DE1194502B - Legierungsverfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen - Google Patents

Legierungsverfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen

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DE1194502B
DE1194502B DES64589A DES0064589A DE1194502B DE 1194502 B DE1194502 B DE 1194502B DE S64589 A DES64589 A DE S64589A DE S0064589 A DES0064589 A DE S0064589A DE 1194502 B DE1194502 B DE 1194502B
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Germany
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DES64589A
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Dipl-Phys Dieter Enderlein
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Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
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DE1133473B (de) 1958-08-07 1962-07-19 Siemens Ag Legierungsverfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen

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DE1133473B (de) 1958-08-07 1962-07-19 Siemens Ag Legierungsverfahren zum Herstellen von Halbleiteranordnungen

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