DE1129623B - Verfahren zum Herstellen von Flaechentransistoren - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Flaechentransistoren

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DE1129623B
DE1129623B DEG31005A DEG0031005A DE1129623B DE 1129623 B DE1129623 B DE 1129623B DE G31005 A DEG31005 A DE G31005A DE G0031005 A DEG0031005 A DE G0031005A DE 1129623 B DE1129623 B DE 1129623B
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DEG31005A
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Tony Charles Denton
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General Electric Company PLC
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General Electric Company PLC
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    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
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    • H10D62/834—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials being Group IV materials, e.g. B-doped Si or undoped Ge further characterised by the dopants
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
    • B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
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DE961913C (de) * 1952-08-22 1957-04-11 Gen Electric Verfahren zur Herstellung von elektrisch unsymmetrisch leitenden Systemen mit p-n-UEbergaengen
DE1036392B (de) * 1954-02-27 1958-08-14 Philips Nv Transistor mit Mehrstoffemitter

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