DE112018004059T5 - Multiplexer, Hochfrequenz-Front-End-Schaltung und Kommunikationsvorrichtung - Google Patents

Abstract

Es wird ein Multiplexer bereitgestellt, bei dem eine Welligkeit aufgrund einer Mode höherer Ordnung nicht ohne weiteres in einem anderen Bandpassfilter auftritt.Ein Multiplexer umfasst N (wobei N eine ganze Zahl gleich oder größer als 2 ist) Schallwellenfilter, die jeweils ein gemeinsam angeschlossenes Ende und ein unterschiedliches Durchlassband haben, wobei, wenn die N Schallwellenfilter als Schallwellenfilter (1), Schallwellenfilter (2), ..., Schallwellenfilter (N) in Reihenfolge von einer Seite einer niedrigeren Frequenz des Durchlassbandes aus bezeichnet werden, mindestens ein Schallwellenfilter (n) (1 ≤ n < N) unter den N Schallwellenfiltern mit Ausnahme eines Schallwellenfilters mit der höchsten Frequenz des Durchlassbandes einen oder mehrere Schallwellenresonator(en) enthält, wobei einer von dem einen oder den mehreren Schallwellenresonator(en) ein Trägersubstrat (12), eine auf das Trägersubstrat laminierte Siliziumnitridschicht (13), eine auf die Siliziumnitridschicht (!3) laminierte Siliziumoxidschicht (14), einen auf die Siliziumoxidschicht laminierten und aus Lithiumtantalat hergestellten piezoelektrischen Körper (15) mit Euler-Winkeln (φin einem Bereich von 0° ± 5°, θ, ψin einem Bereich von 0° ± 15°) und eine IDT-Elektrode (16), die auf dem piezoelektrischen Körper (15) vorgesehen ist, enthält.Bei dem Multiplexer erfüllen in einem Schallwellenresonator (t) mindestens eine der Frequenzen fvon ersten, zweiten und dritten Moden höherer Ordnung (wobei s 1, 2 oder 3 ist und der Fall, dass s 1 ist, eine Frequenz der ersten Mode höherer Ordnung angibt, der Fall, dass s 2 ist, eine Frequenz der zweiten Mode höherer Ordnung angibt, und der Fall, dass s gleich 3 ist, eine Frequenz der dritten Mode höherer Ordnung angibt), und alle Schallwellenfilter (m) (n < m ≤ N), die jeweils ein Durchlassband mit einer höheren Frequenz als eine Frequenz eines Durchlassbandes des Schallwellenfilters (n) aufweisen, den unten angegebenen Ausdruck (3) oder den unten angegebenen Ausdruck (4):

Description

• Technisches Gebiet
• Die vorliegende Erfindung betrifft einen Multiplexer mit zwei oder mehr Schallwellenfiltern, eine Hochfrequenz-Front-End-Schaltung sowie eine Kommunikationsvorrichtung mit dem Multiplexer.
• Stand der Technik
• Multiplexer werden weit verbreitet in Hochfrequenz-Front-End-Schaltungen von Mobiltelefonen und Smartphones genutzt. Ein Multiplexer als Verzweigungsfilter, der in dem unten angegebenen Patentdokument 1 offenbart wird, besitzt beispielsweise zwei oder mehr Bandpassfilter für verschiedene Frequenzen. Zusätzlich wird jeder der Bandpassfilter durch einen Oberflächenschallwellenfilterchip konfiguriert. Jeder der Oberflächenschallwellenfilterchips enthält mehrere Resonatoren für Oberflächenschallwellen.
• Das unten angegebene Patentdokument 2 offenbart eine Schallwellenvorrichtung, die durch Laminieren einer isolierenden Schicht aus Siliziumdioxid und eines piezoelektrischen Substrats aus Lithiumtantalat auf ein Trägersubstrat aus Silizium gebildet wird. Anschließend werden Trägersubstrat und Isolierschicht über eine (111)-Ebene des Siliziums miteinander verbunden, wodurch die Hitzebeständigkeit verbessert wird.
• Zitierungsliste
• Patentdokumente
• Patentdokument 1: Japanische ungeprüfte Patentanmeldungs-Veröffentlichung Nr. 2014-68123
• Patentdokument 2: Japanische ungeprüfte Patentanmeldungs-Veröffentlichung Nr. 2010-187373
• Kurzdarstellung der Erfindung
• Technisches Problem
• Bei einem Multiplexer, wie er im Patentdokument 1 offenbart ist, werden mehrere Schallwellenfilter für verschiedene Frequenzen gemeinsam an eine Antennenendseite angeschlossen.
• Die hier benannten Erfinder haben festgestellt, dass bei der Aufnahme einer Struktur, bei der ein piezoelektrischer Körper aus Lithiumtantalat direkt oder indirekt auf ein Trägersubstrat aus Silizium laminiert ist, mehrere Moden höherer Ordnung auf einer höheren Frequenzseite als eine zu verwendende Hauptmode erscheinen. Wenn ein solcher Schallwellenresonator für ein Schallwellenfilter auf einer unteren Durchlassbandseite in einem Multiplexer verwendet wird, besteht die Gefahr, dass eine Welligkeit aufgrund der Mode höherer Ordnung des Schallwellenfilters in einem Durchlassband eines anderen Schallwellenfilters auf einer höheren Durchlassbandseite im Multiplexer auftritt. Das heißt, wenn die Mode höherer Ordnung des Schallwellenfilters auf der unteren Durchlassbandseite im Multiplexer innerhalb des Durchlassbandes des anderen Schallwellenfilters auf der höheren Durchlassbandseite liegt, tritt die Welligkeit im Durchlassband auf. Es besteht daher die Gefahr, dass sich die Filtercharakteristik des anderen Schallwellenfilters verschlechtern.
• Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen Multiplexer, bei dem eine Welligkeit aufgrund der Mode höherer Ordnung nicht ohne weiteres in einem anderen Bandpassfilter auftritt, eine Hochfrequenz-Frontend-Schaltung und eine Kommunikationseinrichtung mit dem Multiplexer anzugeben.
• Lösung der Aufgabe
• Wie nachfolgend beschrieben, haben die hier benannten Erfinder festgestellt, dass in einem Schallwellenresonator, bei dem ein piezoelektrischer Körper aus Lithiumtantalat direkt oder indirekt auf ein Trägersubstrat aus Silizium laminiert ist, erste bis dritte Moden höherer Ordnung, die später beschrieben werden, auf einer höheren Frequenzseite als eine Hauptmode auftreten.
• Multiplexer gemäß der ersten bis dritten Ausführungsform der Erfindung verhindern jeweils das Auftreten wenigstens einer Mode höherer Ordnung von den ersten, zweiten und dritten Moden höherer Ordnung in einem Durchlassband eines anderen Filters.
• Unter einem allgemeinen Gesichtsprunkt eines Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst der Multiplexer N (wobei N eine ganze Zahl gleich oder größer als 2 ist) Schallwellenfilter, die jeweils ein gemeinsam angeschlossenes Ende und ein unterschiedliches Durchlassband haben, wobei, wenn die N Schallwellenfilter als Schallwellenfilter (1), Schallwellenfilter (2), ..., Schallwellenfilter (N) in Reihenfolge von einer Seite einer niedrigeren Frequenz des Durchlassbandes aus bezeichnet werden, mindestens ein Schallwellenfilter (n) (1 ≤ n < N) unter den N Schallwellenfiltern mit Ausnahme eines Schallwellenfilters mit der höchsten Frequenz des Durchlassbandes einen oder mehrere Schallwellenresonatoren enthält, wobei ein t-ter Schallwellenresonator (t) unter dem einen oder den mehreren Schallwellenresonator(en) ein Trägersubstrat mit Eulerwinkeln (φ_Si, θ_Si, ψ_Si ) aus Silizium, eine auf das Trägersubstrat laminierte Siliziumnitridschicht, eine auf die Siliziumnitridschicht laminierte Siliziumoxidschicht, einen auf die Siliziumoxidschicht laminierten und aus Lithiumtantalat hergestellten piezoelektrischen Körper mit Euler-Winkeln (φ_LT in einem Bereich von 0° ± 5°, θ_LT , ψ_LT in einem Bereich von 0° ± 15°) und eine IDT-Elektrode, die auf dem piezoelektrischen Körper vorgesehen ist, enthält, und wobei, wenn eine Wellenlänge, die durch einen Elektrodenfingerabstand der IDT-Elektrode bestimmt wird, als λ in dem Schallwellenresonator (t) bezeichnet wird, eine durch die Wellenlänge λ normierte Dicke als eine wellenlängen-normierte Dicke bezeichnet wird, wobei, wenn Werte von T_LT als eine wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers, θ_LT als ein Euler-Winkel des piezoelektrischen Körpers, T_S als wellenlängen-normierte Dicke der Siliziumoxidschicht, T_N als wellenlängen-normierte Dicke der Siliziumnitridschicht, T_E als wellenlängen-normierte Dicke der IDT-Elektrode, umgerechnet auf eine Dicke von Aluminium, die durch Multiplikation eines Wertes, der durch Dividieren der Dichte der IDT-Elektrode durch die Dichte von Aluminium erhalten wird, mit einer wellenlängen-normierten Dicke der IDT-Elektrode erhalten wird, ψ_Si als Ausbreitungsrichtung im Trägersubstrat und T_Si als wellenlängen-normierte Dicke des Trägersubstrats eingestellt werden, mindestens eine der Frequenzen f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ von ersten, zweiten und dritten Moden höherer Ordnung (wobei s 1, 2 oder 3 ist und der Fall, dass s 1 ist, eine Frequenz der ersten Mode höherer Ordnung angibt, der Fall, dass s 2 ist, eine Frequenz der zweiten Mode höherer Ordnung angibt, und der Fall, dass s gleich 3 ist, eine Frequenz der dritten Mode höherer Ordnung angibt), die durch die unten angegebenen den Ausdrücke (1) und (2) bestimmt wird, die durch T_LT , θ_LT , T_S , T_N , T_E , ψ_Si , T_Si bestimmt werden, und alle Schallwellenfilter (m) (n < m ≤ N), die jeweils ein Durchlassband mit einer höheren Frequenz als eine Frequenz eines Durchlassbandes des Schallwellenfilters (n) aufweisen, den unten angegebenen Ausdruck (3) oder den unten angegebenen Ausdruck (4)erfüllen: $$\begin{array}{c}{V}_h=a_{T_{LT}}^{\left(3\right)}\left({\left(T_{LT}+c_{T_{LT}}\right)}^3+b_{T_{LT}}^{\left(3\right)}\right)+a_{T_{LT}}^{\left(2\right)}\left({\left(T_{LT}+c_{T_{Lt}}\right)}^2+b_{T_{LT}}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_{Lt}}^{\left(1\right)}\left(T_{LT}+c_{T_{LT}}\right)\\ +a_{T_S}^{\left(2\right)}\left({\left(T_S+c_{T_S}\right)}^2+b_{T_S}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_S}^{\left(1\right)}\left(T_S+c_{T_s}\right)\\ +a_{T_N}^{\left(2\right)}\left({\left(T_N+c_{T_K}\right)}^2+b_{T_N}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_N}^{\left(1\right)}\left(T_N+c_{T_N}\right)\\ +a_{T_E}^{\left(1\right)}\left(T_E+c_{T_E}\right)\\ +a_{{\psi }_{Si}}^{\left(5\right)}\left({\left({\psi }_{Si}+c_{{\psi }_{si}}\right)}^5+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(5\right)}\right){+a_i+c_{{\psi }_{Si}i}+c_{{\psi }_{Si}})}^4+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(4\right)})+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(3\right)}\left({\left({\psi }_{Si}+c_{\psi Si}\right)}^3+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(3\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(2\right)}\left({\left({\psi }_{Si}+c_{{\psi }_{Si}}\right)}^2+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(2\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(1\right)}\left({\psi }_{Si}+c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +e\end{array}$$

  

  $$\begin{array}{cc}{f}_{h_{s\_}t}^{\left(n\right)}=\frac{V_{h_{s\_}t}}{{\lambda }_t^{\left(n\right)}},& \left(s=\mathrm{1,2,3}\right)\end{array}$$

  

  $${\text{f}}_{\text{hs\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}>{\text{f}}_{\text{u}}{}^{\left(\text{m}\right)}$$

  

  $${\text{f}}_{\text{hs\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}<{\text{f}}_1{}^{\left(\text{m}\right)}$$

  

  f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ stellt eine Frequenz einer Mode höherer Ordnung dar, die dem s beim Schallwellenresonator (t) entspricht, der im Schallwellenfilter (n) enthalten ist, λ_t ⁽ⁿ⁾ ist eine Wellenlänge, die durch den Elektrodenfingerabstand der IDT-Elektrode im Schallwellenresonator (t) bestimmt wird, der im Schallwellenfilter (n) enthalten ist, f_u ^(m) ist eine Frequenz eines hochbandseitigen Endbereichs des Durchlassbandes in jedem der Schallwellenfilter (m) und f₁ ^(m) ist eine Frequenz eines tiefbandseitigen Endbereichs des Durchlassbandes in jedem der Schallwellenfilter (m).
• Man beachte, dass jeder Koeffizient in dem Ausdruck (1) ein in Tabelle 1, Tabelle 2 oder Tabelle 3 angegebener Wert für jeden Wert des s und jede Kristallorientierung des Trägersubstrats sein kann. [Tabelle 1]

  s=1, erste Mode höherer Ordnung	Si(100)	Si(110)	Si(111)
  aTLT (3)	0	0	0
  aTLT (2)	0	0	0
  aTLT (1)	-128.109974	-84.392576	-78.4352
  bTLT (3)	0	0	0
  bTLT (2)	0	0	0
  cTLT	-0.2492038	-0.247604	-0.24838
  aTS (2)	0	0	0
  aTS (1)	-109.6889	-182.2936559	-485.867
  bTS (2)	0	0	0
  cTS	-0.249363	-0.2498958	-0.24942
  aTN (2)	-337.59528	-198.4171235	-264.804
  aTN (1)	-109.08389	38.137636	-20.3216
  bTN (2)	-0.0262274	-0.04671597	-0.04389
  cTN	-0.29617834	0.369166	-0.34988
  aTE (1)	175.4682	13.0363945	0
  cTE	-0.14826	-0.14979166	0
  aψSi (6)	0	0	0
  aψSi (4)	0	0.000489723	0.000503
  aψSi (3)	0.0236358	-5.09E-05	0.006871
  aψSi (2)	-0.0357088	-1,017335189	-0.80395
  aψSi (1)	-34.8157175	0	-5.57553
  bψSi (5)	0	0	0
  bψSi (4)	0	-2150682.513	-352545
  bψSi (3)	0	-21460.18941	2095.948
  bψSi (2)	-288.415605	-970.8815104	-470.617
  cψSi	-22.5	-36.8125	-33.3025
  e	5251.687898	5092.365583	4851.236

  [Tabelle 2]

  S=2, zweite Mode höherer Ordnung	Si(100)	Si(110)	Si(111)
  aTLT (3)	0	0	0
  aTLT (2)	2285.602094	3496.38329	-2357.61
  aTLT (1)	-538.88053	-1081.86178	-1308.55
  bTLT (3)	0	0	0
  bTLT (2)	-0.0016565	-0.001741462	-0.00166
  cTLT	-0.251442	-0.2501547	-0.2497
  aTS (2)	-3421.09725	-4927.3017	-3633.11
  aTS (1)	-1054.253	-992.33158	-1006.69
  bTS (2)	-0.0016565	-0.2551083	-0.00166
  CTS	-0.2514423	0.2551	-0.25019
  aTN (2)	1042.56084	-423.87007	-135.325
  aTN (1)	159.11219	80.7948	-106.73
  bTN (2)	-0.02613905	-0.05219411	-0.0486
  cTN	-0.2961538	-0.36996	-0.39884
  aTE (1)	-171.153846	-637.391944	-585.696
  cTE	0.15	-0.151238	-0.14932
  aψSi (5)	0	0	0
  aψsi (4)	0	-0.00098215	-0.00016
  aψSi (3)	-0.0038938	-0.002109232	-0.00037
  aψSi (2)	-0.00306409	2.25463	0.224668
  aψSi (1)	2.8538478	23.6872514	1.243381
  bψSi (5)	0	0	0
  bψSi (4)	0	-2959279.229	-399785
  bψSi (3)	234.60436	-21928.45828	5.712562
  bψSi (2)	-289.82063	-1407.041187	-535.077
  cψSi	22.78846	-39.1640886	-29.9806
  e	5282.98076	5338.606811	5411.395

