DE1132404B - Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs in einem Koerper aus Halbleitergrundstoff durch Einlegieren einer Pille eines Dotierungsmetalls - Google Patents
Verfahren zum Herstellen eines pn-UEbergangs in einem Koerper aus Halbleitergrundstoff durch Einlegieren einer Pille eines DotierungsmetallsInfo
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