DE1155201B

DE1155201B - Lichtempfaenger, insbesondere fuer fotografischen Zwecken dienende Belichtungsregleroder Belichtungsmesser

Info

Publication number: DE1155201B
Application number: DEA33364A
Authority: DE
Inventors: Dr Fritz Bestenreiner; Dr Friedrich Biedermann; Dipl-Phys Kurt Lederer
Original assignee: Agfa AG
Current assignee: Agfa Gevaert NV
Priority date: 1959-11-25
Filing date: 1959-11-25
Publication date: 1963-10-03
Also published as: GB973341A; CH381444A; NL258177A

Description

DEUTSCHES

PATENTAMT

A 33364 Vfflc/21g

ANMELDETAG: 25. NOVEMBER 1959

BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UNDAUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT:

3. OKTOBER 1963

Die Erfindung betrifft einen Lichtempfänger, insbesondere für fotografischen Zwecken dienende Belichtungsregler oder Belichtungsmesser, mit einem Fotoelement und einem hierzu parallel geschalteten Fotowiderstand.

Bekanntlich hängt die Beleuchtungsstärke-Fotostrom-Charakteristik von Sperrschichtfotoelementen, z. B. von Selenfotoelementen, vom Belastungswiderstand ab. Der Kurzschlußstrom verläuft linear mit der Beleuchtungsstärke, während die Klemmenspannung bei unendlichem Außenwiderstand proportional dem Logarithmus der Beleuchtungsstärke ist. Schließt man ein Fotoelement mit einem endlichen Widerstand ab, so verläuft die Kurve, welche die Abhängigkeit des Fotostroms von der Beleuchtungsstärke aufzeigt, zwischen der linearen und der logarithmischen Kurve, die bei den genannten Extremverhältnissen Gültigkeit haben. Für Lichtmesser, insbesondere fotoelektrische Belichtungsmesser, deren Meßinstrument zwangläufig einen endlichen Widerstand aufweist, ist es aber wünschenswert, daß die Meßwertanzeige logarithmisch-linear verläuft, d. h., daß den Beleuchtungsstärkewerten, welche in einer geometrischen Reihe aufeinanderfolgen, auf der Skala des Meßinstrumentes Skalenpunkte mit zueinander gleichem Abstand entsprechen.

Aus diesem Grunde wurde bereits vorgeschlagen, bei Lichtmessern ein Meßinstrument mit hohem Innenwiderstand, gegebenenfalls unter Zuschaltung eines Vorwiderstandes, zu benutzen. Hierbei tritt jedoch, insbesondere bei höheren Beleuchtungsstärken, die Temperaturabhängigkeit des fotoelektrischen Sparrschichteffektes stark in Erscheinung, was zu beträchtlichen Meßfehlern führt und die Einschaltung eines den Temperaturfehler kompensierenden zusätzlichen Schaltelementes erfordert.

Ferner wurde bereits vorgeschlagen, sin sehr niederohmiges Anzeigeinstrument mit logarithmischer Abhängigkeit des Zeigerausschlages vom Fotostrom zu benutzen. Die Fertigung von Anzeigeinstrumenten mit logarithmischer Anzeigecharakteristik ist jedoch verhältnismäßig kompliziert und teuer, insbesondere dann, wenn an die Anzeigegenauigkeit größere Ansprüche gestellt werden.

Zur Vermeidung dieser Nachteile wurde auch schon versucht, bei fotoelektrischen Belichtungsmessern mit Fotoelement und linear anzeigendem Meßinstrument parallel zum Fotoelement eine Halbleiterdiode, beispielsweise eine Germaniumdiode, zu schalten, deren Widerstand bekanntlich spannungsabhängig ist. Auch diese Versuche führten jedoch nicht zu einem befriedigenden Ergebnis, da die Spannungs-Lichtempfänger, insbesondere für fotografischen Zwecken dienende Belichtungsregler oder Belichtungsmesser

