DE1151315B - Einrichtung zur Erfassung von Grenztemperaturen - Google Patents

Einrichtung zur Erfassung von Grenztemperaturen

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DE1151315B
DE1151315B DES80847A DES0080847A DE1151315B DE 1151315 B DE1151315 B DE 1151315B DE S80847 A DES80847 A DE S80847A DE S0080847 A DES0080847 A DE S0080847A DE 1151315 B DE1151315 B DE 1151315B
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DE
Germany
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signal
voltage divider
stage
transistor
voltage
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Pending
Application number
DES80847A
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English (en)
Inventor
Dipl-Ing Hans-Joachi Krimmling
Dipl-Ing Dieter Eichmann
Otto Mueller Jun
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
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Publication date
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Publication of DE1151315B publication Critical patent/DE1151315B/de
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H5/00Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection
    • H02H5/04Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature
    • H02H5/042Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature using temperature dependent resistors
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K3/00Thermometers giving results other than momentary value of temperature
    • G01K3/005Circuits arrangements for indicating a predetermined temperature

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Protection Of Static Devices (AREA)

Description

  • Einrichtung zur Erfassung von Grenztemperaturen Die Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zur Erfassung von Grenztemperaturen, insbesondere in elektrischen Maschinen und Geräten, unter Verwendung temperaturabhängiger Widerstandselemente, z. B. Heißleiter in Spannungsteilerschaltung mit Festwiderständen, wobei jedem der Fühlerelemente weitere Widerstandselemente, insbesondere Festwiderstände; parallel geschaltet sind, und eines Signalgebers, auf den ein oder mehrere der Abgriffe dieser Spannungsteiler geschaltet sind.
  • Zur Erfassung von Grenztemperaturen in elektrischen Maschinen und Geräten ist bereits vorgeschlagen worden, Heiß- oder Kaltleiter in einer Brückenschaltung zu verwenden und die Brücke so auszulegen, daß bei bestimmten Potentialverhältnissen an der das messende Element aufnehmenden Brückendiagonale ein empfindliches, vorzugsweise schaltendes Element, z. B. ein Halterelais, ausgelöst wird. Werden Kaltleiter eingesetzt, so verwendet man in der Regel eine Ruhestromschaltung, während mit Heißleiter Arbeitsstromschaltungen bevorzugt werden. Durch Kunstschaltungen können auch Heißleiter im Ruhestrombetrieb verwendet werden. Das Ruhestromprinzip hat den Vorteil, daß bei Drahtbruch oder sonstiger Unterbrechung des Meßfühlerkreises ein Signal genau wie bei Überschreiten einer Grenztemperatur ausgelöst wird. Ein Kurzschluß auf der Meßleitung wird dagegen nicht erfaßt, vielmehr wird durch einen solchen die Meßeinrichtung außer Funktion gesetzt. Bei einem Arbeitsstromprinzip ergeben sich entsprechend umgekehrte Verhältnisse.
  • Um neben der sicheren Erfassung von Grenztemperaturen auch Störungen auf den Meßleitungen, das sind die Verbindungen zwischen der Meßbrücke und den eigentlichen Meßfühlern, zu erfassen, ist bereits vorgeschlagen worden, in Serie zu Kaltleiterfühlern bzw. parallel zu Heißleiterfühlern Festwiderstände zu schalten und die Brücke so abzustimmen, daß sowohl bei Überschreiten als auch bei Unterschreiten bestimmter Ohmwerte im Meßkreis ein Signal ausgelöst wird. Bei Heißleitern kann der Effekt noch durch die Parallelschaltung von Kaltleitern verbessert werden, weil diese die Widerstands-Temperaturkennlinie nicht so stark verflachen wie die Parallelschaltung von Festwiderständen.
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Einrichtung der beschriebenen Art anzugeben, bei der sowohl die Überschreitung einer Grenztemperatur als auch eine Störung auf den Meßleitungen sicher, d. h. nicht nur durch Potentialschwankungen, sondern durch ein eindeutiges Signal kenntlich gemacht wird.
