DE1142910B - Reihenschaltung von Transistoren - Google Patents

Reihenschaltung von Transistoren

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DE1142910B
DE1142910B DES72492A DES0072492A DE1142910B DE 1142910 B DE1142910 B DE 1142910B DE S72492 A DES72492 A DE S72492A DE S0072492 A DES0072492 A DE S0072492A DE 1142910 B DE1142910 B DE 1142910B
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transistors
transistor
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voltage
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DES72492A
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Rolf Sauer
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/42Amplifiers with two or more amplifying elements having their dc paths in series with the load, the control electrode of each element being excited by at least part of the input signal, e.g. so-called totem-pole amplifiers

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

  • Reihenschaltung von Transistoren Gegenstand der Erfindung ist eine Reihenschaltung von gleichstromgesteuerten Transistoren, bei der die bei unmittelbarer Aussteuerung sich ändernden Spannungsabfälle über den Transistoren untereinander gleichbleiben.
  • Übersteigt die Spannung der Stromquelle die höchstzulässige Betriebsspannung eines Transistors, so ist es notwendig, zwei oder mehrere Transistoren in Reihe zu schalten, um den Spannungsabfall über jedem Transistor unter der höchstzulässigen Grenze zu halten. Die Schaltung muß gewährleisten, daß bei allen Betriebszuständen der Transistoren die sich ändernden Spannungsabfälle über den Transistoren untereinander gleichbleiben. Die Reihenschaltung kann auch dann notwendig werden, wenn bei irgendeinem Betriebszustand die höchstzulässige Verlustleistung eines einzelnen Exemplars überschritten wird.
  • Die Hintereinanderschaltung von Transistoren wird bekanntlich so vorgenommen, daß Kollektor und Emitter benachbarter Transistoren miteinander verbunden werden. 1n diese Kette wird dei Arbeitswiderstand an beliebiger Stelle eingefügt und die so erhaltene Reihenschaltung mit der Stromquelle verbunden. Die Transistoren müssen vom gleichen Typ sein und möglichst gleiche Steuerkennlinien haben. Einer der Transistoren, der Steuertransistor, kann beliebig gesteuert werden. Die übrigen Transistoren, die Folgetransistoren, folgen der Steuerung des Steuertransistors. Insofern sind alle bekannten Schaltungen gleich.
  • Die bekannten Schaltungen unterscheiden sich durch die Beschaltung der Basiselektroden der Folgetransistoren. Ganz allgemein wird ein Spannungsteiler vorgesehen, mit dem die Basiselektroden verbunden sind.
  • In einer bekannten Schaltung ist der Arbeitswiderstand Teil des Spannungsteilers, der dann direkt mit der Spannungsquelle verbunden ist. Die Basiselektroden der Folgetranssistoren sind direkt mit dem Spannungsteiler verbunden. Das hat den großen Nachteil, daß es nicht möglich ist, den Strom durch den Arbeitswiderstand zu sperren, weil der Arbeitswiderstand selbst bei gesperrten Transistoren von einem Querstrom durchflossen wird. Ein weiterer Nachteil ist, daß die Spannungen über den Transistoren nur in einem Betriebspunkt, z. B. im Sperrzustand, völlig gleich sein können, weil die mit der Aussteuerung der Transistoren wachsenden Basisströme eine Spannungsverschiebung über dem Spannungsteiler hervorrufen, so daß die Spannungen über den Transistoren ungleich werden.
  • In einer anderen bekannten Schaltung ist der Arbeitswiderstand nicht Glied des Spannungsteilers, der direkt mit der Stromquelle verbunden ist. Ausgleichwiderstände zwischen den Basiselektroden der Folgetransistoren und den Abgriffen des Spannungsteilers sollen eine gleiche Aussteuerung und Spannungsverteilung über den Transistoren gewährleisten. Diese Schaltung hat den Nachteil, daß wegen der nichtlinearen Abhängigkeit des Verstärkungsfaktors eines Transistors vom Kollektorstrom Spannungsgleichheit über den Transistoren nicht für jeden Betriebszustand, sondern nur an zwei Betriebspunkten erreicht werden kann. Ein weiterer Nachteil ist, daß wegen des schaltungsmäßig bedingten hohen Basis-Emitter-Außenwiderstands der Folgetransistoren der Reststrom nicht auf einen minimalen Wert gebracht werden kann.
