DE1253309B

DE1253309B - Schaltungsanordnung mit mindestens einem Magnetspeicherkern

Info

Publication number: DE1253309B
Application number: DE1962S0079697
Authority: DE
Inventors: Dipl-Ing Dr Abutorab Bayati; Dipl-Ing Frieder Heintz; Dipl-Ing Heinrich Hoenerloh; Dipl-Ing Hans Lenhardt
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1962-05-30
Filing date: 1962-05-30
Publication date: 1967-11-02

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

PATENTSCHRIFT

Int. Cl.: .

GlIc

Deutsche Kl.: 21 al - 37/06

Nummer:

Aktenzeichen:

Anmeldetag:

S79697IXc/21al
30. Mai 1962
2. November 1967
27 Juni 1968

Auslegetag:
Ausgabetag:
Patentschrift stimmt mit der Auslegeschrift überein

Es sind verschiedenartige Schaltungsanordnungen mit Magnetspeicherkernen in Form eines Ferritringes bekannt, bei denen Impulse dadurch gespeichert werden, daß die Magnetisierungsrichtung des Kernes umgekehrt wird. Bei den bekannten Anordnungen besteht der Nachteil, daß beim Feststellen der Magnetisierungsrichtung, d. h. beim Lesen der Information, das gespeicherte Signal gelöscht wird. Es wurden schon verschiedene Vorschläge zur Vermeidung dieses Nachteils gemacht. So ist es beispielsweise bekannt, die Information kurzzeitig in einen Zwischenspeicher zu speichern, um sie nachträglich wieder einzuspeichern, um den alten Stand wiederherzustellen. Es ist auch bekannt, den Ferritkern mit einer Durchbohrung nach Art eines Transfluxors zu versehen und die Information mittels eines Impulses zerstörungsfrei abzufragen. Nachteilig sind dabei die .hohen Herstellungskosten von durchbohrten Ferritkernen.

Aus der deutschen Auslegeschrift 1068 920 ist eine Speichermatrix aus Magnetkernen bekannt, bei der jeder Spalte und jeder Zeile ein Sperrschwinger zugeordnet ist, dessen Transformator ein Magnetkernmaterial mit rechteckiger Hystereseschleife aufweist. Die Wiederherstellung des Ausgangszustandes wird mittels der bei den Kernen koinzidierenden Rückstellimpulse der Zeilen- und Spaltensperrschwinger erreicht.

Aus der deutschen Auslegeschrift 1086 463 ist bekannt, einer Gruppe von Magnetkernen, z. B. einer Zeile, einer Matrix bistabile Kippstufen und Torschaltungen zuzuordnen und die Spalte mittels Doppelimpulsen abzufragen, wobei der zweite Impuls, der zur Wiederherstellung des Ausgangszustandes dient, auch der Leseleitung zugeführt wird.

Des weiteren ist es aus der französischen Patentschrift 1 258 868 bekannt, die Speicherkerne einer Gruppe einzeln abzufragen und deren Informationsinhalt in einem Hilfsspeicherkern kurzfristig zu speichern und dann wieder einzuspeisen. Diese bekannten Verfahren haben den Nachteil, daß mehrere Kerne gemeinsam angesteuert werden, wodurch wegen der vergrößerten Induktivität eine große Zeitkonstante wirksam wird.

In der USA.-Patentschrift 2 913 708 ist daher eine Schaltungsanordnung vorgeschlagen, bei der einem Speicherkern zwei Transistoren zugeordnet sind, in deren Kollektorkreisen je eine Kernwicklung geschaltet ist. Die beiden Transistoren bilden eine Kippstufe, die bei den zum Abfragen der im Kern gespeicherten Informationen notwendigen Ummagnetisierungen anspricht und beim Zurückkippen den

Schaltungsanordnung mit mindestens einem
Magnetspeicherkern

Patentiert für:

Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, München 2, Wittelsbacherplatz 2

Als Erfinder benannt:

Dipl.-Ing. Dr. Abutorab Bayati, Neureuth-Heide; Dipl.-Ing. Frieder Heintz,

Dipl.-Ing. Hans Lenhardt, Karlsruhe;

Dipl.-Ing. Heinrich Hönerloh, Rheinbach

Kern in den Ausgangszustand versetzt. Der wesentliche Nachteil dieser Schaltung liegt in dem großen Aufwand an Bauelementen. Mit der Erfindung wird auch dieser Nachteil umgangen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine vereinfachte Speicherschaltung zu schaffen, bei der der Informationsinhalt eines Speicherkerns beim Lesevorgang nicht verlorengeht.