  • Ferner soll zur Signalgabe eine Leistungsstufe, ins- besondere ein Relais od. dgl., eingesetzt werden können, das weniger empfindlich ist als die sonst eingesetzten hochempfindlichen Haltemagnete. Schließlich soll durch die Einrichtung nach der Erfindung sichergestellt werden, daß nach dem Auslösen eines Signals und Abkühlung des überwachten Gerätes die tÇberwachungseinrichtung selbsttätig wieder in die Betriebsbereitschaftsiage geht.
  • Die Einrichtung nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Signalgebereingang über zwei getrennte Steuerkreise mit dem Spannungsteilerabgnff verbunden ist, von denen der eine bei Potentialumkehr und der zweite bei Überschreiten eines vorgegebenen Potentialgrenzwertes am Spannungsteilerabgriff zum Signalgeber ein diesen aussteuerndes Signal durchläßt bzw. erzeugt. Damit gleiche Signale für Temperaturanzeige und Störung auf den Meßleitungen anliegen, wird vorteilhaft der eine der Steuerkreise mit einer Signalumkehrstufe ausgestattet.
  • In an sich bekannter Weise werden mehrere parallel geschaltete Spannungsteiler und die Eingangskreise bzw. die diese mit dem Signalgeber verbindenden Steuerkreise gegeneinander durch Gleichrichter elektrisch entkoppelt. Als Signalumkehrstufe wird vorteilhaft ein weiterer Spannungsteiler eingesetzt, dessen einer Zweig von einem gesteuerten Halbleiter, z. B. einem Transistor, gebildet ist,. der mit seiner Basis über einen Gleichrichter auf den Abgriff des die Meßfühler enthaltenden Spannungsteilers geschaltet ist.
  • Dies ergibt zugleich eine Signalverstärkung, denn diese Schaltung ist ein Transistorverstärker in Emitterschaltung.
  • An Hand der Zeichnung wird ein besonders vorteilhaftes Ausführungsbeispiel einer Einrichtung nach der Erfindung beschrieben und die Wirkungsweise erläutert.
  • Die Einrichtung nach der Erfindung besteht im wesentlichen aus einem Netzteil N, einem Verstärker-und Signalteil V sowie mehreren Meßblöcken I, II und III. Es ist vorteilhaft, den Verstärkerteil V mit Ausnahme des schaltenden Elementes, z. B. eines Relais R, mit dem Netzteil und gegebenenfalls auch mit den fest eingestellten Teilen der Meßblöcke zusammenzubauen, jedoch ist dies im Einzelfall an die Gegebenheiten der Praxis anzupassen. So kann es auch zweckmäßig sein, z. B. einen Netzteil für mehrere Meßeinrichtungen gemeinsam zu verwenden.
  • Der Netzteil N besteht aus einem Netztransformator 1, den nachgeschalteten Gleichrichtern 2 und den Oiättungskondensatoren 3. Die eingetragenen Spannungswerte sind Iediglich als Beispielsangaben gemacht.
  • Der Verstärkerteil V enthält die Transistoren T2, T3 und T4, von denen letzterer unmittelbar das schaltende Relais R oder ein Schütz zur Abgabe eines Signals, insbesondere zur Auslösung von Schutzschaltern, steuert. An Stelle der Transistoren können selbstverständlich auch andere, ähnlich wirkende Elemente, wie Viersohichtgleichrichter u. dgl., eingesetzt werden. Zur Spannungsbegrenzung ist dem Relais R eine Diode 4 parallel geschaltet. Eine weitere Spannungsbegrenzungsdiode 5 ist parallel zur Emitter-Basis-Strecke des Transistors T3 geschaltet. Die Transistoren T3 und T4 bilden zusammen eine monostabile Kippverstärkerstufe. Die Rückkopplung für diese Kippstufe erfolgt dabei über den Widerstand 6.
  • Zur Kippverstärkerstufe gehören ferner die Widerstände 7, 8, 9, 10 und 11.
  • Am Eingang des Kippverstärkers, d. h. an der Basis des Transistors T3, liegen ein Spannungsteiler, be stehend aus den Widerständen 10, 11 und 17, sowie die Meßblöcke I, II bzw. III und der Emitteranschluß des Transistors T2, der hier als Kaskadentransistor für den Transistor T3 wirkt. Die Einstellung dieser Verstärkerstufe auf einen bestimmten Ansprechwert wird einmal durch die Auswahl einer Schwellspannungsdiode Z, zum anderen durch die Widerstände 10, 16 und 17 bewirkt. Die Widerstände 9, 10 und 12 dienen zur Temperaturkompensation der Transistoren T2 bis T4.
