DE1197153B - Innenraumschaltanlage fuer sehr hohe Spannungen - Google Patents
Innenraumschaltanlage fuer sehr hohe SpannungenInfo
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- DE1197153B DE1197153B DEL30717A DEL0030717A DE1197153B DE 1197153 B DE1197153 B DE 1197153B DE L30717 A DEL30717 A DE L30717A DE L0030717 A DEL0030717 A DE L0030717A DE 1197153 B DE1197153 B DE 1197153B
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02B—BOARDS, SUBSTATIONS OR SWITCHING ARRANGEMENTS FOR THE SUPPLY OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02B7/00—Enclosed substations, e.g. compact substations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Gas-Insulated Switchgears (AREA)
Description
- Innenraumschaltanlage für sehr hohe Spannungen Schaltanlagen für hohe und höchste Spannungen hat man bisher fast ausschließlich als Freiluftschaltanlage gebaut. Neuerdings sind aber Bestrebungen im Gange, auch solche Schaltanlagen als Innenraumschaltanlagen zu errichten, um dadurch alle Teile der Schaltanlage, insbesondere aber die Isolatoren, vor Witterungseinflüssen, Verschmutzungen u. dgl. zu schützen. Es entstehen sonst nicht unbeträchtliche Kosten für die ständige Wartung und Reinigung von Isolatoren. Auch sind wegen der Reinigung der Isolatoren mitunter Betriebsunterbrechungen nicht zu vermeiden, da hierzu gewisse Teile der Anlage außer Betrieb genommen und spannungslos gemacht werden müssen.
- Will man Höchstspannungsanlagen in Gebäuden unterbringen, so spielt aber die Frage der Verminderung der Gebäudeabmessungen im Hinblick auf die Kosten eine sehr wesentliche Rolle.
- Um die Gebäudeabmessungen zu verkleinern, sind bereits verschiedene Anordnungen der Zweistützertrennschalter vorgeschlagen worden. So ist es bekannt, die Zweistützertrennschalter horizontal anzuordnen, wobei allerdings der in der Höhe gewonnene Raum in der Horizontalen zum Teil wieder verlorengeht. Es ist ferner bekannt, die Zweistützertrennschalter mit ihrer Grundplatte in einem bestimmten Winkel zu neigen, wobei die Stutzer von den Sammelschienen weggerichtet sind. Auch diese Lösung ist nicht befriedigend, denn maßgebend für die Anordnung der Sammelschienen oberhalb der Zweistützertrennschalter ist der Abstand zwischen diesen Sammelschienensystemen und der Grundplatte der Zweistützertrennschalter. Da diese beiden auf entgegengesetztem Potential liegen, muß immer die erforderliche Schlagweite vorhanden sein. Dieses trifft auch für die Ausführung mit horizontal angeordneten Zweistützertrennschaltem zu.
- Die Erfindung betrifft nun eine besonders vorteilhafte Anordnung der Zweistützertrennschalter für eine Innenraumschaltanlage der Hallenbauweise für Hoch- und Höchstspannungen mit von der Gebäudedecke getragenen Doppelsammelschienen, von denen das eine System doppelt vorhanden ist, und mit in ihrem Zwischengeschoß untergebrachten Zweistützertrennschaltern.
- Erfindungsgemäß sind die Grundplatten der Zweistützertrennschalter mit einer Neigung von etwa 45° so gegen die Horizontale angeordnet, daß die Stützisolatoren nach oben auf die Sammelschienensysteme gerichtet sind und daß die Kopfarmaturen verschiedenen Sammelschienensystemen zugehöriger phasengleicher Trennschalter sich nahezu berühren. Der Abstand zwischen den sich nahezu berührenden Stützisolatoren kann so bemessen werden, wie er allein durch die Anschlußmöglichkeiten der abzuzweigenden Leitung gegeben ist. Dadurch, daß die Stützisolatoren nach oben geneigt sind, ergibt sich zwangläufig, bedingt durch die Länge der Stützisolatoren, ein Abstand zwischen der Grundplatte der Zweistützertrennschalter und den darüberliegenden Sammelschienensystemen, so daß unter Einhaltung der Schlagweite der Anschluß der Sammelschienensysteme an den Trennschalterkopf fast unmittelbar erfolgen kann.
