DE112016002324T5 - Lumineszenzdiode mit hoher Effizienz - Google Patents

Lumineszenzdiode mit hoher Effizienz Download PDF

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Tae Gyun Kim
Joon Hee Lee
Ki Hyun Kim
Sung Su Son
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Seoul Viosys Co Ltd
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Abstract

Hierin ist eine Lumineszenzdiode offenbart. Die Lumineszenzdiode enthält Folgendes: eine lichtemittierende Struktur mit einer Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs, einer aktiven Schicht, die auf einer Oberseite der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angeordnet ist, und einer Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs, die auf einer Oberseite der aktiven Schicht angeordnet ist; zumindest eine erste Elektrode, die mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; eine stromsperrende Schicht, die auf einer Unterseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist; und eine zweite Elektrode, die mit der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist, wobei die zweite Elektrode eine erste reflektierende Metallschicht, die an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, und eine zweite reflektierende Metallschicht enthält, die eine Unterseite der stromsperrenden Schicht und eine Unterseite der ersten reflektierenden Metallschicht bedeckt, während dieselbe an einen Abschnitt der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, und wobei ein Kontaktwiderstand zwischen der zweiten reflektierenden Metallschicht und der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs höher als ein Kontaktwiderstand zwischen der ersten reflektierenden Metallschicht und der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs ist.

Description

  • [Technisches Gebiet]
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine lichtemittierende Diode und genauer eine Lumineszenzdiode, die eine reflektierende Metallschicht enthält und somit eine verbesserte Lichtextraktionseffizienz aufweist.
  • [Hintergrund der Erfindung]
  • Eine Lumineszenzdiode (LED; engl. light emitting diode) ist ein Halbleiterelement, das zum Umwandeln von elektrischer Energie in Licht konfiguriert ist. Lumineszenzdioden werden allgemein auf Lichtquellen für Hintergrundbeleuchtungseinheiten, Beleuchtungsvorrichtungen, Signaltafeln, große Displays und dergleichen angewandt. Mit zunehmender Verwendung von LEDs zur Beleuchtung und Ausweitung der Anwendungsbereiche auf Vorrichtungen mit hohem Strom und hohem Ausgang besteht eine Notwendigkeit einer Entwicklung einer Elektrodentechnologie zur Verbesserung der Zuverlässigkeit von Elektroden, die eine externe Struktur, wie beispielsweise ein Modul, mit Halbleiterschichten einer LED elektrisch verbinden, während eine Lichtextraktionseffizienz der LED verbessert wird.
  • [Offenbarung]
  • [Technisches Problem]
  • Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung ist, eine Lumineszenzdiode zu liefern, die eine verbesserte Lichtextraktionseffizienz aufweist, und zwar durch Verhindern, dass eine Sperrmetallschicht Licht absorbiert.
  • Ein anderer Aspekt der vorliegenden Erfindung ist, eine Lumineszenzdiode zu liefern, die einen Bereich mit unterschiedlichen elektrischen Übergangscharakteristiken auf einer Unterseite einer Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs enthält, um eine Stromaufweitungseffizienz zu verbessern.
  • Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Erfindung ist, eine Lumineszenzdiode zu liefern, die eine Delamination einer mit einer Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs verbundenen Elektrode verhindern kann, um eine Zuverlässigkeit zu verbessern.
  • [Technische Lösung]
  • Nach einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält eine Lumineszenzdiode Folgendes: eine lichtemittierende Struktur mit einer Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs, einer aktiven Schicht, die auf einer Oberseite der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angeordnet ist, und einer Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs, die auf einer Oberseite der aktiven Schicht angeordnet ist; zumindest eine erste Elektrode, die mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; eine stromsperrende Schicht, die auf einer Unterseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist; und eine zweite Elektrode, die mit der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist, wobei die zweite Elektrode eine erste reflektierende Metallschicht, die an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, und eine zweite reflektierende Metallschicht enthält, die eine Unterseite der stromsperrenden Schicht und eine Unterseite der ersten reflektierenden Metallschicht bedeckt, während dieselbe an einen Abschnitt der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, und wobei ein Kontaktwiderstand zwischen der zweiten reflektierenden Metallschicht und der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs höher als ein Kontaktwiderstand zwischen der ersten reflektierenden Metallschicht und der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs sein kann.
