DE1190217B - Verfahren zur Korrektur eines optischen Systems - Google Patents

Verfahren zur Korrektur eines optischen Systems

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DE1190217B
DE1190217B DEJ23410A DEJ0023410A DE1190217B DE 1190217 B DE1190217 B DE 1190217B DE J23410 A DEJ23410 A DE J23410A DE J0023410 A DEJ0023410 A DE J0023410A DE 1190217 B DE1190217 B DE 1190217B
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Dr Heinrich Hora
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    • G02B27/58Optics for apodization or superresolution; Optical synthetic aperture systems
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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Description

  • Verfahren zur Korrektur eines optischen Systems Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Korrektur eines optischen Systems, insbesondere ein Verfahren zur Anpassung einer Grenzfläche eines optischen Systems an die Form der Fläche gleicher Phase einer die Grenzfläche durchsetzenden Wellenfront. Ein bevorzugtes, jedoch nicht ausschließliches Anwendungsgebiet der Erfindung ist die Herstellung von Festkörper-Lasern.
  • Bei der Festlegung von die Eigenschaft optischer Systeme bestimmenden Grenzflächen, also von Flächen, an die Medien verschiedener Brechzahl angrenzen, wird im allgemeinen vorausgesetzt, daß die Medien, die das optische System bilden, in sich weitgehend homogen sind. Die für optische Zwecke verwendeten festen Werkstoffe, wie Gläser oder Kristalle, sind jedoch in der Praxis nie ideal homogen. Die Eigenschaften eines optischen Systems weichen daher stärker von den theoretischen Werten ab, als auf Grund der Abmessungstoleranzen zu erwarten wäre.
  • Inhomogenitäten wirken sich natürlich um so stärker aus, je häufiger sie von ein und demselben Lichtstrahl durchlaufen werden. Ein solcher Fall liegt bei einem Festkörper-Laser vor, dessen aktives optisches System bekanntlich einem Fabry-Perot-Interferometer entspricht.
  • Aufbau und Wirkungsweise eines Festkörper-Lasers können als bekannt vorausgesetzt werden, so daß es hier genügt, nur die direkt mit der Erfindung zusammenhängenden Fragen näher zu erörtern.
  • Ein Festkörper-Laser enthält als aktives optisches Element einen dotierten Festkörper, beispielsweise einen Rubinkristall, der zwischen einem 100%ig reflektierenden Spiegel und einem absorptionsfrei zwischen 95 und 99 ()/o reflektierenden Spiegel angeordnet ist. Die Spiegel sollen im Idealfall planparallel sein und werfen eine Welle, deren Front parallel zu den Spiegeln verläuft, sehr viele Male in sich zurück. Wellen anderer Richtung verlassen nach wenigen Reflektionen die Anordnung.
  • Im Kristall sind infolge der Dotierung neben Grundtermen auch höhere Energieterme vorhanden, in die Elektronen durch äußere Energiezufuhr angehoben werden können. Beim Übergang der angeregten Elektronen von den höheren Termen zurück in die Grundterme wird Strahlung einer bestimmten Wellenlänge, z.B. beim Rubin-Laser rotes Licht, emittiert. Die übergangswahrscheinlichkeit ist jedoch wie bei der Lumineszenz verhältnismäßig klein. Der Übergang von den angeregten Termen in die Grundterme kann jedoch durch Strahlung der dem über-,gang entsprechenden Wellenlänge angeregt oder »stimuliert« werden. Bewegt sich eine Welle der betreffenden Wellenlänge durch den Kristall, so erzeugt sie also eine stimulierte Emission, die ein exponentielles Ansteigen der Intensität bewirkt, wenn genügend viele angeregte Elektronen vorhanden sind. Aus dem teildurchlässigen Spiegel tritt dann Licht sehr kleiner öffnung und sehr kleiner Spektralbreite aus.
  • Bekanntlich tritt das Licht aus dem teildurchlässigen Spiegel jedoch an bestimmten eng umschriebenen Stellen sehr intensiv und an anderen Stellen mit geringerer Intensität aus. Dies rührt daher, daß die optischen Wege des Lichtes trotz genügender geometrischer Planparallelität der Spiegel infolge geringer Kristallinhomogenitäten verschieden groß sind. Es ist bekannt, daß man eine gleichmäßigere Lichtemission dadurch erreichen kann, daß man die Fläche des teildurchlässigen Spiegels nicht plan schleift, sondern sie der Form der Fläche gleicher Phase der vom vollständig reffektierenden Spiegel herkommenden Welle anzugleichen versucht. Hierzu wird die den teildurchlässigen Spiegel tragende Stirnfläche des Kristalls in geeigneter Weise abgeschliffen. Da sich der sehr häufig verwendete Rubin infolge seiner -roßen Härte nur schwer bearbeiten läßt ist es auch bekannt, eine Schicht aus einem weicheren Werkstoff nahezu gleicher Brechzahl wie der Kristall auf dessen Stirnfläche aufzutragen und diese dann selektiv abzuschleifen.