  • Die Nachteile beider Schaltungen werden durch die vorliegende Schaltung vermieden. Hier wird kein Spannungsteiler mit einem größeren, die Spannung an den Abgriffen stabilisierenden Querstrom verwendet. Weil der Spannungsteiler mit dem Kollektor des Steuertransistors einerseits und einem Pol der Batterie andererseits verbunden ist, fließt durch ihn bei gesperrtem Steuertransistor praktisch kein Strom. Die gleiche Spannungsverteilung über den Transistoren wird hier durch Glieder des Spannungsteilers erreicht, die nichtlineare Kennlinien haben, die für jeden beliebigen Betriebszustand gleiche Spannungsabfälle über den Transistoren gewährleisten. Es ist nicht nur möglich, den Strom durch den Arbeitswiderstand fast völlig zu sperren, sondern dieser nimmt wegen des schaltungsmäßig bedingten kleinen Basis-Emitter-Außenwiderstands einen besonders kleinen Wert an.
  • Die Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel der Erfindung. Dabei ist 1 eine beliebige Anordnung, an deren Ausgang die Gleichstromsteuergröße auftritt, 2,3 und 4 sind Transistoren gleichen Typs mit möglichst gleichen Betriebswerten, 5 und 6 sind lineare Widerstände, 7 und 8 sind im allgemeinen nichtlineare Widerstände, 9 ist der Arbeitswiderstand, 10 ist eine beliebige Gleichstromquelle.
  • Die Wirkungsweise der Schaltung ist folgende: Transistor 2 arbeitet in Emitterschaltung und ist der Steuertransistor, d. h., er steuert die GröPe des Stroms in der Kette und wird seinerseits durch Anordnung 1 über die Gleichstromsteuergröße, die am Ausgang von 1 auftritt, gesteuert. Die Folgetransistoren 3 und 4 mit ihren Parallelwiderständen sind die spannungssteuernden Glieder der Kette. Sie bestimmen die Spannungsverteilung über den drei Transistoren.
  • Der Gesamtstrom der Stromquelle fließt über Transistor 2. Deshalb kann die Gleichstromsteuergröße den Gesamtstrom über Transistor 2 beliebig steuern. Die Transistoren 3 und 4 sind in hintereinandergeschalteten Brückenschaltungen angeordnet, wobei 5 und 7 bzw. 6 und 8 jeweils den einen Zweig der Brücke bilden. Der andere Zweig wird durch die Transistoren 3 bzw. 4 gebildet. Die Brückendiagonalen werden durch die Verbindung des Widerstandknotenpunkts mit dem Basisanschluß des jeweiligen Transistors gebildet.
  • Die Stromquelle kann drei verschiedene Kennlinien haben. Sie sind in Fig. 2 gezeigt. Kennlinie a ist fallend und ist typisch für z. B. eine Batterie. Kennlinie b ist die einer geregelten Stromquelle, bei der die Spannung unabhängig vom Strom konstant bleibt, Kennlinie c zeigt eine mit steigendem Strom ansteigenden Spannung, wie sie z. B. typisch ist für den Feldkreis der Erregermaschine eines Generators. Die Kennlinie d ist die Widerstandsgerade von Arbeitswiderstand 9. Wird nun Transistor 2 von Jmin bis J,nax gesteuert, so ist die jeweilige Spannung an den Transistoren bei einem beliebigen Strom gleich der Spannung der Stromquelle abzüglich des Spannungsabfalls am Arbeitswiderstand. Wie aus Fig. 2 zu ersehen. ist die Spannung an den Transistoren bei J,nin und einer Gleichstromquelle mit der Kennlinie a gegeben durch U,-U,. Unter der Annahme eines Steuerbereichs von J@nin bis Jmax und unter Berücksichtigung der Forderung, daß die Spannungsabfälle über den Transistoren für jeden beliebigen Strom zwischen Ani. und Jmax untereinander gleich sein sollen, ergeben sich für die erforderlichen Kennlinien der hintereinandergeschalteten Transistoren die Kennlinien e und f, die den Bereich zwischen den Kennlinien a und d in drei gleiche Teile teilen.
  • Für die Brückenschaltung mit den Einzelteilen 4, 6, 8 und 9 gilt der Bereich zwischen Abszisse und Kennlinie e. Für die Brückenschaltung mit den Einzelteilen 3, 5 und 7 gilt der Bereich zwischen den Kennlinien e und f. Für den Steuertransistor 2 ist der Bereich zwischen den Kennlinien f und a gültig.
