DE1231032B - Druckabhaengiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang - Google Patents

Druckabhaengiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang

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DE1231032B
DE1231032B DES84674A DES0084674A DE1231032B DE 1231032 B DE1231032 B DE 1231032B DE S84674 A DES84674 A DE S84674A DE S0084674 A DES0084674 A DE S0084674A DE 1231032 B DE1231032 B DE 1231032B
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DES84674A
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Dipl-Ing Friedrich Krieger
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Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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    • H04R23/00—Transducers other than those covered by groups H04R9/00 - H04R21/00
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    • H—ELECTRICITY
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    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND DEUTSCHES 4MMTWt PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. CL:
GOIl
H04r
Deutsche KL: 42 k-7/05
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
1231032
S84674IXb/42k
11. April 1963
22. Dezember 1966
Die Erfindung betrifft ein druckabhängiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-Ubergang, auf dessen Halbleiterkörper eine harte, Drücke übertragende Spitze aufgesetzt ist.
Bauelemente dieser Art sind beispielsweise durch den Aufsatz »Highly-Sensitive Mecrophone Uses Transistor as Base« in Bell Laboratories Record, Dezember 1962, S. 418 und 419, bekanntgeworden.
Es sind ebenfalls Bauelemente bekannt, welche einen pn-übergang enthalten, auf die mittels einer Spitze ein Druck ausgeübt wird. Die druckübertragende Spitze sitzt jedoch auf einer Fläche des Halbleiterkörpers auf, welche parallel zum pn-übergang verläuft.
Der Erfindung zugrunde liegende Untersuchungen haben überraschenderweise gezeigt, daß ein mechanisch elektrischer Wandler der genannten Art dann eine Erhöhung seiner Empfindlichkeit erfährt, wenn die Spitze auf einen Oberflächenbereich des Halbleiterkörpers aufgesetzt ist, in dem der pn-übergang an die Oberfläche tritt. So wurde bei einem Transistor vom sogenannten Planartyp und einem Abschlußwiderstand von etwa 280 Ω durch diese Maßnahme eine Empfindlichkeitssteigerung um den Faktor 30 erzielt.
Bei einem druckabhängigen Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-übergang, auf dessen Halbleiterkörper eine harte, Drücke übertragende Spitze aufgesetzt ist, ist daher gemäß der Erfindung vorgesehen, daß die Spitze auf die Fläche der Randzone des an die Oberfläche tretenden pn-Übergangs aufgesetzt ist.
Die Erfindung wird durch ein Ausführungsbeispiel an Hand einer Figur näher erläutert.
In der Figur ist ein npn-Transistor vom sogenannten Planartyp dargestellt, der aus den Halbleiterschichten 1, 2 und 3 besteht, auf die Emitter-, Basis- und Kollektorkontakte 4, 5 und 6 aufgebracht sind. Die η-leitende Emitterschicht 1 ist so in die p-leitende Basisschicht 2 eingebracht, daß der pn-übergang 7 zwischen den beiden Schichten an der Deckfläche 8 des Transistors zugänglich ist. Die Einbettung der Emitterschicht ist hierbei so, daß die Fläche des pn-Ubergangs nahezu senkrecht in die Deckfläche des Transistors mündet. An dieser Stelle oder in unmittelbarer Umgebung derselben ist nun eine harte Spitze 9, vorzugsweise die Spitze einer Saphirnadel 10, mit einer Vorspannung aufgesetzt. Die zu erfas-
Druckabhängiges Halbleiterbauelement mit
mindestens einem pn-übergang
Anmelder:
Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, München 2, Witteisbacherplatz 2
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Ing. Friedrich Krieger, Gilching
sende Bewegung 11 wird über die Saphirnadel in analoge Drücke auf den pn-übergang des festliegenden Transistors umgewandelt.
Die Anordnung nach der Erfindung eignet sich auch für Dioden, wie sie beispielsweise in dem Aufsatz »Piezo-Junctions: Elements of a New Class of Semiconductor Devices« aus Proceedings of the IRE, Oktober 1962, S. 2106, beschrieben sind.

Claims (3)

Patentansprüche:
1. Druckabhängiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-übergang, auf dessen Halbleiterkörper eine harte, Drücke übertragende Spitze aufgesetzt ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Spitze (9) auf die Fläche der Randzone des an die Oberfläche tretenden pn-Übergangs aufgesetzt ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterbauelement ein Transistor (1, 2, 3), vorzugsweise vom Planartyp, ist und die Spitze auf die Fläche der Randzone des Emitter-Basis-Übergangs (7) aufgesetzt ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck im Halbleiterkörper wenigstens in der Nähe der Auflagestelle der Spitze parallel zur Ebene des pn-Übergangs ausgerichtet ist.
DES84674A 1963-04-11 1963-04-11 Druckabhaengiges Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang Pending DE1231032B (de)

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