Die Erfindung betrifft demgemäß eine Speicherschaltung mit mindestens einem Magnetspeicherkern, in den mittels einer Markierungswicklung eine Information durch Ummagnetisierung eingeschrieben werden kann, die mittels eines einer Abfragewicklung zugeführten Abfrageimpulses über eine Lesewicklung gelesen werden kann, wobei der Abfrageimpuls einen bereits in einer Hilfsschaltung bereitgestellten Rückspeicherimpuls auslöst.

Die Erfindung besteht darin, daß jedem Kern nur ein Transistor zugeordnet ist, dessen Basis- und Emitterelektroden über die Lesewicklung (IV) galvanisch verbunden sind, während eine zusätzliche, im Kollektorkreis liegende Kernwicklung (III) über ein i?C-Glied angeschlossen ist und daß die Wicklungen (III und IV) des Kernes und das /?C-Glied derart bemessen sind, daß der der Abfragewicklung zugeführte kurze Abfrageimpuls den normalerweise gesperrten Transistor öffnet und daß bei Wiedereintreten der Sperrung des Transistors die Aufladung des Kondensators über die Wicklung eine erneute Markierung des Kernes bewirkt.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachstehend an Hand der Zeichnung erläutert.

. . -. «09 581/50

Die Figur zeigt ein Speicherelement mit einem Ferritringkern M als Ausführungsbeispiel der Erfindung. Der Ferritringkern M ist mit vier Wicklungen versehen. Die Wicklung I stellt die Markierungswicklung dar, während der Wicklung II der Abfrage- impuls zugeführt wird. Die Wicklung IV stellt die Lesewicklung dar. Der in ihr erzeugte negative Leseimpuls öffnet den normalerweise gesperrten Transistor T. Der vorher auf die Speisespannung aufgeladene Kondensator C entlädt sich über die Wicklung III, wodurch die Durchflutung vergrößert wird und der Kern schneller in seinen gesättigten Zustand übergeführt wird. Beim Abklingen des Leseimpulses ist der Transistor T noch geöffnet; sobald der Transistor T dann wieder nichtleitend wird, lädt sich der Kondensator C über die Widerstände R und R'. Der dabei durch die Wicklung III fließende Strom führt wieder den Sättigungszustand des Kernes M herbei, d. h., der Kern wird erneut markiert.

Für die geschilderte Arbeitsweise besteht die Voraussetzung, daß der an der Wicklung II zugeführte Abfrageimpuls kürzer ist als der Ausgangsimpuls. Ein an der Wicklung II zugeführter längerer Impuls bewirkt die Löschung. Die in der Figur gezeigte Grundschaltung läßt sich zum Aufbau von Speichermatrizen verwenden. Der Kern M kann beliebig oft ohne Zerstörung seines Informationsinhaltes ausgelesen werden.

Claims

Patentansprüche:

1. Speicherschaltung mit mindestens einem Magnetspeicherkern, in den mittels einer Markierungswicklung eine Information durch Ummagnetisierung eingeschrieben werden kann, die mittels eines einer Abfragewicklung zugeführten Abfrageimpulses über eine Lesewicklung gelesen werden kann, wobei der Abfrageimpuls einen bereits in einer Hilfsschaltung bereitgestellten Rückspeicherimpuls auslöst, dadurch gekennzeichnet, daß jedem Kern (M) nur ein Transistor (T) zugeordnet ist, dessen Basis- und Emitterelektroden über die Lesewicklung (IV) galvanisch verbunden sind, während eine zusätzliche, im Kollektorkreis liegende Kernwicklung (III) über ein RC-Glied (R, R', C) angeschlossen ist und daß die Wicklungen (III, IV) des Kernes (M) und das i?C-Glied (R, R', C) derart bemessen sind, daß der der Abfragewicklung zugeführte kurze Abfrageimpuls den normalerweise gesperrten Transistor (T) öffnet und daß bei Wiedereintreten der Sperrung des Transistors (T) die Aufladung des Kondensators (C) über die Wicklung (IH) eine erneute Markierung des Kernes (M) bewirkt.

2. Speicherschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß durch einen der Abfragewicklung (II) zugeführten Impuls, der langer als die Aufladungsdauer des Kondensators (C) ist, eine Löschung bewirkt wird.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 068 920,
463;
französische Patentschrift Nr. 1 258 868.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

W» 410/284 10.(7 · BundMdruckcni BmSd