DE1213700B - Verfahren zur Ermittlung der Dicke der Schicht, die waehrend des AEtzens von Koerpern abgetragen wird, und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens - Google Patents

Verfahren zur Ermittlung der Dicke der Schicht, die waehrend des AEtzens von Koerpern abgetragen wird, und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens

Info

Publication number
DE1213700B
DE1213700B DEN17932A DEN0017932A DE1213700B DE 1213700 B DE1213700 B DE 1213700B DE N17932 A DEN17932 A DE N17932A DE N0017932 A DEN0017932 A DE N0017932A DE 1213700 B DE1213700 B DE 1213700B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
etching
nozzle
etched
thickness
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN17932A
Other languages
English (en)
Inventor
Ian Flinn
Brian Thomas Scofield
Linkfield Corner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1213700B publication Critical patent/DE1213700B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3063Electrolytic etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02Local etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/08Apparatus, e.g. for photomechanical printing surfaces
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25FPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
    • C25F7/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic removal of material from objects; Servicing or operating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Measuring Arrangements Characterized By The Use Of Fluids (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. Cl.:
C23f
Deutsche KL: 48 dl-1/02
Nummer:
Aktenzeichen:
Anmeldetag:
Auslegetag:
N17932VIb/48dl
23. Februar 1960
31. März 1966
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Ermittlung der Dicke der Schicht, die während des Ätzens von Körpern, insbesondere Halbleiterkörpern, abgetragen wird, und eine Vorrichtung zu seiner Durchführung.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß bei der Ätzflüssigkeit, die aus einer in der Nähe des Körpers angeordneten Düse unter Druck der Körperoberfläche zugeführt wird, der Druckabfall, der während des Ätzens durch die Vergrößerung des von der Düse und der Körperoberfläche gebildeten Zwischenraumes eintritt, gemessen wird.
Gemäß einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung wird der Druck der Ätzflüssigkeit im wesentlichen konstant gehalten, indem der Körper um den durch die Messung des Druckabfalls der Ätzflüssigkeit ermittelten Betrag der Dicke der abgetragenen Schicht von Zeit zu Zeit der Düse genähert wird.
Das Verfahren nach der Erfindung eignet sich insbesondere zum Ätzen von Halbleiterkörpern, ζ. Β. aus Germanium. Solche Halbleiterkörper werden vorzugsweise elektrolytisch geätzt.
Der Germaniumhalbleiter kann vom p-Typ sein und das Ätzmittel aus einer wäßrigen Natriumhydroxydlösung bestehen. Das gleiche Ätzmittel ist für Germaniumhalbleiter vom η-Typ verwendbar; aber in diesem Fall ist es vorteilhaft, die Oberfläche des zu ätzenden Germaniums zu belichten, um gute Ergebnisse zu erhalten.
Um eine maximale Geschwindigkeit bei der Emittlung der Dicke der durch das Ätzen abgetragenen Schicht zu erreichen, ist eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens dadurch gekennzeichnet, daß die Düse eine sich parallel zur Oberfläche des Körpers erstreckende ebene Endfläche besitzt.
Durch die USA.-Patentschrift 2 762 150 ist es bereits bekannt, einem Körper eine Schicht dadurch abzuätzen, daß aus einer in der Nähe des Körpers angeordneten Düse Ätzflüssigkeit unter Druck der Körperoberfläche zugeführt wird. Bei diesem bekannten Verfahren werden stärker abzuätzende Teile des Körpers länger der Einwirkung des Ätzmittels ausgesetzt als die weniger stark abzuätzenden Teile. Eine Ermittlung der Dicke der Schicht, die während des Ätzens von dem geätzten Körper abgetragen wird, ist mit diesem Verfahren nicht möglich.