Anmelder:
Agfa Aktiengesellschaft, Leverkusen

Dr. Friedrich Biedermann,

Unterhaching bei München,

Dr. Fritz Bestenreiner, Grünwald bei München,

und Dipl.-Phys. Kurt Lederer, München,

sind als Erfinder genannt worden

abhängigkeit der benutzten Halbleiterdioden in den bei Belichtungsmessern vorkommenden Bereichen nicht im erforderlichen Umfang in Erscheinung tritt. Eine logarithmisch-lineare Abhängigkeit der Meßwertanzeige von der Beleuchtungsstärke ist jedoch dadurch erreichbar, daß dem Fotoelement des Lichtempfängers ein Fotowiderstand parallel geschaltet und zusammen mit dem Fotoelement im Strahlengang des Meßlichts angeordnet wird. Bei bekannten Anordnungen dieser Art stellen jedoch das Fotoelement und der Fotowiderstand separate Bauelemente dar, die jedes für sich in ein fotografisches Aufnahmegerät einzubauen und alsdann schaltungsmäßig zu verbinden sind. Hierdurch wird die praktische Verwertung solcher Anordnungen sehr erschwert.
Zur weiteren Verbesserung eines solchen Lichtempfängers wird nunmehr gemäß der Erfindung vorgeschlagen, das Fotoelement und den Fotowiderstand untrennbar zu einem Bauelement zu vereinigen. Hierzu ist es zweckmäßig, das Fotoelement und den Fotowiderstand auf einer gemeinsamen Grundplatte anzuordnen, wobei das Fotoelement und der Fotowiderstand auf dieser Grundplatte nebeneinander angeordnet oder in Form von mehreren Streifen ausgebildet sein können, die auf der Grundplatte in abwechselnder Folge nebeneinanderliegen. Das Fotoelement und der Fotowiderstand können auf der gemeinsamen Grundplatte auch übereinander angeordnet sein, wobei der Grundplatte eine Selenschicht,

309 590/208

3 4

eine lichtdurchlässige leitfähige Deckschicht, eine Weitere Einzelheiten und Vorteile des Erfindungslichtdurchlässige Isolierschicht und eine Fotowider- gegenstandes gehen aus der Beschreibung einiger Standsschicht überlagert sein können und die Foto- Ausführungsformen der Erfindung hervor. Diese sind

Widerstandsschicht einerseits mit der Deckschicht und in den Zeichnungen dargestellt, und zwar zeigt

andererseits mit der Grundplatte leitend verbunden 5 Fig. 1 eine fotografische Kamera, in welche ein

sein kann. fotoelektrischer Belichtungsmesser der erfindungs-

Gemäß einer weiteren Ausbildung der vorliegenden gemäßen Art eingebaut ist,

Erfindung kann in Reihe und/oder parallel zum Foto- Fig. 2 das Schaltbild einer einfachen Ausführungswiderstand mindestens ein Ohmscher Widerstand an- form der Erfindung,

geordnet sein. Mindestens einer dieser Ohmschen io Fig. 3 das Schaltbild einer weiteren Ausführungs-Widerstände kann in die Baueinheit des aus Foto- form der Erfindung,

element und Fotowiderstand bestehenden Licht- Fig. 4 bis 8 verschiedene Ausführungsformen des

empfängers einbezogen und als Schichtwiderstand Lichtempfängers des erfindungsgemäßen Belichtungs-