  • Es ist ersichtlich, daß die einzelnen Brückenschaltungen verschieden bemessen sein müssen, weil einerseits die Brücke mit Transistor 4, die den Arbeitswiderstand enthält, eine steigende Kennlinie hat. Andererseits hat die Brücke mit Transistor 3 eine fallende Kennlinie. Die Kennlinie für den Steuertransistor 2, der nicht in einer Brückenschaltung angeordnet ist, ergibt sich zwangläufig als die Restspannung, die nach Abzug der Spannungen über den Brücken von der Spannung der Stromquelle verbleibt.
  • Nachdem das erforderliche Strom-Spannungs-Verhalten der Brückenschaltungen bestimmt ist, wird die Arbeitsweise der Brücken näher betrachtet.
  • Zunächst die Brücke mit den Einzelteilen 3, 5 und 7. Diese ist nochmal mit den Kennlinien der Einzelteile in Fig.3 gezeigt. Die Ströme und Spannungen der Einzelteile werden wie folgt gekennzeichnet:
    Strom und Spannung von ZN'"iderstand 5
    (= R) . .............................. J/:. Ur,
    Strom und Spannung von Widerstand 7
    (= R v) ........ . ... ...... . .. . . ....... Ji-.Ul-
    Spannung an der Basis-Emitter-Diode ......... Ui;"
    Spannung an der Kollektoi-Basis-Diode ....... UcB
    Emitterstrom .............................. JF
    Kollektorstrom ............................ Je
    Basisstrom .................... ........... J6
    Minimalwert und Maximalwert .... .... . . niin. max
    Bei der folgenden Erörterung ist immer im Auge zu behalten, daß die Basis-Emitter-Diode von Transistor 3 parallel zu 5 geschaltet ist und deshalb der gleiche Spannungsabfall an beiden auftritt. Dies gilt ebenfalls für die Kollektor-Basis-Diode dieses Transistors mit parallel geschaltetem Widerstand 7.
  • Der durch Transistor 2 bestimmte Strom habe den Wert J "rin, der sich in J1; ,"i" und JF ",i" aufteilt. so daß Jmin = JI.,"i" -r- JE"ri". Nun ist J1. mi" - R =- C l'"ri" = L I;Fmi,r- Aus der vorgegebenen C`/:E-J/;-Kennlinie des Trar:-sistors ergibt sich der bei U/;F,ni, fließende Basisstrom JB",i".
  • Da A"n,i" = J/,#r"i" -- JI""i", ergibt sich aus der vorgegebenen Kennlinie für den nichtlinearen, negativen Widerstand 7 der bei Ji-",i" an ihm abfallende Spannungsabfall Ui-.",. Nun ist aber wegen der Parallelschaltung zwangläufig C"1 ",ax = UcB,nax. Der bei UcB",ax fließende Strom Jc,ni, ist durch den für den verwendeten Transistor vorgegebenen Verstärkungsfaktor B = Jcmin : Jhnan gegeben. Daher ist die äußere Brückenspannung Umax = Ur-"tax -i- L1,Rmi"# Damit sind alle Betriebsgrößen der Brückenschaltung eindeutig bei Jni, bestimmt.
  • Der durch den Steuertransistor 2 bestimmte Strom betrage nun J,nax. Die sich dabei an den Einzelteilen ergebenden Spannungen. und Ströme können in gleicher Weise wie für J,nin bestimmt werden und sind in Fig. 3 gezeigt.
  • Die für das äußere Strom-Spannungs-Verhalten der Brücke sich ergebende Kennlinie U = f(J) ist damit auch eindeutig bestimmt und in Fig. 4 gezeigt.
  • Um das Kennzeichnende des Verhaltens der Brückenschaltung herauszuarbeiten, kann man die Spannung Uh in der Größenordnung von 0,1 ... 1 V gegenüber der Spannung U1- in der Größenordnung von 10 ... 100 V vernachlässigen. So vereinfacht ergibt sich, daß in der vorliegenden Schaltung die am Transistor zwischen Emitter und Kollektor auftretende Spannung durch das Strom-Spannungs-Verhalten des Widerstands 7 bestimmt wird. Da dieser im besprochenen Beispiel eine negative Kennlinie hat, hat auch die Kollektor-Emitter-Spannung und die ihr gleiche äußere Brückenspannung eine negative Kennlinie.