  • Es ist ersichtlich, daß die Transistoren T 2 und T 3 basisseitig jeweils über Dioden D 2 bzw. D 3 mit den Meßblöcken I bis III bzw. den Potentialabgriffen a und b dieser Meßblöcke verbunden sind. Die Dioden D 2 und D 3 bilden »Oder«-Gatter, so daß jedes Signal von den einzelnen Meßbiöcken gleichberechtigt ein Signal am Relais R auslösen kann. Zudem entkoppeln diese Gleichrichter die einzelnen Meßblöcke bzw. ihre Potentialabgriffe gegeneinander.
  • Die Schwellspannungsdiode Z, z. B. eine Zenerdiode, bewirkt, daß der Transistor T 2 erst nach Überschreiten einer bestimmten Mindestspannung am Potentialabgriff a ausgesteuert wird.
  • Jeder Meßbilock besteht aus einem Spannungsteiler mit dem Festwiderstand 13, dem Thermofühler F und dem diesem Fiihler parallel geschalteten Festwider- stand 14. Ferner sind zur Verstärkung und zur Signalumkehr ein Transistor T 1 mit seinen Widerständen 15, 16 und 17 sowie; eine der Basis des Transistors T 1 vorgeschaltete Diode D 1 eingesetzt. Die Verbindungsleifung zwischen den festen Teilen der Meßblöcke und den eigentlichen Fühlern F mit ihren parallel geschalteten Widerständen 14 ist gestrichelt eingezeichnet.
  • Die Wirkungsweise der beschriebenen Einrichtung ergibt sich wie folgt: Der Spannungsteiler 13 und 14, F ist so eingestellt, daß bei normalem Betrieb, d. h. einwandfreien Meßleitungen und einer Fülertemperatur, die unterhalb der vorgegebenen Ansprechtemperatur liegt, am Punkt a ein negatives Potential solcher Größe anliegt, daß die Diode Z noch sperrt. Nur bei Leitungsbruch auf der Meßleitung oder einer anderen Störung, die einer Unterbrechung dieser Leitung gleichkommt, wird das Potential am Punkt a so weit negativ, daß die Schwellspannungsdiode Z durchläßt und damit Strom vom Punkt c über die Diode Z, die Dioden D 2 und den Widerstand 13 nach N gezogen wird. Dieser Stromfluß steuert die Kaskade aus den Transistoren T 2 und T3 so auf, daß der Transistor T4 schließt und damit das Relais R im Kollektorkreis dieses Transistors abwirft.
  • Tritt am Fühler F eine den Grenzwert überschreitende Temperatur oder am Meßkreis ein Kurzschluß auf, so wird dieser Meßkreiswiderstand kleiner, und zwar so klein, daß am Punkt n ein positives Potential anliegt. Damit wird die gegebenenfalls auch als Schwellspannungsdiode ausgebildete Diode D1 stromführend. Das Potential an der Basis des Transistors T 1 erhöht ich damit so weit, daß dieser Transistor sperrt. Das Sperren des Stromflusses über den Emitter-Basis-Kreis des Transistors T 1 bewirkt, daß das Potential im Punkt b negativ wird. Dies ergibt einen Stromfluß über die Diode D 3 und den Widerstandl7, also eine Aufsteuerung des Transistors T3. Der stromfuhrende Transistor T3 legt damit Sperrpotential an die Basis des Transistors T4, wodurch dieser genau wie bei Leitungsbruch den Stromfluß über das Relais R sperrt, so daß dieses abfällt.
  • Es ist ersichtlich, daß durch die Einrichtung nach der Erfindung in einfacher Weise unter Verwendung von Verstärker- und Signalumkehrstufen auf kontaktlosem Wege sowohl bei Überschreitung einer vorgegebenen Grenztemperatur an den Meßfühlern als auch bei einem Bruch oder einem Kurzschluß der Meßleitungen die Auslösung eines Signals durch das Relais R bewirkt wird. Selbstverständlich läßt sich an Stelle des Relais R auch ein kontaktloses schaltendes Element, z. B. ein Leitungstransistor, nachschalten, der unmittelbar auf Schutzschalter od. dgl. wirkt.
  • Duroh Einstellen der Werte der Widerstände 15 und 18 ist die Möglichkeit gegeben, die Ansprechtemperatur in bestimmten Grenzen zu ändern. Dabei wird durch die Widerstände 15 ein bestimmter Bereich eingestellt, innerhalb dessen mit dem Widerstand 18 Feineinstellung vorgenommen werden kann.
  • Damit ist es auch möglich, unter Verwendung gleicher Meßfühler und gleich aufgebauter Verstärkereinheiten sowie gleich aufgebauter Meßblöcke die Temperatur wählbar zu machen. Dies kann entweder durch die Verwendung eines betriebsmäßig einstellbaren Widerstandes 18 oder aber durch Auswahl verschiedener Widerstände in der Fertigung erfolgen. Werden Festwiderstände 18 verwendet, so können die kompletten Einheiten. bestehend aus Verstärker und festem Meßblockteil sowie gegebenenfalls auch dem Netzteil, entsprechend der Auswahl dieser Widerstände 15 und 18 mit verschiedenen Temperaturen gekennzeichnet werden.