  [Tabelle 3]

  s=3, dritte Mode höherer Ordnung	Si(100)	Si(110)	Si(111)
  aTLT (3)	0	0	0
  aTLT (2)	0	0	3595.754
  aTLT (1)	-782.3425	-1001.237815	-592.246
  bTLT (3)	0	0	0
  bTLT (2)	0	0	-0.00164
  CTLT	-0.254819	-0.2578947	-0.25367
  aTS (2)	-14897.59116	0	0
  aTS (1)	-599.8312	-686.9212563	-438.155
  bTS (2)	-0.00162005	0	0
  cTS	-0.25682	-0.25546558	-0.25562
  aTN (2)	0	0	0
  aTN (1)	0	125.557557	15.72663
  bTN (2)	0	0	0
  cTN	0	-0.349392713	-0.40872
  aTE (1)	-154.8823	-764.8758717	-290.54
  CTE	-0.14819277	-0.15303643	-0.15149
  aψSi (5)	0	0	0
  aψSi (4)	0	0	-0.00073
  aψSi (3)	0.010467682	-0.000286554	-0.00318
  aψSi (2)	-0.196913569	0.67197739	0.969126
  aψSi (1)	-0.3019959	0.197549	0.359421
  bψSi (5)	0	0	0
  bψSi (4)	0	-0.000204665	0
  bψSi (3)	0	-14837.92017	670.2052
  bψSi (2)	-240.3687037	-1590.306348	-525.572
  cψSi	24.4578313	-41.9028	-31.1239
  e	5730906036	5574.008097	5675.837

• Unter einem anderen allgemeinen Gesichtspunkt eines Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst der Multiplexer N (wobei N eine ganze Zahl gleich oder größer als 2 ist) Schallwellenfilter, die jeweils ein gemeinsam angeschlossenes Ende und ein unterschiedliches Durchlassband aufweisen, wobei, wenn die N Schallwellenfilter als Schallwellenfilter (1), Schallwellenfilter (2), ..., Schallwellenfilter (N) in Reihenfolge von einer Seite einer niedrigeren Frequenz des Durchlassbandes bezeichnet werden, mindestens ein Schallwellenfilter (n) (1 ≤ n < N) unter den N Schallwellenfiltern mit Ausnahme des Schallwellenfilters, das die höchste Frequenz des Durchlassbandes hat, einen oder mehrere Schallwellenresonator(en) enthält, wobei ein t-ter Schallwellenresonator (t) unter dem einen oder den mehreren Schallwellenresonator(en) ein Trägersubstrat mit Eulerwinkeln (φ_Si, θ_Si, ψ_Si ) aus Silizium, eine auf das Trägersubstrat laminierte Siliziumnitridschicht, eine auf die Siliziumnitridschicht laminierte Siliziumoxidschicht, einen auf die Siliziumoxidschicht laminierten, aus Lithiumtantalat hergestellten piezoelektrischen Körper mit Euler-Winkeln (φ_LT in einem Bereich von 0° ± 5°, θ_LT , ψ_LT in einem Bereich von 0° ± 15°), und eine IDT-Elektrode enthält, die auf dem piezoelektrischen Körper vorgesehen ist, wobei, wenn eine Wellenlänge, die durch einen Elektrodenfingerabstand der IDT-Elektrode bestimmt wird, als λ in dem Schallwellenresonator (t) bezeichnet wird, eine durch die Wellenlänge λ normierte Dicke als eine wellenlängen-normierte Dicke bezeichnet wird, wobei, wenn Werte von T_LT als eine wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers, θ_LT als ein Euler-Winkel des piezoelektrischen Körpers, T_S als wellenlängen-normierte Dicke der Siliziumoxidschicht, T_N als wellenlängen-normierte Dicke der Siliziumnitridschicht, T_E als wellenlängen-normierte Dicke der IDT-Elektrode, umgerechnet auf eine Dicke von Aluminium, erhalten durch Multiplizieren eines Wertes, der durch Dividieren der Dichte der IDT-Elektrode durch die Dichte von Aluminium erhalten wird, mit einer wellenlängen-normierten Dicke der IDT-Elektrode erhalten wird, Ψ_Si als Ausbreitungsrichtung im Trägersubstrat und T_Si als wellenlängen-normierte Dicke des Trägersubstrats eingestellt werden, mindestens eine der Frequenzen f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ von Moden erster, zweiter und dritter höherer Ordnung (wobei s 1, 2 oder 3 ist, der Fall, dass s 1 ist, eine Frequenz der ersten Mode höherer Ordnung angibt, der Fall, dass s 2 ist, eine Frequenz der zweiten Mode höherer Ordnung angibt, und der Fall, dass s gleich 3 ist, eine Frequenz der dritten Mode höherer Ordnung angibt), die durch einen unten angegebenen Ausdruck (5) und einen unten angegebenen Ausdruck (2) bestimmt wird, die durch T_LT , θ_LT , T_S , T_N , T_E , ψ_Si und T_Si bestimmt werden, und alle Schallwellenfilter (m) (n < m ≤ N), die jeweils ein Durchlassband mit einer höheren Frequenz als eine Frequenz eines Durchlassbandes des Schallwellenfilters (n) aufweisen, den unten angegebenen Ausdruck (3) oder den unten angegebenen einen Ausdruck (4) erfüllen: $$\begin{array}{c}{V}_h=a_{T_{LT}}^{\left(2\right)}\left({\left(T_{LT}+c_{T_{LT}}\right)}^2-b_{T_{LT}}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_{LT}}^{\left(1\right)}\left(T_{LT}+c_{T_{Lt}}\right)\\ +a_{T_S}^{\left(2\right)}\left({\left(T_S+c_{T_S}\right)}^2-b_{T_S}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_S}^{\left(1\right)}\left(T_S+c_{T_s}\right)\\ +a_{T_N}^{\left(3\right)}\left({\left(T_N+c_{T_N}\right)}^3+b_{T_N}^{\left(3\right)}\right)+a_{T_N}^{\left(2\right)}{\left(T_N+c_{T_N}\right)}^2-b_{T_N}^{\left(2\right)})+a_{T_N}^{\left(1\right)}\left(T_N-c_{T_N}\right)\\ +a_{T_E}^{\left(1\right)}\left(T_E+c_{T_E}\right)\\ +a_{{\psi }_{Si}}^{\left(4\right)}\left({\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{si}}\right)}^4+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(4\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(3\right)}\left({\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)}^3-b_{{\psi }_{Si}}^{\left(3\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(2\right)}\left({\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)}^2-b_{{\psi }_{Si}}^{\left(2\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(1\right)}\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +a_{{\theta }_{LT}}^{\left(1\right)}\left({\theta }_{LT}-c_{{\theta }_{LT}}\right)\\ +d_{T_{LT}{T}_N}\left(T_{LT}-c_{T_{LT}}\right)\left(T_S-c_{T_S}\right)\\ +d_{T_{LT}{T}_N}\left(T_{LT}-c_{T_{LT}}\right)\left(T_N-c_{T_N}\right)\\ +d_{T_{LT}{\psi }_{Si}}\left(T_{LT}-c_{T_{LT}}\right)\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +d_{T_S{T}_N}\left(T_S-c_{T_S}\right)\left(T_N-c_{T_N}\right)\\ +d_{T_N{\psi }_{Si}}\left(T_N-c_{T_N}\right)\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +d_{T_N{\theta }_{LT}}\left(T_N-c_{T_N}\right)\left({\theta }_{LT}-c_{\theta }{}_{{}_{LT}}\right)\\ +d_{T_E{\psi }_{Si}}\left(T_E-c_{T_E}\right)\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +d_{{\psi }_{Si}{\theta }_{LT}}\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\left({\theta }_{LT}-c_{{\theta }_{LT}}\right)\\ +e\end{array}$$

  

  $$\begin{array}{cc}{f}_{h_{s\_}t}^{\left(n\right)}=\frac{V_{h_{s\_}t}}{{\lambda }_t^{\left(n\right)}},& \left(s=\mathrm{1,2,3}\right)\end{array}$$

  

  $${\text{f}}_{\text{hs\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}>{\text{f}}_{\text{u}}{}^{\left(\text{m}\right)}$$

  

  $${\text{f}}_{\text{hs\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}<{\text{f}}_1{}^{\left(\text{m}\right)}$$

  

  f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ stellt eine Frequenz einer Mode höherer Ordnung dar, die dem s bei dem Schallwellenresonator (t) entspricht, der im Schallwellenfilter (n) enthalten ist, λ_t ⁽ⁿ⁾ ist eine Wellenlänge ist, die durch den Elektrodenfingerabstand der IDT-Elektrode im Schallwellenresonator (t) bestimmt wird, der im Schallwellenfilter (n) enthalten ist, f_u ^(m) ist eine Frequenz eines hochbandseitigen Endbereichs des Durchlassbandes in jedem der Schallwellenfilter (m), f₁ ^(m) ist eine Frequenz eines tiefbandseitigen Endbereichs des Durchlassbandes in jedem der Schallwellenfilter (m), und jeder Koeffizient im Ausdruck (5) kann ein in nachstehender Tabelle 4, Tabelle 5 oder Tabelle 6 angegebener Wert sein, der unten für jeden Wert des s und jede Kristallorientierung des Trägersubstrats angegeben ist. [Tabelle 4]

  s=1, erste Mode höherer Ordnung	Si(100)	Si(110)	Si(111)
  aTLT (2)	0	0	0
  aTLT (1)	0	0	0
  bTLT (2)	0	0	0
  cTLT	0	0	0
  aTS (2)	0	0	0
  aTS (1)	0	0	534.5188318
  bTS (2)	0	0	0
  cTS	0	0	0.249010293
  aTN (3)	0	0	0
  aTN (2)	0	0	0
  aTN (3)	0	0	-36.51741324
  bTN (3)	0	0	0
  bTN (2)	0	0	0
  cTN	0	0	0.35114806
  aTE (1)	0	0	0
  CTE	0	0	0
  aψSi (4)	0	0	0.000484609
  aψSi (3)	0.022075968	0	0.005818261
  aψSi (2)	-0.18782287	0.081701713	-0.805302371
  aSi (1)	-33.85785847	10.57201342	-4.785681077
  bψSi (4)	0	0	351437.8188
  bψSi (3)	806.2400011	0	-1862.605341
  bψSi (2)	270.2635345	986.4812738	471.945355
  cψSi	20.26171875	37.73795535	32.87410926
  aθLT	0	0	0
  cθLT	0	0	0
  dTLTTS	0	0	0
  dTLTTN	0	0	0
  dTLTψSi	0	0	0
  dTSTN	0	0	1862.994192
  dTNψSi	0	0	0
  dTNθLT	0	0	0
  dTEψSi	0	0	0
  dψSiθLT	0	0	0
  e	5317.859375	5103.813161	4853.204861

  [Tabelle 5]

  s=2, zweite Mode höherer Ordnung	Si(100)	Si(110)	Si(111)
  aTLT (2)	0	0	0
  aTLT (1)	-608.2898721	-1003.471473	-1270.018362
  bTLT (2)	0	0	0
  cTLT	0.25	0.253954306	0.249121666
  aTS (2)	0	0	0
  aTS (1)	-1140.654415	-1030.75867	-1039.830158
  bTS (2)	0	0	0
  cTS	0.249966079	0255272408	0.250032531
  aTN (3)	-3219.596725	0	2822.963403
  aTN (2)	555.8662451	0	-264.9680504
  aTN (2)	465.8636149	53.04201209	-288.9461645
  bTN (3)	0.001081155	0	0.000392787
  bTN (2)	0.04654949	0	0.48934743
  cTN	0.378426052	0.376449912	0.392908263
  aTE (1)	0	-622.7635558	-614.5885324
  CTE	0	0.151274165	0.156815224
  aψSi (4)	0	-0.00096736	-0.000227305
  aψSi (3)	0	-0.006772454	-0.0002200171
  aψSi (2)	0	2.203099663	0.31727324
  aψSi (1)	0.833288758	28.15768206	0.648998523
  bψSi (4)	0	2959964.533	396965.3474
  bψSi (3)	0	19143.61126	87.44425969
  bψSi (2)	0	1447.367657	532.0008856
  cψSi	22.51017639	40.50966608	29.90240729
  aθLT (1)	-1.501270796	-2076046604	-2.376979261
  cθLT	-52.08683853	-50.82249561	-49.04879636
  dTLTTS	0	0	0
  dTLTTN	0	0	0
  dTLTψSi	0	16.61849238	0
  dTSTN	0	1820.795615	1482.11565
  dTNψSi	0	3.625908485	-3.131543418
  dTNθLT	0	0	1607.412093
  dTEψSi	0	0	0
  dψSiθLT	0	0	0.089566113
  e	5326.187246	5356.110093	5418.323508

  [Tabelle 6]

  s=3, dritte Mode höherer Ordnung	Si(100)	Si(110)	Si(111)
  aTL-(2)	-14710.45271	0	0
  aTLT (1)	-764.4056124	-942.2882121	-582.1313356
  bTLT (2)	0.001558682	0	0
  cTLT	0.257243963	0.255649419	0.251712062
  aTS (2)	-21048.18754	0	0
  aTS (1)	-508.6730943	-705.5211128	-400.0368899
  bTS (2)	0.001583662	0	0
  cTS	0.257243963	0.254751848	0.254357977
  aTN (3)	0	0	0
  aTN (2)	0	0	0
  aTN (2)	0	97.59452013	24.94240828
  bTN (3)	0	0	0
  bTN (2)	0	0	0
  CTN	0	0.367793031	0.404280156
  aTE (1)	-276.7311066	-747.0884117	0
  cTE	0.1494796	0.152164731	0
  aψSi	0	0	-0.00075146
  aψSi (3)	0.011363183	0.003532214	-0.002666357
  aψSi (2)	-0.23320473	0.218669312	1.006728665
  aψSi (1)	0.214067146	-11.24365221	0.523191515
  bψSi (4)	0	0	381500.5075
  bψSi (3)	180.0564368	20914.04622	-493.6094588
  bψSi (2)	257.0498426	1548.182277	530.6814032
  cψSi	22.31890092	39.72544879	30.82490272
  aθLT (1)	0	0	-1.551626054
  cθLT	0	0	-49.16731518
  dTLTS	-13796.64706	0	1575.283126
  dTLTTN	0	0	0
  dTLTψSi	30.35701585	0	0
  dTSTN	0	0	0
  dTNψSi	0	0	0
  dTNθLT	0	0	0
  dTEψSi	28.27908094	0	0
  dψSiθLT	0	0	-0.086544362
  e	5700.075407	5563.854277	5688.418884