Die Erfindung wird an Hand einer schematischen Zeichnung beispielsweise näher erläutert.
F i g. 1 ist ein Schnitt durch die Düse und einen Halbleiterkörper;
F i g. 2 zeigt schematisch die vollständige Anlage zum Ätzen eines Halbleiterkörpers, und
Verfahren zur Ermittlung der Dicke der Schicht,
die während des Ätzens von Körpern abgetragen wird, und Vorrichtung zur Durchführung des
Verfahrens
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter:
Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Als Erfinder benannt:
lan Flinn, Amersham, Bicks;
Brian Thomas Scofield,
Linkfield Corner, Redhill (Großbritannien)
Beanspruchte Priorität:
Großbritannien vom 26. Februar 1959 (6711)
F i g. 3 zeigt eine Abwandlung der Düse der Anlage nach F i g. 2 zum Ätzen von n-Typ-Halbleiterkörpern.
In F i g. 1 und 2 hat eine Glasdüse 1 einen Innenradius R1 und einen Außenradius R2, wobei ein Ende flach geschliffen ist unter Bildung einer Fläche 2. Der Germaniumhalbleiterkörper 3 in Form einer flachen Platte ist derart auf einem Mikrometerschieber angeordnet, daß seine zu ätzende Oberfläche 4 sich in einem geringen Abstand h parallel zur Fläche 2 erstreckt.
In F i g. 2 ist ein Behälter mit 5 bezeichnet; dieser enthält den aus einer 20%igen Natriumhydroxydlösung bestehenden Elektrolyt 6. Das Natriumhydroxyd wird mittels der Preßluftleitung 7 unter Druck gehalten. Dieser Druck wird auf etwa 4,2 kg/cm2 gehalten, wie vom Druckmesser 8 angezeigt. Der Elektrolyt wird durch eine schematisch bei 9 dargestellte Kapillare hindurchgeführt, um einen im wesentlichen konstanten Flüssigkeitsstrom durch die Düse 1 zu erhalten. Der Druckabfall im Kanal zwischen der Düsenfläche 2 und der Fläche 4 des Körpers 3 wird mit einem Wassermanometer 10 gemessen. Bei dem Ätzvorgang wird die Kathode durch eine Platinfolie 11, welche um die zylindrische Außenfläche der Düse 1 in der Nähe ihrer Öffnung gewunden ist, und die Anode durch den Germaniumkörper 3 selbst gebildet. Der Germaniumkörper 3 ist an einem Kupferstreifen (nicht dargestellt)
609 540/403
festgelötet, der an einem Mikrometerschieber (nicht dargestellt) befestigt ist.
Beim Ätzen verringert sich der Druckabfall iin von der Düsenfiäche2 und der Fläche 4 des Körpers 3 gebildeten Kanal allmählich, wobei die Druckänderung vom Manometer 10 angezeigt. wird. Diese,, Druckänderung wird entweder automatisch oder durch Ablesung vom Manometer 10 festgestellt; Und um aus einer solchen Anzeige die Stärkeverringerung des Körpers 3 abzuleiten, wird letzterer in Richtung der Düse bewegt, bis der Anfangsdruck erreicht wird, und auf diese Weise wird der Druck des Ätzmittels im wesentlichen konstant gehalten. Die Verschiebung des Körpers 3 entspricht der Stärke des abgeätzten Teiles des Körpers; Der Gerrnäiiiümkörper 3 wird bewegt, bis der vom Mikrometer angezeigte gewünschte Ätzungsgrad erreicht worden ist. Die Stärkeverringerung des Germaniums ist ununterbrochen bis zu einer Genauigkeit von ± 2 μ regelbar.
Die Werte beim elektrolytischen Ätzen sind folgende:.
Druck des Manometers 10, innerhalb 0,5 mm durch Bewegung
des Germaniumkörpers konstant gehalten ...'. 10 cm Wasser
Stromdichtigkeit '..... 250 mA/cm2
Typ des Germaniumkörpers 3
und spezifischer Widerstand p-Typ, 1,8 Ω/cm
Abstand des Gerrnaniumkörpers
von der Düsenfläche 2 75 μ
Fh'eßgeschwindigkeit des
Ätzmittels 4 cm3/Minute
Innenradius R1 der Düse 1 .... 0,3 mm
