DE112019004598A5 - Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer ersten und zweiten Metallschicht sowie Verfahren zur Herstellung des optoelektronisches Halbleiterbauelements - Google Patents

Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer ersten und zweiten Metallschicht sowie Verfahren zur Herstellung des optoelektronisches Halbleiterbauelements Download PDF

Info

Publication number
DE112019004598A5
DE112019004598A5 DE112019004598.9T DE112019004598T DE112019004598A5 DE 112019004598 A5 DE112019004598 A5 DE 112019004598A5 DE 112019004598 T DE112019004598 T DE 112019004598T DE 112019004598 A5 DE112019004598 A5 DE 112019004598A5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor component
optoelectronic semiconductor
producing
metal layer
optoelectronic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112019004598.9T
Other languages
English (en)
Inventor
Christian Eichinger
Korbinian Perzlmaier
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram Oled GmbH
Original Assignee
Osram Oled GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Oled GmbH filed Critical Osram Oled GmbH
Publication of DE112019004598A5 publication Critical patent/DE112019004598A5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
DE112019004598.9T 2018-09-14 2019-09-12 Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer ersten und zweiten Metallschicht sowie Verfahren zur Herstellung des optoelektronisches Halbleiterbauelements Pending DE112019004598A5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102018122492.3A DE102018122492A1 (de) 2018-09-14 2018-09-14 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer ersten und zweiten metallschicht sowie verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
DE102018122492.3 2018-09-14
PCT/EP2019/074387 WO2020053346A1 (de) 2018-09-14 2019-09-12 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer ersten und zweiten metallschicht sowie verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112019004598A5 true DE112019004598A5 (de) 2021-05-27

Family

ID=67998449

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102018122492.3A Withdrawn DE102018122492A1 (de) 2018-09-14 2018-09-14 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer ersten und zweiten metallschicht sowie verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112019004598.9T Pending DE112019004598A5 (de) 2018-09-14 2019-09-12 Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer ersten und zweiten Metallschicht sowie Verfahren zur Herstellung des optoelektronisches Halbleiterbauelements

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102018122492.3A Withdrawn DE102018122492A1 (de) 2018-09-14 2018-09-14 Optoelektronisches halbleiterbauelement mit einer ersten und zweiten metallschicht sowie verfahren zur herstellung des optoelektronischen halbleiterbauelements

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220045249A1 (de)
DE (2) DE102018122492A1 (de)
WO (1) WO2020053346A1 (de)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007019776A1 (de) * 2007-04-26 2008-10-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente
DE102010025320B4 (de) * 2010-06-28 2021-11-11 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US9543488B2 (en) * 2014-06-23 2017-01-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device
CN104134734A (zh) * 2014-08-01 2014-11-05 晶科电子（广州）有限公司 一种出光效率高的倒装led芯片、及其led器件和制备方法
DE102015100578A1 (de) * 2015-01-15 2016-07-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
KR102038443B1 (ko) * 2015-03-26 2019-10-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102374268B1 (ko) * 2015-09-04 2022-03-17 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
DE102015117198A1 (de) * 2015-10-08 2017-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
DE102015119353B4 (de) * 2015-11-10 2024-01-25 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
US10615305B1 (en) * 2018-04-20 2020-04-07 Facebook Technologies, Llc Self-alignment of micro light emitting diode using planarization

Also Published As

Publication number Publication date
DE102018122492A1 (de) 2020-03-19
WO2020053346A1 (de) 2020-03-19
US20220045249A1 (en) 2022-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112019000537A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE112019001502A5 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE112019005387A5 (de) Verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE112017004658A5 (de) Verfahren zur Passivierung einer Oberfläche eines Halbleitermaterials sowie Halbleitersubstrat
DE112016001929A5 (de) Optoelektronische bauelementanordnung und verfahren zur herstellung einer vielzahl von optoelektronischen bauelementanordnungen
DE112018002082A5 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ausbilden einer Schicht auf einem Halbleitersubstrat sowie Halbleitersubstrat
DE112018002104A5 (de) Halbleiterlaserdiode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode
DE112020004606A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112019005944A5 (de) Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterlaserbauelements
DE112019002193A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterkörper, Anordnung von einer Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterkörpern und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterkörpers
DE112017001117A5 (de) Anschlussträger, optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines Anschlussträgers oder eine optoelektronischen Bauteils
DE112019003892A5 (de) Halbleiterbauelement mit einer stresskompensationsschicht und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
DE112019004212A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112018003926A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer Kontaktstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Kontaktstruktur für ein optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE112019004598A5 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer ersten und zweiten Metallschicht sowie Verfahren zur Herstellung des optoelektronisches Halbleiterbauelements
DE112019003634T8 (de) Optoelektronisches bauelement und das verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE112016000360A5 (de) Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterbauelementen und optoelektronisches Halbleiterbauelement
DE112018003935A5 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
DE112015000428A5 (de) Verfahren zur Herstellung einer lateral strukturierten Phosphorschicht und optoelektronisches Halbleiterbauteil mit einer solchen Schicht
DE112020000795A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement mit abschnitten einer leitfähigen schicht und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112019006054A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung von optoelektronischen halbleiterbauteilen
DE112020006146A5 (de) Verfahren zur Herstellung einer Beleuchtungsvorrichtung
DE112020000393A5 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE112019000776A5 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
DE112020005724A5 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033200000

Ipc: H01L0033400000

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033400000

Ipc: H01L0033200000