• Unter einem speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung werden die Werte von T_LT , θ_LT , T_S , T_N , T_E , ψ_Si und T_Si so gewählt, dass die Frequenzen f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ der ersten und zweiten Mode höherer Ordnung den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllen.
• Unter noch einem weiteren speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung werden die Werte von T_LT , θ_LT , T_S , T_N , T_E , ψ_Si und T_Si so gewählt, dass die Frequenzen f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ der ersten und dritten Mode höherer Ordnung den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllen.
• Unter noch einem weiteren speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung werden die Werte von T_LT , θ_LT , T_S , T_N , T_E , ψ_Si und T_Si so gewählt, dass die Frequenzen f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ der zweiten und dritten Mode höherer Ordnung den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllen.
• Unter noch einem weiteren speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung werden die Werte von T_LT , θ_LT , T_S , T_N , T_E , ψ_Si und T_Si so gewählt, dass alle Frequenzen f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ der ersten, zweiten und dritten Mode höherer Ordnung den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllen. In diesem Fall erscheinen die Welligkeiten, die durch die jeweiligen Antworten der ersten, zweiten und dritten Mode höherer Ordnung verursacht werden, nicht im Durchlassband der anderen Schallwellenfilter.
• Unter einem weiteren speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung erfüllt die wellenlängen-normierte Dicke T_Si des Trägersubstrats T_Si > 4.
• Unter noch einem weiteren speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung wird T_Si > 10 erfüllt.
• Unter noch einem weiteren speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung wird T_Si > 20 erfüllt.
• Unter noch einem weiteren speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung ist die wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers gleich oder kleiner als 3,5λ.
• Unter noch einem weiteren speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung ist die wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers gleich oder kleiner als 2,5λ.
• Unter noch einem weiteren speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung ist die wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers gleich oder kleiner als 1,5λ.
• Unter noch einem weiteren speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung ist die wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers gleich oder kleiner als 0,5λ.
• Unter noch einem weiteren speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung ist ferner ein Antennenanschluss vorgesehen, an den die einen Enden der mehreren Schallwellenfilter gemeinsam angeschlossen ist, und der Schallwellenresonator, der den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllt, ist ein Schallwellenresonator, der dem Antennenanschluss am nächsten liegt. In diesem Fall ist es unwahrscheinlicher, dass in einem Durchlassband der anderen Schallwellenfilter Welligkeiten auftreten, die durch die erste, zweite und dritte Mode höherer Ordnung verursacht werden.
• Unter noch einem weiteren speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung ist der eine oder sind die mehreren Schallwellenresonator(en) jeweils ein Schallwellenresonator, der den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllt. In diesem Fall kann die Welligkeit, die durch mindestens eine Mode höherer Ordnung unter den ersten, zweiten und dritten Moden höherer Ordnung in den anderen Schallwellenfiltern verursacht wird, besser unterdrückt werden.
• Der erfindungsgemäße Multiplexer kann auch ein Duplexer sein.
• Der erfindungsgemäße Multiplexer kann ferner einen Antennenanschluss umfassen, an den die einen Ende der mehreren Schallwellenfilter gemeinsam angeschlossen sind, und kann ein zusammengesetztes Filter sein, in dem drei oder mehr Schallwellenfilter auf einer Seite des Antennenanschlusses gemeinsam angeschlossen sind.
• Unter einem speziellen Gesichtspunkt des Multiplexers gemäß der vorliegenden Erfindung ist der Multiplexer eine zusammengesetzte Filtereinrichtung zur Trägeraggregation.
• Vorzugsweise ist das Schallwellenfilter mit dem einen oder den mehreren Schallwellenresonator(en) im Multiplexer gemäß der vorliegenden Erfindung ein Kettenleiterfilter mit mehreren Reihenarmresonatoren und mehreren Parallelarmresonatoren. In diesem Fall kann gemäß der vorliegenden Erfindung der Einfluss der Mode höherer Ordnung wirksamer unterdrückt werden.
• Eine erfindungsgemäße Hochfrequenz-Front-End-Schaltung umfasst den erfindungsgemäßen Multiplexer und einen Leistungsverstärker.
• Eine erfindungsgemäße Kommunikationsvorrichtung umfasst eine Hochfrequenz-Front-End-Schaltung mit dem erfindungsgemäßen Multiplexer und einem Leistungsverstärker sowie eine HF-Signalverarbeitungsschaltung.
• Vorteilhafte Effekte der Erfindung
• Bei einem erfindungsgemäßen Multiplexer tritt unter mehreren Moden höherer Ordnung, die von mindestens einem Schallwellenresonator erzeugt werden, der ein Schallwellenfilter auf einer Seite des unteren Durchlassbandes konfiguriert, mindestens eine Mode höherer Ordnung nicht ohne weiteres innerhalb eines Durchlassbandes eines anderen Schallwellenfilters auf einer Seite des oberen Durchlassbandes auf. Dementsprechend ist eine Verschlechterung der Filtercharakteristik des anderen Schallwellenfilters nicht leicht möglich. Daher ist es möglich, eine Hochfrequenz-Front-End-Schaltung und eine Kommunikationsvorrichtung mit einem Multiplexer mit hervorragenden Filtercharakteristiken bereitzustellen.
• Figurenliste
• 1 ist ein Schaltplan eines Multiplexers gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
• 2 ist ein Schaltplan, der ein erstes Schallwellenfilter, das im Multiplexer verwendet wird, entsprechend der ersten Ausführungsform darstellt.
• 3(a) ist ein schematischer Höhenschnitt eines Schallwellenresonators, der im Multiplexer entsprechend der ersten Ausführungsform verwendet wird, und 3(b) ist eine schematische Draufsicht, die eine Elektrodenstruktur des Schallwellenresonators zeigt.
• 4 ist eine schematische Darstellung der Durchlassbänder des ersten bis vierten Schallwellenfilters entsprechend der ersten Ausführungsform.
• 5 ist ein Diagramm, das das Admittanzverhalten eines Schallwellenresonators darstellt.
• 6 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen einer Ausbreitungsrichtung ψ_Si eines Trägersubstrats aus Silizium und den Schallgeschwindigkeiten einer Hauptmode und einer ersten Mode höherer Ordnung veranschaulicht.
• 7 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen einer wellenlängen-normierten Dicke eines piezoelektrischen Körpers aus Lithiumtantalat und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der ersten Mode höherer Ordnung veranschaulicht.
• 8 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen einem Schnittwinkel (90° + θ_LT) des piezoelektrischen Körpers aus Lithiumtantalat und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der ersten Mode höherer Ordnung zeigt.
• 9 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen einer wellenlängen-normierten Dicke einer Siliziumoxidschicht und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der ersten Mode höherer Ordnung zeigt.
• 10 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen einer wellenlängen-normierten Dicke einer Siliziumnitridschicht und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmoden und der ersten Mode höherer Ordnung zeigt.
• 11 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen einer wellenlängen-normierten Dicke einer Interdigital-Transducer-(IDT)-Elektrode und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der ersten Mode höherer Ordnung veranschaulicht.
• 12(a) ist ein Diagramm, das die Filtercharakteristik eines Multiplexers eines Vergleichsbeispiels zeigt, und 12(b) ist ein Diagramm, das die Filtercharakteristik des Multiplexers nach der ersten Ausführungsform zeigt.
• 13 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen einer wellenlängen-normierten Dicke des Trägersubstrats aus Silizium und den Phasenmaximalwerten der ersten Mode höherer Ordnung, einer zweiten Mode höherer Ordnung und einer dritten Mode höherer Ordnung veranschaulicht.
• 14 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der Ausbreitungsrichtung ψ_Si des Trägersubstrats aus Silizium und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der zweiten Mode höherer Ordnung veranschaulicht.
• 15 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der wellenlängen-normierten Dicke des piezoelektrischen Körpers aus Lithiumtantalat und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der zweiten Mode höherer Ordnung zeigt.
• 16 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen dem Schnittwinkel (90° + θ_LT) des piezoelektrischen Körpers aus Lithiumtantalat und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der zweiten Mode höherer Ordnung zeigt.
• 17 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der wellenlängen-normierten Dicke der Siliziumoxidschicht und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der zweiten Mode höherer Ordnung zeigt.
• 18 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der wellenlängen-normierten Dicke der Siliziumnitridschicht und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmoden und der zweiten Mode höherer Ordnung zeigt.
• 19 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der wellenlängen-normierten Dicke der IDT-Elektrode und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und des zweiten Mode höherer Ordnung veranschaulicht.
• 20 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der Ausbreitungsrichtung ψ_Si des Trägersubstrats aus Silizium und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der dritten Mode höherer Ordnung veranschaulicht.
• 21 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der wellenlängen-normierten Dicke des piezoelektrischen Körpers aus Lithiumtantalat und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der dritten Mode höherer Ordnung veranschaulicht.
• 22 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen dem Schnittwinkel (90° + θ_LT) des piezoelektrischen Körpers aus Lithiumtantalat und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der dritten Mode höherer Ordnung zeigt.
• 23 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der wellenlängen-normierten Dicke der Siliziumoxidschicht und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmoden und der dritten Mode höherer Ordnung zeigt.
• 24 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der wellenlängen-normierten Dicke der Siliziumnitridschicht und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der dritten Mode höherer Ordnung zeigt.
• 25 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der wellenlängen-normierten Dicke der IDT-Elektrode und den Schallgeschwindigkeiten der Hauptmode und der dritten Mode höherer Ordnung veranschaulicht.
• 26 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen einer Schichtdicke einer LiTaO₃-Schicht und einem Q-Wert in einer Schallwellenvorrichtung zeigt.
• 27 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der Schichtdicke der LiTaO₃-Schicht und einem Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF in der Schallwellvorrichtung zeigt.
• 28 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der Schichtdicke der LiTaO₃-Schicht und einer Schallgeschwindigkeit in der Schallwellenvorrichtung zeigt.
• 29 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen einer Dicke des piezoelektrischen Körpers aus LiTaO₃ und einem Bandbreitenverhältnis zeigt.
• 30 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der Schichtdicke einer SiO₂-Schicht, eines Materials mit hoher Schallgeschwindigkeit und der Schallgeschwindigkeit darstellt.
• 31 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der Schichtdicke der SiO₂-Schicht, einem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten und dem Material der Schicht mit hoher Schallgeschwindigkeit zeigt.
• 32 ist ein schematischer Aufbau einer Kommunikationseinrichtung mit einer Hochfrequenz-Front-End-Schaltung, die eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt.
• 33 ist eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer Kristallorientierung.
• 34 ist eine schematische Darstellung zur Erläuterung der Kristallorientierung.
• 35 ist eine schematische Darstellung zur Erläuterung der Kristallorientierung.
• Beschreibung von Ausführungsformen
• Die vorliegende Erfindung wird im Folgenden durch Beschreibung bestimmter Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung anhand der Zeichnungen verdeutlicht.
• Es ist zu beachten, dass jede der in der vorliegenden Beschreibung beschriebenen Ausführungsformen Beispiele sind, und versteht sich, dass ein teilweiser Ersatz oder eine Kombination von Konfigurationen auch unter verschiedenen Ausführungsformen möglich ist.
• (Erste Ausführungsform)
• 1 ist ein Schaltplan eines Multiplexers gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Ein Multiplexer 1 enthält einen Antennenanschluss 2. Der Antennenanschluss 2 ist z.B. ein Anschluss, der mit der Antenne eines Smartphones verbunden ist.
• Im Multiplexer 1 werden die ersten bis vierten Schallwellenfilter 3 bis 6 gemeinsam an den Antennenanschluss 2 angeschlossen. Die ersten bis vierten Schallwellenfilter 3 bis 6 sind jeweils Bandpassfilter.
• 4 ist eine schematische Darstellung der Durchlassbänder der ersten bis vierten Schallwellenfilter 3 bis 6. Wie in 4 dargestellt, sind die Durchlassbänder des ersten bis vierten Schallwellenfilters unterschiedlich. Die Durchlassbänder des ersten bis vierten Schallwellenfilters werden jeweils als erstes bis viertes Durchlassband bezeichnet.
• Hinsichtlich der Frequenzlagen ist das erste Durchlassband < das zweite Durchlassband < das dritte Durchlassband < das vierte Durchlassband erfüllt. Im zweiten bis vierten Durchgangsband wird ein tiefbandseitiger Endbereich mit f₁ ^(m) und ein hochbandseitiger Endbereich mit f_u ^(m) bezeichnet. Man beachte, dass der tiefbandseitige Endbereich ein tiefbandseitiger Endbereich des Durchlassbandes ist. Ferner ist der hochbandseitige Endbereich ein hochbandseitiger Endbereich des Durchlassbandes. Als tiefbandseitiger Endbereich und als hochbandseitiger Endbereich des Durchlassbandes kann z.B. ein Endbereich eines Frequenzbandes jedes durch 3GPP o.ä. genormten Bandes verwendet werden. Man beachte, dass der Multiplexer 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform z.B. als zusammengesetzte Filtervorrichtung zur Trägeraggregation verwendet werden kann.
• (m) entspricht hier 2, 3 oder 4 entsprechend dem zweiten bis vierten Durchlassband.
• Die ersten bis vierten Schallwellenfilter 3 bis 6 enthalten jeweils mehrere Schallwellenresonatoren. 2 ist ein Schaltplan des ersten Schallwellenfilters 3. Das erste Schallwellenfilter 3 enthält die Reihenarmresonatoren S1 bis S3 und die Parallelarmresonatoren P1 und P2, die jeweils aus einem Schallwellenresonator bestehen. Das heißt, das erste Schallwellenfilter 3 ist ein Kettenleiterfilter. Die Anzahl der Reihenarmresonatoren und die Anzahl der Parallelarmresonatoren im Kettenleiterfilter sind jedoch nicht darauf beschränkt.
• Zusätzlich sind die zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6 in der vorliegenden Ausführungsform ebenfalls aus einem Kettenleiterfilter gebildet und enthalten mehrere Reihenarmresonatoren und mehrere Parallelarmresonatoren.
• Man beachte, dass die ersten bis vierten Schallwellenfilter 3 bis 6 eine andere Schaltungskonfiguration als das Kettenleiterfilter haben können, solange mehrere Schallwellenresonatoren enthalten sind. So kann z.B. auch ein Schallwellenfilter verwendet werden, bei dem ein Schallwellenresonator in Reihe mit einem Schallwellenfilter vom Typ mit längsgekoppelten Resonatoren geschaltet ist. Darüber hinaus kann auch ein Schallwellenfilter verwendet werden, bei dem ein Kettenleiterfilter mit einem Schallwellenfilter vom Typ mit längsgekoppelten Resonatoren verbunden ist. Es reicht aus, dass das erste Schallwellenfilter 3 einen oder mehrere Schallwellenresonatoren enthält.
• 3(a) ist ein schematischer Seitenschnitt eines Schallwellenresonators, in dem die Reihenarmresonatoren S1 bis S3 oder die Parallelarmresonatoren P1 und P2 des ersten Schallwellenfilters 3 konfiguriert sind, und 3(b) ist eine schematische Draufsicht, die eine Elektrodenstruktur davon zeigt.
• Der Schallwellenresonator 11 umfasst ein Trägersubstrat 12, eine auf das Trägersubstrat 12 laminierte Siliziumnitridschicht 13, eine Siliziumoxidschicht 14 und einen auf die Siliziumoxidschicht 14 laminierten piezoelektrischen Körper 15. Die Siliziumoxidschicht 14 ist also zwischen die Siliziumnitridschicht 13 und den piezoelektrischen Körper 15 laminiert. Wenn das Trägersubstrat 12, die Siliziumnitridschicht 13, die Siliziumoxidschicht 14 und der piezoelektrische Körper 15 als jeweilige Schichten des Schallwellenresonators 11 verwendet werden, kann eine weitere Schicht zwischen die jeweiligen Schichten laminiert werden. Die Siliziumoxidschicht 14 kann aus mehreren Schichten aufgebaut sein und kann eine Mehrschichtstruktur mit einer Zwischenschicht aus Titan, Nickel oder ähnlichem zwischen den mehreren Schichten aufweisen. Es kann also ein Mehrschichtaufbau verwendet werden, bei dem eine erste Siliziumoxidschicht, eine Zwischenschicht und eine zweite Siliziumoxidschicht in dieser Reihenfolge von der Seite des Trägersubstrats 12 aus laminiert werden. Eine wellenlängen-normierte Dicke der Siliziumoxidschicht 14 wird in diesem Fall als Angabe der Dicke des gesamten Schichtaufbaus angenommen. In gleicher Weise kann die Siliziumnitridschicht 13 aus mehreren Schichten aufgebaut sein und eine Mehrschichtstruktur mit einer Zwischenschicht aus Titan, Nickel oder ähnlichem zwischen den mehreren Schichten aufweisen. Es kann also ein Mehrschichtaufbau verwendet werden, bei dem eine erste Siliziumnitridschicht, eine Zwischenschicht und eine zweite Siliziumnitridschicht 13 in dieser Reihenfolge von der Seite des Trägersubstrats 12 aus laminiert werden. Eine wellenlängen-normierte Dicke der Siliziumnitridschicht 13 wird in diesem Fall als Angabe der Dicke des gesamten Schichtaufbaus angenommen.
• Das Trägersubstrat 12 besteht aus Silizium. Das Trägersubstrat 12 besteht aus einkristallinem Silizium, muss aber nicht aus einem kompletten Einkristall bestehen, und es reicht aus, dass eine Kristallorientierung enthalten ist. Die SiliziumnitridSchicht 13 ist eine SiN-Schicht. Das SiN kann jedoch mit anderen Elementen dotiert sein. Die Siliziumoxidschicht 14 ist eine SiO₂-Schicht. Solange die Siliziumoxidschicht 14 aus Siliziumoxid besteht, kann z.B. ein durch Dotierung von SiO₂ mit Fluor o.ä. gewonnenes Material einbezogen werden. Der piezoelektrische Körper 15 ist aus Lithiumtantalat aufgebaut. Der piezoelektrische Körper 15 besteht aus einkristallinem Lithiumtantalat, muss aber nicht aus einem kompletten Einkristall bestehen, und es genügt, dass eine Kristallorientierung enthalten ist. Solange der piezoelektrische Körper 15 aus Lithiumtantalat besteht, kann auch ein anderes Material als LiTaO₃ verwendet werden. Das Lithium-Tantalat kann mit Fe oder ähnlichem dotiert sein.
• Man beachte, dass die Dicke der Siliziumoxidschicht 14 null sein kann, d.h. die Siliziumoxidschicht 14 muss nicht vorhanden sein.
• Eine IDT-(Interdigital-Transducer)-Elektrode 16 ist auf einer Oberseite des piezoelektrischen Körpers 15 vorgesehen. Genauer gesagt sind die Reflektoren 17a und 17b auf beiden Seiten in einer Ausbreitungsrichtung einer Schallwelle der IDT-Elektrode 16 angeordnet, wodurch ein Oberflächenschallwellenresonator vom Ein-Tor-Typ konfiguriert wird. In der vorliegenden Ausführungsform ist die IDT-Elektrode 16 direkt auf dem piezoelektrischen Körper 15 vorgesehen, die IDT-Elektrode 16 kann aber auch indirekt auf dem piezoelektrischen Körper 15 vorgesehen sein.
• Die hier benannten Erfinder haben festgestellt, dass bei der Filtervorrichtung für Schallwellen, bei der der piezoelektrische Körper 15 aus Lithiumtantalat direkt oder indirekt auf das Trägersubstrat 12 laminiert ist, bei der Anregung einer Schallwelle die Antworten mehrerer Moden höherer Ordnung auf einer Seite mit höherer Frequenz als eine Hauptmode erscheinen, die nicht die Antwort einer zu verwendenden Hauptmode ist. Die mehreren Moden höherer Ordnung werden anhand von 5 beschrieben.
• 5 ist ein Diagramm, das das Admittanzverhalten eines Beispiels eines Schallwellenresonators zeigt, bei dem eine Siliziumnitridschicht, eine Siliziumoxidschicht und ein piezoelektrischer Körper auf ein Trägersubstrat laminiert sind. Wie aus 5 ersichtlich ist, erscheinen die Antworten der ersten bis dritten Moden höherer Ordnung an Frequenzlagen, die höher sind als die Antwort einer Hauptmode, die in der Nähe von 3,9 GHz erscheint. Die Antwort der ersten Mode höherer Ordnung erscheint in der Nähe von 4,7 GHz, wie durch den Pfeil angezeigt. Die Antwort der zweiten Mode höherer Ordnung erscheint in der Nähe von 5,2 GHz, was höher ist als die Antwort der ersten Mode höherer Ordnung. Die Antwort der dritten Mode höherer Ordnung erscheint in der Nähe von 5,7 GHz. Das heißt, wenn die Frequenz der Antwort der ersten Mode höherer Ordnung als f1, die Frequenz der Antwort der zweiten Mode höherer Ordnung als f2 und die Frequenz der Antwort der dritten Mode höherer Ordnung als f3 angenommen wird, wird f1 < f2 < f3 erfüllt. Man beachte, dass die Frequenz der Antwort der Mode höherer Ordnung eine Spitzenposition der Impedanz-Phasencharakteristik der Mode höherer Ordnung ist.
• Wie oben beschrieben, wird in dem Multiplexer, in dem die mehreren Schallwellenfilter für unterschiedliche Frequenzen auf der Antennenanschlussseite gemeinsam angeschlossen sind, eine Welligkeit verursacht, wenn die Mode höherer Ordnung durch das Schallwellenfilter auf der unteren Durchlassbandseite im Durchlassband eines anderen Schallwellenfilters auf der höheren Durchlassbandseite im Multiplexer auftritt. Daher ist es wünschenswert, dass mindestens eine Mode höherer Ordnung unter der ersten Mode höherer Ordnung, der zweiten Mode höherer Ordnung und der dritten Mode höherer Ordnung nicht in den Durchlassbändern der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6 erscheint. Vorzugsweise erscheinen zwei Moden höherer Ordnung unter der ersten Mode höherer Ordnung, der zweiten Mode höherer Ordnung und der dritten Mode höherer Ordnung nicht in den Durchlassbändern der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6. So ist es z.B. vorzuziehen, dass die Antworten der ersten Mode höherer Ordnung und der zweiten Mode höherer Ordnung, die Antworten der ersten Mode höherer Ordnung und der dritten Mode höherer Ordnung oder die Antworten der zweiten Mode höherer Ordnung und der dritten Mode höherer Ordnung nicht in den Durchlassbändern der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6 erscheinen. Bevorzugt erscheinen alle Moden erster, zweiter und dritter höherer Ordnung nicht in den Durchlassbändern der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6, jedoch ist 5 nur ein Beispiel, und ein Positionsverhältnis zwischen den Frequenzen der jeweiligen höheren Moden kann je nach Bedingungen wie der wellenlängen-normierten Dicke der IDT-Elektrode oder ähnlichem umgeschaltet werden.
• Eine Besonderheit des Multiplexers 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist, dass in mindestens einem Schallwellenresonator, der das erste Schallwellenfilter 3 konfiguriert, das Verhalten der ersten Mode höherer Ordnung im zweiten bis vierten Durchlassband, wie in 4 dargestellt, nicht auftritt. Daher verschlechtert sich die Filtercharakteristik der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6 nicht so leicht.
• Die Merkmale der vorliegenden Ausführungsform werden im Folgenden unter i) und ii) beschrieben.
• i) Werte einer wellenlängen-normierten Dicke T_LT des piezoelektrischen Körpers 15 aus Lithiumtantalat, eines Eulerwinkels θ_LT des piezoelektrischen Körpers 15 aus Lithiumtantalat, einer wellenlängen-normierten Dicke T_S der Siliziumoxidschicht 14, einer wellenlängen-normierten Dicke T_N der Siliziumnitridschicht 13, einer wellenlängen-normierten Dicke T_E der IDT-Elektrode 16 umgerechnet auf eine Dicke von Aluminium, eine Ausbreitungsrichtung Ψ_Si des Trägersubstrats 12 aus Silizium und eine wellenlängen-normierte Dicke T_Si des Trägersubstrats 12 werden so eingestellt, dass eine Frequenz f_{h1_t} ⁽ⁿ⁾ der ersten Mode höherer Ordnung, die durch die folgenden Ausdrücke (1) und (2) bestimmt wird, einen der folgenden Ausdrücke (3) und (4) für alle m erfüllt, für die m > n gilt, und ii) T_Si > 20 ist erfüllt.
• Man beachte, dass, wenn die IDT-Elektrode aus einer laminierten Metallschicht gebildet ist, die wellenlängen-normierte Dicke T_E eine wellenlängen-normierte Dicke ist, die auf die Dicke der IDT-Elektrode aus Aluminium aus einer Dicke und Dichte jeder Elektrodenschicht der IDT-Elektrode umgerechnet ist.
• Damit liegt die Antwort der ersten Mode höherer Ordnung außerhalb des Durchlassbandes der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6. Dementsprechend verschlechtert sich die Filtercharakteristik der Filter 4 bis 6 der zweiten bis vierten Schallwelle nicht so leicht durch die erste Mode höherer Ordnung. Die Tatsache, dass die Frequenz der ersten Mode höherer Ordnung außerhalb des zweiten bis vierten Durchlassbandes liegt, indem sie die oben genannten Bedingungen erfüllt, wird im Folgenden näher beschrieben. $$\begin{array}{c}{V}_h=a_{T_{LT}}^{\left(3\right)}\left({\left(T_{LT}+c_{T_{LT}}\right)}^3+b_{T_{LT}}^{\left(3\right)}\right)+a_{T_{LT}}^{\left(2\right)}\left({\left(T_{LT}+c_{T_{Lt}}\right)}^2+b_{T_{LT}}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_{Lt}}^{\left(1\right)}\left(T_{LT}+c_{T_{LT}}\right)\\ +a_{T_S}^{\left(2\right)}\left({\left(T_S+c_{T_S}\right)}^2+b_{T_S}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_S}^{\left(1\right)}\left(T_S+c_{T_s}\right)\\ +a_{T_N}^{\left(2\right)}\left({\left(T_N+c_{T_K}\right)}^2+b_{T_N}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_N}^{\left(1\right)}\left(T_N+c_{T_N}\right)\\ +a_{T_E}^{\left(1\right)}\left(T_E+c_{T_E}\right)\\ +a_{{\psi }_{Si}}^{\left(5\right)}\left({\left({\psi }_{Si}+c_{{\psi }_{si}}\right)}^5+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(5\right)}\right){+a_i+c_{{\psi }_{Si}i}+c_{{\psi }_{Si}})}^4+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(4\right)})+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(3\right)}\left({\left({\psi }_{Si}+c_{\psi Si}\right)}^3+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(3\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(2\right)}\left({\left({\psi }_{Si}+c_{{\psi }_{Si}}\right)}^2+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(2\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(1\right)}\left({\psi }_{Si}+c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +e\end{array}$$

