DE1235265B - Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus Schmelzen - Google Patents
Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus SchmelzenInfo
- Publication number
- DE1235265B DE1235265B DE1962N0022191 DEN0022191A DE1235265B DE 1235265 B DE1235265 B DE 1235265B DE 1962N0022191 DE1962N0022191 DE 1962N0022191 DE N0022191 A DEN0022191 A DE N0022191A DE 1235265 B DE1235265 B DE 1235265B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- holder
- screen
- crucible
- seed crystal
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/14—Heating of the melt or the crystallised materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL270246 | 1961-10-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1235265B true DE1235265B (de) | 1967-03-02 |
Family
ID=19753342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1962N0022191 Pending DE1235265B (de) | 1961-10-13 | 1962-10-09 | Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus Schmelzen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
BE (1) | BE623518A (en, 2012) |
CH (1) | CH416573A (en, 2012) |
DE (1) | DE1235265B (en, 2012) |
GB (1) | GB997444A (en, 2012) |
NL (1) | NL270246A (en, 2012) |
SE (1) | SE302445B (en, 2012) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997032059A1 (fr) * | 1996-02-29 | 1997-09-04 | Sumitomo Sitix Corporation | Procede et appareil pour retirer un monocristal |
WO2011007458A1 (ja) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1108185B (de) * | 1958-07-11 | 1961-06-08 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen von kristallinen Koerpern durch Ziehen aus einer Schmelze |
US3002824A (en) * | 1956-11-28 | 1961-10-03 | Philips Corp | Method and apparatus for the manufacture of crystalline semiconductors |
-
0
- NL NL270246D patent/NL270246A/xx unknown
- BE BE623518D patent/BE623518A/xx unknown
-
1962
- 1962-10-09 DE DE1962N0022191 patent/DE1235265B/de active Pending
- 1962-10-10 CH CH1186862A patent/CH416573A/de unknown
- 1962-10-10 SE SE1084462A patent/SE302445B/xx unknown
- 1962-10-10 GB GB3838162A patent/GB997444A/en not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3002824A (en) * | 1956-11-28 | 1961-10-03 | Philips Corp | Method and apparatus for the manufacture of crystalline semiconductors |
DE1108185B (de) * | 1958-07-11 | 1961-06-08 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen von kristallinen Koerpern durch Ziehen aus einer Schmelze |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
NL270246A (en, 2012) | |
GB997444A (en) | 1965-07-07 |
CH416573A (de) | 1966-07-15 |
SE302445B (en, 2012) | 1968-07-22 |
BE623518A (en, 2012) |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1272900B (de) | Vorrichtung zum Ziehen einkristalliner Staebe aus einer Schmelze | |
DE112013005434B4 (de) | Verfahren zum Herstellen von Silicium-Einkristallen | |
DE112014003795B4 (de) | Silizium-Einkristall-Ziehvorrichtung | |
DE112014002768B4 (de) | Einkristall-Herstellvorrichtung und Verfahren zum Herstellen eines Einkristalls | |
DE2059713A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Halbleiter-Einkristallen nach der Czochralski-Methode | |
DE1136670B (de) | Tiegel zum Aufziehen von Kristallen aus einer darin befindlichen Schmelze und Verfahren zum Aufziehen von Kristallen aus einer Schmelze unter Anwendung eines solchen Tiegels | |
DE1207920B (de) | Verfahren zum Herstellen sauerstofffreier, verwerfungsfreier Halbleitereinkristalle durch Ziehen aus einer tiegellosen Schmelze | |
DE3322685A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines bandes aus polykristallinem silizium | |
DE1256202B (de) | Verfahren zum Herstellen homogener stabfoermiger Kristalle aus einer Schmelze | |
DE1444501B2 (de) | Verfahren zum gettern eines halbleiterkoerpers | |
DE1235265B (de) | Vorrichtung zum Ziehen von Kristallen aus Schmelzen | |
DE3709731A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur einkristallzuechtung | |
DE112008000877T5 (de) | Einkristall-Zuchtverfahren und Ziehvorrichtung für Einkristalle | |
DE112020006483T5 (de) | Vorrichtung zum Herstellen von Einkristallen | |
DE1162329B (de) | Verfahren zum Herstellen von langgestreckten, insbesondere dendritischen Halbleiterkoerpern und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens | |
AT235343B (de) | Vorrichtung zum Aufziehen von Kristallen aus einer Schmelze | |
DE3709729A1 (de) | Vorrichtung zur einkristallzuechtung | |
DE68912686T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus einer Halbleiter-Verbindung. | |
DE1419738A1 (de) | Verfahren zum Zuechten von duennen,flachen dendritischen Einkristallen | |
DE1209997B (de) | Verfahren zur Herstellung von Einkristallen aus schmelzbarem Material | |
DE2548050A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines an seinem unteren ende mit dem angeschmolzenen keimkristall versehenen halbleiterkristallstabes | |
DE1128413B (de) | Verfahren zur Herstellung von zersetzungsfreiem einkristallinem Silicium durch tiegelfreies Zonenschmelzen | |
AT223659B (de) | Verfahren zur Herstellung von versetzungsfreiem einkristallinem Silizium durch tiegelfreies Zonenschmelzen | |
DE112022001392T5 (de) | Vorrichtung zum herstellen eines einkristalls | |
AT255489B (de) | Vorrichtung zum epitaktischen Abscheiden von Halbleitermaterial |