DE1156508B - Steuerbares und schaltendes Vierschichthalbleiterbauelement - Google Patents
Steuerbares und schaltendes VierschichthalbleiterbauelementInfo
- Publication number
- DE1156508B DE1156508B DES65225A DES0065225A DE1156508B DE 1156508 B DE1156508 B DE 1156508B DE S65225 A DES65225 A DE S65225A DE S0065225 A DES0065225 A DE S0065225A DE 1156508 B DE1156508 B DE 1156508B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- current
- zones
- semiconductor component
- layer
- layer semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/72—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices having more than two PN junctions; having more than three electrodes; having more than one electrode connected to the same conductivity region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/20—Electrodes characterised by their shapes, relative sizes or dispositions
- H10D64/27—Electrodes not carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. gates
- H10D64/291—Gate electrodes for thyristors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thyristors (AREA)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES65225A DE1156508B (de) | 1959-09-30 | 1959-09-30 | Steuerbares und schaltendes Vierschichthalbleiterbauelement |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES65225A DE1156508B (de) | 1959-09-30 | 1959-09-30 | Steuerbares und schaltendes Vierschichthalbleiterbauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1156508B true DE1156508B (de) | 1963-10-31 |
DE1156508C2 DE1156508C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1964-05-06 |
Family
ID=7497867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES65225A Granted DE1156508B (de) | 1959-09-30 | 1959-09-30 | Steuerbares und schaltendes Vierschichthalbleiterbauelement |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1156508B (enrdf_load_stackoverflow) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1266883B (de) * | 1964-03-21 | 1968-04-25 | Licentia Gmbh | Betriebsschaltung eines Thyristors |
DE1276185B (de) * | 1965-05-03 | 1968-08-29 | Siemens Ag | Anordnung zur Steuerung eines ueber eine einzige Steuerelektrode zuend- und loeschbaren Thyristors |
US3670217A (en) * | 1967-03-16 | 1972-06-13 | Asea Ab | Thyristor with a control device and having several control electrodes |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2756285A (en) * | 1951-08-24 | 1956-07-24 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor signal translating devices |
DE949422C (de) * | 1953-02-02 | 1956-09-20 | Philips Nv | Transistorelement und Schaltung mit demselben zum Verstaerken eines elektrischen Signals |
DE954624C (de) * | 1952-06-19 | 1956-12-20 | Western Electric Co | Hochfrequenz-Halbleiterverstaerker |
DE966276C (de) * | 1953-03-01 | 1957-07-18 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit wenigstens zwei Steuerelektroden oder Steuerelektrodengruppenfuer elektronische Abtast- oder Schaltanordnungen |
FR1141521A (fr) * | 1954-12-27 | 1957-09-03 | Clevite Corp | Transistor à jonction fonctionnant à grande puissance |
FR1162732A (fr) * | 1955-10-29 | 1958-09-16 | Siemens Ag | Redresseurs ou transistors plats |
DE1055692B (de) * | 1954-09-27 | 1959-04-23 | Ibm Deutschland | Transistor mit einem flachen Koerper aus halbleitendem Material mit mehreren sperrfreien und sperrenden Elektroden |
-
1959
- 1959-09-30 DE DES65225A patent/DE1156508B/de active Granted
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2756285A (en) * | 1951-08-24 | 1956-07-24 | Bell Telephone Labor Inc | Semiconductor signal translating devices |
DE954624C (de) * | 1952-06-19 | 1956-12-20 | Western Electric Co | Hochfrequenz-Halbleiterverstaerker |
DE949422C (de) * | 1953-02-02 | 1956-09-20 | Philips Nv | Transistorelement und Schaltung mit demselben zum Verstaerken eines elektrischen Signals |
DE966276C (de) * | 1953-03-01 | 1957-07-18 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit wenigstens zwei Steuerelektroden oder Steuerelektrodengruppenfuer elektronische Abtast- oder Schaltanordnungen |
DE1055692B (de) * | 1954-09-27 | 1959-04-23 | Ibm Deutschland | Transistor mit einem flachen Koerper aus halbleitendem Material mit mehreren sperrfreien und sperrenden Elektroden |
FR1141521A (fr) * | 1954-12-27 | 1957-09-03 | Clevite Corp | Transistor à jonction fonctionnant à grande puissance |
FR1162732A (fr) * | 1955-10-29 | 1958-09-16 | Siemens Ag | Redresseurs ou transistors plats |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1266883B (de) * | 1964-03-21 | 1968-04-25 | Licentia Gmbh | Betriebsschaltung eines Thyristors |
DE1276185B (de) * | 1965-05-03 | 1968-08-29 | Siemens Ag | Anordnung zur Steuerung eines ueber eine einzige Steuerelektrode zuend- und loeschbaren Thyristors |
US3670217A (en) * | 1967-03-16 | 1972-06-13 | Asea Ab | Thyristor with a control device and having several control electrodes |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1156508C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1964-05-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2945324C2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
DE1103389B (de) | Schaltanordnung mit einer Vierschichthalbleiteranordnung | |
DE1564527B1 (de) | Halbleiterschalter fuer beide stromrichtungen | |
DE1131329B (de) | Steuerbares Halbleiterbauelement | |
DE1044888B (de) | Impulsuebertragungseinrichtung mit einem halbleitenden Koerper | |
DE1564420B2 (de) | Symmetrisch schaltendes Halbleiterbauelement | |
DE1115837B (de) | Flaechentransistor mit einem plaettchenfoermigen Halbleiterkoerper | |
DE1213920B (de) | Halbleiterbauelement mit fuenf Zonen abwechselnden Leitfaehigkeitstyps | |
DE1034272B (de) | Unipolartransistor-Anordnung | |
DE2238564B2 (de) | Thyristor | |
DE1156508B (de) | Steuerbares und schaltendes Vierschichthalbleiterbauelement | |
DE2461207C3 (de) | Thyristor | |
DE1514593B1 (de) | Steuerbares Halbleiterbauelement | |
DE1439674C3 (de) | Steuerbares und schaltbares pn-Halbleiterbauelement für große elektrische Leistungen | |
EP0065174B1 (de) | Verfahren zum Betrieb eines Thyristors mit steuerbaren Emitterkurzschlüssen | |
DE1295695B (de) | Steuerbares Halbleiterbauelement mit vier aufeinanderfolgenden Zonen abwechselnd entgegengesetzten Leitfaehigkeitstyps | |
DE2231777A1 (de) | Symmetrisch schaltendes mehrschichtenbauelement und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3000891A1 (de) | Halbleiterbaustein mit gattersteuerung | |
EP0065671B1 (de) | Thyristor mit Hilfsemitterelektrode und Kurzschlussgebieten sowie Verfahren zu seinem Betrieb | |
DE1573717B2 (de) | Druckempfindliches halbleiterbauelement | |
DE1854099U (de) | Vierschichthalbleiter. | |
EP0064716B1 (de) | Triac und Verfahren zu seinem Betrieb | |
DE1539630C (de) | Steuerbare Halbleiteranordnung | |
DE2212154C3 (de) | Halbleiter-Gleichrichteranordnung | |
DE2500384C3 (de) | Hochfrequenz-Thyristor |