  

  $$\begin{array}{cc}{f}_{h_{s\_}t}^{\left(n\right)}=\frac{V_{h_{s\_}t}}{{\lambda }_t^{\left(n\right)}},& \left(s=\mathrm{1,2,3}\right)\end{array}$$

  

  $${\text{f}}_{\text{hs\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}>{\text{f}}_{\text{u}}{}^{\left(\text{m}\right)}$$

  

  $${\text{f}}_{\text{hs\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}<{\text{f}}_1{}^{\left(\text{m}\right)}$$

  
• Anstelle der durch den Ausdruck (1) dargestellten Schallgeschwindigkeit V_h wird vorzugsweise die durch den folgenden Ausdruck (5) dargestellte Schallgeschwindigkeit V_h verwendet. In diesem Fall ist es unwahrscheinlicher, dass die Restwelligkeit durch die Mode höherer Ordnung im anderen Schallwellenfilter auftritt. $$\begin{array}{c}{V}_h=a_{T_{LT}}^{\left(2\right)}\left({\left(T_{LT}+c_{T_{LT}}\right)}^2-b_{T_{LT}}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_{LT}}^{\left(1\right)}\left(T_{LT}+c_{T_{Lt}}\right)\\ +a_{T_S}^{\left(2\right)}\left({\left(T_S+c_{T_S}\right)}^2-b_{T_S}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_S}^{\left(1\right)}\left(T_S+c_{T_s}\right)\\ +a_{T_N}^{\left(3\right)}\left({\left(T_N+c_{T_N}\right)}^3+b_{T_N}^{\left(3\right)}\right)+a_{T_N}^{\left(2\right)}{\left(T_N+c_{T_N}\right)}^2-b_{T_N}^{\left(2\right)})+a_{T_N}^{\left(1\right)}\left(T_N-c_{T_N}\right)\\ +a_{T_E}^{\left(1\right)}\left(T_E+c_{T_E}\right)\\ +a_{{\psi }_{Si}}^{\left(4\right)}\left({\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{si}}\right)}^4+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(4\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(3\right)}\left({\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)}^3-b_{{\psi }_{Si}}^{\left(3\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(2\right)}\left({\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)}^2-b_{{\psi }_{Si}}^{\left(2\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(1\right)}\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +a_{{\theta }_{LT}}^{\left(1\right)}\left({\theta }_{LT}-c_{{\theta }_{LT}}\right)\\ +d_{T_{LT}{T}_N}\left(T_{LT}-c_{T_{LT}}\right)\left(T_S-c_{T_S}\right)\\ +d_{T_{LT}{T}_N}\left(T_{LT}-c_{T_{LT}}\right)\left(T_N-c_{T_N}\right)\\ +d_{T_{LT}{\psi }_{Si}}\left(T_{LT}-c_{T_{LT}}\right)\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +d_{T_S{T}_N}\left(T_S-c_{T_S}\right)\left(T_N-c_{T_N}\right)\\ +d_{T_N{\psi }_{Si}}\left(T_N-c_{T_N}\right)\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +d_{T_N{\theta }_{LT}}\left(T_N-c_{T_N}\right)\left({\theta }_{LT}-c_{\theta }{}_{{}_{LT}}\right)\\ +d_{T_E{\psi }_{Si}}\left(T_E-c_{T_E}\right)\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +d_{{\psi }_{Si}{\theta }_{LT}}\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\left({\theta }_{LT}-c_{{\theta }_{LT}}\right)\\ +e\end{array}$$

  
• Man beachte, dass in den Ausdrücken (1) bis (4) h eine Mode höherer Ordnung, m ein m-tes (m > n) Schallwellenfilter (m) und n ein n-tes Schallwellenfilter (n) bezeichnet. Außerdem bezeichnet t ein t-tes Element (Schallwellenresonator) im n-ten Filter. Ferner gibt f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ eine Frequenz einer Mode höherer Ordnung im Schallwellenresonator (t) an, der im Schallwellenfilter (n) enthalten ist. Man beachte, dass s gleich 1, 2 oder 3 ist, f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ eine Frequenz der ersten Mode höherer Ordnung angibt, wenn s gleich 1 ist, eine Frequenz der zweiten Mode höherer Ordnung angibt, wenn s gleich 2 ist, und eine Frequenz der dritten Mode höherer Ordnung angibt, wenn s gleich 3 ist. Ferner ist f_u ^(m) eine Frequenz eines hochbandseitigen Endbereichs des Durchlassbandes im Schallwellenfilter (m). Ferner ist f₁ ^(m) eine Frequenz eines tiefbandseitigen Endbereichs des Durchlassbandes im Schallwellenfilter (m). Zusätzlich ist in der vorliegenden Beschreibung die wellenlängen-normierte Dicke eine Dicke, die durch Normierung einer Dicke auf die Wellenlänge der IDT-Elektrode erhalten wird. Dabei wird davon ausgegangen, dass sich die Wellenlänge auf eine Wellenlänge λ bezieht, die durch den Elektrodenfingerabstand der IDT-Elektrode bestimmt wird. Dementsprechend ist die wellenlängen-normierte Dicke eine Dicke, die durch Normierung einer tatsächlichen Dicke mit λ als 1 erhalten wird, und ist ein Wert, der durch Division der tatsächlichen Dicke durch λ erhalten wird. Man beachte, dass die Wellenlänge λ, die durch den Elektrodenfingerabstand der IDT-Elektrode bestimmt wird, durch einen Mittelwert des Elektrodenfingerabstandes bestimmt werden kann. Dabei istλ_t ⁽ⁿ⁾ eine Wellenlänge, die durch den Elektrodenfingerabstand der IDT-Elektrode im Schallwellenresonator (t), der im Schallwellenfilter (n) enthalten ist, bestimmt wird. In dieser Beschreibung kann die wellenlängen-normierte Dicke einfach als Schichtdicke beschrieben werden.
• Die hier benannten Erfinder haben festgestellt, dass die Frequenzlage der ersten Mode höherer Ordnung durch die oben beschriebenen Parameter beeinflusst wird.
• Wie in 6 dargestellt, ändert sich entsprechend der Ausbreitungsrichtung ψ_Si des Trägersubstrats aus Silizium die Schallgeschwindigkeit in der Hauptmode kaum, die Schallgeschwindigkeit in der ersten Mode höherer Ordnung ändert sich jedoch stark. Wie in 7 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit in der ersten Mode höherer Ordnung entsprechend der wellenlängen-normierten Dicke T_LT des piezoelektrischen Körpers aus Lithiumtantalat. Wie in 8 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit in der ersten Mode höherer Ordnung auch mit einem Schnittwinkel des piezoelektrischen Körpers aus Lithiumtantalat, also (90° + θ_LT ). Wie in 9 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit in der ersten Mode höherer Ordnung auch leicht in Abhängigkeit von der wellenlängen-normierten Dicke T_S der Siliziumoxidschicht. Wie in 10 dargestellt, ist zu erkennen, dass sich die Schallgeschwindigkeit in der ersten Mode höherer Ordnung auch mit der wellenlängen-normierten Dicke T_N der Siliziumnitridschicht ändert. Zusätzlich ändert sich, wie in 11 dargestellt, die Schallgeschwindigkeit in der ersten Mode höherer Ordnung auch leicht in Abhängigkeit von der wellenlängen-normierten Dicke T_E der IDT-Elektrode. Die hier benannten Erfinder haben diese Parameter frei verändert, um die Schallgeschwindigkeit in der ersten Mode höherer Ordnung zu bestimmen. Es hat sich herausgestellt, dass die Schallgeschwindigkeit in der ersten Mode höherer Ordnung durch den Ausdruck (1) ausgedrückt wird. Zusätzlich wurde bestätigt, dass die Koeffizienten im Ausdruck (1) für jede Kristallorientierung des Trägersubstrats aus Silizium die in Tabelle 7 angegebenen Werte sein können. Außerdem wurde bestätigt, dass die Koeffizienten im Ausdruck (5) für jede Kristallorientierung des Trägersubstrats aus Silizium die in Tabelle 8 angegebenen Werte sein können. [Tabelle 7]

  s= 1, erste Mode höherer Ordnung	Si(100)	Si(110)	Si(111)
  aTLT (3)	0	0	0
  aTLT (2)	0	0	0
  aTLT (1)	-128.109974	-84.392576	-78.4352
  bTLT (3)	0	0	0
  bTLT (2)	0	0	0
  cTLT	-0.2492038	-0.247604	-0.24838
  aTS (1)	0	0	0
  aTS (1)	-109.6889	-182.2936559	-485.867
  bTS (2)	0	0	0
  cTS	-0.249363	-0.2498958	-0.24942
  aTN (2)	-337.59528	-198.4171235	-264.804
  aTN (3)	-109.08389	38.137636	-20.3216
  bTN (2)	-0.0262274	-0.04671597	-0.04389
  cTN	-0.29617834	0.369166	-0.34988
  aTE (1)	175.4682	13.0363945	0
  cTE	-0.14826	-0.14979166	0
  aψSi (5)	0	0	0
  aψSi (4)	0	0.000489723	0.000503
  aψSi (3)	0.0236358	-5.09E-05	0.006871
  aψSi (2)	-0.0357088	-1.017335189	-0.80395
  aψSi (1)	-34.8157175	0	-5.57553
  bψSi (5)	0	0	0
  bψSi (4)	0	-2150682.513	-352545
  bψSi (3)	0	21460.18941	2095.948
  bψSi (2)	-288.415605	-970.8815104	-470.617
  cψSi	22.5	-36.8125	-33.3025
  e	5251.687898	5092.365583	4851.236

  [Tabelle 8]

  s=1, erste Mode höherer Ordnung	Si(100)	Si(110)	Si(111)
  aTLT (2)	0	0	0
  aTLT (2)	0	0	0
  bTLT (2)	0	0	0
  cTLT	0	0	0
  aTS (2)	0	0	0
  aTS (1)	0	0	534.5188318
  bTS (2)	0	0	0
  cTS	0	0	0.249010293
  aTN (2)	0	0	0
  aTN (2)	0	0	0
  aTN (1)	0	0	-36.51741324
  bTN (3)	0	0	0
  bTN (2)	0	0	0
  cTN	0	0	0.35114806
  aTE (1)	0	0	0
  CTE	0	0	0
  aψSi (4)	0	0	0.000484609
  aψSi (3)	0.022075968	0	0.005818261
  aψSi (2)	-0.18782287	0.081701713	-0.805302371
  aψSi (1)	-33.85785847	10.57201342	-4.785681077
  bψSi (4)	0	0	351437.8188
  bψSi (3)	806.2400011	0	-1862.605341
  bψSi (2)	270.2635345	986.4812738	471.945355
  cψSi	20.26171875	37.73795535	32.87410926
  aθLT (1)	0	0	0
  cθLT	0	0	0
  dTLTTS	0	0	0
  dTLTTN	0	0	0
  dTLTψSi	0	0	0
  dTSTN	0	0	1862.994192
  dTNψSi	0	0	0
  dTNθLT	0	0	0
  dTEψSi	0	0	0
  dψSiθLT	0	0	0
  e	5317.859375	5103.813161	4853.204861

