DE112016006064B4

DE112016006064B4 - Vorrichtung mit abgeschirmter Bündelverbindung und Verfahren zu deren Herstellung und System diese aufweisend

Info

Publication number: DE112016006064B4
Application number: DE112016006064.5T
Authority: DE
Inventors: Yu Zhang; Mathew J. Manusharow; Adel A. Elsherbini; Henning Braunisch; Kemal Aygun
Original assignee: Intel Corp
Current assignee: Intel Corp
Priority date: 2015-12-26
Filing date: 2016-11-02
Publication date: 2023-06-01
Anticipated expiration: 2036-11-03
Also published as: WO2017112101A1; US20170187419A1; DE112016006064T5

Abstract

Vorrichtung, umfassend:eine Vielzahl von Signalbündeln, wobei die Vielzahl von Signalbündeln ein erstes Signalbündel (110; 250) mit einer ersten Vielzahl von Signalen und ein zweites Signalbündel (120; 255) mit einer zweiten Vielzahl von Signalen aufweist; undeine lithographische Durchkontaktierungsabschirmung, um eine elektromagnetische Abschirmung für die Signalbündel bereitzustellen, wobei sich die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens teilweise zwischen dem ersten Signalbündel und dem zweiten Signalbündel befindet, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens eine Durchkontaktierung aufweist, die durch einen lithographischen Durchkontaktierungsprozess erzeugt wird;wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens eines der Signalbündel der Vorrichtung teilweise oder vollständig umgibt.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Hierin beschriebene Ausführungsformen betreffen im Allgemeinen das Gebiet der elektronischen Vorrichtungen und insbesondere eine abgeschirmte Bündelverbindung.
STAND DER TECHNIK
Eine Signalübertragung bei hoher Geschwindigkeit ist nach wie vor ein sehr wichtiger Faktor bei der Bereitstellung einer Datenverarbeitung mit höherer Leistung über das gesamte Marktspektrum. Im derzeitigen Betrieb nähert sich die Server-Datenverarbeitung einer Signalübertragung pro Übertragungsleitung von 25 Gbit/s (Gigabit pro Sekunde), die Client-Datenverarbeitungstechnologie nähert sich einer Signalübertragung von 20 Gbit/s und die mobile Datenverarbeitung nähert sich 10 Gbit/s. Ferner ist zu erwarten, dass die Signalübertragung bei diesen Geschwindigkeiten in Kürze langsam erscheint.
Ein besonderer einschränkender Faktor bei Hochgeschwindigkeitssignalen ist das Übersprechen zwischen Signalen, das selbst durch die Verfügbarkeit der Abschirmung von Signalen eingeschränkt ist. Da diese Tendenz bei den Signalübertragungsgeschwindigkeiten fortdauert, werden herkömmliche Verfahren zur Signalübertragung nicht in der Lage sein, die zukünftigen Datenraten zu unterstützen, und sie werden insbesondere nicht in der Lage sein, eine ausreichende Abschirmung bereitzustellen, um eine Signalübertragung bei hoher Geschwindigkeit zu ermöglichen.
US 2013 / 0 341 772 A1 offenbart Substrate, Halbleiterbauelementen und Verfahren, die langgestreckte Strukturen zur Verbesserung der Leitfähigkeit enthalten. Ferner werden längliche Strukturen und Verfahren gezeigt, die eine elektromagnetische Isolierung bieten, um das Rauschen in benachbarten Komponenten zu reduzieren.
JP 2005 - 243 864 A offenbart ein Verfahren zur Kontrolle des Reflexionsverlustes eines Hochfrequenzsignals an einem Verbindungsteil zwischen einer differentiellen Übertragungsleitung und eines differentiellen Leiters und zur Verbesserung der Betriebscharakteristik einer Halbleitervorrichtung.
Figurenliste
Hier beschriebene Ausführungsformen sind in den Figuren der beiliegenden Zeichnungen, in denen sich ähnliche Bezugszeichen auf ähnliche Elemente beziehen, beispielhaft und nicht einschränkend veranschaulicht.

1 ist eine Darstellung einer Bündelverbindung, die unter Verwendung einer lithographisch definierten Durchkontaktierung abgeschirmt ist;
2A ist eine Darstellung einer Abschirmung durch eine herkömmliche Massegewebestruktur in einer Vorrichtung;
2B ist eine Darstellung einer lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung in einer Kontaktstellenschicht-Massegewebestruktur gemäß einer Ausführungsform;
3A ist eine Darstellung einer Abschirmung durch eine herkömmliche Massegewebestruktur in einer Durchkontaktierungsschicht einer Vorrichtung;
3B ist eine Darstellung einer lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung von Signalbündeln an einer Durchkontaktierungsschicht gemäß einer Ausführungsform;
4A ist eine Darstellung einer Abschirmung durch eine herkömmliche Schutzleiterbahnstruktur an einer Kanalschicht für ein Streifenleitungs-Einzelschichtbündel;
4B ist eine Darstellung einer Abschirmung mit einer lithographischen Durchkontaktierungs-Schutzleiterbahnstruktur für ein Streifenleitungs-Einzelschichtbündel gemäß einer Ausführungsform;
5A ist eine Darstellung einer Abschirmung durch eine herkömmliche Schutzleiterbahnstruktur für ein zweidrahtiges Breitseitenkopplungsbündel;
5B ist eine Darstellung einer Abschirmung mit einer lithographischen Durchkontaktierungs-Schutzleiterbahnstruktur für ein zweidrahtiges Breitseitenkopplungsbündel gemäß einer Ausführungsform;
6 ist eine Darstellung einer On-Package-Verbindung mit einer Multi-Chip-On-Package-Architektur, die eine Abschirmung mit einer lithographischen Durchkontaktierungsstruktur gemäß einer Ausführungsform aufweist; und
7 ist ein Flussdiagramm zum Veranschaulichen eines Prozesses zur Implementierung einer abgeschirmten Bündelverbindung gemäß einer Ausführungsform.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG
Hierin beschriebene Ausführungsformen betreffen im Allgemeinen eine abgeschirmte Bündelverbindung.
Für die Zwecke dieser Beschreibung:

bezieht sich „Übersprechen“ im Allgemeinen auf eine unerwünschte Kopplung von Energie zwischen zwei Kanälen oder Schaltungen und bezieht sich genauer auf ein Signal, das auf einem ersten Kanal oder einer Schaltung übertragen wird, sodass ein unerwünschter Effekt auf einen anderen Kanal oder einer anderen Schaltung infolge elektromagnetischer Interferenz (EMI) verursacht wird.