- Um die Erfindung zu erläutern, ist zunächst in F i g. 1 eine Innenraumschaltanlage für sehr hohe Spannungen mit Zweistüizertrennschaltem in der bisher üblichen Bauform dargestellt. Es ist angenommen, daß diese Schaltanlage mit zwei Sammelschienensystemen 1 und 2 ausgerüstet ist, von denen das System 2 doppelt vorhanden ist. Diese Anordnung erfordert eine U-förmige Umgehungsleitung am Ende des Schaltanlagengebäudes. Zwar wird durch die doppelte Anwendung eines Sammelschienensystems die Breite der Schaltanlage größer. Jedoch wird dadurch der Vorteil erreicht, daß die Abzweige nach links und rechts in einer Flucht herausgeführt werden können, so daß die Felderteilung in der Längsrichtung der Sammelschienen kleiner wird. Die Leistungsschalter befinden sich im unteren Teil des Gebäudes. Die Trennschalter 4, die als Zweistützertrennschalter ausgebildet sind, stehen auf Unterzügen 5, wo sich auch ein Bedienungsgang 6 befindet. Von den Trennschaltern 4 führen Leitungen 8 zu den Leistungsschaltern 3, und zwischen diesen Leitungen und den Unterzügen muß nach beiden Seiten ein der Schlagweite entsprechender Abstand vorhanden sein. Dadurch wird im wesentlichen die Breite des Gehäuses bestimmt. Eine Innenraumschaltanlage nach der Erfindung ist in F i g. 2 dargestellt. Es ist wieder angenommen, daß die Anlage zwei Sammelschienensysteme 1 und 2 besitzt, von denen das System 2 doppelt vorhanden ist. Dies bedeutet, daß am Ende des Schaltanlagengebäudes, wie auch schon im vorerwähnten Fall, eine U-förmige Umgehungsleitung vorhanden ist und daß die Abzweige nach links und rechts in einer Flucht herausgeführt werden können. Die Leistungsschalter 3 stehen im unteren Teil des Gebäudes, und die Trennschalter 4 sind auf Unterzügen 5 montiert, wo sich auch ein Bedienungsgang befindet. Die Trennschalter sind aber schräg gestellt, so daß ihre Grundplatte mit der Horizontalen einen Winkel von etwa 45° einschließt. Dadurch kommen die Kopfarmaturen benachbarter Trennschalter sehr nahe aneinander, jedoch ist dieser Umstand ohne Bedeutung, da die Kopfarmaturen dieser Trennschalter ohnehin leitend miteinander verbunden sind. Von dem Verbindungspunkt führt die Leitung 8 nach unten zu dem Leistungsschalter 3. Die Unterzüge 5 müssen von dieser Leitung 8 einen der Schlagweite entsprechenden Abstand haben. Dieser Abstand ist aber durch die Schrägstellung der Stützer der Trennschalter ohne weiteres gegeben. Die Winkel 7, die durch die Schrägstellung der Grundplatten der Trennschalter entstehen, können zur Unterbringung der Tragbalken für die Unterzüge untergebracht werden, so daß sich dadurch eine Ersparnis in der Höhe bis zu 1 m ergibt. Durch die Schrägstellung der Trennschalter kann die Gebäudebreite bei einer Spannung von 200 kV um etwa 11 m vermindert werden. Somit wird eine beachtliche Einsparung an Grundfläche und auch an umbautem Raum erzielt.
Claims (2)
- Patentansprüche: 1. Innenraumschaltanlage in Hallenbauweise für Hoch- und Höchstspannungen mit von der Gebäudedecke getragenen Doppelsammelschienen, von denen das eine System doppelt vorhanden ist, und mit im Zwischengeschoß untergebrachten Zweistützertrennschaltern, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Grundplatten der Zweistützertrennschalter (4) mit einer Neigung von etwa 45° gegen die Horizontale so angeordnet sind, daß die Stützisolatoren nach oben auf die Sammelschienensysteme (1, 2) gerichtet sind und daß die Kopfarmaturen verschiedenen Sammelschienensystemen zugehöriger phasengleicher Trennschalter sich nahezu berühren (F i g. 2).
- 2. Innenraumschaltanlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die durch die Schräglage der Trennschalter (4) entstehenden Winkel (7) zur Unterbringung der tragenden Teile der Unterzüge (5) dienen (F i g. 2). In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschriften Nr. 749 234, 936 578; deutsche Auslegeschriften Nr. 1026 825; H. P r o b s t , Hochspannungs-Geräteund -Schaltanlagen, 1953, S. 83; Siemens-Zeitschrift, 1933, S. 242; 1956, S. 312/13; AEG-Mitteilungen, 1942, S. 80.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DEL30717A DE1197153B (de) | 1958-07-03 | 1958-07-03 | Innenraumschaltanlage fuer sehr hohe Spannungen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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DEL30717A DE1197153B (de) | 1958-07-03 | 1958-07-03 | Innenraumschaltanlage fuer sehr hohe Spannungen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1197153B true DE1197153B (de) | 1965-07-22 |
Family
ID=7265305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEL30717A Pending DE1197153B (de) | 1958-07-03 | 1958-07-03 | Innenraumschaltanlage fuer sehr hohe Spannungen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1197153B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016218836A1 (de) | 2016-09-29 | 2018-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung und Verfahren zur Wartung von Hochspannungsschaltern |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE749234C (de) * | 1941-03-29 | 1944-11-20 | Schalthaus fuer Hochspannungszwecke | |
DE936578C (de) * | 1942-09-04 | 1955-12-15 | Aeg | Dreistuetzerdrehtrennschalter, insbesondere fuer Innenraumhoechstspannungsschaltanlagen |
DE1026825B (de) * | 1955-03-11 | 1958-03-27 | Licentia Gmbh | Innenraum-Schaltanlage fuer hohe und hoechste Spannungen |
-
1958
- 1958-07-03 DE DEL30717A patent/DE1197153B/de active Pending
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DE749234C (de) * | 1941-03-29 | 1944-11-20 | Schalthaus fuer Hochspannungszwecke | |
DE936578C (de) * | 1942-09-04 | 1955-12-15 | Aeg | Dreistuetzerdrehtrennschalter, insbesondere fuer Innenraumhoechstspannungsschaltanlagen |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102016218836A1 (de) | 2016-09-29 | 2018-03-29 | Siemens Aktiengesellschaft | Anordnung und Verfahren zur Wartung von Hochspannungsschaltern |
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