• Wenn die Schallgeschwindigkeit der ersten Mode höherer Ordnung als V_{h1_t} angenommen wird, wird die Frequenz der ersten Mode höherer Ordnung durch f_{h1_t} ⁽ⁿ⁾ = V_{h1_t}/λ_t ⁽ⁿ⁾ auf der Grundlage des Ausdrucks (2) dargestellt. Dabei bedeutet f_h1 die Frequenz der ersten Mode höherer Ordnung, und t ist eine Zahl eines Elementes wie z.B. des Resonators o.ä., das das n-te Filter konfiguriert.
• In der vorliegenden Ausführungsform, wie durch den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) angegeben, ist f_{h1_t} höher als _fu ^(m) oder niedriger als _f1 ^(m). D.h. f_{h1_t} ist niedriger als die der jeweiligen tiefbandseitigen Endbereiche oder höher als die der jeweiligen hochbandseitigen Endbereiche des zweiten Durchlassbandes, des dritten Durchlassbandes und des vierten Durchlassbandes, die in 4 dargestellt sind. Man erkennt also, dass die Frequenz f_{h1_t} ⁽ⁿ⁾ der ersten Mode höherer Ordnung nicht im zweiten bis vierten Durchlassband liegt.
• Hier, wie in 33 dargestellt, bezeichnet Si (100) ein Substrat, das durch Schneiden in einer (100)-Ebene senkrecht zu einer Kristallachse, die durch einen Miller-Index [100] dargestellt wird, in einer Kristallstruktur aus Silizium mit einer Diamantstruktur erhalten wird. Es ist zu beachten, dass eine kristallographisch äquivalente Ebene wie ein Si (010) oder ähnliches ebenfalls umfasst ist.
• Wie in 34 dargestellt, zeigt ein Si (110) ein Substrat an, das durch Schneiden in einer (110)-Ebene senkrecht zu einer Kristallachse, die durch einen Miller-Index [110] dargestellt wird, in einer Kristallstruktur aus Silizium mit einer Diamantstruktur erhalten wird. Es ist zu beachten, dass eine weitere kristallographisch äquivalente Ebene ebenfalls umfasst ist.
• Wie in 35 dargestellt, bezeichnet ein Si (111) ein Substrat, das durch Schneiden in einer zu einer Kristallachse orthogonalen Ebene (111), die durch einen Miller-Index [111] dargestellt wird, in einer Kristallstruktur aus Silizium mit einer Diamantstruktur erhalten wird. Es ist zu beachten, dass eine weitere kristallographisch äquivalente Ebene ebenfalls umfasst ist.
• In dem oben beschriebenen Ausdruck (1) gilt:
1. a) Bei Verwendung von Si (100) (wobei die Eulerwinkel als (φ_Si = 0 5°, θ_Si = 0 ± 5°, ψ_Si ) angenommen werden) wird ein Bereich von ψ_Si auf 0° ≤ ψ_Si ≤ 45° gesetzt. Aufgrund der Symmetrie der Kristallstruktur des Si (100) sind ψ _Si und ψ_Si ± (n × 90°) jedoch gleichbedeutend miteinander (n = 1, 2, 3, ...). In der gleichen Weise sind ψ _Si und -ψ_Si gleichbedeutend miteinander.
2. b) Bei Verwendung von Si (110) (wobei die Eulerwinkel als (φ_Si = -45 ± 5°, θ_Si = -90 ± 5°, ψ_Si ) angenommen werden) wird ein Bereich von ψ_Si auf 0°≤ ψ_Si ≤ 90° gesetzt. Aufgrund der Symmetrie der Kristallstruktur des Si (110) sind ψ _Si und ψ_Si ± (n × 180°) jedoch gleichbedeutend miteinander (n = 1, 2, 3, ...). In der gleichen Weise sind ψ _Si und ^-ψ_Si gleichbedeutend miteinander.
3. c) Bei Verwendung von Si (111) (wobei die Eulerwinkel als (φ_Si = -45 ± 5°, θ_Si = -54.73561 ± 5°, ψ_Si ) angenommen werden) wird ein Bereich von ψ_Si auf 0° ≤ ψ_Si ≤ 60° gesetzt. Aufgrund der Symmetrie der Kristallstruktur des Si (111) sind ψ _Si und ψ_Si ± (n × 120°) jedoch gleichbedeutend miteinander (n = 1, 2, 3, ...). In der gleichen Weise sind ψ _Si und -ψ_Si gleichbedeutend miteinander.
• Außerdem können θ_LT und θ_LT + 180° als gleichbedeutend miteinander behandelt werden, obwohl ein Bereich von θ_LT auf -180° < θ_LT ≤ 0° eingestellt ist.
• Man beachte, dass in dieser Beschreibung bei den Euler-Winkeln (innerhalb des Bereichs von 0° ± 5°, θ, innerhalb des Bereichs von 0° ± 15°) „innerhalb des Bereichs von 0° ± 5°“ bedeutet „innerhalb eines Bereichs von -5° oder mehr und +5° oder weniger“ und dass „innerhalb des Bereichs von 0° ±1 5°“ bedeutet „innerhalb des Bereichs von -15° oder mehr und +15° oder weniger“.
• Die wellenlängen-normierte Dicke T_E der IDT-Elektrode 16 ist eine Dicke, die durch Umrechnung der wellenlängen-normierten Dicke der Elektrodenschicht, die die IDT-Elektrode 16 konfiguriert, in die Schichtdicke der IDT-Elektrode aus Aluminium auf der Basis eines Dichteverhältnisses erhalten wird. Genauer gesagt erhält man die wellenlängen-normierte Dicke T_E durch Multiplikation eines Wertes, der durch Division der Dichte der IDT-Elektrode 16 durch die Dichte von Aluminium erhalten wird, mit der wellenlängen-normierten Dicke der IDT-Elektrode 16. Das Elektrodenmaterial ist jedoch nicht auf Al beschränkt. Es können verschiedene Metalle wie Ti, NiCr, Cu, Pt, Au, Mo, W u.dgl. verwendet werden. Alternativ kann eine Legierung verwendet werden, die diese Metalle als Hauptbestandteil enthält. Alternativ kann eine laminierte Metallschicht verwendet werden, die durch Laminieren mehrerer Metallschichten aus diesen Metallen oder der Legierung gebildet wird. In diesem Fall ist die wellenlängen-normierte Dicke _TE eine wellenlängen-normierte Dicke, die aus der Dicke und Dichte jeder Elektrodenschicht der IDT-Elektrode auf die Dicke der IDT-Elektrode aus Aluminium umgerechnet ist.
• 12(a) ist ein Diagramm, das die Filtercharakteristik eines Multiplexers eines Vergleichsbeispiels zeigt, bei dem der Schallwellenresonator weder den Ausdruck (3) noch den Ausdruck (4) erfüllt, und 12(b) ist ein Diagramm, das die Filtercharakteristik des Multiplexers gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
• 12(a) und 12(b) zeigen jeweils die Filtercharakteristik des ersten und des zweiten Schallwellenfilters. Die durchgezogene Linie zeigt die Filtercharakteristik des ersten Schallwellenfilters an. Wie die gestrichelte Linie in 12(a) zeigt, erscheint eine Welligkeit im Durchlassband in der Filtercharakteristik des zweiten Schallwellenfilters. Diese Welligkeit wird durch eine Antwort der Mode höherer Ordnung des Schallwellenresonators im ersten Schallwellenfilter verursacht. Im Multiplexer gemäß der ersten Ausführungsform tritt dagegen, wie in 12(b) dargestellt, eine solche Welligkeit im Durchlassband des zweiten Schallwellenfilters nicht auf. Das heißt, da der Schallwellenresonator so konfiguriert ist, dass er den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllt, erscheint die Welligkeit nicht im zweiten Durchlassband des zweiten Schallwellenfilters.
• 13 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der wellenlängen-normierten Dicke _TSi des Trägersubstrats aus Silizium und den Phasenmaximalwerten der ersten, zweiten und dritten Mode höherer Ordnung zeigt. Wie aus 13 ersichtlich ist, ist zu erkennen, dass, wenn die wellenlängen-normierte Dicke T_Si des Trägersubstrats aus Silizium größer als 4λ ist, die Größe der Antwort in der ersten Mode höherer Ordnung im Wesentlichen konstant und ausreichend klein wird. Man beachte, dass, wenn die wellenlängen-normierte Dicke T_Si des Trägersubstrats größer als 10λ ist, die Antworten der zweiten und dritten Moden höherer Ordnung ebenfalls klein werden, und wenn die Dicke größer als 20λ ist, die Antworten in allen ersten bis dritten Moden höherer Ordnung ausreichend klein werden. Daher erfüllt die wellenlängen-normierte Dicke T_Si des Trägersubstrats vorzugsweise T_Si > 4, noch bevorzugter erfüllt die wellenlängen-normierte Dicke T_Si des Trägersubstrats T_Si > 10 und noch bevorzugter erfüllt die wellenlängen-normierte Dicke T_Si des Trägersubstrats T_Si > 20.
• Bei der vorliegenden Ausführungsform erfüllt in mindestens einem Schallwellenresonator von den mehreren Schallwellenresonatoren, die das erste Schallwellenfilter 3 konfigurieren, die Frequenz der ersten Mode höherer Ordnung den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4). Bevorzugter ist es, dass in dem dem Antennenanschluss am nächsten liegenden Schallwellenresonator die Frequenzlage der Antwort in der Mode höherer Ordnung dem Ausdruck (3) oder dem Ausdruck (4) genügt. Dies liegt daran, dass der Einfluss der Mode höherer Ordnung in dem dem Antennenanschluss am nächsten liegenden Schallwellenresonator im Vergleich zu einem anderen Schallwellenresonator in den Durchlassbändern der anderen zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6 tendenziell stark ausgeprägt ist.
• Bevorzugter ist, dass in allen Schallwellenresonatoren die Frequenzlage in der ersten Mode höherer Ordnung dem Ausdruck (3) oder dem Ausdruck (4) genügt. Damit ist es unwahrscheinlicher, dass die Welligkeit, die durch die Antwort der ersten Mode höherer Ordnung verursacht wird, in den Durchlassbändern der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6 auftritt.
• Wenn die Struktur der vorliegenden Erfindung, wie oben beschrieben, angewendet wird, neigt die Mode höherer Ordnung dazu, auf einen Bereich beschränkt zu sein, in dem die Siliziumoxidschicht 14 und der piezoelektrische Körper 15 laminiert sind. Dadurch, dass die wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers 15 gleich oder kleiner als 3,5λ ist, wird aber der laminierte Bereich der Siliziumoxidschicht 14 und des piezoelektrischen Körpers 15 dünner, so dass die Mode höherer Ordnung mit geringerer Wahrscheinlichkeit beschränkt wird.
• Bevorzugter ist die Schichtdicke des piezoelektrischen Körpers 15 aus LiTaO₃ gleich oder kleiner als 2,5λ, und in diesem Fall kann ein absoluter Wert eines Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF verringert werden. Zusätzlich ist die Schichtdicke des piezoelektrischen Körpers 15 aus LiTaO₃ vorzugsweise gleich oder kleiner als 1,5λ. In diesem Fall kann ein elektromechanischer Kopplungskoeffizient leicht angepasst werden. Zusätzlich ist die Schichtdicke des piezoelektrischen Körpers 15 aus LiTaO₃ vorzugsweise gleich oder kleiner als 0,5λ. In diesem Fall kann der elektromechanische Kopplungskoeffizient in einem weiten Bereich einfach eingestellt werden.
• (Zweite Ausführungsform)
• Bei einer zweiten Ausführungsform liegt eine Welligkeit m in der zweiten Mode höherer Ordnung, nicht in der ersten Mode höherer Ordnung, nicht in den Durchlassbändern der zweiten bis vierten Filter 4 bis 6. Dies wird anhand von 14 bis 19 beschrieben.
• Wie in 14 dargestellt, ändert sich eine Schallgeschwindigkeit in der zweiten Mode höherer Ordnung entsprechend der Ausbreitungsrichtung ψ_Si . In gleicher Weise, wie in 15 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit in der zweiten Mode höherer Ordnung auch entsprechend der wellenlängen-normierten Dicke T_LT des piezoelektrischen Körpers aus Lithiumtantalat. Wie in 16 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit n der zweiten Mode höherer Ordnung auch in Abhängigkeit von einem Schnittwinkel (90° + θ_LT) des piezoelektrischen Körpers aus Lithiumtantalat. Wie in 17 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit in der zweiten Mode höherer Ordnung auch in Abhängigkeit von der wellenlängen-normierten Dicke T_S der Siliziumoxidschicht. Wie in 18 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit in der zweiten Mode höherer Ordnung auch in Abhängigkeit von der wellenlängen-normierten Dicke T_N der Siliziumnitridschicht. Wie in 19 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit in der zweiten Mode höherer Ordnung auch in Abhängigkeit von der wellenlängen-normierten Dicke T_E der IDT-Elektrode. Aus den in 14 bis 19 dargestellten Ergebnissen wurde in gleicher Weise wie in der ersten Ausführungsform herausgefunden, dass die Schallgeschwindigkeit in der zweiten Mode höherer Ordnung ebenfalls durch den Ausdruck (1) oder den Ausdruck (5) repräsentiert wird. Im Fall der zweiten Mode höherer Ordnung ist es jedoch erforderlich, dass der Koeffizient im Ausdruck (1) für jede Kristallorientierung des Trägersubstrats aus Silizium die in Tabelle 9 angegebenen Werte hat. Darüber hinaus muss der Koeffizient im Ausdruck (5) im Falle der zweiten Mode höherer Ordnung für jede Kristallorientierung des Trägersubstrats aus Silizium die in Tabelle 10 angegebenen Werte aufweisen. [Tabelle 9]

  s=2, zweite Mode höherer Ordnung	Si(100)	Si(110)	Si(111)
  aTLT (3)	0	0	0
  aTLT (2)	2285.602094	3496.38329	–2357.61
  aTLT (1)	–538.88053	–1081.86178	–1308.55
  bTLT (3)	0	0	0
  bTLT (2)	-0.0016565	-0.001741462	-0.00166
  cTLT	-0.251442	-0.2501547	-0.2497
  aTS (2)	-3421.09725	-4927.3017	-3633.11
  aTS (1)	-1054.253	-992.33158	-1006.69
  bTS (2)	-0.0016565	-0.2551083	-0.00166
  cTS	-0.2514423	0.2551	-0.25019
  aTN (2)	1042.56084	-423.87007	-135.325
  aTN (1)	159.11219	80.7948	-106.73
  bTN (2)	-0.02613905	-0.05219411	-0.0486
  cTN	-0.2961538	-0.36996	-0.39884
  aTE (1)	-171.153846	-637.391944	-585.696
  cTE	0.15	-0.151238	-0.14932
  aψSi (5)	0	0	0
  aψSi (4)	0	-0.00098215	-0.00016
  aψSi (3)	-0.0038938	-0.002109232	-0.00037
  aψSi (2)	-0.00306409	2.25463	0.224668
  aψSi (1)	2.8538478	23.6872514	1.243381
  bψSi (5)	0	0	0
  bψSi (4)	0	-2959279.229	-399785
  bψSi (3)	234.60436	-21928.45828	5.712562
  bψSi (2)	-289.82063	-1407.041187	-535.077
  cψSi	22.78846	-39.1640886	-29.9806
  e	5282.98076	5338.606811	5411.395

  [Tabelle 10]

  s=2, zweite Mode höherer Ordnung	Si(100)	Si(110)	Si(111)
  aTLT (2)	0	0	0
  aTLT (1)	-608.2898721	-1003.471473	-1270.018362
  bTLT (2)	0	0	0
  cTLT	0.25	0.253954306	0.249121666
  aTS (2)	0	0	0
  aTS (1)	-1140.654415	-1030.75867	-1039.830158
  bTS (2)	0	0	0
  cTS	0.249966079	0.255272408	0.250032531
  aTN (3)	-3219.596725	0	2822.963403
  aTN (2)	555.8662451	0	-264.9680504
  aTN (1)	465.8636149	53.04201209	-288.9461645
  b-N (3)	0.001081155	0	0.000392787
  bTN (2)	0.04654949	0	0.48934743
  cTN	0.378426052	0.376449912	0.392908263
  aTE (1)	0	-622.7635558	-614.5885324
  cTE	0	0.151274165	0.156815224
  aψSi (4)	0	-0.00096736	-0.000227305
  aψSi (3)	0	-0.006772454	-0.000220017
  aψSi (2)	0	2.203099663	0.31727324
  aψSi (1)	0.833288758	28.15768206	0.648998523
  bψSi (4)	0	2959964.533	396965.3474
  bψSi (3)	0	19143.61126	87.44425969
  bψSi (2)	0	1447.367657	532.0008856
  cψSi	22.51017639	40.50966608	29.90240729
  aθLT (1)	-1.501270796	-2.076046604	-2.376979261
  cθLT	-52.08683853	-50.82249561	-49.04879636
  dTLTTS	0	0	0
  dTLTTN	0	0	0
  dTLTψSi	0	16.61849238	0
  dTSTN	0	1820.795615	1482.11565
  dTNψSi	0	3.625908485	-3.131543418
  dTNθLT	0	0	1607.412093
  dTFψSi	0	0	0
  dψSiθLT	0	0	0.089566113
  e	5326.187246	5356.110093	5418.323508