In einigen Ausführungsformen stellt eine Vorrichtung, ein System oder ein Verfahren ein abgeschirmtes Verbindungsbündel bereit, wobei die Abschirmung eine lithographisch definierte Durchkontaktierungsstruktur aufweist, die hier als lithographische Durchkontaktierung bezeichnet werden kann, ist jedoch nicht darauf beschränkt.
Wie hierin verwendet, beinhaltet die lithographische Durchkontaktierungstechnologie ein Verfahren zum Erzeugen eines Leerraums von beliebiger Form in einem Material, einschließlich eines Gehäusematerials, und zum Füllen des Leerraums mit einem Metallmaterial unter Verwendung von Lithographie, um eine Durchkontaktierungsstruktur zu erzeugen. Im Allgemeinen ersetzt eine lithographische Durchkontaktierungstechnologie das Laserbohren für die Durchkontaktierungsbildung mit einem lithographischen Prozess, um vor dem Abscheiden der nächsten dielektrischen Schicht eine Durchkontaktierung beispielsweise auf der Durchkontaktierungskontaktstelle zu bilden. Genauer beinhaltet ein Prozess zum Bilden einer lithographischen leitfähigen Kontaktstelle das Bilden eines Durchkontaktierungskontaktstelle über einer ersten dielektrischen Schicht; Abscheiden einer Photoresistschicht über der ersten dielektrischen Schicht und der Durchkontaktierungskontaktstelle; Strukturieren der Photoresistschicht, um eine Durchkontaktierungsöffnung über der Kontaktstelle zu bilden; Abscheiden eines leitfähigen Materials in die Durchkontaktierungsöffnung, um eine Durchkontaktierung über der Durchkontaktierungskontaktstelle zu bilden; Entfernen der Photoresistschicht; Bilden einer zweiten dielektrischen Schicht über der ersten dielektrischen Schicht, der Durchkontaktierungskontaktstelle und der Durchkontaktierung, wobei eine obere Oberfläche der zweiten dielektrischen Schicht über einer oberen Oberfläche der Durchkontaktierung gebildet wird; und Vertiefen der zweiten dielektrischen Schicht, um einen oberen Abschnitt der Durchkontaktierung freizulegen.
In einigen Ausführungsformen stellt eine lithographische Durchkontaktierung ein Abschirmmaterial (Metall) bereit, das sich durch eine Materialschicht fortsetzt, und kann daher verwendet werden, um eine stark verbesserte elektromagnetische Abschirmung für ein Signalbündel im Vergleich zu einer herkömmlichen Abschirmung in einem Material bereitzustellen.
In einigen Ausführungsformen wird eine Anzahl von Signalen (eine beliebige Anzahl von zwei oder mehr) zu einem Bündel von Signalen zusammengefasst, wobei die Bündel voneinander abgeschirmt sind, wobei das Abschirmen das Abschirmen durch eine durch lithographische Durchkontaktierung erzeugte Schicht beinhaltet, jedoch nicht darauf beschränkt ist. Wie hier verwendet, bezieht sich eine lithographische Durchkontaktierung auf eine Abschirmungsstruktur, die mindestens einen Abschnitt der Abschirmung aufweist, die von einer lithographischen Durchkontaktierung bereitgestellt wird.
In einigen Ausführungsformen kann eine lithographische Durchkontaktierungsabschirmung wahlweise mit aktiver Übersprechunterdrückung kombiniert werden, wobei sich aktive Übersprechunterdrückung auf ein beliebiges elektronisches Mittel zur Verringerung von Übersprechen in Schaltungen oder Kanälen bezieht. Beispiele für eine aktive Übersprechunterdrückung können eine Mehrmodus-Signalübertragung auf Signalkanälen beinhalten, sind jedoch nicht darauf beschränkt. In einigen Ausführungsformen beinhaltet eine Abschirmungstechnologie das Bündeln von Signalen in ein oder mehr Signalbündel und das Bereitstellen einer lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung zwischen den Signalbündeln.
In einigen Ausführungsformen kann die Abschirmungstechnologie ferner eine aktive Übersprechunterdrückung für die Signale innerhalb jedes Signalbündels beinhalten.
Eine bestimmte Metrik, die zunehmend verwendet wird, um die Konzepte einer erhöhten Leistung und der Skalierbarkeit einer solchen Leistung zu koppeln, ist die „Bandbreitendichte“. Die Bandbreitendichte wird beispielsweise in Bits pro Sekunde pro Einheitslänge des Die-Umfangs gemessen, wobei 6 Gb/s/mm ein Beispiel für einen bestimmten Die ist. Somit wird eine Lösung, die eine Signalleistung erhöht, ohne signifikant mehr neuen Bereich zu benötigen, eine höhere Bandbreitendichte aufweisen als eine Lösung, die mehr benötigt, um eine ähnliche Erhöhung der Signalleistung bereitzustellen.
In einigen Ausführungsformen wird die Bandbreitendichtenmetrik gegenüber derzeitigen Hochgeschwindigkeits-IO-Methodologien erhöht, indem eine Signalübertragung mit höherer Geschwindigkeit unter Verwendung eines reduzierten Abschnitts eines Dies ermöglicht wird, wobei der reduzierte Abschnitt durch eine lithographisch definierte Durchkontaktierung ermöglicht wird, die eine verbesserte Abschirmung auf einem kleineren Bereich bereitstellt, indem das Abschirmmaterial durch die dielektrischen Schichten des Gehäuses fortgesetzt werden, wodurch eine signifikante Verringerung des Übersprechens ermöglicht wird.
In einigen Ausführungsformen ermöglicht die Technologie mit abgeschirmten Bündeln ein verringertes Übersprechen aufgrund der Isolierung und Abschirmung der Signale sowie einer Optimierung bei der Auswahl von Signalen zur Bündelung. Die Nutzung dieser Technologie kann eine höhere Signalübertragungsgeschwindigkeit erreichen, und eine höhere Gesamtbandbreitendichte kann erreicht werden.
Die optionale Anwendung einer aktiven Übersprechunterdrückung kann dann auf ein oder mehr gut definierte, kompakte Bündel eingeschränkt sein, die durch eine lithographische Durchkontaktierungsabschirmung abgeschirmt sind, was somit eine verringerte I/O-Schaltungskomplexität bereitstellt. In einigen Ausführungsformen kann eine abgeschirmte Bündelverbindung mit einer beliebigen Art von Technologie zur aktiven Übersprechunterdrückung (auf Bündelebene) gepaart werden, um je nach Bedarf für bestimmte Signalbündel eine höhere Übersprechunterdrückungseffizienz zu erreichen.
