DE1273497B - Verfahren zum Aufbringen von extrem duennen, homogenen Metallschichten auf die Oberflaeche von Halbleiterkristallen - Google Patents

Verfahren zum Aufbringen von extrem duennen, homogenen Metallschichten auf die Oberflaeche von Halbleiterkristallen

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DE1273497B DES67416A DES0067416A DE1273497B DE 1273497 B DE1273497 B DE 1273497B DE S67416 A DES67416 A DE S67416A DE S0067416 A DES0067416 A DE S0067416A DE 1273497 B DE1273497 B DE 1273497B
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/04—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion materials in the liquid state
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US2802759A (en) * 1955-06-28 1957-08-13 Hughes Aircraft Co Method for producing evaporation fused junction semiconductor devices

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US2802759A (en) * 1955-06-28 1957-08-13 Hughes Aircraft Co Method for producing evaporation fused junction semiconductor devices

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