  • Nach einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält eine Lumineszenzdiode Folgendes: eine lichtemittierende Struktur mit einer Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs, einer aktiven Schicht, die auf einer Oberseite der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angeordnet ist, und einer Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs, die auf einer Oberseite der aktiven Schicht angeordnet ist; zumindest eine erste Elektrode, die auf einer Oberseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist und mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; eine stromsperrende Schicht, die auf einer Unterseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist; und eine zweite Elektrode, die auf einer Unterseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist und mit der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist, wobei die zweite Elektrode eine erste reflektierende Metallschicht, die an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, und eine zweite reflektierende Metallschicht enthält, die eine Unterseite der stromsperrenden Schicht und eine Unterseite der ersten reflektierenden Metallschicht bedeckt, und eine Bindefestigkeit zwischen der stromsperrenden Schicht und der zweiten reflektierenden Metallschicht größer als eine Bindefestigkeit zwischen der stromsperrenden Schicht und der ersten reflektierenden Metallschicht ist.
  • [Vorteilhafte Effekte]
  • Nach beispielhaften Ausführungsformen enthält eine Unterseite einer Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs einer Lumineszenzdiode Bereiche mit unterschiedlichen elektrischen Übergangscharakteristiken, wobei dadurch eine Stromaufweitungseffizienz verbessert wird. Mit dieser Struktur kann die Lumineszenzdiode eine Vorwärtsspannung reduzieren und eine Ausgangsspannung erhöhen. Ferner kann die Lumineszenzdiode eine Delamination einer zweiten Elektrode durch Sicherstellen einer hohen Bindefestigkeit zwischen einer stromsperrenden Schicht und einer zweiten reflektierenden Metallschicht verhindern, wobei dadurch eine Zuverlässigkeit verbessert wird.
  • [Beschreibung der Zeichnungen]
  • 1 sind Draufsichten einer Lumineszenzdiode nach einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht der Lumineszenzdiode nach der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 3 ist eine vergrößerte Ansicht des Teils I der 2.
  • 4 zeigt Graphen, die eine Leistung der Lumineszenzdiode nach der beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit der einer typischen Lumineszenzdiode vergleichen.
  • 5 ist eine Schnittansicht einer Lumineszenzdiode nach einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 6 ist eine Schnittansicht einer Lumineszenzdiode nach einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 7 ist eine auseinandergezogene Perspektivansicht einer Ausführungsform einer Beleuchtungsvorrichtung, auf die eine Lumineszenzdiode nach einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewandt wird.
  • 8 ist eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines Displays, auf das eine Lumineszenzdiode nach einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewandt wird.
  • 9 ist eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines Displays, auf das eine Lumineszenzdiode nach einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewandt wird.
  • 10 ist eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines Scheinwerfers, auf den eine Lumineszenzdiode nach einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung angewandt wird.
  • [Beste Ausführungsform]
  • Nachstehend werden beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung in Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen detailliert beschrieben werden. Die folgenden Ausführungsformen sind als Beispiel geliefert, um jemandem mit Fähigkeiten in der Technik, zu der die vorliegende Erfindung gehört, das Wesen der vorliegenden Erfindung vollständig zu vermitteln. Folglich ist die vorliegende Erfindung nicht auf die hierin offenbarten Ausführungsformen beschränkt und kann auch in verschiedenen Formen implementiert werden. In den Zeichnungen können Breiten, Längen, Dicken und dergleichen von Elementen zur Klarheit und zu beschreibenden Zwecken übertrieben sein. Wenn ein Element oder eine Schicht bezeichnet wird, „über” oder „auf” einem anderen Element oder einer anderen Schicht „angeordnet” zu sein, kann dasselbe/dieselbe direkt „über” oder „auf” dem anderen Element oder der anderen Schicht „angeordnet” sein oder dazwischenliegende Elemente oder Schichten können vorliegen. Überall in der Beschreibung bezeichnen ähnliche Bezugsnummern ähnliche Elemente, die die gleichen oder ähnliche Funktionen aufweisen.