  • Die obenerwähnten bekannten Korrekturverfahren haben vor allem den Nachteil, daß zur Feststellung des Ortes und des Betrages des abzutragenden Materials eine sehr aufwendige Apparatur erforderlich ist, man*ver%vendet in der Praxis komplizierte Interferometer, und daß selbst bei weichem Werkstoff das selektive Abtragen nur mühsam und nur mit Hilfe einer sehr genau steuerbaren Vorrichtung möglich ist. Durch die Erfindung wird nun ein bedeutend einfacheres Verfahren angegeben, durch das auf photographischem Wege und mit chemischen Mitteln die Stirnfläche eines Laserkristalls od. dgl. so korrigiert werden kann, daß sie der Fläche gleicher Phase einer die Stirnfläche durchsetzenden Wellenfront entspricht.
  • Es ist außerdem ein Verfahren zum Beeinflussen des Korrektionszustandes optischer Systeme, insbesondere von Mikroobjektiven bekannt, bei dem in den Strahlengang ein durchsichtiger Schichtträger eingeschaltet wird, der mit einem ebenfalls durchsichtigen, einige Wellenlängen starken Belag versehen ist, der dem jeweiligen Objekt erforderlichenfalls durch Auswahl aus einem Satz von Schichtträgern mit unterschiedlicher Dickenverteilung angepaßt wird. Es handelt sich dabei also um ein mehr oder weniger empirisches Verfahren, das höheren Ansprüchen nicht genügt. Außerdem enthält das bekannte Verfahren keinerlei Hinweise, wie Korrekturschichten hergestellt werden können, die dem zu korrigierenden optischen System optimal angepaßt sind.
  • Ein Verfahren zur Anpassung einer Grenzfläche eines optischen Systems an die Form einer Fläche gleicher Phase einer die Grenzfläche durchsetzenden Wellenfront unter Verwendung einer durchsichtigen Korrektionsschicht geeigneter Dickenverteilung ist gemäß der Erfindung dadurch gekennzeichnet, daß ein die Phasenfehler oder -unterschiede der die unkorrigierte Grenzfläche durchsetzenden Wellenfront als Intensitätsunterschiede wiedergebendes Bild der Grenzfläche hergestellt wird; daß dieses Intensitätsbild dann auf eine an die Grenzfläche angrenzende Schicht, deren LöslichkeitsverhaIten durch Bestrahlen veränderlich ist, zurückprojiziert wird und daß dann unter Steuerung durch die belichtete Schicht Selektivmaterial derart weggelöst wird, daß die entstehende neue Grenzfläche besser mit der Fläche gleicher Phase übereinstimmt als die unkorrigierte Grenzfläche.
  • Stoffe, die ihr Löslichkeitsverhalten unter Bestrahlung mit Licht bestimmter Wellenlänge ändern, sind bekannt, z. B. lichtempfindliche Ätzschutzschichten oder sogenanntes Photoglas.
  • Die strahlungsempfindliche Schicht kann einen Teil des optischen Systems bilden oder nur als Ätzschutzschicht verwendet werden.
  • Die Erfindung soll nun an Hand des bevorzugten Anwendungsgebietes, nämlich der Herstellung von Festkörper-Lasern, in Verbindung mit der Zeichnung näher erläutert werden. Es zeigt F i g. 1 eine Längsschnittansicht eines Laserkristalls, F i g. 2 eine Sti rnansicht des Kristalls der F i g. 1 und F i g. 3 bis 5 schematische Darstellungen verschiedener Verfahrensschritte einer Ausführungsforin der Erfindung.
  • In F i g. 1 ist ein Laserkristall 10 dargestellt, der beispielsweise aus einem zylindrischen Rubinkristall hoher Dotierung mit planparaUel geschliffenen Endflächen 12, 14 bestehen kann. Die Stirnfläche 12 ist mit einem 100 % reflektierenden Spiegel 16, die Stimfläche 14 mit einem 95 bis 99 % reflektierenden absorptionsfreien Spiegel 18 versehen. Die außer der beschriebenen Anordnung noch zum Betrieb eines Festkörper-Lasers erforderlichen Einrichtungen können in bekannter Weise ausgeführt sein, sie sind in der Zeichnun- nicht dargestellt, da sie für die Er-C läuterung der vorliegenden Erfindung nicht nötio, D sind.