ausgebildet sein. Der in Reihe mit dem Fotowider- messers im Schnitt,

stand geschaltete Schichtwiderstand kann zwischen 15 Fig. 9 eine weitere Ausführungsform eines Lichtder Grundplatte und der Fotowiderstandsschicht empfängers in perspektivischer Darstellung,
liegen oder neben der Fotowiderstandsschicht ange- Fig. 1 zeigt eine fotografische Kamera, deren ordnet und mit der Grundplatte leitend verbunden Gehäuse mit 1, das Gehäuseoberteil mit 2 und das sein. Der parallel zum Fotowiderstand geschaltete Aufnahmeobjektiv mit 3 bezeichnet ist. Im Gehäuse-Schichtwiderstand wird zweckmäßigerweise neben der 20 oberteil 2 sind der Durchsichtsucher 4 und hinter Fotowiderstandsschicht angeordnet und mit dem einer Wabenblende 5 das Fotoelement 6 sowie der Serienwiderstand leitend verbunden. Dem Foto- Fotowiderstand 7 des in die Kamera eingebauten Beelement und dem Fotowiderstand kann eine gemein- lichtungsmessers nebeneinander angeordnet,
same Wabenblende vorgeschaltet sein. Das Fotoelement 6 und der Fotowiderstand 7 lie-

Zur Herstellung des erfindungsgemäßen, aus einem 25 gen somit gemeinsam im Strahlengang des zu mes-Fotoelement und einem Fotowiderstand bestehenden senden Lichtes, wobei die Beleuchtungsstärke auf Lichtempfängers wird vorgeschlagen, zunächst die dem Fotoelement und auf dem Fotowiderstand gleich Fotowiderstandsschicht auf den einen Teil der ist. Auch der Winkelbereich, innerhalb dessen die Grundplatte aufzudampfen, zu erwärmen und durch Lichtstrahlen auf das Fotoelement 6 und auf den kathodische Bestäubung mit Indium oder Gallium 3° Fotowiderstand 7 treffen, sind für beide Bauelemente zu kontaktieren und danach unter Abdeckung der praktisch gleich. Selbstverständlich wäre es jedoch bereits aufgebrachten Fotowiderstandsschicht die auch möglich, das Fotoelement 6 und den Fotowider-Selenschicht auf den anderen Teil der Grundplatte stand 7 derart anzuordnen, daß die Beleuchtungsaufzudampfen, zu erwärmen und durch kathodische stärke am Fotoelement 6 der Beleuchtungsstärke am Bestäubung mit einem Edelmetall oder mit Cadmium 35 Fotowiderstand zwar nicht gleich, aber proporzu kontaktieren. Statt dessen kann der erfindungs- tional ist.

gemäße Lichtempfänger auch in der Weise hergestellt Wie aus Fig. 2 ersichtlich ist, sind das Fotowerden, daß zunächst die Fotowiderstandsschicht auf element 6 und der Fotowiderstand 7 im Stromkreis den einen Teil der Grundplatte aufgedampft, erwärmt des Belichtungsmessers parallel zueinander geschaltet, und durch Beglimmung gereinigt wird, danach unter 40 Das in Fig. 1 nicht dargestellte, ebenfalls in die Ka-Abdeckung der Fotowiderstandsschicht die Selen- mera eingebaute Meßinstrument ist in Fig. 2 mit 8 schicht auf den anderen Teil der Grundplatte aufge- bezeichnet. In Serie mit dem Fotoelement 6 und dem dampft wird und schließlich die beiden Schichten Fotowiderstand 7 liegt der Justierwiderstand 9.
durch kathadische Bestäubung mit einem Edelmetall Das als Drehspulinstrument ausgebildete linear anoder mit Cadmium gemeinsam kontaktiert werden. 45 zeigende Meßinstrument 8 weist einen geringen