1 ist eine Darstellung einer Bündelverbindung, die unter Verwendung einer lithographisch definierten Durchkontaktierung abgeschirmt ist. Wie in 1 veranschaulicht, stellt für eine gebündelte Abschirmungsverbindung ein Paar von Leitern (W-1A und W-1B) ein erstes Signalbündel 110 dar und ein zweites Paar von Leitern (W-2A und W-2B) stellt ein zweites Signalbündel 115 dar, wobei die Leiter durch ein Material wie etwa ein Siliciumsubstrat oder ein Halbleitergehäuse gebildet sein können. In anderen Ausführungsformen können unterschiedliche Signalbündel gewählt werden. Die Leiter können unterschiedliche Formen haben und abhängig von einer bestimmten Implementierung unterschiedliche Signalübertragungstypen bereitstellen. Für die Zwecke dieser Darstellung kann man davon ausgehen, dass Signale, die auf jedem der Leiter übertragen werden, mit einer hohen Signalübertragungsgeschwindigkeit präsentiert werden.
Ohne eine geeignete Abschirmung wird wahrscheinlich ein signifikantes Übersprechen zwischen den Signalbündeln auftreten. Ferner sind herkömmliche Abschirmungsmechanismen nicht ausreichend, um eine ausreichende Abschirmung in einer Implementierung mit hoher Geschwindigkeit/kurzer Entfernung bereitzustellen.
In einigen Ausführungsformen sind die Signalbündel voneinander durch eine Abschirmung abgeschirmt, die mindestens einen Abschnitt aufweist, der durch einen lithographischen Durchkontaktierungsprozess erzeugt wird. Da es möglich ist, eine beliebige Form von Durchkontaktierung unter Verwendung eines lithographischen Durchkontaktierungsprozesses zu erzeugen, können die eine oder mehr lithographischen Durchkontaktierungen 150 in einer Form vorliegen, die erforderlich ist, um eine wirksame Abschirmung zwischen dem (oder um) das erste Signalbündel (W-1A und W- 1B) 110 und das zweite Signalbündel (W-2A und W-2B) 115 bereitzustellen. In einigen Ausführungsformen befindet sich die lithographische Durchkontaktierung mindestens teilweise zwischen dem ersten Signalbündel und dem zweiten Signalbündel. In einigen Ausführungsformen umgibt die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung teilweise oder vollständig mindestens eines der Signalbündel der Vorrichtung.
In einigen Ausführungsformen kann eine Technologie mit abgeschirmten Bündeln ferner die Anwendung einer aktiven Übersprechunterdrückung 160 beinhalten, wobei die aktive Übersprechunterdrückung auf die Anwendung innerhalb jedes Signalbündels 110-115 beschränkt sein kann, wie eine Unterdrückung von Übersprechen zwischen den Signalen auf W-1A und W-1B und eine Unterdrückung von Übersprechen zwischen den Signalen auf W-2A und W-2B.
In einigen Ausführungsformen kann die Technologie mit abgeschirmten Bündeln auf einer oder mehr einer Kontaktstellenschicht; auf einer Durchkontaktierungsschicht unter der Kontaktstellenschicht; oder auf einer Kanalschicht implementiert sein, die die Kanalverbindung zwischen Vorrichtungen bereitstellt.
2A ist eine Darstellung einer Abschirmung durch eine herkömmliche Massegewebestruktur in einer Vorrichtung. In 2A ist eine Ansicht auf Oberflächen- oder Kontaktstellenebene einer Ausbuchtungsbündelung dargestellt, wobei 2A spezifisch 2-Draht-Bündel mit Massegewebe darstellt. Die herkömmliche Designmethodologie in 2A verwendet einen standardmäßigen C4-Höckerhöhenabstand (C4 bezieht sich auf die Lötrückfluss- und Löthöcker-Technologie), wobei die Löthöcker verwendet werden, um Signale mit Massen zu gruppieren. Wie dargestellt, sind die Höcker die Abschlüsse von Durchkontaktierungen, die in einer z-Richtung senkrecht zu einer Oberfläche der Materialschicht gebildet sind. Ein Abschirmungsbündel weist ein erstes Bündel von Signalen 200 und ein zweites Bündel von Signalen 205 auf. Ein Übersprechen unter dem C4-Höckerbereich kann durch die Kopplung zwischen Signaldurchkontaktierungen und die Kopplung zwischen Signaldurchkontaktierungen und Signalübertragungsleitungs-Routing durch Durchkontaktierungen erzeugt werden.
Wie ferner dargestellt, ist ein Satz von Massedurchkontaktierungen, die an den Massehöckern 210 enden, durch die Materialschicht gebildet und ist durch Leiterbahnen 215 verbunden, um eine Massegewebeabschirmung zu bilden. Ebenfalls dargestellt sind die Höcker, die dem ersten Signalbündel 200 und dem zweiten Signalbündel 205 zugeordnet sind, die jeweils ein Paar von Signaldurchkontaktierungen in den veranschaulichten Beispielen darstellen. Die Signalbündel können jedoch eine beliebige Anzahl von Signalen aufweisen. Aufgrund der Größe der abschließenden Löthöcker der Massedurchkontaktierungen und der Löthöcker der Signaldurchkontaktierungen ist zwischen den Höckern ein gewisser Abstand oder eine gewisse Distanz (pitch _d) vorhanden. Aufgrund dieses Teilungsabstands müssen die Massehöcker in der x-Richtung (pitch_x) und der y-Richtung (pitch_y) um einen gewissen Teilungsabstand voneinander entfernt sein. Somit ist der Bereich, der zum Abschirmen eines Signalpaares erforderlich ist, das in der y-Richtung angeordnet ist, (1X pitch_x) mal (2X pitch_y). In einigen Ausführungsformen reduziert die Anwendung der lithographischen Durchkontaktierungstechnologie die erforderliche Anzahl von Masse-C4-Höckern im Vergleich zur herkömmlichen Technologie mit gleicher oder weniger Übersprechkopplung unter dem C4-Höckerfeld, wodurch der Silicium-IO-Bereich und somit die Siliciumkosten reduziert werden.
Da die Massedurchkontaktierungen in einer z-Richtung zu einer anderen Schicht gebildet sind, ist außerdem nicht genügend Isolation vorhanden, um eine ausreichende Abschirmung der Signaldurchkontaktierungen bereitzustellen. Zwischen diesen Massedurchkontaktierungen sind große Öffnungen vorhanden, die die Effektivität ihrer elektromagnetischen Abschirmung mindern.
2B ist eine Darstellung einer lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung in einer Kontaktstellenschicht-Massegewebestruktur gemäß einer Ausführungsform. In einigen Ausführungsformen, wie in 2B dargestellt, werden ein erstes Signalbündel 250 und ein zweites Signalbündel 255 von einer lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung abgeschirmt.
