DE1235265B - Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus Schmelzen - Google Patents

Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus Schmelzen

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DE1235265B DE1962N0022191 DEN0022191A DE1235265B DE 1235265 B DE1235265 B DE 1235265B DE 1962N0022191 DE1962N0022191 DE 1962N0022191 DE N0022191 A DEN0022191 A DE N0022191A DE 1235265 B DE1235265 B DE 1235265B
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crystal
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DE1962N0022191
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German (de)
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Adolf Steinemann
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/14Heating of the melt or the crystallised materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO1997032059A1 (fr) * 1996-02-29 1997-09-04 Sumitomo Sitix Corporation Procede et appareil pour retirer un monocristal
WO2011007458A1 (ja) * 2009-07-17 2011-01-20 トヨタ自動車株式会社 SiC単結晶の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1108185B (de) * 1958-07-11 1961-06-08 Philips Nv Verfahren zum Herstellen von kristallinen Koerpern durch Ziehen aus einer Schmelze
US3002824A (en) * 1956-11-28 1961-10-03 Philips Corp Method and apparatus for the manufacture of crystalline semiconductors

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3002824A (en) * 1956-11-28 1961-10-03 Philips Corp Method and apparatus for the manufacture of crystalline semiconductors
DE1108185B (de) * 1958-07-11 1961-06-08 Philips Nv Verfahren zum Herstellen von kristallinen Koerpern durch Ziehen aus einer Schmelze

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