DE1199327B - Gleichspannungs-Differenzverstaerkerstufe mit Transistoren - Google Patents

Gleichspannungs-Differenzverstaerkerstufe mit Transistoren

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DE1199327B
DE1199327B DER33707A DER0033707A DE1199327B DE 1199327 B DE1199327 B DE 1199327B DE R33707 A DER33707 A DE R33707A DE R0033707 A DER0033707 A DE R0033707A DE 1199327 B DE1199327 B DE 1199327B
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Germany
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transistors
voltage
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resistors
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DER33707A
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Ludwig Roos
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/26Push-pull amplifiers; Phase-splitters therefor
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/34DC amplifiers in which all stages are DC-coupled
    • H03F3/343DC amplifiers in which all stages are DC-coupled with semiconductor devices only

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Gleichspannungs-Differenzverstärkerstufe mit Transistoren Die Erfindung betrifft eine Gleichspannungs-Differenzverstärkerstufe in Gegentaktschaltung nach Patent 1093 827, bei der die Röhren durch Transistoren ersetzt sind und bei der zwischen der Basis und dem Kollektor des einen oder des anderen Transistors das Auftreten einer unzulässig überhöhten Sperrspannung vermieden werden soll.
  • Bei den bekannten symmetrischen Gleichspannungsverstärkern mit Transistoren besteht nämlich der Nachteil, daß bei zu hoher Signalspannung am Eingang zwischen der Basis und dem Kollektor bzw. dem Emitter des einen oder des anderen Transistors der betreffende Transistor zerstört wird. Dies geschieht besonders dann, wenn die zulässige Sperrspannung zwischen Basis und Kollektor oder Basis und Emitter überschritten wird. Die Verwendung von Transistoren mit erhöhter Sperrspannung bringt hierkeine ausreichende Sicherheit, da sie keinen Schutz gegen die Überschreitung der höchstzulässigen Sperrspannung bietet. Der Einsatz solcher Transistoren mit erhöhter Sperrspannung ist außerdem unwirtschaftlich, da der Preis dieser Transistoren unverhältnismäßig groß ist.
  • Die Erfindung, durch die Nachteile der bekannten Schaltungen vermieden werden, besteht darin, daß die Transistoren nur die durch Zenerdioden auf den zulässigen Höchstwert begrenzte Basisspannung erhalten und ihre Basen über hohe Vorwiderstände mit der Signalquelle verbunden sind, so daß nur jeweils positive Signalspannungen eine Aussteuerung bewirken, negative Signalspannungen infolge des einsetzenden Diodenstromes der Zenerdioden dagegen keine Aussteuerung bewirken.
  • Um zu verhindern, daß Wechselspannungen, die der Signalspannung überlagert sind, die gesteuerte Spannung beeinflussen, hat es sich als vorteilhaft erwiesen, die Kollektorwiderstände und die Basiswiderstände kapazitiv zu überbrücken.
  • In der Zeichnung ist als Beispiel eine Ausführungsform des Erfindungsgedankens dargestellt.
  • Als Signal dient die veränderliche Steuergleichspannung U1, deren Polarität sich mit den Betriebsbedingungen ändert. Die Basen der Transistoren 1 und 2 liegen über hohe Vorwiderstände 7 und 8 an den beiden Polen der Steuerspannung U1 und über Basiswiderstände 12 und 13 gemeinsam am negativen Pol einer Betriebsspannung U3. Zwischen der Basis und dem Kollektor jedes der Transistoren 1 und 2 ist einer Zenerdiode 16 bzw. 17 mit ihrem positiven Pol an die Basen angeschlossen. Die Basiswiderstände 12 und 13 sind durch Kondensatoren 14 und 15 überbrückt, so däß Wechselspannungen, die die Signalspannung U1 überlagern, unwirksam bleiben. Die Kollektoren der Transistoren 1 und 2 sind untereinander verbunden und gemeinsam an den negativen Pol der Betriebsspannung U3 angeschlossen, während die Emitter unter Zwischenschaltung von Widerständen 22 und 23 am positiven Pol der Betriebsspannung U3 liegen. Um den gleichen Verstärkungsgrad wie mit der Röhrenschaltung nach Patent 1093 827 zu erhalten, sind zwei weitere Transistoren 18 und 19 zugeschaltet, bei denen die Emitter am positiven Pol der Betriebsspannung U3 und die Kollektoren über Kollektorwiderstände 3 und 4 am negativen Pol der Betriebsspannung U3 angeschlossen sind. Die Basen dieser Transistoren 18 und 19 sind zum Potentialausgleich über Zenerdioden 20 und 21 mit den Emittern der Transistoren 1 und 2 verbunden. Parallel zu den Kollektorwiderständen 3 und 4 liegen Kondensatoren 5 und 6, die ebenfalls etwa auftretende Wechselspannungen unterdrücken.