  • Eine Lumineszenzdiode nach einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält Folgendes: eine lichtemittierende Struktur mit einer Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs, einer aktiven Schicht, die auf einer Oberseite der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angeordnet ist, und einer Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs, die auf einer Oberseite der aktiven Schicht angeordnet ist; zumindest eine erste Elektrode, die mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; eine stromsperrende Schicht, die auf einer Unterseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist; und eine zweite Elektrode, die mit der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist, wobei die zweite Elektrode eine erste reflektierende Metallschicht, die an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, und eine zweite reflektierende Metallschicht enthält, die eine Unterseite der stromsperrenden Schicht und eine Unterseite der ersten reflektierenden Metallschicht bedeckt, während dieselbe an einen Abschnitt der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, und wobei ein Kontaktwiderstand zwischen der zweiten reflektierenden Metallschicht und der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs höher als ein Kontaktwiderstand zwischen der ersten reflektierenden Metallschicht und der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs ist.
  • Die erste reflektierende Metallschicht kann von der stromsperrenden Schicht beabstandet sein.
  • Die zweite reflektierende Metallschicht kann eine Al-Schicht enthalten und die Al-Schicht kann an die stromsperrende Schicht, die erste reflektierende Metallschicht und die Halbeiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzen.
  • Die Lumineszenzdiode kann ferner eine Sperrmetallschicht enthalten, die auf einer Unterseite der zweiten reflektierenden Metallschicht angeordnet ist, und die Sperrmetallschicht kann Ni enthalten.
  • Die stromsperrende Schicht kann einen ersten Bereich enthalten, der an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, die erste reflektierende Metallschicht kann einen zweiten Bereich enthalten, der an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, die zweite reflektierende Metallschicht kann einen dritten Bereich enthalten, der an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, und der erste Bereich, der zweiten Bereich und der dritte Bereich können unterschiedliche elektrische Übergangscharakteristiken aufweisen.
  • Der dritte Bereich und die zweite reflektierende Metallschicht können zwischen denselben einen Schottky-Übergang bilden.
  • Der dritte Bereich kann eine kleinere Fläche als der zweite Bereich aufweisen.
  • Ein Abschnitt der zweiten reflektierenden Metallschicht kann eine Seitenfläche der stromsperrenden Schicht bedecken.
  • Die Seitenfläche der stromsperrenden Schicht kann eine schräge Oberfläche enthalten.
  • Die zweite reflektierende Metallschicht kann einen Vorsprung enthalten, der über eine Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur hinaus hervorsteht.
  • Die Lumineszenzdiode kann ferner eine Isolierschicht enthalten, die auf einer Oberseite und einer Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist.
  • Ein Abschnitt der stromsperrenden Schicht kann auf einer Oberseite des Vorsprungs platziert werden.
  • Die Isolierschicht und die stromsperrende Schicht können aneinander angrenzen.
  • Die Isolierschicht und die stromsperrende Schicht können aus dem gleichen Material gebildet werden.
  • Bei einigen beispielhaften Ausführungsformen kann die erste Elektrode ein Elektrodenpad und einen oberen Fortsatz enthalten und der obere Fortsatz kann einen Bereich enthalten, der die stromsperrende Schicht überlappt. Ferner kann die stromsperrende Schicht eine größere Breite als der obere Fortsatz aufweisen, so dass Abschnitte der stromsperrenden Schicht über beide Seiten des oberen Fortsatzes hinaus in einer Breitenrichtung in einer Ansicht platziert werden, die den oberen Fortsatz zeigt, der die stromsperrende Schicht überlappt. Insbesondere können die Abschnitte der stromsperrenden Schicht, die über beide Seiten des oberen Fortsatzes hinaus in der Breitenrichtung platziert sind, jeweils die gleiche Breite wie der obere Fortsatz oder eine größere Breite als derselbe aufweisen. Mit der Struktur, bei der die Breite der stromsperrenden Schicht das Dreifache oder mehr der Breite des oberen Fortsatzes beträgt, kann die Lumineszenzdiode eine Stromaufweitung über eine weite Fläche derselben erzielen, wobei dadurch die Lichtausbeute verbessert wird.