Der erfindungsgemäße Lichtempfänger ist nicht Innenwiderstand auf. Demgegenüber ist der Widernur mit dem Vorteil einer überraschend guten loga- standswert des Fotowiderstandes 7 bei Nichtbeleuchrithmisch-linearen Abhängigkeit der Meßwertanzeige tung verhältnismäßig hoch und sinkt bei zunehraenvon der Beleuchtungsstärke bei Verwendbarkeit eines der Beleuchtungsstärke, so daß er bei höheren niederohmigen Anzeigeinstrumentes mit linearer Cha- 5° Beleuchtungsstärken mit Zunahme derselben als rakteristik verbunden, sondern besitzt den weiteren immer stärkerer Kurzschluß wirksam wird und den erheblichen Vorteil, daß er trotz komplexer Zusam- durch das Instrument 8 fließenden Strom begrenzt, mensetzung in ebenso einfacher Weise zum Einsatz derart, daß dem geometrischen Fortschritt der Begelangen kann wie ein einzelnes Fotoelement. Beim leuchtungsstärken am Fotoelement 6 und Fotowider-Einbau des erfindungsgemäßen Lichtempfängers in 55 stand 7 ein linearer Anstieg des durch das Meßinstrueine Kamera, einen Belichtungsmesser od. dgl, ist ment 8 hindurchfließenden Fotostroms entspricht. Es hinter einem Gehäusefenster nur ein einziges Teil zu ergibt sich somit eine logarithmisch-lineare Charaklagern, wodurch sich die mit dem Einbau eines Foto- teristik der Meßwertanzeige.

elementes und eines Fotowiderstandes bisher erfor- Zur genauen Anpassung des Fotowiderstandes an

derlich gewesenen Maßnahmen erheblich vereinfachen 60 die übrigen Schaltelemente des Belichtungsmessers

und die Befestigungseinrichtungen wesentlich ein- können — wie aus Fig. 3 ersichtlich ist — in Serie

fächer gestaltet werden können. Auch in elektrischer und parallel zum Fotowiderstand 7 je ein weiterer,

Hinsicht bietet der Einbau des erfindungsgemäßen vorzugsweise justierbarer Widerstand 10, 11 geschal-

Lichtempfängers keine Schwierigkeiten, nachdem die tet werden.

erfindungsgemäße Baueinheit nur zwei Anschluß- 65 Das Fotoelement 6, das beispielsweise ein Selenklemmen aufzuweisen braucht. Fehler im schaltungs- element darstellt, und der Fotowiderstand 7, der beigemäßen Einbau werden somit vermieden, so daß er spielsweise aus Cadmiumsulfid besteht, werden auf auch von Hilfskräften durchgeführt werden kann. einem gemeinsamen Träger angeordnet. Eine der-

5 6

artige Ausführungsform ist in Fig. 4 im Schnitt übereinander angeordnet werden. In diesem Fall werdargestellt. Dort sind die Selenschicht 12 des Foto- den der Grundplatte 14 die Selenschicht 12 b, die elementes 6 und die Cadmiumsulfidschicht 13 des Deckschicht 15, die Isolierschicht 22 und die Cad-Fotowiderstandes 7 nebeneinander auf der gemein- miumsulfidschicht 13 b überlagert. Die Kontaktleiste samen Grundplatte 14 angeordnet, die aus Eisen oder ε 23 ist mit der Cadmiumsulfidschicht 13 b des Foto-Messing besteht. Die Selenschicht 12 und die Cad- Widerstandes 7 und der Deckschicht 15 des Fotomiumsulfidschicht 13 sind durch eine dünne licht- elements 6 leitend verbunden, während die Cadmiumdurchlässige Schicht 15 aus leitendem Material abge- sulfidschicht 13 b des Fotowiderstandes andererseits deckt, die in bekannter Weise mit einer Rand- über die leitende Brücke 24 mit der Grundplatte 14 elektrode 16 versehen ist. An der Grundplatte 14 und io in Verbindung steht. Die Lötfahnen 17, 18 zum Anan der Randelektrode 16 ist je eine Lötfahne 17, 18 schluß des kombinierten Lichtempfängers an das befestigt, mit welchen der aus Fotoelement 6 und Meßinstrument sind an der Kontaktleiste 23 und an Fotowiderstand 7 bestehende Lichtempfänger an die der Grundplatte 14 befestigt.
Leitungen 19, 20 (vgl. Fig. 2) des Belichtungsmessers Die beiden letztgenannten Ausführungen weisen anschließbar ist. Der Lichtempfänger bildet somit i₅ gegenüber der in Fig. 4 gezeigten den Vorteil auf, daß eine geschlossene Baueinheit, welche in Fig. 2 durch auch bei ungleichmäßiger Beleuchtung der gesamten das Rechteck 21 angedeutet ist. Zellenoberfläche sowohl die Selen- als auch die Cad-Die Selenschicht 12 und die Cadmiumsulfidschicht miumsulfidschicht die gleichen Lichtstromanteile 13 werden zweckmäßigerweise nach dem Aufdampf- empfangen; dies ist bei der Ausführung nach Fig. S verfahren erzeugt. Da die aufgedampfte Selenschicht ao insbesondere dann um so besser gewährleistet, je