In einigen Ausführungsformen weist ein Massegewebe lithographisch gebildete Wände oder Flächengebilde aus Abschirmmaterial 265 zwischen den Massedurchkontaktierungen, die an den Massehöckern 260 enden, dem Massegewebe, um eine verbesserte Abschirmung des ersten Signalbündels 250 bereitzustellen, und einem zweiten Signalbündel 255 auf, das an den Signalhöckern endet. Somit sind, wie dargestellt, die Leitungen 265, die die Massehöcker 260 für die Massedurchkontaktierungen verbinden, selbst Durchkontaktierungen, die sich durch die Materialschicht fortsetzen, und die die Wände oder Flächengebilde aus metallischem Abschirmmaterial bereitstellen.
Auf diese Weise stellt das lithographisch definierte Massegewebe, das in 2B dargestellt ist, eine vollständige elektromagnetische Abschirmung der Signalbündel auf einer Durchkontaktierungsschicht bereit. Aus diesem Grund erfordert die Masseabschirmung nicht so viele Höcker 260 auf der dargestellten Oberfläche, die von neun Massehöckern 210, die für die Abschirmung jedes Signalpaars 200 in der in 2A dargestellten Abschirmstruktur erforderlich sind, auf drei Massehöcker 260 in der in 2B dargestellten verbesserten Abschirmungsstruktur reduziert sind. Wie in 2B dargestellt, kann der Abstand zwischen den Signalhöckern 260 auf den erforderlichen Abstand zwischen Höckern (pitch_d) reduziert werden, was zu einer Verringerung des Bereichs führt, der erforderlich ist, um ein Signalpaar auf (1X pitch_d) mal (2X pitch_d) abzuschirmen gleichzeitig wird die elektromagnetische Abschirmung zwischen den Signalbündeln verbessert.
In einigen Ausführungsformen kann die in 2A dargestellte Abschirmung weiter verbessert werden, indem sie wahlweise eine aktive Übersprechunterdrückung zwischen den Signalen eines oder mehr der Signalbündel 250 bis 255 aufweist.
3A ist eine Darstellung einer Abschirmung durch eine herkömmliche Massegewebestruktur in einer Durchkontaktierungsschicht einer Vorrichtung. In 3A ist eine Ansicht einer Durchkontaktierungsebene einer Signalbündelung dargestellt, wobei 3A spezifisch 2-Draht-Bündel mit Zaunabschirmung darstellt. 3A kann zum Beispiel eine Abschirmungsstruktur für Signale darstellen, die durch 2A an einer Durchkontaktierungsschicht bereitgestellt sind. Wie dargestellt, ist jedes Bündel von Signaldurchkontaktierungen, das als ein erstes Signalbündel 300 und ein zweites Signalbündel 305 dargestellt ist, von einem Zaun von Massedurchkontaktierungen 310 umgeben. Wie jedoch aus der Darstellung klar hervorgeht, ist eine beträchtliche Menge an Raum zwischen den Massedurchkontaktierungen 310 vorhanden, wodurch der Effekt der elektromagnetischen Abschirmung der Massedurchkontaktierungen begrenzt wird und ein ausreichender Abstand zwischen Signalpaaren erforderlich ist, um eine Übersprechstörung zu vermeiden.
3B ist eine Darstellung einer lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung von Signalbündeln an einer Durchkontaktierungsschicht gemäß einer Ausführungsform. In 3B ist eine Ansicht einer Durchkontaktierungsebene einer Signalbündelung dargestellt, wobei 3B ein erstes 2-Draht-Bündel 350 und ein zweites 2-Draht-Bündel darstellt.
In einigen Ausführungsformen wird für jedes Signalbündel eine lithographische Wandabschirmung bereitgestellt, wobei die lithographische Wandabschirmung mindestens eine Massedurchkontaktierung 365 und eine lithographische Durchkontaktierungswand aus einer Metallabschirmung 360 aufweist, die das Signalpaar umgibt, wobei die Wand der Metallabschirmung durch einen lithographischen Durchkontaktierungsprozess gebildet wird. In einigen Ausführungsformen stellt die Durchkontaktierungswandabschirmung eine umgebende Abschirmungswand für die Durchkontaktierungsverbindungen bereit, die im Vergleich zu herkömmlichen Abschirmungen eine verbesserte elektromagnetische Abschirmung in weniger Raum für Durchkontaktierungsverbindungen bereitstellt.
4A ist eine Darstellung einer Abschirmung durch eine herkömmliche Schutzleiterbahnstruktur für ein Streifenleitungs-Einzelschichtbündel. In diesem speziellen Beispiel sind Signale in einer einzigen Schicht angeordnet, die ein Signalbündel 400 des ersten Kanals und ein Signalbündel 405 des zweiten Kanals aufweist. In einer Schicht, die eine Verbindung von Kanälen bereitstellt, kann eine herkömmliche Abschirmungsstruktur 410 Abschirmungsleitungen 415 zwischen den Bündeln von Kanalsignalen 400 und 405 aufweisen.
Die herkömmliche Abschirmung der Kanäle lässt jedoch Lücken zwischen den Signalbündeln zu, wodurch ein zusätzlicher Abstand zwischen den Kanälen erforderlich ist, um das Übersprechen zwischen Signalbündeln zu reduzieren.
4B ist eine Darstellung einer Abschirmung mit einer lithographischen Durchkontaktierungs-Schutzleiterbahnstruktur an einer Kanalschicht für ein Streifenleitungs-Einzelschichtbündel gemäß einer Ausführungsform. In dieser speziellen Darstellung sind Signale in einer einzigen Schicht angeordnet, die ein Signalbündel 450 des ersten Kanals und ein Signalbündel 455 des zweiten Kanals aufweist.
In einigen Ausführungsformen ist im Gegensatz zur herkömmlichen Abschirmung eine lithographische Durchkontaktierungskanal-Abschirmungsstruktur 460 gebildet, um jedes der dargestellten Kanalsignalbündel 450 und 455 vollständig zu umgeben. Auf diese Weise wird die elektromagnetische Abschirmung für jedes Kanalsignalbündel verbessert und die Signalbündel können näher zueinander angeordnet werden, wodurch die Größe des Bereichs reduziert wird, die für abgeschirmte Kanalsignale erforderlich ist.
5A ist eine Darstellung einer Abschirmung durch eine herkömmliche Schutzleiterbahnstruktur für ein zweidrahtiges Breitseitenkopplungsbündel. In dieser speziellen Darstellung sind die Kanäle auf gestapelte Weise angeordnet, einschließlich eines Signalbündels 500 des ersten Kanals und eines Signalbündels 505 des zweiten Kanals. In einer Schicht, die eine Verbindung von Kanälen bereitstellt, kann eine herkömmliche Abschirmungsstruktur 510 mehrere Abschirmungsleitungen 515 zwischen den Bündeln von Kanalsignalen 500 und 505 aufweisen.