  • Eine Lumineszenzdiode nach einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung enthält Folgendes: eine lichtemittierende Struktur mit einer Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs, einer aktiven Schicht, die auf einer Oberseite der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angeordnet ist, und einer Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs, die auf einer Oberseite der aktiven Schicht angeordnet ist; zumindest eine erste Elektrode, die auf einer Oberseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist und mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; eine stromsperrende Schicht, die auf einer Unterseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist; und eine zweite Elektrode, die auf einer Unterseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist und mit der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist, wobei die zweite Elektrode eine erste reflektierende Metallschicht, die an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, und eine zweite reflektierende Metallschicht enthält, die eine Unterseite der stromsperrenden Schicht und eine Unterseite der ersten reflektierenden Metallschicht bedeckt, und wobei eine Bindefestigkeit zwischen der stromsperrenden Schicht und der zweiten reflektierenden Metallschicht größer als eine Bindefestigkeit zwischen der stromsperrenden Schicht und der ersten reflektierenden Metallschicht ist.
  • Die zweite reflektierende Metallschicht kann Al enthalten.
  • Ein Abschnitt der zweiten reflektierenden Metallschicht kann eine Seitenfläche der stromsperrenden Schicht bedecken und die stromsperrende Schicht von der ersten reflektierenden Metallschicht trennen.
  • Die 1 bis 4 sind Draufsichten, eine Querschnittsansicht und Graphen, die eine Lumineszenzdiode nach einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. 1(a) ist eine Draufsicht der Lumineszenzdiode von oben und 1(b) ist eine Draufsicht einer unteren Struktur einer zweiten reflektierenden Metallschicht der Lumineszenzdiode von oben, die nachstehend beschrieben wird. 2 ist eine Querschnittsansicht, die entlang einer Linie A-A” der 1 genommen wurde, und 3 ist eine vergrößerte Ansicht eines Teils I der 2. 4(a) zeigt einen Graphen, der eine Vorwärtsspannung der Lumineszenzdiode nach der beispielhaften Ausführungsform mit der einer typischen Lumineszenzdiode vergleicht, und 4(b) zeigt einen Graphen, der eine Ausgangsleistung der Lumineszenzdiode nach der beispielhaften Ausführungsform mit der der typischen Lumineszenzdiode vergleicht.
  • In Bezug auf die 1 bis 3 enthält die Lumineszenzdiode nach dieser beispielhaften Ausführungsform eine lichtemittierende Struktur 110, eine erste Elektrode 120, eine stromsperrende Schicht 130 und eine zweite Elektrode 140 und kann ferner eine Isolierschicht 170 und ein Substrat 160 enthalten.
  • Die lichtemittierende Struktur 110 kann eine Halbleiterschicht 113 eines zweiten leitfähigen Typs, eine aktive Schicht 112, die auf einer Oberseite der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs angeordnet ist, und eine Halbleiterschicht 111 eines ersten leitfähigen Typs enthalten, die auf einer Oberseite der aktiven Schicht 112 angeordnet ist. Die Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs, die aktive Schicht 112 und die Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs können einen III-V-basierten Verbindungshalbleiter, beispielsweise einen auf Nitrid basierenden Halbleiter, wie beispielsweise (Al, Ga, In)N, enthalten. Die Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs kann ein n-leitendes Dotierungsmittel (beispielsweise Si) enthalten und die Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs kann ein p-leitendes Dotierungsmittel (beispielsweise Mg) enthalten oder umgekehrt. Die aktive Schicht 112 kann eine Mehrfachquantentopf-Struktur (MQW-Struktur; engl. multi-quantum well structure) enthalten und ein Zusammensetzungsverhältnis aufweisen, das zum Emittieren von Licht mit einer erwünschten Peak-Wellenlänge bestimmt ist. Insbesondere kann die aktive Schicht 112 eine InGaN-Topfschicht enthalten, um blaues Licht oder nahes Ultraviolettlicht zu emittieren.
