DE1136671B - Schmelztiegel mit einem Ruehrer zum Aufziehen von kristallinen Staeben aus einer Schmelze - Google Patents

Schmelztiegel mit einem Ruehrer zum Aufziehen von kristallinen Staeben aus einer Schmelze

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DE1136671B
DE1136671B DEN18268A DEN0018268A DE1136671B DE 1136671 B DE1136671 B DE 1136671B DE N18268 A DEN18268 A DE N18268A DE N0018268 A DEN0018268 A DE N0018268A DE 1136671 B DE1136671 B DE 1136671B
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DE
Germany
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crucible
stirrer
melt
axis
disc
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Pending
Application number
DEN18268A
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German (de)
English (en)
Inventor
Boudewijn Okkerse
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Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C30B15/305—Stirring of the melt

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
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GB (1) GB954200A (ja)
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE528916A (ja) * 1953-05-18
DE1032852B (de) * 1953-11-24 1958-06-26 Siemens Und Halske Ag Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von Halbleiterkristallen nach dem Kristallziehverfahren aus der Schmelze

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE528916A (ja) * 1953-05-18
DE1032852B (de) * 1953-11-24 1958-06-26 Siemens Und Halske Ag Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von Halbleiterkristallen nach dem Kristallziehverfahren aus der Schmelze

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GB954200A (en) 1964-04-02

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