Außenradius R2 der Düse 1 ... 1,5 mm Die besten Ergebnisse wurdeii bei Verwendung einer NatriumhydroxydlÖsurig als Ätzmittel erreicht, wie oben beschrieben. Es können aber auch andere Lösungen verwendet werden, z. B. eine Ammoniumchloridlösung. . Mit der. oben -geschilderten Anlage wurden zum Ätzen von p^-Typ-Germänram unter Verwendung einer 2O°/oigeri Ämmomumclübnälbsüni die folgenden Ergebnisse erhalten:
Es hat sich gezeigt; daß das oben geschilderte Verfahren weniger gute Ergebnisse zeigt beim Ätzen von n-Typ-Germanium als beim Ätzen von p-Typ-Germariiüm. Zum Erhalten von zufriedenstellenden Ergebnissen beim Ätzen von n-Typ-Germanium hat es sich als zweckmäßig erwiesen, die Oberfläche des zu ätzenden Germaniums stärk zu belichten, um eine elektropolierte Oberfläche zu bekommen.. Unter übrigens gleicheh Bedingungen wie oben wurden beim Ätzen von n-Typ-Germanium mit einem spezifischen Widerstand von 0,3 O/cm gute Ergebnisse erhalten durch Fokussierung des Lichtes eines Wottramleuchtkörpers bei 30000C auf die zu ätzende Oberfläche, wobei die Intensität des Li^tbündels etwa 500 Lumen/cm2 betrug. Eine geeignete Weise, um das Licht auf die Germaniumoberfläche zu lenken, besteht, darin, daß es durch ein Glasrohr fällt, wobei das Licht durch vollständige innere Reflexion im Rohr gehalten wird. Hierdurch wird die Absorption des an das Sichtbare angrenzenden Infrardtlichtes vom Elektrolyt herabgesetzt.
F i g. 3 zeigt schematisch ein .Verfahreii, um das Licht auf die Germaniumoberfläche zu. richten. In dieser Figur ist die Düse in zwei Teile 12 und 13 geteilt, in einer Ebene unter einem Winkel von 45° in bezug auf die Öohrüng 14. Die Schnittflächen sind poliert, versilbert und miteinander verkittet. Normal auf die Düse fallendes Licht, wie angedeutet durch Pfeile 15; wird also reflektiert,, durchsetzt die stärke Glaswand der Düse parallel zur Flüßrich'tung des.felektroiyts, wie dprch Pfeile 16 angedeutet, und belichtet die Oberfläche des zu ätzenden Germaniums.
Verringerung
Germanium
stärke
Verschiebung
zum
Konstanthalten
des Druckes
Ätz
strom
Zeit
32 μ
27 μ
10 μ
32 μ -
30 μ
90 mA-
55 mA
25 mA
11 Minuten
18 Minuten
11 Minuten
25
30 Die Ätzbedingungeh waren folgende:
Abstand des Germaniums von
der Düsenoberfläche 75 μ
Druck über Düse (innerhalb
0,5 mm konstant) 10 cm Wasser
Fließgeschwiridigkeit der
Ätzmittels 4 cm3/Minute
Innenradius der Düse 0,3 mm
Äüßenradius der Düse 1,5 mm
Stromdichte 250 mA/cm2
Das. Verfahren nach der Erfindung kann bei der Herstellung von Transistoren Anwendung finden, wobei Germanium- oder Siliziumwaffeln bestimmter Stärke hergestellt werden. Beim geschilderten Verfahren kann dies z. B. auf zwei Wegen erfolgen: Erstens kann die Stärke derWaffel vor dem Ätzvorgang gemessen, davon die gewünschte Stärke abgezogen und der Unterschied weggeätzt werden; zweitens kann die Oberfläche des Körpers abgeflacht und als Bezugsfläche benutzt, werden, wobei der Abstand, um den der Träger nach dem Anbringen des Körpers verschoben werden muß, um* nach wie vor dem Anbringen des Körpers gleiche Drücke zu erhalten, gemessen wird. Dieses Verfahren eignet sich zum automatischen Betrieb. ..........
.FaUs beim Atzen eine größere Genauigkeit erforderlich ist, lcanh der Kanal zwischen dem Körper und der Düsenfläche verengt werden. Der., dann erreichte höhere Druck kann einem konstanten Druck eines Differentialmanometers gegenübergestellt.werden. Auf diese Weise läßt sich eine Genauigkeit von etwa 0,5 μ oder höher erreichen. Zur selbsttätigen Anzeige von Druckänderungen, kann ein Kapazitätsdifferentialmanometer verwendet werden (wobei „eine Empfindlichkeit von 0,4 pF je. Millimeter Wasser erreichbar ist). Auch können eine Lampe und eine Photozelle zusammen mit einem Wassermanometer zur Verwendung kommen.