• Aus der wie oben beschrieben erhaltenen Schallgeschwindigkeit V_{h2_t} in der zweiten Mode höherer Ordnung ergibt sich aufgrund des Ausdrucks (2) die Frequenzlage f_{h2_t} ⁽ⁿ⁾ = V_{h2_t}/λ_t ⁽ⁿ⁾ der Antwort in der zweiten Mode höherer Ordnung. In der zweiten Ausführungsform wird die Frequenzlage f_{h2_t} ⁽ⁿ⁾ der zweiten Mode höherer Ordnung so gesetzt, dass der folgende Ausdruck (3A) bzw. der folgende Ausdruck (4A) erfüllt ist. Dementsprechend liegt bei der zweiten Ausführungsform die Antwort der zweiten Mode höherer Ordnung außerhalb der Durchlassbänder der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6. Dementsprechend tritt die Welligkeit der Filtercharakteristik der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6 durch die Antwort in der zweiten
• Mode höherer Ordnung nicht ohne weiteres auf. $${\text{f}}_{\text{h2\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}>{\text{f}}_{\text{u}}{}^{\left(\text{m}\right)}$$

  

  $${\text{f}}_{\text{h2\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}<{\text{f}}_1{}^{\left(\text{m}\right)}$$

  
• Bevorzugterweise erfüllt bei allen Schallwellenresonatoren die Frequenzlage der Antwort in der zweiten Mode höherer Ordnung den Ausdruck (3A) oder den Ausdruck (4A). Damit ist es unwahrscheinlicher, dass die Welligkeit, die durch die Antwort der zweiten Mode höherer Ordnung verursacht wird, in den Durchlassbändern der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6 auftritt.
• (Dritte Ausführungsform)
• Bei einer dritten Ausführungsform befindet sich eine Welligkeit in der dritten Mode höherer Ordnung, nicht die in der ersten Mode höherer Ordnung, nicht in den Durchlassbändern der zweiten bis vierten Filter 4 bis 6. Dies wird anhand von 20 bis 25 beschrieben.
• Wie in 20 dargestellt, ändert sich eine Schallgeschwindigkeit in der dritten Mode höherer Ordnung entsprechend der Ausbreitungsrichtung ψ_Si . In gleicher Weise, wie in 21 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit in der dritten Mode höherer Ordnung auch entsprechend der wellenlängen-normierten Dicke T_LT des piezoelektrischen Körpers aus Lithiumtantalat. Wie in 22 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit in der dritten Mode höherer Ordnung auch mit einem Schnittwinkel (90° + θ_LT) des piezoelektrischen Körpers aus Lithiumtantalat. Wie in 23 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit in der dritten Mode höherer Ordnung auch in Abhängigkeit von der wellenlängen-normierten Dicke T_S der Siliziumoxidschicht. Wie in 24 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit in der dritten Mode höherer Ordnung auch mit der wellenlängen-normierten Dicke T_N der Siliziumnitridschicht. Wie in 25 dargestellt, ändert sich die Schallgeschwindigkeit in der dritten Mode höherer Ordnung auch in Abhängigkeit von der wellenlängen-normierten Dicke T_E der IDT-Elektrode. Aus den in 20 bis 25 dargestellten Ergebnissen wurde in gleicher Weise wie bei der ersten Ausführungsform festgestellt, dass die Schallgeschwindigkeit in der dritten Mode höherer Ordnung ebenfalls durch den Ausdruck (1) oder den Ausdruck (5) dargestellt wird. Im Fall der dritten Mode höherer Ordnung ist es jedoch erforderlich, dass der Koeffizient im Ausdruck (1) für jede Kristallorientierung des Trägersubstrats aus Silizium die in Tabelle 11 angegebenen Werte aufweist. Darüber hinaus muss der Koeffizient im Ausdruck (5) im Falle der dritten Mode höherer Ordnung für jede Kristallorientierung des Trägersubstrats aus Silizium die in Tabelle 12 angegebenen Werte aufweisen. [Tabelle 11]

  s=3, dritte Mode höherer Ordnung	Si(100)	Si(110)	Si(111)
  aTLT	0	0	0
  aTLT (2)	0	0	3595.754
  aTLT (1)	-782.3425	-1001.237815	-592.246
  bTLT (3)	0	0	0
  bTLT (2)	0	0	-0.00164
  cTLT	-0.254819	-0.2578947	-0.25367
  aTS (2)	-14897.59116	0	0
  aTS (1)	-599.8312	-686.9212563	-438.155
  bTS (2)	-0.00162005	0	0
  cTS	-0.25682	-0.25546558	-0.25562
  aTN (2)	0	0	0
  aTN (1)	0	125.557557	15.72663
  bTN (2)	0	0	0
  cTN	0	-0.349392713	-0.40872
  aTE (1)	-154.8823	-764.8758717	-290.54
  cTE	-0.14819277	-0.15303643	-0.15149
  aψSi (5)	0	0	0
  aψSi (4)	0	0	-0.00073
  aψSi (3)	0.010467682	-0.000286554	-0.00318
  aψSi (2)	-0.196913569	0.67197739	0.969126
  aψSi (1)	-0.3019959	0.197549	0.359421
  bψSi (5)	0	0	0
  bψSi (4)	0	-0.000204665	0
  bψSi (3)	0	-14837.92017	670.2052
  bψSi (2)	-240.3687037	-1590.306348	-525.572
  cψSi	24.4578313	-41.9028	-31.1239
  e	5730.906036	5574.008097	5675.837

  [Tabelle 12]

  s=3, dritte Mode höherer Ordnung	Si(100)	Si(110)	Si(111)
  aTLT (2)	-14710.45271	0	0
  aTLT (1)	-764.4056124	-942.2882121	-582.1313356
  bTLT (2)	0.001558682	0	0
  cTLT	0.257243963	0.255649419	0.251712062
  aTS (2)	-21048.18754	0	0
  aTS (1)	-508.6730943	-705.5211128	-400.0368899
  bTS (2)	0.001583662	0	0
  cTS	0.257243963	0.254751848	0.254357977
  aTN (3)	0	0	0
  aTN (2)	0	0	0
  aTN (1)	0	97.59462013	24.94240828
  bTN (3)	0	0	0
  bTN (2)	0	0	0
  cTN	0	0.367793031	0.404280156
  aTE (1)	-276.7311066	-747.0884117	0
  cTE	0.1494796	0.152164731	0
  aψSi (4)	0	0	-0.00075146
  aψSi (3)	0.011363183	0.003532214	-0.002666357
  aψSi (2)	-0.23320473	0.218669312	1.006728665
  aψSi (1)	0.214067146	-11.24365221	0.523191515
  bψSi (4)	0	0	381500.5075
  bψSi (3)	180.0564368	20914.04622	-493.6094588
  bψSi (2)	257.0498426	1548.182277	530.6814032
  cψSi	22.31890092	39.72544879	30.82490272
  aθLT (1)	0	0	-1.551626054
  cθLT	0	0	-49.16731518
  dTLTTS	-13796.64706	0	1575.283126
  dTLTTN	0	0	0
  dTLTψSi	30.35701585	0	0
  dTSTN	0	0	0
  dTNψSi	0	0	0
  dTNθLT	0	0	0
  dTEψSi	28.27908094	0	0
  dψSiθLT	0	0	-0.086544362
  e	5700.075407	5563,854277	5688.418884

• Aus der wie oben beschrieben erhaltenen Schallgeschwindigkeit V_{h3_t} in der dritten Mode höherer Ordnung kann, basierend auf dem Ausdruck (2), die Frequenzlage der Antwort der dritten Mode höherer Ordnung durch die Frequenzlage f_{h3_t} ⁽ⁿ⁾ = V_{h3_t}/λ_t ⁽ⁿ⁾ der dritten Mode höherer Ordnung ermittelt werden. Bei der dritten Ausführungsform wird die Frequenzlage der dritten Mode höherer Ordnung so eingestellt, dass der folgende Ausdruck (3B) oder der folgende Ausdruck (4B) erfüllt wird. Dementsprechend liegt bei der dritten Ausführungsform die Antwort der dritten Mode höherer Ordnung außerhalb der Durchlassbänder des zweiten bis vierten Schallwellenfilters 4 bis 6. Dementsprechend tritt die Welligkeit in den Filtercharakteristiken der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6 durch die Antwort in der dritten Mode höherer Ordnung nicht ohne weiteres auf. $${\text{f}}_{\text{h3\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}>{\text{f}}_{\text{u}}{}^{\left(\text{m}\right)}$$

  

  $${\text{f}}_{\text{h3\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}<{\text{f}}_1{}^{\left(\text{m}\right)}$$

  
• Bevorzugterweise erfüllt bei allen Schallwellenresonatoren die Frequenzlage der Antwort in der dritten Mode höherer Ordnung den Ausdruck (3B) oder den Ausdruck (4B). Damit ist es unwahrscheinlicher, dass die Welligkeit, die durch die Antwort der dritten Mode höherer Ordnung verursacht wird, in den Durchlassbändern der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6 auftritt.
• (Vierte Ausführungsform)
• Eine vierte Ausführungsform genügt den Anforderungen der ersten Ausführungsform, der zweiten Ausführungsform und der dritten Ausführungsform. Die spezifische Struktur eines Multiplexers gemäß der vierten Ausführungsform ist die gleiche wie die der ersten bis dritten Ausführungsform.
• Bei der vierten Ausführungsform sind, wenn die Schallgeschwindigkeiten der Moden erster, zweiter und dritter höherer Ordnung als V_{h1_t}, V_{h2_t} bzw. V_{h3_t} angenommen werden, die Frequenzlagen der Antworten der Moden erster bis dritter höherer Ordnung, die durch den Ausdruck (2) angegeben werden, durch f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ = V_{hs_t}/λ_t ⁽ⁿ⁾ dargestellt. Dabei ist s 1, 2 oder 3. Bei der vierten Ausführungsform sind die Frequenz f_{h1_t} ⁽ⁿ⁾ der Antwort in der ersten Mode höherer Ordnung, die Frequenz f_{h2_t} ⁽ⁿ⁾ der Antwort in der zweiten Mode höherer Ordnung und die Frequenz f_{h3_t} ⁽ⁿ⁾ der Antwort in der dritten Mode höherer Ordnung jeweils höher als f_u ^(m) oder niedriger als f₁ ^(m). Dementsprechend liegen die Antworten der ersten bis dritten Moden höherer Ordnung außerhalb des zweiten bis vierten Durchlassbandes der zweiten bis vierten Schallwellenfilter 4 bis 6. Dementsprechend ist das Auftreten einet Verschlechterung der Filtercharakteristiken des zweiten bis vierten Schallwellenfilters eher unwahrscheinlich.
• Wenn man also die Bedingungen der vierten Ausführungsform zusammenfasst, erfüllt f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ (wobei s 1, 2 oder 3 ist) in jedem Fall f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ > f_u ^(m) oder f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ < f₁ ^(m) wobei s 1, 2 oder 3 ist. Bei der vierten Ausführungsform ist es ebenfalls vorzuziehen, dass T_Si > 20 erfüllt ist, wodurch es möglich ist, die Größe der Antwort selbst in jeder der ersten bis dritten Mode höherer Ordnung zu verringern.
• Obwohl die Antworten der ersten Mode höherer Ordnung, der zweiten Mode höherer Ordnung und der dritten Mode höherer Ordnung in den Durchlassbändern der zweiten bis vierten Schallwellenfilter, die die anderen Schallwellenfilter sind, nicht vorhanden sind, können bei der vierten Ausführungsform zwei Moden höherer Ordnung der ersten bis dritten Moden höherer Ordnung, wie z. B. die erste Mode höherer Ordnung und die zweite Mode höherer Ordnung, die erste Mode höherer Ordnung und die dritte Mode höherer Ordnung oder die zweite Mode höherer Ordnung und die dritte Mode höherer Ordnung sich außerhalb der Durchlassbänder der zweiten bis vierten Schallwellenfilter befinden. Auch in diesem Fall kann der Einfluss der Mode höherer Ordnung weiter reduziert werden als bei der ersten bis dritten Ausführungsform.
• 26 ist ein Diagramm, das eine Beziehung zwischen einem Q-Wert und einer Schichtdicke von LiTaO₃ in einer Schallwellenvorrichtung veranschaulicht, in der eine Schicht mit niedriger Schallgeschwindigkeit, die aus einer SiO₂-Schicht mit einer Schichtdicke von 0,35λ besteht, und ein piezoelektrischer Körper aus Lithiumtantalat mit Eulerwinkeln (0°, -40,0°, 0°) auf ein Trägersubstrat mit hoher Schallgeschwindigkeit aus Silizium laminiert sind. Die vertikale Achse in 26 stellt ein Produkt aus Q-Charakteristik und einem Bandbreitenverhältnis (Δf) des Resonators dar. Man beachte, dass das Trägersubstrat mit hoher Schallgeschwindigkeit ein Trägersubstrat ist, bei dem die Schallgeschwindigkeit einer sich ausbreitenden Volumenwelle höher ist als die Schallgeschwindigkeit der sich durch den piezoelektrischen Körper ausbreitenden Schallwelle. Die Schicht mit niedriger Schallgeschwindigkeit ist eine Schicht, bei der die Schallgeschwindigkeit einer sich ausbreitenden Volumenwelle geringer ist als die Schallgeschwindigkeit der sich durch den piezoelektrischen Körper ausbreitenden Schallwelle. 27 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der Schichtdicke der LiTaO₃-Schicht als piezoelektrischem Körper und einem Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF zeigt. 28 ist ein Diagramm, das den Zusammenhang zwischen der Schichtdicke der LiTaO₃-Schicht und der Schallgeschwindigkeit zeigt. Wie in 26 dargestellt, sollte die Schichtdicke der LiTaO₃-Schicht vorzugsweise gleich oder kleiner als 3,5λ sein. In diesem Fall wird der Q-Wert höher als in dem Fall, in dem die Dicke 3,5λ übersteigt. Um den Q-Wert weiter zu erhöhen, ist die Schichtdicke der LiTaO₃-Schicht vorzugsweise gleich oder kleiner als 2,5λ.
• Darüber hinaus kann, wie in 27 dargestellt, bei einer Schichtdicke der LiTaO₃-Schicht von gleich oder kleiner 2,5λ ein absoluter Wert des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF kleiner gemacht werden als bei einer Schichtdicke von mehr als 2,5λ. Bevorzugt wird die Schichtdicke der LiTaO₃-Schicht gleich oder kleiner als 2λ gemachtλ, und in diesem Fall kann der Absolutwert des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF gleich oder kleiner als 10 ppm/°C gemacht werden. Um den Absolutwert des Temperaturkoeffizienten der Frequenz TCF zu verringern, ist es vorzuziehen, die Schichtdicke der LiTaO₃-Schicht gleich oder kleiner als 1,5λzu machen.
• Wie in 28 dargestellt, ist die Änderung der Schallgeschwindigkeit extrem gering, wenn die Schichtdicke der LiTaO₃-Schicht 1,5λ übersteigt.
• Wie in 29 dargestellt, ändert sich jedoch das Bandbreitenverhältnis stark, wenn die Schichtdicke der LiTaO₃-Schicht in einem Bereich von gleich oder größer 0,05λ und gleich oder kleiner 0,5λ liegt. Entsprechend kann der elektromechanische Kopplungskoeffizient über einen größeren Bereich eingestellt werden. Um den Einstellbereich des elektromechanischen Kopplungskoeffizienten und des Bandbreitenverhältnisses zu erweitern, ist es daher wünschenswert, dass die Schichtdicke der LiTaO₃-Schicht in einem Bereich von gleich oder größer 0,05λ und gleich oder kleiner 0,5λ liegt.
• In 30 und 31 sind Diagramme dargestellt, die den Zusammenhang zwischen der Schichtdicke (λ) der SiO₂-Schicht und der Schallgeschwindigkeit bzw. zwischen der Schichtdicke und dem elektromechanischen Kopplungskoeffizienten zeigen. Dabei wurden jeweils eine Siliziumnitridschicht, eine Aluminiumoxidschicht und ein Diamant als Schicht mit hoher Schallgeschwindigkeit unterhalb der Schicht mit niedriger Schallgeschwindigkeit aus SiO₂ verwendet. Die Schicht mit hoher Schallgeschwindigkeit ist eine Schicht, in der die Schallgeschwindigkeit der sich ausbreitenden Volumenwelle höher ist als die Schallgeschwindigkeit der sich durch den piezoelektrischen Körper ausbreitenden Schallwelle. Die Schichtdicke der Schicht mit hoher Schallgeschwindigkeit wurde auf 1,5λ eingestellt. Die Schallgeschwindigkeit der Volumenwelle in Siliziumnitrid beträgt 6000 m/s, die Schallgeschwindigkeit der Volumenwelle in Aluminiumoxid beträgt 6000 m/s und die Schallgeschwindigkeit der Volumenwelle in Diamant beträgt 12800 m/s. Wie in 30 und 31 dargestellt, werden auch bei Veränderung des Materials der Schicht mit hoher Schallgeschwindigkeit und der Schichtdicke der SiO₂-Schicht der elektromechanische Kopplungskoeffizient und die Schallgeschwindigkeit kaum verändert. Insbesondere ändert sich, wie in 31 dargestellt, ändert sich der elektromechanische Kopplungskoeffizient unabhängig vom Material der Schicht mit hoher Schallgeschwindigkeit kaum, wenn die Schichtdicke der SiO₂-Schicht gleich oder größer als 0,1λ und gleich oder kleiner als 0,5λ ist. Wie in 30 dargestellt, ist zu erkennen, dass sich die Schallgeschwindigkeit bei einer Schichtdicke der SiO₂-Schicht gleich oder größer als 0,3λ und gleich oder kleiner als 2λ unabhängig vom Material der Schicht mit hoher Schallgeschwindigkeit kaum ändert. Dementsprechend ist die Schichtdicke der Schicht mit niedriger Schallgeschwindigkeit aus Siliziumoxid vorzugsweise gleich oder kleiner als 2λ und noch bevorzugter gleich oder kleiner als 0,5λ.
• Die Schallwellenvorrichtung in jeder der oben genannten Ausführungsformen kann als eine Komponente wie z.B. einem Duplexer einer Hochfrequenz-Frontend-Schaltung verwendet werden. Ein Beispiel für eine solche Hochfrequenz-Frontend-Schaltung wird im Folgenden beschrieben.
• 32 ist ein schematisches Diagramm des Aufbaus einer Kommunikationsvorrichtung mit einer Hochfrequenz-Frontend-Schaltung. Die Kommunikationsvorrichtung 240 umfasst eine Antenne 202, eine Hochfrequenz-Front-End-Schaltung 230 und eine HF-Signalverarbeitungsschaltung 203. Die Hochfrequenz-Frontend-Schaltung 230 ist ein Schaltungsteil, das an die Antenne 202 angeschlossen wird. Die Hochfrequenz-Front-End-Schaltung 230 umfasst bei der vorliegenden Erfindung einen Multiplexer 210 und die Verstärker 221 bis 224 als Leistungsverstärker. Der Multiplexer 210 enthält die ersten bis vierten Filter 211 bis 214. Als Multiplexer 210 kann der oben beschriebene Multiplexer gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden. Der Multiplexer 210 verfügt über einen gemeinsamen Antennenanschluss 225, der mit der Antenne 202 verbunden ist. Je ein Ende des ersten bis dritten Filters 211 bis 213 als Empfangsfilter und je ein Ende des vierten Filters 214 als Sendefilter sind gemeinsam an den gemeinsamen Antennenanschluss 225 angeschlossen. Die Ausgangsenden des ersten bis dritten Filters 211 bis 213 werden jeweils mit den Verstärkern 221 bis 223 verbunden. Außerdem ist der Verstärker 224 mit einer Eingangsseite des vierten Filters 214 verbunden.
• Die Ausgabeenden der Verstärker 221 bis 223 sind mit der HF-Signalverarbeitungsschaltung 203 verbunden. Ein Eingangsende des Verstärkers 224 ist mit der HF-Signalverarbeitungsschaltung 203 verbunden.
• Der erfindungsgemäße Multiplexer kann in geeigneter Weise als Multiplexer 210 in der oben beschriebenen Kommunikationseinrichtung 240 eingesetzt werden.
• Man beachte, dass der erfindungsgemäße Multiplexer nur mehrere Sendefilter enthalten kann, aber auch mehrere Empfangsfilter enthalten kann. Man beachte, dass der Multiplexer n Bandpassfilter enthält, wobei n gleich 2 oder mehr ist. Dementsprechend ist der Duplexer auch ein Multiplexer gemäß der vorliegenden Erfindung.
• Die vorliegende Erfindung kann in vielfältiger Weise für eine Kommunikationsvorrichtung, wie z.B. ein Mobiltelefon, als Multiplexer für ein Filter und ein Mehrbandsystem, eine Front-End-Schaltung und eine Kommunikationsvorrichtung verwendet werden.
• Bezugszeichenliste