12 und die aufgedampfte Cadmiumsulfidschicht 13 höher die Anzahl der Streifen pro Flächeneinheit ist. einer unterschiedlichen Wärmebehandlung bedürfen, Die in Fig. 3 dargestellten, in Reihe und parallel ist es zweckmäßig, zuerst die Cadmiumsulfidschicht zum Fotowiderstand 7 geschalteten Widerstände 10,

13 auf die Platte 14 aufzudampfen, wobei derjenige 11 können von der Baugruppe des Lichtempfängers TeU der Platte 14, auf den später die Selenschicht 12 25 mit umfaßt werden, zweckmäßigerweise dadurch, aufzudampfen ist, durch eine Maske abzudecken ist. daß diese Widerstände 10, 11 schichtförmig ausgebil-Die aufgedampfte Cadmiumsulfidschicht 13 wird det werden. Das Fotoelement 6, der Fotowiderstand 7 dann auf die vorgeschriebene Temperatur von 450° C und die Widerstände 10, 11 bilden in diesem Fall erhitzt. Danach wird unter Abdeckung der aufge- eine geschlossene Baueinheit 25 (vgl. Fig. 3).
dampften Cadmiumsulfidschicht 13 mittels einer wei- 30 Der Gegenstand der Fig. 7 entspricht im wesentteren Maske die Selenschicht 12 auf die Grundplatte liehen dem Gegenstand der Fig. 4, er ist jedoch in

14 aufgedampft und die ganze Kombination auf die der Weise ergänzt, daß in Reihe mit dem Fotowiderfür die Temperung der Selenschicht vorgeschriebene stand 7 ein Ohmscher Schichtwiderstand 10 geschaltet Temperatur von 218° C erwärmt. ist. Der Schichtwiderstand 10 ist in diesem Fall vor-

Bei der Kontaktierung der beiden Schichten 12, 13 35 zugsweise zwischen der Grundplatte 14 und der Cadmit der Deckschicht 15 soll sich an der Selenschicht miumsulfidschicht 13 gelagert.
12 ein Kontakt mit Sperreffekt ausbilden, nicht aber Soll dem Fotowiderstand 7 noch dor Widerstand

an der Cadmiumsulfidschicht 13. Es wird deshalb 11 parallel geschaltet werden, so ist es zweckmäßig, vorgeschlagen, vor Aufbringung der Deckschicht 15 neben der Cadmiumsulfidschicht 13 noch einen auf dem Wege der kathodischen Bestäubung beider 40 Schichtwiderstand 11 anzuordnen, der mit dem Schichten 12,13 mit einem Edelmetall oder Cadmium Schichtwiderstand 10 über die Brücke 26 in leitender die Cadmiumsulfidschicht 13 durch eine Glimm- Verbindung steht und gegen die Trägerplatte 14 entladung zunächst zu reinigen. Dieser Reinigungs- durch Zwischenlagerung einer Isolierschicht 27 Vorgang kann nach der Temperung der Cadmium- isoliert ist (vgl. Fig. 8). Mit der Deckschicht 15 ist der sulfidschicht 13 und vor dem Aufdampfen der Selen- 45 Schichtwiderstand 11 jedoch in Kontakt,
schicht 12 erfolgen. Analog ist der Einbau der Widerstände 10, 11