Die herkömmliche elektromagnetische Abschirmung der Kanäle lässt jedoch Lücken zwischen den Signalbündeln zu, einschließlich potenzieller direkter Lücken zwischen bestimmten Kanälen, wodurch erneut ein zusätzlicher Abstand zwischen den Kanälen erforderlich ist, um das Übersprechen zwischen Signalbündeln zu reduzieren.
5B ist eine Darstellung einer Abschirmung mit einer lithographischen Durchkontaktierungs-Schutzleiterbahnstruktur für ein zweidrahtiges Breitseitenkopplungsbündel gemäß einer Ausführungsform. In dieser speziellen Darstellung sind Signale in mehreren Schichten angeordnet, die ein Signalbündel 550 des ersten Kanals und ein Signalbündel 555 des zweiten Kanals aufweisen.
In einigen Ausführungsformen ist im Gegensatz zur herkömmlichen Abschirmung eine lithographische Durchkontaktierungskanal-Abschirmungsstruktur 560 gebildet, um jedes der dargestellten Kanalsignalbündel 550 und 555 vollständig zu umgeben. Auf diese Weise verbessert der lithographische Durchkontaktierungskanalschirm die Abschirmung für jedes Kanalsignalbündel und ermöglicht, dass die Signalbündel näher zueinander angeordnet werden, sodass die Größe des Bereichs reduziert wird, die für abgeschirmte Kanalsignale erforderlich ist.
Es sei angemerkt, dass Signalbündel eine beliebige Anzahl von Signalen aufweisen können, und somit kann die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung zwischen den in 2B, 3B, 4B und 5B dargestellten Signalbündeln erweitert werden, um einer beliebige Anzahl von Signalen Rechnung zu tragen. Ausführungsformen sind nicht auf die in diesen Figuren dargestellten lithographischen Abschirmungsstrukturen beschränkt, sondern können vielmehr eine beliebige Form einer lithographischen Durchkontaktierung einschließen, um Signalbündel zu trennen oder zu umgeben, wie es für die bestimmte Anzahl und Art von Signalen erforderlich ist. Eine Struktur der lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung hängt mindestens teilweise von einer Anzahl von Signalen in jedem Signalbündel ab.
6 ist eine Darstellung einer On-Package-Verbindung mit einer Multi-Chip-On-Package-Architektur, die eine Abschirmung mit einer lithographischen Durchkontaktierungsstruktur gemäß einer Ausführungsform aufweist. On-Package-IO (OPIO) ist eine unsymmetrische Hochgeschwindigkeits-Signalübertragungsschnittstelle, die mit mehreren Chips auf einer Gehäusearchitektur gepaart ist. Der OPIO-Kanal wird mit einer hohen Routingdichte und einer hohen Datenrate betrieben, um den schnell ansteigenden hohen Bandbreitenbedarf zu erfüllen. Unter Verwendung herkömmlicher Abschirmungsstrukturen und -prozesse leidet der OPIO-Kanal somit unter Kanalübersprechproblemen aufgrund eines dichten Gehäuserouting und führt folglich zu einer signifikanten Verschlechterung der Augenöffnung in einem Augenmuster (wobei sich ein Augenmuster auf eine gemeinsame Anzeige von wiederholt abgetasteten Signalen bezieht, wobei ein offenes Auge ein Signal mit minimaler Verzerrung beschreibt, während eine Verzerrung eines Signals aufgrund von Störungen und Rauschen zu einem Schließen des Augenmusters führt).
Wie dargestellt, weist ein System ein Gehäuse 610 mit einer On-Package-I/O-Verbindung zwischen einem ersten Chip, wobei der erste Chip in dieser Darstellung ein Siliciumsender 620 ist, und einem zweiten Chip auf, wobei der zweite Chip in dieser Darstellung ein Siliciumempfänger 630 ist. Ausführungsformen sind jedoch nicht auf diese spezielle Vorrichtung und Verbindungsanordnung beschränkt.
In einigen Ausführungsformen ist eine abgeschirmte Bündelverbindungstechnologie, die eine lithographische Durchkontaktierungstechnologie implementiert, wie in 1, 2B, 3B, 4B oder 5B dargestellt, in dem OPIO-Kanal implementiert, der einschließt, jedoch nicht beschränkt ist auf das Folgende:

(1) In einigen Ausführungsformen kann eine lithographische Durchkontaktierungs-Massegewebeabschirmung, wie in 2B dargestellt, an einer Verbindung auf Kontaktstellenebene zwischen dem Gehäuse 610 und jedem der mehreren Chips 620 und 630 aufgebracht werden.
(2) In einigen Ausführungsformen kann eine lithographische Durchkontaktierungswandabschirmung, wie in 3B dargestellt, an einer Durchkontaktierungsschichtverbindung für das Gehäuse 610 für Signale auf und von den mehreren Chips 620 und 630 aufgebracht werden.
(3) In einigen Ausführungsformen kann eine lithographische Durchkontaktierungswandabschirmung, wie in 4B und 5B dargestellt, an einer Kanalschichtverbindung für das Gehäuse 610 aufgebracht werden, um Kanalverbindungen durch das Gehäuse 610 bereitzustellen.

Ausführungsformen sind jedoch nicht auf diese speziellen Abschirmungsstrukturen beschränkt, und das Gehäuse 610 kann variierende lithographische Durchkontaktierungsabschirmungsstrukturen für die bei der Signalübertragung verwendeten Signalbündel nutzen.
7 ist ein Flussdiagramm zum Veranschaulichen eines Prozesses zur Implementierung einer abgeschirmten Bündelverbindung gemäß einer Ausführungsform. In einigen Ausführungsformen beinhaltet ein Prozess für eine Bündelungskonfiguration 700 Folgendes:

702: Bestimmen von Signalanforderungen für ein bestimmtes System, einschließlich der Signalgeschwindigkeiten, die auf jedem einer Vielzahl von Kanälen implementiert werden.
