DE1158180B - Verfahren zur Messung der Durchstossspannung an einem Transistor und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens - Google Patents

Verfahren zur Messung der Durchstossspannung an einem Transistor und Vorrichtung zur Durchfuehrung des Verfahrens

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DE1158180B
DE1158180B DEP21217A DEP0021217A DE1158180B DE 1158180 B DE1158180 B DE 1158180B DE P21217 A DEP21217 A DE P21217A DE P0021217 A DEP0021217 A DE P0021217A DE 1158180 B DE1158180 B DE 1158180B
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Germany
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emitter
transistor
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Application number
DEP21217A
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German (de)
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Inventor
Russell Dwight Kehler
Alvin Richard Topfer
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Lanteris Space LLC
Original Assignee
Philco Ford Corp
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    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607—Circuits therefor
    • G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
    • G01R31/261—Circuits therefor for testing bipolar transistors for measuring break-down voltage or punch through voltage therefor

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