DE1192852B - Verfahren zum Feststellen von Strukturfehlern an der Oberflaeche von Halbleiterkoerpern - Google Patents

Description

• Verfahren zum Feststellen von Strukturfehlern an der Oberfläche von Halbleiterkörpern Halbleiterkörper, wie sie in weitem Umfange zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen Verwendung finden, werden in der Regel durch Ausschneiden von Scheiben aus Einkristallen gewonnen. Während der elektrischen Kontaktierung und zum Teil auch schon während der Erzeugung entgegengesetzt leitender Bereiche treten an der Oberfläche dieser Halbleiterkörper Strukturfehler auf, die sich insbesondere in der Form von Verspannungen und Mikrorissen dann unangenehm bemerkbar machen, wenn diese Stellen z. B. mit der Außenluft oder im weiteren Laufe des Verfahrens mit einer Ätzlösung in Berührung kommen. Es ist deshalb von Wichtigkeit, diese Stücke, die zum Ausschuß führen, rechtzeitig aus dem Fabrikationsgang auszuscheiden und zu gleicher Zeit das qualitative Ergebnis des bisherigen Fabrikationsganges laufend zu kontrollieren.
• In der Technik sind bereits Verfahren zur Feststellung von Strukturfehlern bekannt, die jedoch alle für gewünschte Untersuchung von Halbleiterkörpern mehr oder weniger ungeeignet sind. Beispielsweise können mit manchen der bekannten Verfahren nur solche Oberflächenfehler festgestellt werden, die eine ausreichend große Kapillarität aufweisen. Strukturfehler, die beispielsweise durch mechanische Verspannungen im Halbleiterkörper entstehen und eine geringe Kapillarität zeigen, entziehen sich der Feststellung durch diese Verfahren.
• Andere bekannte Verfahren sind nicht nur aufwendiger, sondern verwenden auch Substanzen als Indikatorkomponenten, beispielsweise bei der Ausfällungs- oder Färbungsmarkierung, die einmal aggressiv sind und zum anderen schwer entfernbar auf dem Halbleiterkörper haften.
• Das erfindungsgemäße Verfahren vermeidet nicht nur diese den bekannten Verfahren anhaftenden Mängel, sondern zeigt in überraschend einfacher Weise und ohne großen Aufwand auch die mit geringer Kapillarität behafteten Strukturfehler auf der Oberfläche von Halbleiterkörpern.
• Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Feststellen von Strukturfehlern an der Oberfläche von Halbleiterkörpern durch Niederschlagen einer Substanz auf die zu prüfende Oberfläche und besteht darin, daß eine leicht kondensierbare Substanz auf die Prüffläche niedergeschlagen wird.
• Mit besonderem Vorteil wird auf der Halbleiteroberfläche mit Wasserdampf gesättigte Luft oder Joddampf niedergeschlagen; jedoch kann das erfindungsgemäße Verfahren auch mit anderen der vielen bekannten leicht kondensierenden Substanzen vorgenommen werden. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß es besonders leicht durchzuführen ist und durch Unregelmäßigkeiten in dem Niederschlag auch kleinere Risse und Verspannungen ohne Schwierigkeiten erkennbar sind.
• Der besondere Wert des erfindungsgemäßen Verfahrens ist naturgemäß in der Kontrolle eines Herstellungsverfahrens für elektrisch unsymmetrisch leitende Systeme zu sehen, wobei insbesondere die Kontrolle nach der Erzeugung des oder der p-n-tJbergänge von Wichtigkeit ist, da gerade die hier üblichen Legierungsverfahren zu besonders ausgeprägten Strukturfehlern führen können.
• Bei der Herstellung eines Legierungsgleichrichters wird gemäß einem Beispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens nach dem Legierungsvorgang die Umgebung des p-n-Überganges an der Oberfläche durch die Beobachtung der Kondensationsspuren das Auftreten von Rissen überprüft. Dabei ist darauf zu achten, ob Kondensationsstreifen den p-n-tXbergang schneiden, was darauf hinweisen würde, daß an dieser Stelle der p-n-thbergang nach der Atzbehandlung durch Rückstände kurzgeschlossen werden könnte.
• Ein besonderer Vorteil des Verfahrens ist darin zu sehen, daß die auf diese Art geprüften Elemente keine durch das Verfahren bedingten Nachwirkungen zeigen und weiterverarbeitet werden können.

Claims (3)

1. Patentansprüche: 1. Verfahren zum Feststellen von Strukturfehlern an der Oberfläche von Halbleiterkörpern durch Niederschlagen einer Substanz auf Idie zu prüfende Oberfläche, dadurch gekennz e i c h n e t, daß eine leicht kondensierbare Substanz auf die Prüffläche niedergeschlagen wird.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Wasserdampf der Sättigungs- konzentration in Luft auf die Prüffläche niedergeschlagen wird.
3. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß Joddampf auf die Prüffläche niedergeschlagen wird.

   In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 833 260; USA.- Patentschrift Nr.2765652; Journal of the American Ceramic Society, Bd. 36, 1953, Nr. 8, S.257 bis 262.