704: Identifizieren von Signalbündeln zum Abschirmen, wobei jedes Signalbündel eine beliebige Anzahl von zwei oder mehr Signalen aufweisen kann. In einigen Ausführungsformen kann die Auswahl von Signalbündeln eine Trennung von Signalen beinhalten, die während des Betriebs signifikante Übersprechprobleme aufweisen können. Wenngleich Signalbündel in verschiedenen Implementierungen variieren, können Signalbündel üblicherweise Signale eines ähnlichen Typs einschließen, um ein Signalübersprechen zu vermeiden, das die Signalintegrität stark verschlechtern kann. Zum Beispiel kann ein erstes Signalbündel Datenübertragungssignale aufweisen; ein zweites Signalbündel kann Datenempfangssignale aufweisen; und ein drittes Signalbündel kann Taktsignale aufweisen. Ausführungsformen sind jedoch nicht auf diese Auswahlmöglichkeiten beschränkt und können abhängig von einem bestimmten System andere Arten von Signalbündeln einschließen.
706: Bestimmen von Abschirmungsanforderungen für jedes Signalbündel basierend auf den Signalen innerhalb jedes Signalbündels und dem Potenzial für eine Übersprechstörung mit anderen Signalbündeln.
708: Konzipieren einer Platzierung von Signalbündeln und Abschirmungsstruktur. In einigen Ausführungsformen kann die Platzierung die Berücksichtigung der möglichen Störungsauswirkungen für verschiedene Arten von Signalen einschließen.
710: Erschaffen einer Abschirmung mit lithographischer Durchkontaktierungstechnologie. Die lithographischen Abschirmungsstrukturen können Abschirmungsstrukturen, die in 2B, 3B, 4B und 5B veranschaulicht sind, einschließen, sind jedoch nicht darauf beschränkt.
712: Optionale Implementierung einer aktiven Übersprechunterdrückung innerhalb der Signalbündel, wie für eine solche Signalunterdrückung erforderlich.

In der obigen Beschreibung werden zum Zwecke der Erläuterung zahlreiche spezifische Details dargelegt, um ein gründliches Verständnis der beschriebenen Ausführungsformen bereitzustellen. Der Fachmann wird jedoch zu schätzen wissen, dass Ausführungsformen ohne diese spezifischen Details in die Praxis umgesetzt werden können. In anderen Fällen sind gut bekannte Strukturen und Vorrichtungen in Blockdiagrammform dargestellt. Zwischen dargestellten Komponenten kann eine Zwischenstruktur vorhanden sein. Die hier beschriebenen oder dargestellten Komponenten können zusätzliche Eingänge oder Ausgänge aufweisen, die nicht dargestellt oder beschrieben sind.
Verschiedene Ausführungsformen können verschiedene Prozesse beinhalten. Diese Prozesse können durch Hardwarekomponenten ausgeführt werden oder können in Computerprogrammen oder maschinenausführbaren Anweisungen enthalten sein, die verwendet werden können, um einen Allzweck- oder Spezialprozessor oder Logikschaltungen, die mit den Anweisungen programmiert sind, zur Ausführung der Prozesse zu veranlassen. Alternativ können die Prozesse durch eine Kombination von Hardware und Software ausgeführt werden.
Teile verschiedener Ausführungsformen können als ein Computerprogrammprodukt bereitgestellt sein, das ein computerlesbares Medium aufweisen kann, auf dem Computerprogrammanweisungen gespeichert sind, die verwendet werden können, um einen Computer (oder andere elektronische Vorrichtungen) zur Ausführung durch einen oder mehr Prozessoren zu programmieren, einen Prozess gemäß bestimmten Ausführungsformen auszuführen. Das computerlesbare Medium kann Magnetplatten, optische Platten, Nurlesespeicher (ROM), Direktzugriffsspeicher (RAM), löschbaren programmierbaren Nurlesespeicher (EPROM), elektrisch löschbaren programmierbaren Nurlesespeicher (EEPROM), magnetische oder optische Karten, Flash-Speicher oder andere Arten von computerlesbaren Medien, die zum Speichern elektronischer Anweisungen geeignet sind, einschließen, ist jedoch nicht darauf beschränkt. Darüber hinaus können Ausführungsformen auch als ein Computerprogrammprodukt heruntergeladen werden, wobei das Programm von einem entfernten Computer zu einem anfordernden Computer übertragen werden kann.
Viele der Verfahren sind in ihrer grundlegendsten Form beschrieben, jedoch können Prozesse zu beliebigen der Verfahren hinzugefügt oder daraus entfernt werden, und Informationen können zu einer beliebigen der beschriebenen Nachrichten hinzugefügt oder davon abgezogen werden, ohne von dem grundlegenden Schutzumfang der vorliegenden Ausführungsformen abzuweichen. Der Fachmann wird zu schätzen wissen, dass viele weitere Modifikationen und Anpassungen vorgenommen werden können. Die besonderen Ausführungsformen sind nicht bereitgestellt, um das Konzept zu begrenzen, sondern um es zu veranschaulichen. Der Schutzumfang der Ausführungsformen ist nicht durch die spezifischen oben angegebenen Beispiele bestimmt, sondern nur durch die nachfolgenden Ansprüche.
Unter der Annahme, dass ein Element „A“ an oder mit Element „B“ gekoppelt ist, kann Element A direkt mit Element B gekoppelt sein oder indirekt beispielsweise durch Element C gekoppelt sein. Wenn die Spezifikation oder die Ansprüche angeben, dass eine Komponente, ein Merkmal, eine Struktur, einen Prozess oder eine Eigenschaft A eine Komponente, ein Merkmal, eine Struktur, ein Prozess oder eine Eigenschaft B „verursacht“, bedeutet dies, dass „A“ mindestens eine Teilursache von „B“ ist, dass jedoch auch mindestens eine andere Komponente, ein Merkmal, eine Struktur, ein Prozess oder eine Eigenschaft vorhanden sein kann, die B beim „Verursachen“ unterstützt. Wenn die Spezifikation angibt, dass eine Komponente, ein Merkmal, eine Struktur, ein Prozess oder eine Eigenschaft enthalten sein „kann“ oder „könnte“, muss diese spezielle Komponente, dieses Merkmal, diese Struktur, dieser Prozess oder diese Eigenschaft nicht unbedingt enthalten sein. Falls sich die Spezifikation oder der Anspruch auf „ein“ Element bezieht, bedeutet dies nicht, dass es nur eines der beschriebenen Elemente gibt.