  • F i g. 2 zeigt ein Beispiel einer ungleichförmigen Intensitätsverteilung eines durch den teildurchlässigen Spiegel 18 austretenden Lichtbündels. Die schraffierten Bereiche sollen hier beispielsweise Bereiche schwächerer Lichtintensität bedeuten.
  • Dieser auf geringen Kristallinhomogenitäten (Brechzahlschwankungen) beruhende Fehler kann gemäß der Erfindung auf folgende Weise verhältnismäßig einfach korrigiert werden.
  • Bei dem im folgenden zu beschreibenden Verfahren gemäß der Erfindung soll vorausgesetzt werden, daß es sich bei dem Kristall 10 um einen Rubinkristall handelt, der rotes Licht emittiert. In diesem Fall läßt sich die Erfindung besonders einfach durchführen, da man sich die Tatsache zunutze machen kann, daß die üblichen im Handel befindlichen Ätzschutzschichten praktisch nur für kurzwelliges Licht, nicht jedoch für die rote Strahlung des Kristalls empfindlich sind.
  • Wie F i g. 3 zeigt, wird als erstes auf die Stirnfläche 14' des Kristalls 1-0', die nicht notwendigerweise völlig plan geschliffen sein muß, eine transparente Schicht 20 aufgebracht, die ihre Löslichkeit gegenüber bestimmten Lösungsmitteln bei Bestrahlung mit kurzwelligem Licht ändert, für die rote Laserstrahlung jedoch unempfindlich ist. Die Oberfläche 22 der Schicht 20 wird dann plan geschliffen und mit einem schwach durchlässigen, nicht absorbierenden Spiegel 18' bedampft.
  • Die so vorbereitete Anordnung wird dann in ein nicht dargestelltes Lasersystem eingesetzt, und der Kristall 10' wird zu stimulierter Emission angeregt. Die Oberfläche des Spiegels 18' wird durch ein optisches System 24 auf eine photographische Schicht 26, z. B. eine Platte oder einen Film, abgebildet, so daß auf der Platte ein Bild entsteht, das die Intensitätsverteilung in dem den Spiegel 18' durchsetzenden Lichtbündel wiedergibt. Im Prinzip könnte man wegen der sehr kleinen Öffnung des Laserstrahles bei der Abbildung der Stirnfläche des Kristalls auf die photographische Schicht auch ohne die Optik auskommen. Das Bild wäre dann zwar etwas unschärfer und nicht seitenverkehrt wie bei der beschriebenen Abbildung unter Verwendung der Optik 24, und es ergäbe sich etwa der in F i g. 3 gestrichelt gezeichnete Strahlengang für ein von einem Punkt der Stimfläche des Kristalls ausgehendes Strahlenbüschel, dessen Öffnungswinkel jedoch der Deutlichkeit halber übertrieben groß gezeichnet ist. Bei der Rückprojektion müßte dann jedoch entweder wieder ein Strahlenbündel sehr kleiner Öffnung, das homogen sein muß, oder eine doppelte Abbildung mittels eines entsprechenden optischen Systems, das keine Seitenumkehr bewirkt, verwendet werden.
  • Der Spiegel 18' wird nun entfernt, z. B. durch Weglösen, und die photographische Schicht 26 wird entwickelt und fixiert.
  • Wie F i g. 4 schematisch zeigt, wird anschließend das auf der entwickelten Schicht 26' erzeugte Intensitätsbild mit Licht, für das die Schicht 20 empfindlich ist, auf die Schicht zurückprojiziert. Lichtintensität, Belichtungszeit, Stärke des Lösungsmittels und dessen Einwirkungsdauer werden so gewählt, daß die löslicheren Bereiche der Schicht bis zu einer Tiefe von einigen Zehnteln heraus-elöst werden. Die yenauen Arbeitsbedingungen werden am zweckmäßigsten empirisch ermittelt.
  • Die Oberfläche der geätzten Schicht wird gespült, aetrocknet und dann wieder mit einem absorptionsfreien Spiegel hohen Reflexionsvermögens bedampft, wie Fig. 5 zeigt. Der auf diese Weise korrigierte Kristall weist bei stimulierter Emission eine nahezu gleichmäßig ausgeleuchtete Austrittsfläche auf.
  • Das oben beschriebene Verfahren läßt sich in der verschiedensten Weise abwandeln. So ist es beispielsweise möglich, die Verfahrensschritte, ein Intensitätsbild herzustellen, dieses Intensitätsbild auf die strahlungsempfindliche Schicht zurückzuprojizieren und die Schicht anzuätzen, mehrmals zu wiederholen, wobei Belichtung und Ätzung so gesteuert werden, daß jeweils nur eine Teilkorrektur erfolgt.