Claims (8)

  1. PATENTANSPRÜCHE: 1. Einrichtung zur Erfassung von Grenztemperaturen insbesondere in elektrischen Maschinen und Geräten. unter Verwendung temperaturabhängiger Widerstandselemente. z. B. Heißleiter in Spannungsteilerschaltung mit Festwiderständen, wobei jedem der Fühlerelemente weitere Widerstaadselemente, insbesondere Festwiderstände, parallel geschaltet sind, und eines Signalgebers, auf den ein oder mehrere der Abgriffe dieser Spannungsteiler geschaltet sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Signalgebereingang über zwei getrennte Steuerkreise mit dem Spannungsteilerabgriff verbunden ist von denen der eine bei Potentialumkehr und der zweite bei obere schreitung eines vorgegebenen Potentialgrenzwertes am Spannungsteilerabgriff zum Signalgeber ein diesen aussteuerndes Signal durchläßt bzw. erzeugt.
  2. 2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der eine der Steuerkreise eine Signalumkehrstufe enthält.
  3. 3. Einrichtung nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere parallel geschaltete Spannungsteiler und die Eingangskreise bzw. die diese mit dem Signalgeber verbindenden Steuerkreise gegeneinander in an sich bekannter Weise durch Gleichrichter elektrisch entkoppelt sind.
  4. 4. Einrichtung nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Signalumkehrstufe aus einem weiteren Spannungsteiler besteht, dessen einer Zweig von einem gesteuerten Halbleiter, z. B. einem Transistor, gebildet ist, der mit seiner Basis über einen Gleichrichter auf den Abgriff des die Meßfühler enthaltenden Spannungsteilers geschaltet ist.
  5. 5. Einrichtung nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest in den von der Umkehrstufe freien Steuerkreis ein auf einen Schwellwert ansprechendes Element, z. B. eine Zenerdiode, eingeschaltet ist.
  6. 6. Einrichtung nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerkreise gleicher Funktion einer Mehrzahl von Spannungsteilern gemeinsam auf ein »Oder«-Gatter geschaltet sind.
  7. 7. Einrichtung nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als Signalgeber eine Kippstufe mit nachgeschalteter Leistungsstufe, insbesondere einem Relais oder Schütz, eingesetzt ist.
  8. 8. Einrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Kippstufe als monostabiler, zweistufiger Transistorverstärker ausgebildet ist.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1277387B (de) * 1964-08-31 1968-09-12 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur thermischen UEberwachung von Transformatorwicklungen od. dgl.
DE1663122B1 (de) * 1963-09-11 1970-11-05 Siemens Ag Schutzeinrichtung zur Temperaturueberwachung der Wicklungen von elektrischen Maschinen und Geraeten
DE2458736A1 (de) * 1974-12-12 1976-06-16 Ibm Deutschland Verfahren und anordnung zur ueberwachung von stromversorgungsanlagen

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