Eine Ausführungsform ist eine Implementierung oder ein Beispiel. Bezugnahmen in der Spezifikation auf „eine Ausführungsform“, „einige Ausführungsformen“ oder „andere Ausführungsformen“ bedeuten, dass ein bestimmtes Merkmal, eine bestimmte Struktur oder Eigenschaft, die in Verbindung mit der Ausführungsform beschrieben wird, in mindestens einigen Ausführungsformen, jedoch nicht notwendigerweise allen Ausführungsformen enthalten ist. Die verschiedenen Erscheinungsformen von „einer Ausführungsform“ oder,, einigen Ausführungsformen" beziehen sich nicht notwendigerweise alle auf die gleichen Ausführungsformen. Man wird zu schätzen wissen, dass in der vorstehenden Beschreibung beispielhafter Ausführungsformen verschiedene Merkmale manchmal in einer einzigen Ausführungsform, Figur oder Beschreibung derselben zusammengefasst sind, um die Offenbarung zu vereinfachen und zum Verständnis eines oder mehr der verschiedenen neuen Aspekte beizutragen. Dieses Offenbarungsverfahren ist jedoch nicht dahingehend auszulegen, dass eine Absicht widergespiegelt, dass die beanspruchten Ausführungsformen mehr Merkmale erfordern, als ausdrücklich in jedem Anspruch angegeben sind. Wie die folgenden Ansprüche widerspiegeln, liegen vielmehr neue Aspekte in weniger als allen Merkmalen einer einzelnen der vorstehend beschriebenen Ausführungsformen.
In einigen Ausführungsformen weist eine Vorrichtung eine Vielzahl von Signalbündeln auf, wobei die Vielzahl von Signalbündeln ein erstes Signalbündel mit einer ersten Vielzahl von Signalen und ein zweites Signalbündel mit einer zweiten Vielzahl von Signalen aufweisen; und eine lithographische Durchkontaktierungsabschirmung, um eine elektromagnetische Abschirmung für die Signalbündel bereitzustellen, wobei sich die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens teilweise zwischen dem ersten Signalbündel und dem zweiten Signalbündel befindet, wobei die lithographische Durchkontaktierung mindestens eine durch einen lithographischen Durchkontaktierungsprozess erzeugte Durchkontaktierung aufweist. In einigen Ausführungsformen umgibt die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung teilweise oder vollständig mindestens eines der Signalbündel der Vorrichtung.
In einigen Ausführungsformen weist die Vorrichtung ferner eine Logik zur aktiven Übersprechunterdrückung auf, wobei die aktive Übersprechunterdrückung auf die Signale des ersten Signalbündels, die Signale des zweiten Signalbündels oder beide angewendet wird.
In einigen Ausführungsformen weisen das erste Signalbündel und das zweite Signalbündel eine beliebige Anzahl von zwei oder mehr Signalen auf.
In einigen Ausführungsformen weist jedes Signalbündel Signale eines bestimmten Typs auf.
In einigen Ausführungsformen weist die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung ein Massegewebe auf, das mit einer oder mehr Masseverbindungen verbunden ist, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung ein Signalbündel teilweise umgibt, das eine Vielzahl von Signalhöckern aufweist.
In einigen Ausführungsformen weist die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung eine Durchkontaktierungswandabschirmung auf, die mindestens eine Massedurchkontaktierung aufweist, wobei die Durchkontaktierungswandabschirmung mindestens ein Signalbündel von Signaldurchkontaktierungen umgibt.
In einigen Ausführungsformen weist die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung eine Kanalabschirmungswand auf, die mindestens ein Signalbündel von Signalkanälen umgibt.
In einigen Ausführungsformen ist die Vielzahl von Signalbündeln in einer Schnittstelle zwischen einem ersten Chip und einem zweiten Chip enthalten.
In einigen Ausführungsformen beinhaltet ein Verfahren das Herstellen von Signalverbindungen für eine Vielzahl von Signalbündeln, wobei jedes Signalbündel eine Vielzahl von Signalen aufweist; und das Herstellen einer lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung zur Bereitstellung einer elektromagnetischen Abschirmung für die Signalbündel. In einigen Ausführungsformen umgibt die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens eines der Signalbündel der Vielzahl von Signalbündeln teilweise oder vollständig.
In einigen Ausführungsformen beinhaltet das Verfahren ferner das Anwenden einer Logik zur aktiven Übersprechunterdrückung, einschließlich des Anwendens der aktiven Übersprechunterdrückung auf die Signale des ersten Signalbündels, die Signalkanäle des zweiten Signalbündels oder beide.
In einigen Ausführungsformen beinhaltet das Herstellen der lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung ein Massegewebe, das mit einer oder mehr Masseverbindungen verbunden ist, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung ein Signalbündel teilweise umgibt, das eine Vielzahl von Signalhöckern aufweist.
In einigen Ausführungsformen beinhaltet das Herstellen der lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung das Herstellen einer Durchkontaktierungswandabschirmung, die mindestens eine Massedurchkontaktierung aufweist, wobei die Durchkontaktierungswandabschirmung mindestens ein Signalbündel von Signaldurchkontaktierungen umgibt.
In einigen Ausführungsformen beinhaltet das Herstellen der lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung das Herstellen einer Kanalabschirmungswand, die mindestens ein Signalbündel von Signalkanälen umgibt.
In einigen Ausführungsformen hängt eine Struktur der lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung von einer Anzahl von Signalen in jedem Signalbündel ab.
In einigen Ausführungsformen weist jedes Signalbündel Signale eines bestimmten Typs auf.
In einigen Ausführungsformen weist ein System ein Gehäuse; eine Vielzahl von Chips, die mit dem Gehäuse gekoppelt sind, wobei die Chips einen ersten Chip und einen zweiten Chip aufweisen; eine Schnittstelle innerhalb des Gehäuses, wobei die Schnittstelle mit dem ersten Chip und dem zweiten Chip gekoppelt ist, wobei die Schnittstelle eine Vielzahl von Signalbündeln aufweist, wobei die Vielzahl von Signalbündeln ein erstes Signalbündel mit einer ersten Vielzahl von Signalen und ein zweites Signalbündel mit einer zweiten Vielzahl von Signalen aufweist; und eine lithographische Durchkontaktierungsabschirmung auf, um eine elektromagnetische Abschirmung für die Signalbündel bereitzustellen, wobei sich die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens teilweise zwischen dem ersten Signalbündel und dem zweiten Signalbündel befindet, wobei die lithographische Durchkontaktierung mindestens eine durch einen lithographischen Durchkontaktierungsprozess erzeugte Durchkontaktierung aufweist. In einigen Ausführungsformen umgibt die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung teilweise oder vollständig mindestens eines der Signalbündel des Systems.
In einigen Ausführungsformen ist die Schnittstelle eine On-Package-IO (OPIO), wobei die Schnittstelle eine Schnittstelle für eine unsymmetrische Hochgeschwindigkeits-Signalübertragung ist.
In einigen Ausführungsformen weist das System ferner eine Logik zur aktiven Übersprechunterdrückung auf, wobei die aktive Übersprechunterdrückung auf die Signale des ersten Signalbündels, die Signale des zweiten Signalbündels oder beide angewendet wird.