1

Multiplexer

2

Antennenanschluss

3 - 6

erstes bis viertes Schallwellenfilter

11

Schallwellenresonator

12

Untergrund

13

Siliziumnitrid-Schicht

14

Siliziumoxid-Schicht

15

piezoelektrischer Körper

16

IDT-Elektrode

17a, 17b

Reflektor

202

Antenne

203

HF-Signalverarbeitungsschaltung

210

Multiplexer

211 - 214

erstes bis viertes Filter

221 - 224

Verstärker

225

gemeinsamer Antennenanschluss

230

Hochfrequenz-Frontend-Schaltung

240

Kommunikationsvorrichtung

P1, P2

Parallelarmresonator

S1 - S3

Reihenarmresonator

Claims (21)

1. Multiplexer, umfassend: N (wobei N eine ganze Zahl gleich oder größer als 2 ist) Schallwellenfilter, die jeweils ein gemeinsam angeschlossenes Ende und ein unterschiedliches Durchlassband haben, wobei, wenn die N Schallwellenfilter als Schallwellenfilter (1), Schallwellenfilter (2), ..., Schallwellenfilter (N) in Reihenfolge von einer Seite einer niedrigeren Frequenz des Durchlassbandes aus bezeichnet werden, mindestens ein Schallwellenfilter (n) (1 ≤ n < N) unter den N Schallwellenfiltern mit Ausnahme eines Schallwellenfilters mit der höchsten Frequenz des Durchlassbandes einen oder mehrere Schallwellenresonator(en) enthält, wobei ein t-ter Schallwellenresonator (t) unter dem einen oder den mehreren Schallwellenresonator(en) ein Trägersubstrat mit Eulerwinkeln (φ_Si, θ_Si, ψ_Si) aus Silizium, eine auf das Trägersubstrat laminierte Siliziumnitridschicht, eine auf die Siliziumnitridschicht laminierte Siliziumoxidschicht, einen auf die Siliziumoxidschicht laminierten und aus Lithiumtantalat hergestellten piezoelektrischen Körper mit Euler-Winkeln (φ_LT in einem Bereich von 0° ± 5°, θ_LT, ψ_LT in einem Bereich von 0° ± 15°) und eine IDT-Elektrode, die auf dem piezoelektrischen Körper vorgesehen ist, enthält, und wobei, wenn eine Wellenlänge, die durch einen Elektrodenfingerabstand der IDT-Elektrode bestimmt wird, als λ in dem Schallwellenresonator (t) bezeichnet wird, eine durch die Wellenlänge λ normierte Dicke als eine wellenlängen-normierte Dicke bezeichnet wird, wobei, wenn Werte von T_LT als eine wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers, θ_LT als ein Euler-Winkel des piezoelektrischen Körpers, T_S als wellenlängen-normierte Dicke der Siliziumoxidschicht, T_N als wellenlängen-normierte Dicke der Siliziumnitridschicht, T_E als wellenlängen-normierte Dicke der IDT-Elektrode, umgerechnet auf eine Dicke von Aluminium, die durch Multiplikation eines Wertes, der durch Dividieren der Dichte der IDT-Elektrode durch die Dichte von Aluminium erhalten wird, mit einer wellenlängen-normierten Dicke der IDT-Elektrode erhalten wird, Ψ_Si als Ausbreitungsrichtung im Trägersubstrat und T_Si als wellenlängen-normierte Dicke des Trägersubstrats eingestellt werden, mindestens eine der Frequenzen f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ von ersten, zweiten und dritten Moden höherer Ordnung (wobei s 1, 2 oder 3 ist und der Fall, dass s 1 ist, eine Frequenz der ersten Mode höherer Ordnung angibt, der Fall, dass s 2 ist, eine Frequenz der zweiten Mode höherer Ordnung angibt, und der Fall, dass s gleich 3 ist, eine Frequenz der dritten Mode höherer Ordnung angibt), die durch die unten angegebenen den Ausdrücke (1) und (2) bestimmt wird, die durch T_LT, θ_LT, T_S, T_N, T_E, ψ_Si, T_Si bestimmt werden, und alle Schallwellenfilter (m) (n < m ≤ N), die jeweils ein Durchlassband mit einer höheren Frequenz als eine Frequenz eines Durchlassbandes des Schallwellenfilters (n) aufweisen, den unten angegebenen Ausdruck (3) oder den unten angegebenen Ausdruck (4)erfüllen: $$\begin{array}{c}{V}_h=a_{T_{LT}}^{\left(3\right)}\left({\left(T_{LT}+c_{T_{LT}}\right)}^3+b_{T_{LT}}^{\left(3\right)}\right)+a_{T_{LT}}^{\left(2\right)}\left({\left(T_{LT}+c_{T_{Lt}}\right)}^2+b_{T_{LT}}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_{Lt}}^{\left(1\right)}\left(T_{LT}+c_{T_{LT}}\right)\\ +a_{T_S}^{\left(2\right)}\left({\left(T_S+c_{T_S}\right)}^2+b_{T_S}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_S}^{\left(1\right)}\left(T_S+c_{T_s}\right)\\ +a_{T_N}^{\left(2\right)}\left({\left(T_N+c_{T_K}\right)}^2+b_{T_N}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_N}^{\left(1\right)}\left(T_N+c_{T_N}\right)\\ +a_{T_E}^{\left(1\right)}\left(T_E+c_{T_E}\right)\\ +a_{{\psi }_{Si}}^{\left(5\right)}\left({\left({\psi }_{Si}+c_{{\psi }_{si}}\right)}^5+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(5\right)}\right){+a_i+c_{{\psi }_{Si}i}+c_{{\psi }_{Si}})}^4+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(4\right)})+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(3\right)}\left({\left({\psi }_{Si}+c_{\psi Si}\right)}^3+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(3\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(2\right)}\left({\left({\psi }_{Si}+c_{{\psi }_{Si}}\right)}^2+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(2\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(1\right)}\left({\psi }_{Si}+c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +e\end{array}$$

   

   $$\begin{array}{cc}{f}_{h_{s\_}t}^{\left(n\right)}=\frac{V_{h_{s\_}t}}{{\lambda }_t^{\left(n\right)}},& \left(s=\mathrm{1,2,3}\right)\end{array}$$

   

   $${\text{f}}_{\text{hs\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}>{\text{f}}_{\text{u}}{}^{\left(\text{m}\right)}$$

   

   $${\text{f}}_{\text{hs\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}<{\text{f}}_1{}^{\left(\text{m}\right)}$$

   

   f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ stellt eine Frequenz einer Mode höherer Ordnung dar, die dem s beim Schallwellenresonator (t) entspricht, der im Schallwellenfilter (n) enthalten ist, λ_t ⁽ⁿ⁾ ist eine Wellenlänge, die durch den Elektrodenfingerabstand der IDT-Elektrode im Schallwellenresonator (t) bestimmt wird, der im Schallwellenfilter (n) enthalten ist, f_u ^(m) ist eine Frequenz eines hochbandseitigen Endbereichs des Durchlassbandes in jedem der Schallwellenfilter (m), f₁ ^(m) ist eine Frequenz eines tiefbandseitigen Endbereichs des Durchlassbandes in jedem der Schallwellenfilter (m) und jeder Koeffizient in dem Ausdruck (1) ist ein in Tabelle 1, Tabelle 2 oder Tabelle 3 angegebener Wert für jeden Wert des s und jede Kristallorientierung des Trägersubstrats: [Tabelle 1] s=1, erste Mode höherer Ordnung Si(100) Si(110) Si(111) a_TLT ⁽³⁾ 0 0 0 a_TLT ⁽²⁾ 0 0 0 a_TLT ⁽¹⁾ -128.109974 -84.392576 -78.4352 b_TLT ⁽³⁾ 0 0 0 b_TLT ⁽²⁾ 0 0 0 c_TLT -0.2492038 -0.247604 -0.24838 a_TS ⁽²⁾ 0 0 0 a_TS ⁽¹⁾ -109.6889 -182.2936559 -485.867 b_TS ⁽²⁾ 0 0 0 c_TS -0.249363 -0.2498958 -0.24942 a_TN ⁽²⁾ -337.59528 -198.4171235 -264.804 a_TN ⁽¹⁾ -109.08389 38.137636 -20.3216 b_TN ⁽²⁾ -0.0262274 -0.04671597 -0.04389 c_TN -0.29617834 0.369166 -0.34988 a_TE ⁽¹⁾ 175.4682 13.0363945 0 c_TE -0.14826 -0.14979166 0 a_ψSi ⁽⁵⁾ 0 0 0 a_ψSi ⁽⁴⁾ 0 0.000489723 0.000503 a_ψSi ⁽³⁾ 0.0236358 -5.09E-05 0.006871 a_ψSi ⁽²⁾ -0.0357088 -1,017335189 -0.80395 a_ψSi ⁽¹⁾ -34.8157175 0 -5.57553 a_ψSi ⁽⁵⁾ 0 0 0 b_ψSi ⁽⁴⁾ 0 -2150682.513 -352545 b_ψSi ⁽³⁾ 0 -21460.18941 2095.948 b_ψSi ⁽²⁾ -288.415605 -970.8815104 -470.617 c_ψSi -22.5 -36.8125 -33.3025 e 5251.687898 5092.365583 4851.236 [Tabelle 2] s=2, zweite Mode höherer Ordnung Si(100) Si(110) Si(111) a_TLT ⁽³⁾ 0 0 0 a_TLT 2285.602094 3496.38329 -2357.61 a_TLT ⁽¹⁾ -538.88053 -1081.86178 -1308.55 b_TLT ⁽³⁾ 0 0 0 b_TLT ⁽²⁾ -0.0016565 -0.001741462 -0.00166 c_TLT -0.251442 -0.2501547 -0.2497 a_TS ⁽²⁾ -3421.09725 -4927.3017 -3633.11 a_TS ⁽¹⁾ -1054.253 -992.33158 -1006.69 b_TS ⁽²⁾ -0.0016565 -0.2551083 -0.00166 c_TS -0.2514423 0.2551 -0.25019 a_TN ⁽²⁾ 1042.56084 -423.87007 -135.325 a_TN ⁽¹⁾ 159.11219 80.7948 -106.73 b_TN ⁽²⁾ -0.02613905 -0.05219411 -0.0486 c_TN -0.2961538 -0.36996 -0.39884 a_TE ⁽¹⁾ -171.153846 -637.391944 -585.696 c_TE 0.15 -0.151238 -0.14932 a_ψSi ⁽⁵⁾ 0 0 0 a_ψSi ⁽⁴⁾ 0 -0.00098215 -0.00016 a_ψSi ⁽³⁾ -0.0038938 -0.002109232 -0.00037 a_ψSi ⁽²⁾ -0.00306409 2.25463 0.224668 a_ψSi ⁽¹⁾ 2.8538478 23.6872514 1.243381 b_ψSi ⁽⁵⁾ 0 0 0 b_ψSi ⁽⁴⁾ 0 -2959279.229 -399785 b_ψSi ⁽³⁾ 234.60436 -21928.45828 5.712562 b_ψSi ⁽²⁾ -289.82063 -1407.041187 -535.077 c_ψSi 22.78846 -39.1640886 -29.9806 e 5282.98076 5338.606811 5411.395 [Tabelle 3] s=3, dritte Mode höherer Ordnung Si(100) Si(110) Si(111) a_TLT ⁽³⁾ 0 0 0 a_TLT 0 0 3595.754 a_TLT ⁽¹⁾ -782.3425 -1001.237815 -592.246 b_TLT ⁽³⁾ 0 0 0 b_TLT ⁽²⁾ 0 0 -0.00164 c_TLT -0.254819 -0.2578947 -0.25367 a_TS ⁽²⁾ -14897.59116 0 0 a_TS ⁽¹⁾ -599.8312 -686.9212563 -438.155 b_TS ⁽²⁾ -0.00162005 0 0 c_TS -0.25682 -0.25546558 -0.25562 a_TN ⁽²⁾ 0 0 0 a_TN ⁽¹⁾ 0 125.557557 15.72663 b_TN ⁽²⁾ 0 0 0 c_TN 0 -0.349392713 -0.40872 a_TE ⁽¹⁾ -154.8823 -764.8758717 -290.54 c_TE -0.14819277 -0.15303643 -0.15149 a_ψSi ⁽⁵⁾ 0 0 0 a_ψSi ⁽⁴⁾ 0 0 -0.00073 a_ψSi ⁽⁴⁾ a_ψSi ⁽³⁾ 0.010467682 -0.000286554 -0.00318 a_ψSi ⁽²⁾ -0.196913569 0.67197739 0.969126 a_ψSi ⁽¹⁾ -0.3019959 0.197549 0.359421 b_ψSi ⁽⁵⁾ 0 0 0 b_ψSi ⁽⁴⁾ 0 -0.000204665 0 b_ψSi ⁽³⁾ 0 -14837.92017 670.2052 b_ψSi ⁽⁴⁾ -240.3687037 -1590.306348 -525.572 c_ψSi 24.4578313 -41.9028 -31.1239 e 5730906036 5574.008097 5675.837
2. Multiplexer, umfassend: N (wobei N eine ganze Zahl gleich oder größer als 2 ist) Schallwellenfilter, die jeweils ein gemeinsam angeschlossenes Ende und ein unterschiedliches Durchlassband aufweisen, wobei, wenn die N Schallwellenfilter als Schallwellenfilter (1), Schallwellenfilter (2), ..., Schallwellenfilter (N) in Reihenfolge von einer Seite einer niedrigeren Frequenz des Durchlassbandes bezeichnet werden, mindestens ein Schallwellenfilter (n) (1 ≤ n < N) unter den N Schallwellenfiltern mit Ausnahme des Schallwellenfilters, das die höchste Frequenz des Durchlassbandes hat, einen oder mehrere Schallwellenresonator(en) enthält, wobei ein t-ter Schallwellenresonator (t) unter dem einen oder den mehreren Schallwellenresonator(en) ein Trägersubstrat mit Eulerwinkeln (φ_Si, θ_Si, ψ_Si) aus Silizium, eine auf das Trägersubstrat laminierte Siliziumnitridschicht, eine auf die Siliziumnitridschicht laminierte Siliziumoxidschicht, einen auf die Siliziumoxidschicht laminierten, aus Lithiumtantalat hergestellten piezoelektrischen Körper mit Euler-Winkeln (φ_LT in einem Bereich von 0° ± 5°, θ_LT, ψ_LT in einem Bereich von 0° ± 15°), und eine IDT-Elektrode enthält, die auf dem piezoelektrischen Körper vorgesehen ist, wobei, wenn eine Wellenlänge, die durch einen Elektrodenfingerabstand der IDT-Elektrode bestimmt wird, als λ in dem Schallwellenresonator (t) bezeichnet wird, eine durch die Wellenlänge λ normierte Dicke als eine wellenlängen-normierte Dicke bezeichnet wird, wobei, wenn Werte von T_LT als eine wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers, θ_LT als ein Euler-Winkel des piezoelektrischen Körpers, T_S als wellenlängen-normierte Dicke der Siliziumoxidschicht, T_N als wellenlängen-normierte Dicke der Siliziumnitridschicht, T_E als wellenlängen-normierte Dicke der IDT-Elektrode, umgerechnet auf eine Dicke von Aluminium, erhalten durch Multiplizieren eines Wertes, der durch Dividieren der Dichte der IDT-Elektrode durch die Dichte von Aluminium erhalten wird, mit einer wellenlängen-normierten Dicke der IDT-Elektrode erhalten wird, Ψ_Si als Ausbreitungsrichtung im Trägersubstrat und T_Si als wellenlängen-normierte Dicke des Trägersubstrats eingestellt werden, mindestens eine der Frequenzen f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ von Moden erster, zweiter und dritter höherer Ordnung (wobei s 1, 2 oder 3 ist, der Fall, dass s 1 ist, eine Frequenz der ersten Mode höherer Ordnung angibt, der Fall, dass s 2 ist, eine Frequenz der zweiten Mode höherer Ordnung angibt, und der Fall, dass s gleich 3 ist, eine Frequenz der dritten Mode höherer Ordnung angibt), die durch einen unten angegebenen Ausdruck (5) und einen unten angegebenen Ausdruck (2) bestimmt wird, die durch T_LT, θ_LT, T_S, T_N, T_E, ψ_Si und T_Si bestimmt werden, und alle Schallwellenfilter (m) (n < m ≤ N), die jeweils ein Durchlassband mit einer höheren Frequenz als eine Frequenz eines Durchlassbandes des Schallwellenfilters (n) aufweisen, den unten angegebenen Ausdruck (3) oder den unten angegebenen einen Ausdruck (4) erfüllen: $$\begin{array}{c}{V}_h=a_{T_{LT}}^{\left(2\right)}\left({\left(T_{LT}+c_{T_{LT}}\right)}^2-b_{T_{LT}}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_{LT}}^{\left(1\right)}\left(T_{LT}+c_{T_{Lt}}\right)\\ +a_{T_S}^{\left(2\right)}\left({\left(T_S+c_{T_S}\right)}^2-b_{T_S}^{\left(2\right)}\right)+a_{T_S}^{\left(1\right)}\left(T_S+c_{T_s}\right)\\ +a_{T_N}^{\left(3\right)}\left({\left(T_N+c_{T_N}\right)}^3+b_{T_N}^{\left(3\right)}\right)+a_{T_N}^{\left(2\right)}{\left(T_N+c_{T_N}\right)}^2-b_{T_N}^{\left(2\right)})+a_{T_N}^{\left(1\right)}\left(T_N-c_{T_N}\right)\\ +a_{T_E}^{\left(1\right)}\left(T_E+c_{T_E}\right)\\ +a_{{\psi }_{Si}}^{\left(4\right)}\left({\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{si}}\right)}^4+b_{{\psi }_{Si}}^{\left(4\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(3\right)}\left({\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)}^3-b_{{\psi }_{Si}}^{\left(3\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(2\right)}\left({\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)}^2-b_{{\psi }_{Si}}^{\left(2\right)}\right)+a_{{\psi }_{Si}}^{\left(1\right)}\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +a_{{\theta }_{LT}}^{\left(1\right)}\left({\theta }_{LT}-c_{{\theta }_{LT}}\right)\\ +d_{T_{LT}{T}_N}\left(T_{LT}-c_{T_{LT}}\right)\left(T_S-c_{T_S}\right)\\ +d_{T_{LT}{T}_N}\left(T_{LT}-c_{T_{LT}}\right)\left(T_N-c_{T_N}\right)\\ +d_{T_{LT}{\psi }_{Si}}\left(T_{LT}-c_{T_{LT}}\right)\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +d_{T_S{T}_N}\left(T_S-c_{T_S}\right)\left(T_N-c_{T_N}\right)\\ +d_{T_N{\psi }_{Si}}\left(T_N-c_{T_N}\right)\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +d_{T_N{\theta }_{LT}}\left(T_N-c_{T_N}\right)\left({\theta }_{LT}-c_{\theta }{}_{{}_{LT}}\right)\\ +d_{T_E{\psi }_{Si}}\left(T_E-c_{T_E}\right)\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\\ +d_{{\psi }_{Si}{\theta }_{LT}}\left({\psi }_{Si}-c_{{\psi }_{Si}}\right)\left({\theta }_{LT}-c_{{\theta }_{LT}}\right)\\ +e\end{array}$$

