkörper 12 zu erhalten, den Strom von 1 μΑ

Der Ionenleiter 4 kann auch ein Mischkristall aus durch die Kette 10 nach etwa 17 Sekunden unter-

Silberjodid und Bleijodid sein. brechen muß.

. · 1 9 Mittels der Formel (1) kann man auch die Elek-

Beispiel l 45 trizitätsmenge i · i, die den Kreis 10 durchfließen

Zum Eindiffundieren verschiedener Arten von muß, berechnen.

Fremdstoffbestandteilen gleichzeitig aus einem Halb- In die äußere elektrische Verbindung 15 ist ein

leiterkörper in einen Ionenleiter wird ein Kupfer- elektrisches Widerstandselement 16 aufgenommen,

und Silberverunreinigungen enthaltender Germanium- durch welches der Strom i durch die Kette verkleinert

körper in eine elektrochemische Feststoff kette auf- 50 und die Zeit t, während welcher der Strom / fließen

genommen, wobei die inerte Elektrode aus Graphit, muß, um die gewünschte Wirkung zu erreichen,

der Ionenleiter aus Kupferjodid und die Me-Elektrode proportional vergrößert wird. Hierdurch wird er-

aus Kupfer bestehen. Der zu reinigende Germanium- reicht, daß eine kleine Abweichung im Zeitpunkt, in

körper kann hierbei so viel Kupfer enthalten, daß dem der Strom durch den Kreis 10 unterbrochen

örtlich Kupferansammlungen, »Kupferinseln«, im 55 wird, das Ergebnis des Verfahrens weniger beeinflußt.

Germaniumkörper vorhanden sind. . .

Während der Reinigung diffundiert neben Silber Beispiel 4

das Kupfer aus dem Germanium in das Kupferjodid. Die Schwierigkeit, den Strom durch die Kette 10

Es wird dann Kupfer nachgeliefert, indem es aus im richtigen Zeitpunkt zu unterbrechen, und Schwie-

den Kupferinseln in das umgebende Germanium 60 rigkeiten beim Bestimmen der die Kette durchflos-

diffundiert. Auf diese Weise kann man die Kupfer- senen Gesamtladung, die durch das Auftreten eines

konzentration im Germaniumkörper bis auf etwa sich ändernden Raumladungsgebietes an der Grenz-

10¹⁰ Kupferatome/cm³ verringern. fläche Halbleiter/Ionenleiter entstehen können, kön-

. -ίο ^nen dadurch beseitigt werden, daß in die äußere elek-

Beisp 65 trische Verbindung 15 eine Spannungsquelle aufge-

Zur Vergrößerung der Fremdstoffkonzentration im nommen wird, die eine Spannung zwischen den Elek-

Halbleiterkörper 12 (s. F i g. 2) wird ein Ionenleiter troden 11 und 14 aufrechterhält, die kleiner als die

13 verwendet und eine äußere elektrische Verbin- an der elektrochemischen Kette 10 auftretende innere

elektromotorische !Craft in dem Zeitpunkt ist, bevor die äußere elektrische Verbindung 15 zwischen den Elektroden 11 und 14 geschaffen wird. Dadurch kann, nachdem die Verbindung 15 geschaffen ist, die innere elektromotorische Kraft der Kette 10 nicht weiter als bis zur genannten Spannung abnehmen.

Hierzu wird der nach Beispiel 1 gereinigte Wismuttelluridkörper als'Halbleiterkörper verwendet. Nach der Reinigung bei einer Spannung von 0,5 Volt hatte er eine Konzentration von etwa 4 · 10¹⁶ Silberatome/ cm³. Ohne Spannungsquelle weist die Kette 1 (F i g. 1) eine innere elektromotorische Kraft von etwa 0,5 Volt auf.