  • Die Brückenschaltung mit den Einzelteilen 4, 6, 8 und 9 ist anders ausgelegt. Hier ist die äußere Brückenspannung nicht mehr mit der über dem Transistor 4 abfallenden Spannung identisch, sondern ergibt sich als Summe der Transistorspannung UCE und der Spannung am Arbeitswiderstand 9. In Fig. 2 ist für diese Brücke die äußere Spannung U durch die Kennlinie e, die Spannung am Arbeitswiderstand durch die Kennlinie d und die Spannung UCE am Transistor 4 durch die Differenz der Ordinaten der Kennlinien e und d gegeben, Hier ist die äußere Kennlinie der Brückenschaltung zwar nicht linear, aber positiv, obwohl die sich ergebende Strom-Spannungs-Kennlinie für den Transistor 4, wie erforderlich, negativ ist. Die äußere Kennlinie wird für diese Brücke durch einen entsprechend dimensionierten nichtlinearen Widerstand 8 erreicht. Die Arbeitsweise dieser Brückenschaltung unterscheidet sich sonst nicht von der mit den Einzelteilen 3, 5 und 7 beschriebenen.
  • Da sich die über dem Steuertransistor 2 abfallende Spannung als Restspannung ergibt, die nach Abzug der Summe der beiden äußeren Brückenschaltungsspannungen von der Spannung der Stromquelle verbleibt, ist das Arbeiten der Schaltung Fig. 1 ausreichend erklärt.
  • Bei der Schaltung nach Fig. 1 wird daher erreicht, daß für alle gewünschten Stromwerte vom Sperrzustand, bei dem der fließende Gesamtstrom durch den Sperrstrom des Steuertransistors 2 bestimmt wird, und bei dessen Fließen die Transistoren 3 und 4 gesperrt sind, solange der durch den Sperrstrom verursachte Spannungsabfall an den Widerständen 5 und 6 unter der Mindestspannung liegt, die für das Einsetzen des Basisstroms erforderlich ist, bis zum - unter Berücksichtigung der höchstzulässigen Transistorverlustleistung - höchstzulässigen Strom für Steuertransistor 2 die Spannungen an den Transistoren untereinander gleich sind.
  • Der durch den Arbeitswiderstand 9 fließende Strom ist dabei um Jv geringer als der vom Steuertransistor 2 gesteuerte Gesamtstrom der Schaltung.
  • Jv ist ein Verluststrom, da er im Arbeitswiderstand keine Arbeit leistet, und ist direkt vom Stromverstärkungsfaktor B abhängig. Nimmt man für den ungünstigsten Fall, der bei Jc.a@ auftritt, an, daß B auf 15 gesunken ist, so wird selbst in diesem ungünstigen Fall Jv nicht mehr als etwa 6,5°/o des von 2 gesteuerten Gesamtstroms betragen.
  • Die Anzahl der hintereinandergeschalteten Transistoren ist beliebig. Die Mindestzahl ist zwei. Die Reihenschaltung von zwei Transistoren enthält einen stromsteuernden Transistor und einen Transistor in Brückenschaltung mit dem Arbeitswiderstand im Kollektorkreis des Folgetransistors, wie in Fig. 1 für die Brücke mit den Einzelteilen 4, 6, 8 und 9 gezeigt. Sollen drei oder mehr Transistoren in Reihe geschaltet werden, so ist ein Transistor der stromsteuernde, der letzte Transistor ist in Brückenschaltung mit dem Arbeitswiderstand im Kollektorkreis, der zweite und die weiteren Transistoren sind in Brückenschaltungen angeordnet, wie in Fig. 1 für die Einzelteile 3, 5 und 7 gezeigt. Bei diesen Brückenschaltungen liegt im Kollektorkreis kein Widerstand.
  • Hat die Stromquelle eine Kennlinie wie a oder b (Fig.2), so müssen die Parallelwiderstände zu den Kollektor-Basis-Dioden in den Brücken ohne Arbeitswiderstand nichtlinear sein und eine negative Kennlinie haben. Hat die Stromquelle eine Kennlinie wie c (Fig.2), so sind die Parallelwiderstände zu den Kollektor-Basis-Dioden in den Brücken ohne Arbeitswiderstand in den meisten praktischen Fällen nichtlinear mit positiver oder zumindesten waagerechter Kennlinie. Der Parallelwiderstand zur Kollektor-Basis-Diode in der Brücke mit dem Arbeitswiderstand im Kollektorkreis ist bei sachgemäßer Bemessung der Schaltung immer nichtlinear mit positiver Kennlinie. Kann der Arbeitswiderstand in mehrere galvanisch getrennte Teile unterteilt werden, so bekommt jede der in der Schaltung verwendeten Brücken einen solchen Teilwiderstand in den Kollektorkreis. In den meisten praktischen Fällen werden dann die zu den Kollektor-Basis-Dioden benötigten Parallelwiderstände eine nichtlineare, positive Kennlinie haben müssen.
