DE1214791C2 - Flaechentransistor mit Basis- und Emitterzone auf der gleichen Oberflaechenseite desHalbleiterkoerpers und Verfahren zum Herstellen - Google Patents

Flaechentransistor mit Basis- und Emitterzone auf der gleichen Oberflaechenseite desHalbleiterkoerpers und Verfahren zum Herstellen

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DE1214791C2 DE1960T0018836 DET0018836A DE1214791C2 DE 1214791 C2 DE1214791 C2 DE 1214791C2 DE 1960T0018836 DE1960T0018836 DE 1960T0018836 DE T0018836 A DET0018836 A DE T0018836A DE 1214791 C2 DE1214791 C2 DE 1214791C2
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Dr Ernst Froeschle
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P10/12—
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE553173A (enExample) * 1954-05-10
US2657360A (en) * 1952-08-15 1953-10-27 Bell Telephone Labor Inc Four-electrode transistor modulator
CH335368A (fr) * 1957-12-28 1958-12-31 Suisse Horlogerie Transistor
US2924760A (en) * 1957-11-30 1960-02-09 Siemens Ag Power transistors

Patent Citations (4)

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CH335368A (fr) * 1957-12-28 1958-12-31 Suisse Horlogerie Transistor

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