Wird jetzt eine Spannungsquelle 6 mit einer Spannung von 0,4 Volt zwischen die Elektroden 2 und 5 eingeschaltet, wobei die Elektrode 2 wieder mit der positiven Elektrode der Spannungsquelle 6 verbunden wird, so wird im Wismuttelluridkörper 3 die Konzentration von etwa 3 · 10¹⁷ Silberatome/cm³ erreicht, wobei die eigene elektromotorische Kraft der Kette 1 bis auf etwa 0,4 Volt abnimmt.

Beträgt die Spannung zwischen den Elektroden der Batterie 6 0,3 Volt, so erhält der Wismuttelluridkörper 3 seine ursprüngliche Konzentration an Silberatomen (etwa 3 · 10*⁸ Silberatome/cm³), während die innere elektromotorische Kraft der Kette 1 bis auf etwa 0,3 Volt abnimmt.

Man braucht dabei nur zu warten, bis der Strom durch die Kette stationär geworden ist (der Strom wird dann nicht mehr durch Ionen, sondern im wesentlichen ganz durch Elektronen getragen), worauf man den Halbleiterkörper 3 mit der erhöhten Konzentration an Silberverunreinigungen aus dem Kreis 1 entfernen kann.

Claims (5)

Patentansprüche: 35

1. Verfahren zum Ändern der Konzentration einem in einem Halbleiterkörper beweglichen elementaren Fremdstoffes in diesem Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper in eine elektrochemische Feststoffkette der Form I. E./H. K./I. L./Me aufgenommen wird, deren Einzelteile aneinandergelegt und zusammengedrückt werden, wobei

45 H. K. der Halbleiterkörper ist,

I. L. eine ionenleitende Verbindung vom Typ MeX ist, in der die Ionenleitung größer, vorzugsweise wenigstens tausendmal größer als die Elektronenleitung ist, die den Fremdstoff aufnehmen kann und deren Ionenleitung sich bei einer Aufnahme des Fremdstoffes aus dem Halbleiterkörper im wesentlichen nicht ändert,
Me eine Metallelektrode ist, die aus dem Metall Me der ionenleitenden Verbindung besteht, und

I.E. eine inerte Elektrode ist, die weder die betreffenden Fremdstoffbestandteile noch eine Komponente der ionenleitenden Verbindungen liefern kann,

daß die Feststoffkette durch eine äußere Verbindung zwischen den Elektroden zu einem Stromkreis geschlossen wird und daß in die äußere Verbindung eine Spannungsquelle eingeschaltet wird, deren Spannung größer als die EMK der Feststoffkette ist, wenn die Fremdstoffkonzentration verringert und kleiner als die EMK oder gleich Null ist, wenn die Fremdstoffkonzentration vergrößert werden soll, wobei die Spannung jeweils kleiner als die Zersetzungsspannung für die ionenleitende Verbindung ist und der EMK der Feststoffkette entgegengerichtet ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1 zum Verringern der Fremdstoffkonzentration in dem Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß eine ionenleitende Verbindung verwendet wird, deren eine Komponente, die infolge der angelegten Spannung die Neigung aufweist, in den Halbleiterkörper einzudiffundieren, in dem Halbleiterkörper und/oder in der ionenleitenden Verbindung einen Diffusionskoeffizienten aufweist, der klein gegenüber dem Diffusionskoeffizienten des Fremdstoffes im Halbleiterkörper ist.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine ionenleitende Verbindung verwendet wird, deren andere Komponente aus dem gleichen Element wie der Fremdstoff besteht.

4. Verfahren nach Anspruch 1 zum Vergrößern der Fremdstoffkonzentration im Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß eine ionenleitende Verbindung verwendet wird, deren eine Komponente im Halbleiterkörper löslich ist.

5. Verfahren nach Anspruch 1 zum Vergrößern der Fremdstoffkonzentration im Halbleiterkörper, dadurch gekennzeichnet, daß in die äußere elektrische Verbindung ein elektrischer Widerstand geschaltet wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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