  • Die Ausgangsspannung U2 wird an den Klemmen 10 und 11 abgenommen und kann für Meßsteuer-oder -regelzwecke verwendet werden. Zur Feststellung der Größe und Polarität der Ausgangsspannung U2 kann zwischen die Klemmen 10 und 11 über einen Schutzwiderstand 24 ein Spannungsmesser 9 mit in der Skalenmitte liegenden Nullpunkt eingeschaltet sein.
  • Die Wirkungsweise der erfindungsgemäßen Schaltung ergibt sich daraus, daß auf die Transistoren 1 und 2 zur gleichen Zeit Signalspannungen Ui entgegengesetzter Polarität einwirken wollen. Dabei wird derjenige der Transistoren 1 oder 2 nicht ausgesteuert, der eine negative Signalspannung erhält, durch die die Zenerdiode 16 oder 17 durchlässig wird, aber infolge der hohen Vorwiderstände 7 oder 8 keine nennenswerte Signalspannung an der Basis entstehen läßt. Der mittlere Kollektor-Emitter-Strom wird bei diesem Vorgang nicht wesentlich überschritten, so daß eine Verstärkerwirkung nicht eintritt.
  • Beim Vorliegen einer negativen Signalspannung Ui, wird die Zenerdiode 16 oder 17 erst nach dem überschreiten der Zündspannung leitend und schützt so über den Vorwiderstand 7 bzw. 8 den betreffenden Transistor 1 oder 2 vor einer unzulässig hohen Spannung zwischen Basis und Kollektor, während bis zum Erreichen der Zündspannung an der Zenerdiode 16 bzw. 17 dieser Transistor 18 bzw. 19 verstärkend wirken kann. Die Kollektorströme der Transistoren 18 und 19 haben einen von der Stromstärke abhängigen Spannungsabfall an den Widerständen 3 und 4 zur Folge.
  • Beim Vorliegen einer negativen Signalspannung Ui, beispielsweise auf der Seite des Transistors 1, ist zwangläufig an dem Transistor 2 eine gleich große, aber positive Signalspannung U1 vorhanden, die eine Verminderung des Kollektorstromes an der Seite vom Transistor 19 herbeiführt. Dadurch wird auch der Spannungsabfall an dem dem Transistor 19 zugeordneten Kollektorwiderstand 4 verkleinert. Die sich aus der Differenz der Spannungsabfälle an den Kollektorwiderständen 3 und 4 zusammensetzende Ausgangssignalspannung U2 wird also mit steigender Signalspannung U1 stets wachsen und auch die gleiche Polarität wie diese besitzen. Für den Fall, daß Steuerwerte auftreten, die durch fabrikatorisch bedingte Ungenauigkeiten der Transistoren und Widerstände hervorgerufen sind, kann zu deren Ausgleich zweckmäßigerweise zwischen der Basis des betreffenden Transistors 1 oder 2 und dem positiven Pol der Betriebsspannung U3 ein Abgleichwiderstand 25 oder 26 angeordnet werden.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Gleichspannungs-Differenzverstärkerstufe in Gegentaktschaltung nach Patent 1093 827, bei der die Röhren durch Transistoren ersetzt sind und bei der zwischen der Basis und dem Kollektor des einen oder des anderen Transistors das Auftreten einer unzulässig überhöhten Sperrspannung vermieden werden soll, d a d u r c h g e -k e n n z e i c h n e t, daß die Transistoren (1, 2) nur die durch Zenerdioden (16, 17) auf den zulässigen Höchstwert begrenzte Basisspannung erhalten und ihre Basen über hohe Vorwiderstände (7, 8) mit der Signalquelle (U1) verbunden sind, so daß nur jeweils positive Signalspannungen eine Aussteuerung bewirken, negative Signalspannungen infolge des einsetzenden Diodenstromes der Zenerdiode (16, 17) dagegen keine Aussteuerung bewirken.
  2. 2. Verstärkerstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kollektorwiderständc (3, 4) und auch die Basiswiderstände (12, 13) kapazitiv überbrückt sind.
DER33707A 1962-10-18 1962-10-18 Gleichspannungs-Differenzverstaerkerstufe mit Transistoren Pending DE1199327B (de)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018194945A1 (en) 2017-04-19 2018-10-25 The Procter & Gamble Company Method for making water-absorbing polymer particles

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