DE1191859B - Speichermatrix mit duennen magnetischen Speicherschichten mit einer Schaltungs-anordnung zur Beseitigung der Stoersignale - Google Patents

Speichermatrix mit duennen magnetischen Speicherschichten mit einer Schaltungs-anordnung zur Beseitigung der Stoersignale

Info

Publication number
DE1191859B
DE1191859B DES78507A DES0078507A DE1191859B DE 1191859 B DE1191859 B DE 1191859B DE S78507 A DES78507 A DE S78507A DE S0078507 A DES0078507 A DE S0078507A DE 1191859 B DE1191859 B DE 1191859B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
matrix
lines
memory
switching
storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DES78507A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Dipl-Ing Karl-Heinz Walter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to NL289124D priority Critical patent/NL289124A/xx
Priority to FR1351083D priority patent/FR1351083A/fr
Priority to NL299636D priority patent/NL299636A/xx
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Priority to DES78507A priority patent/DE1191859B/de
Priority to DE19621424560 priority patent/DE1424560A1/de
Priority to GB1008063A priority patent/GB986872A/en
Priority to GB4456863A priority patent/GB1023593A/en
Priority to FR953974A priority patent/FR84743E/fr
Publication of DE1191859B publication Critical patent/DE1191859B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
    • G11C11/15—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements using multiple magnetic layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/02—Disposition of storage elements, e.g. in the form of a matrix array
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/02—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding parasitic signals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
DES78507A 1962-03-15 1962-03-15 Speichermatrix mit duennen magnetischen Speicherschichten mit einer Schaltungs-anordnung zur Beseitigung der Stoersignale Pending DE1191859B (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL289124D NL289124A (OSRAM) 1962-03-15
FR1351083D FR1351083A (fr) 1962-03-15 Matrice de mémoire à couches de stockage magnétiques minces
NL299636D NL299636A (OSRAM) 1962-03-15
DES78507A DE1191859B (de) 1962-03-15 1962-03-15 Speichermatrix mit duennen magnetischen Speicherschichten mit einer Schaltungs-anordnung zur Beseitigung der Stoersignale
DE19621424560 DE1424560A1 (de) 1962-03-15 1962-11-15 Speichermatrix mit duennen magnetischen Speicherschichten
GB1008063A GB986872A (en) 1962-03-15 1963-03-14 Improvements in or relating to magnetic storage devices
GB4456863A GB1023593A (en) 1962-03-15 1963-11-12 Improvements in or relating to thin-film magnetic memory matrices
FR953974A FR84743E (fr) 1962-03-15 1963-11-15 Matrice de mémoire à couches de stockage magnétiques minces

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES78507A DE1191859B (de) 1962-03-15 1962-03-15 Speichermatrix mit duennen magnetischen Speicherschichten mit einer Schaltungs-anordnung zur Beseitigung der Stoersignale
DES0082456 1962-11-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1191859B true DE1191859B (de) 1965-04-29

Family

ID=25996808

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DES78507A Pending DE1191859B (de) 1962-03-15 1962-03-15 Speichermatrix mit duennen magnetischen Speicherschichten mit einer Schaltungs-anordnung zur Beseitigung der Stoersignale
DE19621424560 Pending DE1424560A1 (de) 1962-03-15 1962-11-15 Speichermatrix mit duennen magnetischen Speicherschichten

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19621424560 Pending DE1424560A1 (de) 1962-03-15 1962-11-15 Speichermatrix mit duennen magnetischen Speicherschichten

Country Status (4)

Country Link
DE (2) DE1191859B (OSRAM)
FR (1) FR1351083A (OSRAM)
GB (2) GB986872A (OSRAM)
NL (2) NL289124A (OSRAM)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE930242C (de) * 1952-01-03 1955-07-11 British Tabulating Mach Co Ltd Elektrische Impulsspeichervorrichtung
DE1069681B (OSRAM) * 1957-02-22 1959-11-26
DE1070677B (de) * 1955-04-01 1959-12-10 International Standard Electric Corporation, New York, N. Y. (V.St.A.) Magnetische Impulsspeichereinrichtung mit toroidförmigen Magnetkernen
DE1077899B (de) * 1957-03-21 1960-03-17 Standard Elektrik Lorenz Ag Ferritmatrixspeicher

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE930242C (de) * 1952-01-03 1955-07-11 British Tabulating Mach Co Ltd Elektrische Impulsspeichervorrichtung
DE1070677B (de) * 1955-04-01 1959-12-10 International Standard Electric Corporation, New York, N. Y. (V.St.A.) Magnetische Impulsspeichereinrichtung mit toroidförmigen Magnetkernen
DE1069681B (OSRAM) * 1957-02-22 1959-11-26
DE1077899B (de) * 1957-03-21 1960-03-17 Standard Elektrik Lorenz Ag Ferritmatrixspeicher

Also Published As

Publication number Publication date
NL289124A (OSRAM)
NL299636A (OSRAM)
FR1351083A (fr) 1964-05-04
GB986872A (en) 1965-03-24
GB1023593A (en) 1966-03-23
DE1424560A1 (de) 1970-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2422927C2 (de) Integrierte Anordnung magnetischer Wiedergabeelemente
DE1186904B (de) Einrichtung zur Umsteuerung eines magnetischen Materials mit rechteckiger Hysteresisschleife
EP1099221B1 (de) Magnetoresistiver speicher mit niedriger stromdichte
DE60304209T2 (de) Magnettunnelsperrschichtspeicherzellenarchitektur
DE1262349B (de) Magnetspeicher
EP1119860A2 (de) Magnetoresistiver speicher mit erhöhter störsicherheit
DE1034689B (de) Magnetische Speicherschaltung mit einer Platte aus magnetischem Material
DE1133927B (de) Magnetischer Festspeicher
DE102019117376A1 (de) Schirmung in einem Einheitskondensatorarray
DE1103650B (de) Nach dem Koinzidenzstromprinzip arbeitende Kernspeichermatrix bzw. Speicherkette
DE1574654A1 (de) Magnetfeldabtastvorrichtung
DE1195971B (de) Anordnung zur UEbertragung von Information auf ein Magnetschichtelement axialer Anisotropie
DE102020119273A1 (de) Speichervorrichtung mit abstimmbarem probabilistischem Zustand
DE2521485A1 (de) Magnetisches bauelement
DE1964952A1 (de) Magnetspeicher fuer binaere Informationen
DE1275608B (de) Zugriffschaltung fuer Speicheranordnungen
DE1222597B (de) Aus duennen magnetischen Schichten und einer induktiv gekoppelten Leiteranordnung bestehendes Bauelement fuer Schalt- und Speicherzwecke
DE1303462B (OSRAM)
GB1050616A (OSRAM)
DE1282711B (de) Magnetischer, nach Art eines Schiebespeichers arbeitender Duennschichtspeicher
DE69724708T2 (de) Verbesserungen betreffend integrierte Schaltungen
DE68922692T2 (de) Matrixverbindungssystem.
DE1098536B (de) Speicher- oder Schaltanordnung
EP1189293A2 (de) Monolithisch integrierbare Induktivität
DE2059653A1 (de) Schaltung zur Verminderung des durch die Kopplung von Bitleitungen herruehrenden Rauschens in einem Magnetspeicher aus plattierten Draehten