   

   $$\begin{array}{cc}{f}_{h_{s\_}t}^{\left(n\right)}=\frac{V_{h_{s\_}t}}{{\lambda }_t^{\left(n\right)}},& \left(s=\mathrm{1,2,3}\right)\end{array}$$

   

   $${\text{f}}_{\text{hs\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}>{\text{f}}_{\text{u}}{}^{\left(\text{m}\right)}$$

   

   $${\text{f}}_{\text{hs\_t}}{}^{\left(\text{n}\right)}<{\text{f}}_1{}^{\left(\text{m}\right)}$$

   

   f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ stellt eine Frequenz einer Mode höherer Ordnung dar, die dem s bei dem Schallwellenresonator (t) entspricht, der im Schallwellenfilter (n) enthalten ist, λ_t ⁽ⁿ⁾ ist eine Wellenlänge ist, die durch den Elektrodenfingerabstand der IDT-Elektrode im Schallwellenresonator (t) bestimmt wird, der im Schallwellenfilter (n) enthalten ist, f_u ^(m) ist eine Frequenz eines hochbandseitigen Endbereichs des Durchlassbandes in jedem der Schallwellenfilter (m), f₁ ^(m) ist eine Frequenz eines tiefbandseitigen Endbereichs des Durchlassbandes in jedem der Schallwellenfilter (m), und jeder Koeffizient im Ausdruck (5) ist ein in nachstehender Tabelle 4, Tabelle 5 oder Tabelle 6 angegebener Wert, der unten für jeden Wert des s und jede Kristallorientierung des Trägersubstrats angegeben ist. [Tabelle 4] s=1, erste Mode höherer Ordnung Si(100) Si(110) Si(111) a_TLT ⁽²⁾ 0 0 0 a_TLT ⁽¹⁾ 0 0 0 b_TLT ⁽²⁾ 0 0 0 c_TLT 0 0 0 a_TS ⁽²⁾ 0 0 0 a_TS ⁽¹⁾ 0 0 534.5188318 b_TS ⁽²⁾ 0 0 0 c_TS 0 0 0.249010293 a_TN ⁽³⁾ 0 0 0 a_TN ⁽²⁾ 0 0 0 a_TN ⁽¹⁾ 0 0 -36.51741324 b_TN ⁽³⁾ 0 0 0 b_TN ⁽²⁾ 0 0 0 c_TN 0 0 0.35114806 a_TE ⁽¹⁾ 0 0 0 c_TE 0 0 0 a_ψSi ⁽⁴⁾ 0 0 0.000484609 a_ψSi ⁽³⁾ 0.022075968 0 0.005818261 a_ψSi ⁽²⁾ -0.18782287 0.081701713 -0.805302371 a_ψSi ⁽¹⁾ -33.85785847 10.57201342 -4.785681077 b_ψSi ⁽⁴⁾ 0 0 351437.8188 b_ψSi ⁽³⁾ 806.2400011 0 -1862.605341 b_ψSi ⁽²⁾ 270.2635345 986.4812738 471.945355 c_ψSi 20.26171875 37.73795535 32.87410926 a_θLT ⁽¹⁾ 0 0 0 c_θLT 0 0 0 d_TLTTS 0 0 0 d_TLTTN 0 0 0 d_TLTψSi 0 0 0 d_TSTN 0 0 1862.994192 d_TNψSi 0 0 0 d_TNθLT 0 0 0 d_TEψSi 0 0 0 d_ψSiθLT 0 0 0 e 5317.859375 5103.813161 4853.204861 [Tabelle 5] s=2, zweite Mode höherer Ordnung Si(100) Si(110) Si(111) a_TLT ⁽²⁾ 0 0 0 a_TLT ⁽¹⁾ -608.2898721 -1003.471473 -1270.018362 b_TLT ⁽²⁾ 0 0 0 c_TLT 0.25 0.253954306 0.249121666 a_TS ⁽²⁾ 0 0 0 a_TS ⁽¹⁾ -1140.654415 -1030.75867 -1039.830158 b_TS ⁽²⁾ 0 0 0 c_TS 0.249966079 0255272408 0.250032531 a_TN ⁽³⁾ -3219.596725 0 2822.963403 a_TN ⁽²⁾ 555.8662451 0 -264.9680504 a_TN ⁽¹⁾ 465.8636149 53.04201209 -288.9461645 b_TN ⁽³⁾ 0.001081155 0 0.000392787 b_TN ⁽²⁾ 0.04654949 0 0.48934743 c_TN 0.378426052 0.376449912 0.392908263 a_TE ⁽¹⁾ 0 -622.7635558 -614.5885324 c_TE 0 0.151274165 0.156815224 a_ψSi ⁽⁴⁾ 0 -0.00096736 -0.000227305 a_ψSi ⁽³⁾ 0 -0.006772454 -0.0002200171 a_ψSi ⁽²⁾ 0 2.203099663 0.31727324 a_ψSi ⁽¹⁾ 0.833288758 28.15768206 0.648998523 b_ψSi ⁽⁴⁾ 0 2959964.533 396965.3474 b_ψSi ⁽³⁾ 0 19143.61126 87.44425969 b_ψSi ⁽²⁾ 0 1447.367657 532.0008856 c_ψSi 22.51017639 40.50966608 29.90240729 a_θLT ⁽¹⁾ -1.501270796 -2.076046604 -2.376979261 c_θLT -52.08683853 -50.82249561 -49.04879636 d_TLTTS 0 0 0 d_TLTTN 0 0 0 d_TLTψSi 0 16.61849238 0 d_TSTN 0 1820.795615 1482.11565 d_TNψSi 0 3.625908485 -3.131543418 d_TNθLT 0 0 1607.412093 d_TEψSi 0 0 0 a_ψSiθLT 0 0 0.089566113 e 5326.187246 5356.110093 5418.323508 [Tabelle 6] s=3, dritte Mode höherer Ordnung Si(100) Si(110) Si(111) a_TLT ⁽²⁾ -14710.45271 0 0 a_TLT ⁽¹⁾ -764.4056124 -942.2882121 -582.1313356 b_TLT ⁽²⁾ 0.001558682 0 0 c_TLT 0.257243963 0.255649419 0.251712062 a_TS ⁽²⁾ -21048.18754 0 0 a_TS ⁽¹⁾ -508.6730943 -705.5211128 -400.0368899 b_TS ⁽²⁾ 0.001583662 0 0 c_TS 0.257243963 0.254751848 0.254357977 a_TN ⁽³⁾ 0 0 0 a_TN ⁽²⁾ 0 0 0 a_TN ⁽¹⁾ 0 97.59462013 24.94240828 b_TN ⁽³⁾ 0 0 0 b_TN ⁽²⁾ 0 0 0 c_TN 0 0.367793031 0.404280156 a_TE ⁽¹⁾ -276.7311066 -747,08841171 0 c_TE 0.1494796 0.152164731 0 a_ψSi ⁽⁴⁾ 0 0 -0.00075146 a_ψSi ⁽³⁾ 0.011363183 0.003532214 -0.002666357 a_ψSi ⁽²⁾ -0.23320473 0.218669312 1.006728665 a_ψSi ⁽¹⁾ 0.214067146 -11.24365221 0.523191515 b_ψSi ⁽⁴⁾ 0 0 381500.5075 b_ψSi ⁽³⁾ 180.0564368 20914.04622 -493.6094588 b_ψSi ⁽²⁾ 257.0498426 1548.182277 530.6814032 c_ψSi 22.31890092 39.72544879 30.82490272 a_θLT ⁽¹⁾ 0 0 -1.551626054 c_θLT 0 0 -49.16731518 d_TLTTS -13796.64706 0 1575.283126 d_TLTTN 0 0 0 d_TLTiψSi 30.35701585 0 0 d_TSTN 0 0 0 d_TNψSi 0 0 0 d_TNθLT 0 0 0 d_TEψSi 28.27908094 0 0 d_ψSiθLT 0 0 -0.086544362 e 5700.075407 5563.854277 5688.418884
3. Multiplexer nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Werte von T_LT, θ_LT, T_S, T_N, T_E, Ψ_Si und T_Si so gewählt sind, dass die Frequenzen f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ der ersten und zweiten Mode höherer Ordnung den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllen.
4. Multiplexer nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Werte von T_LT, θ_LT, T_S, T_N, T_E, ψ_Si und T_Si so gewählt sind, dass die Frequenzen f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ der ersten und dritten Mode höherer Ordnung den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllen.
5. Multiplexer nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Werte von T_LT, θ_LT, T_S, T_N, T_E, ψ_Si und T_Si so gewählt sind, dass die Frequenzen f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ der zweiten und dritten Mode höherer Ordnung den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllen.
6. Multiplexer nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Werte von T_LT, θ_LT, T_S, T_N, T_E, ψ_Si und T_Si so gewählt sind, dass die Frequenzen f_{hs_t} ⁽ⁿ⁾ der ersten, zweiten und dritten Mode höherer Ordnung den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllen.
7. Multiplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die wellenlängen-normierte Dicke T_Si des Trägersubstrats T_Si > 4 erfüllt.
8. Multiplexer nach Anspruch 7, wobei T_Si > 10 erfüllt ist.
9. Multiplexer nach Anspruch 8, wobei T_Si > 20 erfüllt ist.
10. Multiplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers gleich oder kleiner als 3,5λ ist.
11. Multiplexer nach Anspruch 10, wobei die wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers gleich oder kleiner als 2,5λ ist.
12. Multiplexer nach Anspruch 10, wobei die wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers gleich oder kleiner als 1,5λ ist.
13. Multiplexer nach Anspruch 10, wobei die wellenlängen-normierte Dicke des piezoelektrischen Körpers gleich oder kleiner als 0,5 istλ.
14. Multiplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei der Multiplexer ferner umfasst: einen Antennenanschluss, an den die einen Enden der mehreren Schallwellenfilter gemeinsam angeschlossen sind, wobei der Schallwellenresonator, der den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllt, ein Schallwellenresonator ist, der dem Antennenanschluss am nächsten ist.
15. Multiplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 13, wobei alle von dem einen oder den mehreren Schallwellenresonator(en) jeweils der Schallwellenresonator sind, der den Ausdruck (3) oder den Ausdruck (4) erfüllt.
16. Multiplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei der Multiplexer ein Duplexer ist.
17. Multiplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 15, wobei der Multiplexer ferner umfasst: einen Antennenanschluss, an den die einen Enden der mehreren Schallwellenfilter gemeinsam angeschlossen sind, wobei der Multiplexer ein zusammengesetztes Filter ist, bei dem drei oder mehr Schallwellenfilter auf einer Seite des Antennenanschlusses gemeinsam angeschlossen sind.
18. Multiplexer nach Anspruch 17, wobei der Multiplexer eine zusammengesetzte Filtervorrichtung zur Trägeraggregation ist.
19. Multiplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 18, wobei das Schallwellenfilter, das einen oder mehrere Schallwellenresonator(en) aufweist, ein Abzweigfilter ist, das mehrere Reihenarmresonatoren und mehrere Parallelarmresonatoren aufweist.
20. Hochfrequenz-Front-End-Schaltung, umfassend: den Multiplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 19 und einen Leistungsverstärker.
21. Kommunikationseinrichtung, umfassend: eine Hochfrequenz-Front-End-Schaltung mit dem Multiplexer nach einem der Ansprüche 1 bis 19 und einem Leistungsverstärker und eine HF-Signalverarbeitungsschaltung.

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