Claims (1)

  1. Patentansprüche:
    . .1. Verfahren zur Ermittlung, der Dicke, dgr Schient, die während des Ätzens von Körpern, insbesondere Halbleiterkörpeni, abgetragen wird, d a"dur ch gekennzeichnet, daß bei der Ätzflüssigkeit, rdie aus einer in der ,Nahe des Körpers angeordneten Düse unter Druck .der Körperoberfläche zugeführt wird, der Druckabfall, der während des Ätzens durch die Vergrößerung des
    von der Düse und der Körperoberfläche gebildeten Zwischenraumes eintritt, gemessen wird.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck der Ätzflüssigkeit im wesentlichen konstant gehalten wird, indem der Körper um den durch die Messung des Druckabfalls der Ätzflüssigkeit ermittelten Betrag der Dicke der abgetragenen Schicht von Zeit zu Zeit der Düse genähert wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Körper elektrolytisch geätzt wird.
    4. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Halbleiterkörper aus Germanium geätzt werden.
    5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Ätzmittel eine wäßrige Lösung von Natriumhydroxyd verwendet wird.
    6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiterkörper, der wenigstens zum Teil vom p-Typ ist, geätzt wird.
    7. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiterkörper, der wenigstens zum Teil vom η-Typ ist, geätzt und die zu ätzende Oberfläche des Körpers während des Ätzvorganges belichtet wird.
    8. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die in der Nähe des Körpers angeordnete Düse eine sich parallel zur Oberfläche des Körpers erstreckende ebene Endfläche besitzt.
    In Betracht gezogene Druckschriften:
    USA.-Patentschrift Nr. 2 762 150.
    Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
    609 540/403 3.66 © Bundesdruckerei Berlin
DEN17932A 1959-02-26 1960-02-23 Verfahren zur Ermittlung der Dicke der Schicht, die waehrend des AEtzens von Koerpern abgetragen wird, und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens Pending DE1213700B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB6711/59A GB919158A (en) 1959-02-26 1959-02-26 Improvements in methods of etching bodies

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1213700B true DE1213700B (de) 1966-03-31

Family

ID=9819380

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN17932A Pending DE1213700B (de) 1959-02-26 1960-02-23 Verfahren zur Ermittlung der Dicke der Schicht, die waehrend des AEtzens von Koerpern abgetragen wird, und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3188284A (de)
DE (1) DE1213700B (de)
FR (1) FR1249129A (de)
GB (1) GB919158A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4017728A1 (de) * 1990-06-01 1991-12-05 Daimler Benz Ag Anordnung zum aetzen dreidimensionaler strukturen

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1054587A (de) * 1963-07-11
IL83038A (en) * 1987-06-30 1991-08-16 Aaron Lewis Method and device for submicron precision pattern generation
US5122242A (en) * 1990-11-13 1992-06-16 Paul Slysh Electrochemical machining process
DE19548115C2 (de) * 1994-12-27 2002-08-29 Nissan Motor Elektrochemisches Ätzverfahren für ein Halbleitersubstrat sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US5672263A (en) * 1996-05-29 1997-09-30 United Technologies Corporation Method and apparatus for electrochemically machining a workpiece

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2762150A (en) * 1955-05-02 1956-09-11 Turco Products Inc Apparatus and process for removing material from a work piece

