DE112019005944A5 - Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterlaserbauelements - Google Patents

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102022106938A1 (de) * 2022-03-24 2023-09-28 Ams-Osram International Gmbh Gestapelte laseranordnung und verfahren zum erzeugen derselben
JP2024018682A (ja) * 2022-07-29 2024-02-08 日亜化学工業株式会社 光源装置、及び半導体素子
DE102022127066A1 (de) 2022-10-17 2024-04-18 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronisches modul

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6636538B1 (en) * 1999-03-29 2003-10-21 Cutting Edge Optronics, Inc. Laser diode packaging
US20080056314A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-06 Northrop Grumman Corporation High-power laser-diode package system
DE102009040834B4 (de) * 2009-09-09 2013-10-31 Jenoptik Laser Gmbh Vorrichtung zum Schutz eines kantenemittierenden Laserdiodenelementes
JP2011151310A (ja) * 2010-01-25 2011-08-04 Renesas Electronics Corp 窒化物系半導体発光素子、および、窒化物系半導体発光素子をパッケージに搭載した発光素子
US9025635B2 (en) * 2011-01-24 2015-05-05 Soraa Laser Diode, Inc. Laser package having multiple emitters configured on a support member
JP6005440B2 (ja) * 2011-08-22 2016-10-12 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ及びこれを含むライトユニット
DE102013216526A1 (de) * 2013-08-21 2015-02-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laserbauelement
DE102014119390A1 (de) * 2014-12-22 2016-06-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
JP6564206B2 (ja) * 2015-03-09 2019-08-21 スタンレー電気株式会社 発光装置
CN209029679U (zh) * 2017-06-23 2019-06-25 业纳激光有限公司 具有壳体的二极管激光器以及一种用于对表面进行均匀照明的装置

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