  • Die lichtemittierende Struktur 110 kann durch sequenzielles Stapeln der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs, der aktiven Schicht 112 und der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs auf ein Wachstumssubstrat (nicht gezeigt) ausgebildet werden. Das Wachstumssubstrat kann aus jeglichen Substraten ausgewählt werden, solange das Substrat das Wachstum der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs, der aktiven Schicht 112 und der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs auf demselben ermöglicht, und kann beispielsweise ein Saphirsubstrat, ein Siliziumkarbidsubstrat, ein Galliumnitridsubstrat, ein Aluminiumnitridsubstrat, ein Siliziumsubstrat und dergleichen enthalten. Bei dieser beispielhaften Ausführungsform kann das Wachstumssubstrat insbesondere ein bemustertes Saphirsubstrat (PSS; engl. patterned sapphire substrate) sein. Das Wachstumssubstrat kann von der lichtemittierenden Struktur entfernt werden, wodurch eine Oberseite der lichtemittierenden Struktur 110 eine Gestalt aufweisen kann, die dem Muster des Substrates entspricht. Wenn das Wachstumssubstrat ein abgerundetes Muster enthält, kann die Oberseite der lichtemittierenden Struktur 110 auch eine abgerundete Gestalt enthalten.
  • Eine Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur 110 kann eine schräge Oberfläche enthalten. In Bezug auf 2 kann die schräge Oberfläche einen Winkel von 90° oder kleiner, beispielsweise 60°, in Bezug auf eine Unterseite der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs aufweisen. Die schräge Oberfläche der lichtemittierenden Struktur 110 dient zum Verbessern der Emission des in der lichtemittierenden Struktur 110 erzeugten Lichts. Die schräge Oberfläche kann durch einen Dicing-Prozess zum einzelnen Unterteilen von Lumineszenzdioden ausgebildet werden oder durch einen separaten Ätzprozess ausgebildet werden.
  • Die erste Elektrode 120 kann auf einer Oberseite der lichtemittierenden Struktur 110 angeordnet werden. Die Anzahl der ersten Elektroden 120 kann zumindest eins betragen und die die erste Elektrode 120 kann mit der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden werden. Die erste Elektrode 120 kann eine einschichtige oder mehrschichtige Struktur aus Ni, Al, Au, Cr und dergleichen sein. Die erste Elektrode 120 kann durch Niederschlagen bzw. Aufdampfen eines metallischen Materials auf die Oberseite der lichtemittierenden Struktur 110 gefolgt durch Bemustern ausgebildet werden.
  • Eine Unterseite der ersten Elektrode 120 grenzt an eine Oberseite der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs an. Bei einer Struktur, bei der die Oberseite der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs ein Muster enthält, kann eine Oberseite der ersten Elektrode 120 eine Gestalt enthalten, die dem Muster der Oberseite der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs entspricht. Beispielsweise kann bei einer Struktur, bei der die Oberseite der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs ein abgerundetes Muster enthält, die Oberseite der ersten Elektrode 120, die auf dem abgerundeten Muster platziert ist, auch eine abgerundete Gestalt enthalten. Mit dieser Struktur kann beim Verbinden eines Drahtes mit der ersten Elektrode 120 der Draht mit der ersten Elektrode 120 über die Gestalt der Oberseite der ersten Elektrode 120 stabil verbunden werden.
  • Die erste Elektrode 120 kann zumindest ein Bondpad 121 und einen oberen Fortsatz 122 enthalten.
  • Das Bondpad 121 dient zum Leiten des elektrischen Stroms, der an die lichtemittierende Struktur 110 angelegt wird, um außen zu fließen. Bei dieser beispielhaften Ausführungsform kann das Bondpad 121 nahe einer Seite der lichtemittierenden Struktur 110 platziert werden. Insbesondere enthält die Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs eine erste Seitenfläche 111a und eine zweite Seitenfläche 111b, die gegenüber der ersten Seitenfläche 111a platziert ist, und das Bondpad 121 kann nahe der ersten Seitenfläche 111a platziert werden. Zwar wird die erste Elektrode bei dieser beispielhaften Ausführungsform veranschaulicht, zwei Bondpads 121 zu enthalten, aber es sollte klar sein, dass andere Implementierungen auch möglich sind und die erste Elektrode 120 ein Bondpad oder drei oder mehr Bondpads enthalten kann.