Statt dessen kann jede der beiden Schichten 12, 13 auch bei einem Lichtempfänger möglich, bei welchem auch unabhängig voneinander mit einer Deckschicht die Selenschicht 12b und die Cadmiumsulfidschicht versehen werden, und zwar die Cadmiumsulfid- 13 b ähnlich wie beim Gegenstand der Fig. 6 übereinschicht 13 durch kathodische Bestäubung mit Indium 50 ander angeordnet sind (vgl. Fig. 9). Dort ist auf der oder Gallium und die Selenschicht 12 durch katho- Trägerplatte 14 die Selenschicht 12 b gelagert, auf dische Bestäubung mit einem Edelmetall oder Cad- welcher die Deckschicht 15 angeordnet ist. Darüber mium. Das Aufbringen dieser Deckschichten erfolgt befindet sich unter Zwischenlagerung der Isolierzweckmäßig jeweils nach dem Tempern der Cad- schicht 22 die Cadnmimsulfidschicht 13 b. Die Konmiumsulfid- bzw. Selenschicht. 55 taküeiste 23 ist wiederum mit der Deckschicht 15 und

In beiden Fällen wird erreicht, daß sich zwischen der Fotowiderstandsschicht 13 b verbunden, während der Selenschicht 12 und der Deckschicht ein Kontakt neben der Cadmiumsulfidschicht 13 b die Schichtmit Sperreffekt und zwischen der Cadmiumsulfid- widerstände 10, 11 angeordnet sind. Mit 28, 29 sind schicht 13 und der Deckschicht ein Kontakt ohne Kootaktleisten bezeichnet, von denen die Kontakt-Sperreffekt ausbildet. 60 leiste 28 die Fotowiderstandsschicht 13 b mit dem

Anstatt die Selenschicht 12 und die Cadmiumsulfid- Schichtwiderstand 10 leitend verbindet. Die Kontaktschicht 13 auf den Träger 14 nebeneinander anzu- leiste 29 ist über die Brücke 28 mit der Trägerplatte ordnen, können diese Schichten auch in Form von 14 leitend verbunden.

Streifen 12 a, 13 a ausgebildet und die Streifen in ab- An Stelle der Selenschicht 12 bzw. 12 a bzw. 12 b

wechselnder Folge nebeneinander auf dem Träger 14 65 des Fotoelementes 6 kann selbstverständlich auch aufgebracht werden (vgl. Fig. 5). eine Schicht aus Kupferoxydul oder Bleisulfid be-

Wie aus Fig. 6 ersichtlich ist, können die Selen- nutzt werden. Desgleichen kann an Stelle der Cadschicht 12 b und die Cadmiumsulfidschicht 13 b auch miumsulfidschicht 13 bzw. 13 a bzw. 136 des Foto-

Widerstandes 7 eine Schicht aus Zinkoxyd, Arsentrisulfid, Bleijodid, Bleichromat, Cadmiumjodid, Zinkjodid, Antimonoxyd, Antimonsulfid, Quecksilberjodid, Aluminiumjodid oder Cadmiumselenid Anwendung finden. An Stelle der Schichtwiderstände 10, 11 können auch übliche Ohmsche Widerstände benutzt werden, welche an der Grundplatte 14 befestigt sein können.

Bei entsprechender Wahl der Widerstände 10, 11 können auch andere Anzeigecharakteristiken erzielt werden.

Der Belichtungsmesser braucht nicht unbedingt in eine fotografische Kamera eingebaut zu sein, sondern kann auch als Handgerät ausgebildet sein. Im übrigen beschränkt sich die vorliegende Erfindung nicht auf Belichtungsmesser für fotografische Zwecke, sondern kann auch bei Fotometern anderer Art Anwendung finden.

Claims

PATENTANSPRÜCHE:

1. Lichtempfänger, insbesonder für fotografischen Zwecken dienende Belichtungsregler oder Belichtungsmesser, mit einem Fotoelement und einem hierzu parallel geschalteten Fotowiderstand, dadurch gekennzeichnet, daß das Fotoelement (6) und der Fotowiderstand (7) untrennbar zu einem Bauelement (21, 25) vereinigt sind.

