DE1229651B - Verfahren zum Herstellen eines Leistungs-gleichrichters mit einkristallinem Halbleiter-koerper und vier Schichten abwechselnden Leitfaehigkeitstyps - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Leistungs-gleichrichters mit einkristallinem Halbleiter-koerper und vier Schichten abwechselnden Leitfaehigkeitstyps

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DE1229651B
DE1229651B DES91516A DES0091516A DE1229651B DE 1229651 B DE1229651 B DE 1229651B DE S91516 A DES91516 A DE S91516A DE S0091516 A DES0091516 A DE S0091516A DE 1229651 B DE1229651 B DE 1229651B
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single crystal
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Dr Rer Nat Adolf Herlet
Dr Rer Nat Kurt Raithel
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Siemens Corp
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Siemens Corp
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    • H10D62/17—Semiconductor regions connected to electrodes not carrying current to be rectified, amplified or switched, e.g. channel regions
    • H—ELECTRICITY
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DES91516A 1963-06-25 1964-06-13 Verfahren zum Herstellen eines Leistungs-gleichrichters mit einkristallinem Halbleiter-koerper und vier Schichten abwechselnden Leitfaehigkeitstyps Pending DE1229651B (de)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1113520B (de) * 1958-09-30 1961-09-07 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Starkstromzwecke, mit mehreren verhaeltnismaessig grossflaechigen Schichten unterschiedlichen Leitfaehigkeitstyps

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1113520B (de) * 1958-09-30 1961-09-07 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, insbesondere fuer Starkstromzwecke, mit mehreren verhaeltnismaessig grossflaechigen Schichten unterschiedlichen Leitfaehigkeitstyps

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