  • Der obere Fortsatz 122 kann sich von dem Bondpad 121 erstrecken. Der obere Fortsatz 122 dient zum Verhindern einer Stromverdichtung nahe dem Bondpad 121 bei Anlegung des Stroms an die Lumineszenzdiode. Insbesondere kann ein Abschnitt des oberen Fortsatzes 122 entlang vier Seiten der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs platziert werden. Des Weiteren kann der andere Abschnitt des oberen Fortsatzes 122 zwischen den Bondpads 121 und einem Abschnitt des oberen Fortsatzes 122 nahe der zweiten Seitenfläche 111b platziert werden.
  • Die stromsperrende Schicht 130 kann auf einer Unterseite der lichtemittierenden Struktur 110 platziert werden. Die stromsperrende Schicht 130 kann die erste Elektrode 120 in einer Vertikalrichtung zumindest teilweise überlappen. Die stromsperrende Schicht 130 kann einen ersten Bereich 113a enthalten, der an die Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs angrenzt. Die stromsperrende Schicht 130 kann zum Verhindern einer Verdichtung des an die Lumineszenzdiode angelegten elektrischen Stroms auf der Halbleiterschicht nahe der ersten Elektrode 120 dienen und dadurch eine Verschlechterung der Stromaufweitungseffizienz verhindern. Der erste Bereich 113a kann die erste Elektrode 120 in Vertikalrichtung überlappen. Diese Struktur kann eine Stromverdichtung effektiver verhindern. Insbesondere kann die stromsperrende Schicht 130 ausgebildet werden, um eine größere Breite als der obere Fortsatz 122 aufzuweisen, um eine Lichtausbeute durch effizientes Aufweiten des elektrischen Stroms zu verbessern. Insbesondere können in einer Ansicht, die die stromsperrende Schicht 130 zeigt, die den oberen Fortsatz 122 überlappt, die Abschnitte der stromsperrenden Schicht 130, die über beide Seiten des oberen Fortsatzes 122 hinaus in einer Breitenrichtung platziert sind, jeweils eine größere Breite als der obere Fortsatz 122 aufweisen. Folglich kann die Breite der stromsperrenden Schicht 130 größer als das Dreifache der Breite des oberen Fortsatzes 122 sein, um eine erhebliche Verbesserung der Lichtausbeute zu erzielen. Wenn der obere Fortsatz 122 der ersten Elektrode 120 beispielsweise eine Breite von 15 μm aufweist, kann die Breite der stromsperrenden Schicht 130 ca. 45 μm überschreiten und der obere Fortsatz 122 kann auf einer Oberseite eines mittigen Bereiches der stromsperrenden Schicht 130 platziert werden. Da eine übermäßig große Breite der stromsperrenden Schicht eine Erhöhung der Vorwärtsspannung verursachen kann, wird jedoch erwünscht, dass die Breite der stromsperrenden Schicht 130 eingestellt wird, um das Vierfache oder weniger der Breite eines oberen Fortsatzes 121 zu betragen. Die Einstellung der Breiten des oberen Fortsatzes 122 und der unter dem oberen Fortsatz angeordneten stromsperrenden Schicht 130 kann auf einen Gesamtbereich des oberen Fortsatzes 122 angewandt werden oder auf einen Bereich desselben angewandt werden. Insbesondere kann die Einstellung der Breite auf den oberen Fortsatz 122 und die stromsperrende Schicht 130, die in der Lumineszenzdiode platziert ist, anstatt entlang einer Kante der Lumineszenzdiode, wie der obere Fortsatz 121, der einen nahe der zweiten Seitenfläche 111b platzierten Abschnitt des oberen Fortsatzes 122 mit den Bondpads 121 verbindet, angewandt werden.