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE565765C (de) * 1929-07-24 1932-12-08 Vladimir Gusseff Verfahren und Vorrichtung zur elektrolytischen Bearbeitung von Metallen
US2532907A (en) * 1946-09-18 1950-12-05 Clarence W Hangosky Method and apparatus for electrolytically treating metal surfaces
US2532908A (en) * 1946-11-08 1950-12-05 Central Scientific Co Electrolytic processing apparatus
US2739935A (en) * 1952-09-30 1956-03-27 George L Kehl Electrolytic cutting of metals
US2846346A (en) * 1954-03-26 1958-08-05 Philco Corp Semiconductor device
US2844531A (en) * 1954-05-24 1958-07-22 Bell Telephone Labor Inc Method of producing cavities in semiconductive surfaces
US2875141A (en) * 1954-08-12 1959-02-24 Philco Corp Method and apparatus for use in forming semiconductive structures
US2850444A (en) * 1954-11-01 1958-09-02 Rca Corp Pulse method of etching semiconductor junction devices
BE544034A (de) * 1954-12-31
DE1072045B (de) * 1955-06-23 1959-12-24 Fhilco Corporation, Philadelphia, Pa. (V. St. A.) Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der Flüssigkeitsströmung beim elektrolytischen Ätzen, oder Galvanisieren
US2958636A (en) * 1956-09-10 1960-11-01 Philco Corp Method of the application of liquids to solids
NL249430A (de) * 1959-05-20

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2762150A (en) * 1955-05-02 1956-09-11 Turco Products Inc Apparatus and process for removing material from a work piece

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4017728A1 (de) * 1990-06-01 1991-12-05 Daimler Benz Ag Anordnung zum aetzen dreidimensionaler strukturen

Also Published As

Publication number Publication date
US3188284A (en) 1965-06-08
GB919158A (en) 1963-02-20
FR1249129A (fr) 1960-12-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2751643A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur qualitaetskontrolle von widerstandsschweisspunkten
DE2007865C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Polieren einer Siliciumoberfläche
DE1213700B (de) Verfahren zur Ermittlung der Dicke der Schicht, die waehrend des AEtzens von Koerpern abgetragen wird, und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens
DE2027156C3 (de) Verfahren zum anodischen Polieren von Niobteilen
DE1546063B2 (de) Verfahren und vorrichtung zum polieren von galliumarsenid mit einem aetzmittel
DE1049189B (de) Anwendung eines elektrolytischen Verfahrens zur Erzeugung eines spannungsfreien Schnitts in einem Halbleiter
DE7317242U (de) Messelement aus einem halbleiter-piezowiderstand
DE4033355A1 (de) Verfahren zum elektrolytischen aetzen von siliziumkarbid
DE2029646C3 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Honen
DE1125551B (de) Verfahren zur Herstellung eines legierten pn-UEbergangs sehr geringer Eindringtiefe in einem Halbleiterkoerper
DE6925555U (de) Tastkopf fuer vergleichs-innenmessungen
DE102019204979A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Komponente für EUV-Lithographievorrichtungen
DE2225092C3 (de) Feuchtigkeitsfühler für elektrische Hygrometer
DE966905C (de) Verfahren zur Herstellung elektrisch unsymmetrisch leitender Systeme
DE2543651A1 (de) Halbleitersubstrat
DE29805805U1 (de) Vorrichtung zur Solarzellenverarbeitung
DE3642221C2 (de)
DE910193C (de) Verfahren zur Herstellung eines gleichrichtenden, insbesondere lichtempfindlichen Halbleiterelements
DE1515354A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines temperaturempfindlichen Widerstandes
DE1121224B (de) Transistor mit dicht nebeneinander einlegierten Emitter- und Basiselektroden und Verfahren zu dessen Herstellung
DE861282C (de) Verfahren zur Herstellung von Kristalldioden
DE3200399C2 (de) Elektrolysezelle für Actinometer
DE1913136C (de) Verfahren zur Erhöhung der mechanischen Festigkeit von alkalihaltigem Glas von dünner Abmessung durch Ionenaustausch
DE2356719C3 (de) Verfahren zum Herstellen einer Membran einer ionenselektiven Elektrode
DE1621044C3 (de) Bad zur anodischen Oxidation von Galliumarsenid