  • Als nichtlineare Widerstände mit positiver oder waagerechter Kennlinie stehen Halbleitergleichrichter, Zenerdioden, Transistoren und Kombinationen dieser Bauelemente zur Verfügung, die die Realisierung jeder gewünschten Kennlinie ermöglichen. Die Zeitkonstante dieser Bauelemente ist nicht größer als die der hintereinandergeschalteten Transistoren selber. Als nichtlineare Widerstände mit negativer Kennlinie stehen Heißleiter zur Verfügung. Diese haben im Anfangsgebiet einen positiven Ast. Die zu diesem positiven Ast gehörigen Ströme liegen je nach Typ um 1 bis 2 Zehnerpotenzen niedriger als die Ströme des negativen Astes. Gehört das Gebiet des positiven Astes zum Anfangssteuerbereich der Gesamtschaltung, so hat der positive Ast zur Folge, daß in diesem Bereich der Größtteit der Spannung über dem Steuertransistor abfällt. 1n diesem Falle wird die gleichmäßige Verteilung der Spannung auf alle Transistoren durch Symmetrierwiderstände, die parallel zu den Brücken und dem Steuertransistor liegen, erreicht.

Claims (4)

  1. PATENTANSPRÜCHE 1. Reihenschaltung von Transistoren, bei der die Steuergleichspannung dem Emitter-Basis-Kreis eines Steuertransistors zugeführt wird, dessen Kollektor über die Emitter-Kollektor-Strecke (n) eines oder mehrerer weiterer Transistoren und über die Last in Reihe an die Speisespannungsquelle angeschlossen ist, und bei der unabhängig von der Aussteuerung die Spannungsabfälle an den einzelnen Transistoren untereinander gleich sind, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Kollektor des Steuertransistors (2) und die Speisespannungsquelle ein abwechselnd aus Widerständen mit nichtlinearer vorgegebener negativer Charakteristik und ohmschen Widerständen aufgebauter Spannungsteiler geschaltet ist und daß dessen Anzapfung(en) mit der Basiselektrode des Folgetransistors (3) bzw. mit dem Emitter- und Basiselektroden der Folgetransistoren (3, 4...) derart verbunden sind, daß der nichtlineare negative Anteil und der ohmsche Anteil des Spannungsteilerwiderstands Parallelzweige bilden zur Kollektor-Basis-Strecke bzw. zur Basis-Emitter-Strecke jedes Folgetransistors, mit Ausnahme des letzten Folgetransistors (4), bei dem der nichtlineare negative Widerstand des Spannungsteilers parallel zur Reihenschaltung, gebildet aus Lastwiderstand und Kollektor-Basis-Strecke dieses Transistors, liegt.
  2. 2. Reihenschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die parallel zu den Kollektor-Basis-Strecken der Folgetransistoren liegenden nichtlinearen Widerstände eine vorwiegend positive Charakteristik aufweisen.
  3. 3. Reihenschaltung nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß zumindesten der parallel zur Reihenschaltung von Lastwiderstand und Kollektor-Basis-Strecke des letzten Folgetransistors liegende nichtlineare Widerstand eine positive Charakteristik hat.
  4. 4. Reihenschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in Serie zur Kollektor-Basis-Strecke eines jeden Folgetransistors ein Teil des Lastwiderstandes liegt und daß parallel zu dieser Serienschaltung jeweils ein nichtlinearer Widerstand mit vorgegebener positiver Charakteristik liegt. In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. I 021 926; österreichische Patentschrift Nr. 206 002; USA.-Patentschrift Nr. 2 926 307.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1240131B (de) * 1965-06-25 1967-05-11 Rohde & Schwarz Mehrstufiger Transistor-Wechselspannungsverstaerker, bei dem die Kollektor-Emitter-Strecken saemtlicher Transistoren in Reihe geschaltet sind
DE1244848B (de) * 1963-04-01 1967-07-20 Telefunken Patent Mehrstufiger Impulsverstaerker mit Transistoren in Basisschaltung und induktiver Verkopplung der Einzelstufen

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT206002B (de) * 1957-08-02 1959-11-10 Philips Nv Schaltungsanordnung
US2926307A (en) * 1954-03-22 1960-02-23 Honeywell Regulator Co Series energized cascaded transistor amplifier

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