  • Die stromsperrende Schicht 130 kann Isoliereigenschaften aufweisen und ein Isoliermaterial enthalten. Beispielsweise kann die stromsperrende Schicht 130 SiOx oder SiNx enthalten oder einen verteilten Bragg-Reflektor (DBR; engl. distributed Bragg reflector) enthalten, in dem Materialschichten mit unterschiedlichen Brechungsindizes übereinander gestapelt sind. Das heißt, die stromsperrende Schicht 130 kann eine Transmission oder ein Reflexionsvermögen in Bezug auf Licht mit einer bestimmten Wellenlänge aufweisen. Die stromsperrende Schicht 130 kann aus einer einzigen Schicht oder mehreren Schichten bestehen, die durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD; engl. chemical vapor deposition) oder dergleichen ausgebildet werden.
  • Die stromsperrende Schicht 130 kann zumindest eine Öffnung 130a enthalten, die die Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs freilegt. In Bezug auf 1(b) kann die Öffnung 130a eine rechteckige Gestalt oder eine kreisförmige Gestalt aufweisen, ohne darauf beschränkt zu sein. Die Öffnung 130a kann unter Verwendung einer Maske oder durch Aufdampfen der stromsperrenden Schicht 130 gefolgt durch Ätzen ausgebildet werden, ohne darauf beschränkt zu sein.
  • Eine Seitenfläche der stromsperrenden Schicht 130 kann eine schräge Oberfläche enthalten. In Bezug auf die 2 und 3 kann ein zwischen einer Unterseite der stromsperrenden Schicht 130 und der Seitenfläche der stromsperrenden Schicht 130 definierter Winkel größer als 90° und kleiner als 180° sein. Bei der Struktur, bei der die Seitenfläche der stromsperrenden Schicht 130 die schräge Oberfläche enthält, wird ein Abschnitt einer zweiten reflektierenden Metallschicht 141, der die Seitenfläche der stromsperrenden Schicht 130 bedeckt, entlang der schrägen Seitenfläche der stromsperrenden Schicht 130 platziert und kann durch die aktive Schicht 112 erzeugtes Licht effektiver in Richtung einer Oberseite der lichtemittierenden Struktur 110 reflektieren. Zudem kann diese Struktur eine Übergangsfläche zwischen der stromsperrenden Schicht 130 und der zweiten reflektierenden Metallschicht 141 vergrößern, wobei dadurch eine mechanische Zuverlässigkeit der Lumineszenzdiode verbessert wird.
  • Die zweite Elektrode 140 kann auf der Unterseite der lichtemittierenden Struktur 110 platziert werden. Die zweite Elektrode 140 kann mit der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs elektrisch verbunden werden. Die zweite Elektrode 140 kann eine erste reflektierende Metallschicht 141, eine zweite reflektierende Metallschicht 142 und eine Sperrmetallschicht 143 enthalten.
  • Die erste reflektierende Metallschicht 141 kann an die Halbleiterschicht 113 eines zweiten leitfähigen Typs angrenzen. Zudem kann die erste reflektierende Metallschicht 141 einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs bilden. Die erste reflektierende Metallschicht 141 enthält einen zweiten Bereich 113b, der einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs durch die Öffnung 130a bildet. Die erste reflektierende Metallschicht 141 kann von der stromsperrenden Schicht 130 beabstandet sein.
  • Die erste reflektierende Metallschicht 141 kann ein Metall oder eine Legierung enthalten, das/die zum Reflektieren des von der lichtemittierenden Struktur 110 emittierten Lichts fähig ist. Beispielsweise kann die erste reflektierende Metallschicht 141 Ag-, Ag-Legierungs-, Ni/Ag-, NiZn/Ag-, TiO/Ag- oder Ni/Ag/Ni/Ti-Schichten enthalten und durch Aufdampfen und Bemustern ausgebildet werden. Wenn die Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs eine p-leitende Halbleiterschicht ist, bildet die Ni-Schicht insbesondere einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs. Da die Ni-Schicht das Reflexionsvermögen von Ag aufgrund eines geringen Reflexionsvermögens in Bezug auf Licht, das von der lichtemittierenden Struktur 110 erzeugt wird, verschlechtert, kann die Ni-Schicht eine dünne Dicke aufweisen. Die erste reflektierende Metallschicht 141 kann durch Elektronenstrahlverdampfung, Vakuumbedampfung, Zerstäubung oder metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD; engl. metal organic chemical vapor deposition) ausgebildet werden.