  • Anstatt die lichtempfindliche Schicht wie im oben beschriebenen Beispiel auf dem Kristall zu belassen, so daß sie einen Teil des optischen Systems bildet, kann man sie auch nur als Ätzschutzschicht benutzen und den Kristall direkt anätzen. Dies ist vor allem dann erforderlich, wenn das zur Herstellung des Intensitätsbildes verwendete Licht im Empfindlichkeitsbereich der strahlungsempfindlichen Schicht liegt.
  • Die Erfindung läßt sich auch auf die Korrektur anderer optischer Systeme als Laser anwenden, z. B. auf die Korrektur von photographischen Objektiven. Es sind Prüfungsverfahren für photographische Ob- jektive bekannt, bei denen ein Intensitätsbild hergestellt wird, das einer Fläche gleicher Phase analog der oben beschriebenen Fläche beim Laserkristall entspricht. Durch ein dem oben beschriebenen Verfahren analoges Verfahren kann mit Hilfe dieses Intensitätsbildes die Form der Außenfläche der vordersten oder hintersten Linse im Sinn emer Fehlerkompensation geändert werden.
  • Das Verfahren läßt sich auch auf spiegelnde Flächen anwenden.

Claims (2)

  1. Patentansprüche: 1. Verfahren zur Anpassung einer Grenzfläche eines optischen Systems an die Form einer Fläche gleicher Phase einer von der Grenzfläche ausgehenden Wellenfront unter Verwendung einer durchsichtigen Korrektionsschicht geeigneter Dickenverteilung, dadurch gekennzeichn e t, daß ein Phasenunterschied oder -fehler der von der unkorrigierten Grenzfläche ausgehenden Wellenfront als Intensitätsunterschiede wiedergebendes Bild der Grenzfläche hergestellt wird, daß dieses Intensitätsbild auf eine an die Grenzfläche angrenzende Schicht, deren Löslichkeitsverhalten durch Bestrahlung veränderbar ist, zurückprojiziert wird und daß dann unter Steuerung durch die belichtete Schicht selektiv Material weg elöst wird, daß die entstehende neue C9 Grenzfläche besser mit der Fläche gleicher Phase übereinstimmt.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge-C kennzeichnet, daß die Grenzfläche von der Oberfläche eines Werkstoffes gebildet wird, der seine C Löslich!-,eit durch Einwirkuno, von Strahluno, eines bes' immten Spektralbereiches ändert. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Grenzfläche mit einer strahlungsempfindlichen Atzschutzschicht überzogen wird, daß nach dem Belichten mit dem Intensitätsbild die löslicheren Teile der Ätzschulzschicht entfernt werden und daß dann die frei lie-enden Bereiche der Grenzfläche mit einem C ,geeigneten Lösungsmittel ausgeätzt werden. C 4. Verfahren nach Anspruch 2 zur Korrektur eines Laserkristalls, dessen eine Stirnfläche mit einem 1001/o reflektierenden Spiegel versehen ist, dadurch aekennzeichnet, daß auf die andere Stirnfläche eine Schicht (20) aufgebracht wird, deren Löslichkeitsverhalten sich bei Bestrahlun-C mit einer Wellenlänge eines anderen Spektralbereiches als der Laserkristall emittiert, ändert; daß die Oberfläche dieser Schicht plan geschliffen C wird; daß auf die plane Oberfläche der Schicht ein teildurchlässiger Spiegel aufgebracht wird; C daß der Kristall zu stimulierter Emission anoeregt wird; daß ein projizierbares Abbild der Intensitätsverteilung der den teildurchlässigen Spiegel durchsetzenden Laserstrahluncr hergestellt wird; daß der teildurchlässige Spiegel entfernt wird; daß das Intensitätsbild auf die strahlungsempfindliche Schicht zurückprojiziert wird; daß die nach der Belichtung löslicheren Bereiche der strahlungsempfindlichen Schicht bis zu einer solchen Tiefe herausgelöst werden, daß die entstehende Fläche eine bessere Näherung an die Fläche _gleicher Phase der aus dem betreffenden Stimende des Lasers austretenden Wellenfront darstellt; daß die ausgeätzte Schicht gereinigt und getrocknet wird und daß auf die getrocknete Schicht ein absorptionsfreier Spiegel hohen Reflektionsvermögens aufgebracht wird. 5. Verfahren nach Ansprach 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht nur bis zu einer Tiefe herausgelöst wird, die einer Teilkorrektur entspricht und daß die Verfahrenssehritte ein Intensitätsbild herzustellen, dieses auf die Schicht zurückzuprojizieren und die Schicht auszulösen mehrmals wiederholt werden, wobei jedesmal nur eine geringfügige Menge der Schicht im C Sinne einer Teilkorrektur herausgelöst wird. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 901714.
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