2. Lichtempfänger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Fotoelement (6) und der Fotowiderstand (7) auf einer gemeinsamen Grundplatte (14) angeordnet sind.

3. Lichtempfänger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Fotoelement (6) und der Fotowiderstand (7) auf der gemeinsamen Grundplatte (14) nebeneinander angeordnet sind.

4. Lichtempfänger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl das Fotoelement (6) als auch der Fotowiderstand (7) in Form von Streifen ausgebildet sind, die auf der gemeinsamen Grundplatte (14) in abwechselnder Folge nebeneinander angeordnet sind.

5. Lichtempfänger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Fotoelement (6) und der Fotowiderstand (7) auf der gemeinsamen Grundplatte (14) übereinander angeordnet sind.

6. Lichtempfänger nach Anspruch 5, gekennzeichnet durch die Überlagerung einer Grundplatte (14), einer Selenschicht (12 h), einer lichtdurchlässigen leitenden Deckschicht (15), einer lichtdurchlässigen Isolierschicht (22) und einer Fotowiderstandsschicht (13 b), wobei die Fotowiderstandsschicht (13 b) einerseits mit der Deckschicht (15) und andererseits mit der Grundplatte (14) leitend verbunden ist.

7. Lichtempfänger nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß in Reihe und/oder parallel zum Fotowiderstand (7) mindestens ein Ohmscher Widerstand

(10, 11) angeordnet ist. 60

8. Lichtempfänger nach den Ansprüchen 1 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der Widerstände (10, 11) in die Baueinheit (25) des aus Fotoelement (6) und Fotowiderstand (7) bestehenden Lichtempfängers einbezogen ist.

9. Lichtempfänger nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der Widerstände (9, 10) als Schichtwiderstand ausgebildet ist.

10. Lichtempfänger nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der in Reihe mit dem Fotowiderstand (7) geschaltete Schichtwiderstand (10) zwischen der Grundplatte (14) und der Fotowiderstandsschicht (13) angeordnet ist.

11. Lichtempfänger nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der in Reihe mit dem Fotowiderstand (7) geschaltete Schichtwiderstand (10) neben der Fotowiderstandsschicht (13 b) angeordnet und mit der Grundplatte (14) leitend verbunden ist.

12. Lichtempfänger nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der parallel zum Fotowiderstand (7) geschaltete Schichtwiderstand (11) neben der Fotowiderstandsschicht (13; 13 b) angeordnet und mit dem Serienwiderstand (10) leitend verbunden ist.

13. Lichtempfänger nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß dem Fotoelement (6) und dem Fotowiderstand (7) eine gemeinsame Wabenblende (5) vorgeschaltet ist.

14. Verfahren zur Herstellung eines Lichtempfängers nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst die Fotowiderstandsschicht (13) auf den einen Teil der Trägerplatte (14) aufgedampft, erwärmt und durch kathodische Bestäubung mit Indium oder Gallium kontaktiert wird und daß danach unter Abdeckung der Fotowiderstandsschicht (13) die Selenschicht (12) auf den anderen Teil der Trägerplatte aufgedampft, erwärmt und durch kathodische Bestäubung mit einem Edelmetall oder mit Cadmium kontaktiert wird.

15. Verfahren zur Herstellung eines Lichtempfängers nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß zunächst die Fotowiderstandsschicht (13) auf den einen Teil der Trägerplatte (14) aufgedampft, erwärmt und durch Beglimmung gereinigt wird, danach unter Abdeckung der Fotowiderstandsschicht (13) die Selenschicht (12) auf den anderen Teil der Trägerplatte (14) aufgedampft und erwärmt wird und schließlich die beiden Schichten (12, 13) durch kathodische Bestäubung mit einem Edelmetall oder Cadmium gemeinsam kontaktiert werden.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Patentschrift Nr. 750 797;
deutsche Auslegeschriften Nr. 1027 902,
298, 1084565.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen