DE1229651B - Verfahren zum Herstellen eines Leistungs-gleichrichters mit einkristallinem Halbleiter-koerper und vier Schichten abwechselnden Leitfaehigkeitstyps - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Leistungs-gleichrichters mit einkristallinem Halbleiter-koerper und vier Schichten abwechselnden Leitfaehigkeitstyps

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DE1229651B
DE1229651B DES91516A DES0091516A DE1229651B DE 1229651 B DE1229651 B DE 1229651B DE S91516 A DES91516 A DE S91516A DE S0091516 A DES0091516 A DE S0091516A DE 1229651 B DE1229651 B DE 1229651B
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Dr Rer Nat Adolf Herlet
Dr Rer Nat Kurt Raithel
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Siemens Corp
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Siemens Corp
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    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
    • H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D18/00—Thyristors
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE1113520B (de) * 1958-09-30 1961-09-07 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Starkstromzwecke, mit mehreren verhaeltnismaessig grossflaechigen Schichten unterschiedlichen Leitfaehigkeitstyps

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1113520B (de) * 1958-09-30 1961-09-07 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Starkstromzwecke, mit mehreren verhaeltnismaessig grossflaechigen Schichten unterschiedlichen Leitfaehigkeitstyps

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