In einigen Ausführungsformen weist die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung ein Massegewebe auf, das mit einer oder mehr Masseverbindungen verbunden ist, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung ein Signalbündel teilweise umgibt, das eine Vielzahl von Signalhöckern aufweist.
In einigen Ausführungsformen weist die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung eine Durchkontaktierungswandabschirmung auf, die mindestens eine Massedurchkontaktierung aufweist, wobei die Durchkontaktierungswandabschirmung mindestens ein Signalbündel von Signaldurchkontaktierungen umgibt.
In einigen Ausführungsformen weist die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung eine Kanalabschirmungswand auf, die mindestens ein Signalbündel von Signalkanälen umgibt.

Claims

Vorrichtung, umfassend: eine Vielzahl von Signalbündeln, wobei die Vielzahl von Signalbündeln ein erstes Signalbündel (110; 250) mit einer ersten Vielzahl von Signalen und ein zweites Signalbündel (120; 255) mit einer zweiten Vielzahl von Signalen aufweist; und eine lithographische Durchkontaktierungsabschirmung, um eine elektromagnetische Abschirmung für die Signalbündel bereitzustellen, wobei sich die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens teilweise zwischen dem ersten Signalbündel und dem zweiten Signalbündel befindet, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens eine Durchkontaktierung aufweist, die durch einen lithographischen Durchkontaktierungsprozess erzeugt wird; wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens eines der Signalbündel der Vorrichtung teilweise oder vollständig umgibt.
Vorrichtung nach Anspruch 1, ferner umfassend eine Logik zur aktiven Übersprechunterdrückung, wobei die aktive Übersprechunterdrückung auf die Signale des ersten Signalbündels, die Signale des zweiten Signalbündels oder beide angewendet wird.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei das erste Signalbündel (110; 250) und das zweite Signalbündel (120; 255) eine beliebige Anzahl von zwei oder mehr Signalen aufweisen.
Vorrichtung nach Anspruch 3, wobei jedes Signalbündel Signale eines bestimmten Typs aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung ein Massegewebe aufweist, das mit einer oder mehreren Masseverbindungen verbunden ist, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung ein Signalbündel teilweise umgibt, das eine Vielzahl von Signalhöckern (260) aufweist.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung eine Durchkontaktierungswandabschirmung aufweist, die mindestens eine Massedurchkontaktierung (365) aufweist, wobei die Durchkontaktierungswandabschirmung mindestens ein Signalbündel von Signaldurchkontaktierungen umgibt.
Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung eine Kanalabschirmungswand aufweist, die mindestens ein Signalbündel von Signalkanälen umgibt.
Verfahren, umfassend: Herstellen von Signalverbindungen für eine Vielzahl von Signalbündeln, wobei jedes Signalbündel eine Vielzahl von Signalen aufweist; und Herstellen einer lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung zur Bereitstellung einer elektromagnetischen Abschirmung für die Signalbündel; wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens eines der Signalbündel der Vielzahl von Signalbündeln teilweise oder vollständig umgibt.
Verfahren nach Anspruch 8, ferner umfassend: Anwenden einer Logik für eine aktive Übersprechunterdrückung, die das Anwenden der aktiven Übersprechunterdrückung auf die Signale des ersten Signalbündels, die Signalkanäle des zweiten Signalbündels oder beide beinhaltet.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Herstellen der lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung das Herstellen eines Massegewebes beinhaltet, das mit einer oder mehreren Masseverbindungen verbunden ist, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung ein Signalbündel teilweise umgibt, das eine Vielzahl von Signalhöckern aufweist.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Herstellen der lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung das Herstellen einer Durchkontaktierungswandabschirmung beinhaltet, die mindestens eine Massedurchkontaktierung aufweist, wobei die Durchkontaktierungswandabschirmung mindestens ein Signalbündel von Signaldurchkontaktierungen umgibt.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Herstellen der lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung das Herstellen einer Kanalabschirmungswand beinhaltet, die mindestens ein Signalbündel von Signalkanälen umgibt.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei eine Struktur der lithographischen Durchkontaktierungsabschirmung von einer Anzahl von Signalen in jedem Signalbündel abhängt.
Verfahren nach Anspruch 8, wobei jedes Signalbündel Signale eines bestimmten Typs aufweist.
System, umfassend: ein Gehäuse (610); eine Vielzahl von Chips (620; 630), die mit dem Gehäuse (610) gekoppelt sind, wobei die Chips (620; 630) einen ersten Chip (620) und einen zweiten Chip (630) aufweisen; eine Schnittstelle innerhalb des Gehäuses (610), wobei die Schnittstelle mit dem ersten Chip (620) und dem zweiten Chip (630) gekoppelt ist, wobei die Schnittstelle eine Vielzahl von Signalbündeln aufweist, wobei die Vielzahl von Signalbündeln ein erstes Signalbündel mit einer ersten Vielzahl von Signalen und ein zweites Signalbündel mit einer zweiten Vielzahl von Signalen aufweist; und eine lithographische Durchkontaktierungsabschirmung, um eine elektromagnetische Abschirmung für die Signalbündel bereitzustellen, wobei sich die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens teilweise zwischen dem ersten Signalbündel und dem zweiten Signalbündel befindet, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens eine Durchkontaktierung aufweist, die durch einen lithographischen Durchkontaktierungsprozess erzeugt wird; wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung mindestens eines der Signalbündel des Systems teilweise oder vollständig umgibt.
System nach Anspruch 15, wobei die Schnittstelle eine On-Package-IO (OPIO) ist, wobei die Schnittstelle eine Schnittstelle für eine unsymmetrische Hochgeschwindigkeits-Signalübertragung ist.
System nach Anspruch 15, ferner umfassend eine Logik zur aktiven Übersprechunterdrückung, wobei die aktive Übersprechunterdrückung auf die Signale des ersten Signalbündels, die Signale des zweiten Signalbündels oder beide angewendet wird.
System nach Anspruch 15, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung ein Massegewebe aufweist, das mit einer oder mehreren Masseverbindungen verbunden ist, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung ein Signalbündel teilweise umgibt, das eine Vielzahl von Signalhöckern aufweist.
System nach Anspruch 15, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung eine Durchkontaktierungswandabschirmung aufweist, die mindestens eine Massedurchkontaktierung aufweist, wobei die Durchkontaktierungswandabschirmung mindestens ein Signalbündel von Signaldurchkontaktierungen umgibt.
System nach Anspruch 15, wobei die lithographische Durchkontaktierungsabschirmung eine Kanalabschirmungswand aufweist, die mindestens ein Signalbündel von Signalkanälen umgibt.