  • Die zweite reflektierende Metallschicht 142 kann die stromsperrende Schicht 130 und die erste reflektierende Metallschicht 141 bedecken. Insbesondere kann die zweite reflektierende Metallschicht 142 platziert werden, um eine Unterseite und Seitenfläche der stromsperrenden Schicht 130 und eine Unterseite und Seitenflächen der ersten reflektierenden Metallschicht 141 zu bedecken. Die zweite reflektierende Metallschicht 142 kann an die stromsperrende Schicht 130 und die erste reflektierende Metallschicht 141 angrenzen. Des Weiteren kann die zweite reflektierende Metallschicht 142 an einen Abschnitt der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs durch die Öffnung 130a angrenzen. Insbesondere kann die zweite reflektierende Metallschicht 142 einen dritten Bereich 113c enthalten, der durch Trennung zwischen der ersten reflektierenden Metallschicht 141 und der stromsperrenden Schicht 130 und Freilegen einer Unterseite der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs ausgebildet wird.
  • Die zweite reflektierende Metallschicht 142 kann zwischen der stromsperrenden Schicht 130 und der Sperrmetallschicht 143 platziert werden, die nachstehend beschrieben wird, und/oder zwischen der ersten reflektierenden Metallschicht 141 und der Sperrmetallschicht 143 platziert werden.
  • Die zweite reflektierende Metallschicht 142 kann ein Metall mit einem anderen Reflexionsvermögen als das Metall der ersten reflektierenden Metallschicht 141 enthalten. Wenn die erste reflektierende Metallschicht 141 Ag enthält, kann die zweite reflektierende Metallschicht 142 insbesondere Al enthalten. Ag weist ein Reflexionsvermögen von ca. 98,9% auf und Al weist ein Reflexionsvermögen von ca. 90,3% auf.
  • In Bezug auf die 1 bis 3 können der erste Bereich 113a, der zweite Bereich 113b und der dritte Bereich 113c unterschiedliche elektrische Übergangscharakteristiken aufweisen und unterschiedliche Reflexionscharakteristiken aufweisen. Insbesondere können der erste Bereich 113a, der zweite Bereich 113b und der dritte Bereich 113c unterschiedliche Kontaktwiderstände aufgrund der unterschiedlichen elektrischen Übergangscharakteristiken derselben aufweisen.
  • Der Kontaktwiderstand des dritten Bereiches 113c, das heißt der zweiten reflektierenden Metallschicht 142 und der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs, kann höher als der Kontaktwiderstand des zweiten Bereiches 113b, das heißt der ersten reflektierenden Metallschicht 141 und der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs, sein. Mit dieser Struktur kann die zweite reflektierende Metallschicht 142 zum Reflektieren von Licht dienen, während eine Vorwärtsspannung durch Stromaufweitung reduziert wird.
  • Die zweite reflektierende Metallschicht 142 kann aus einem Metall mit einer höheren Austrittsarbeit als die erste reflektierende Metallschicht 141 ausgebildet werden. Insbesondere kann die zweite reflektierende Metallschicht 142 einen Schottky-Übergang mit der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs bilden. Eine Vergrößerung der Fläche des ersten Bereiches 113a, in dem die stromsperrende Schicht 130 an die Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, kann eine Verschlechterung der Lichtextraktionseffizienz durch eine Verkleinerung einer reflektierenden Fläche der zweiten Elektrode 140 verursachen. Umgekehrt kann eine Verkleinerung der Fläche des ersten Bereiches 113a eine Verschlechterung der Stromaufweitungseffizienz der Lumineszenzdiode verursachen. Bei der Struktur, bei der die zweite reflektierende Metallschicht 142 einen Schottky-Übergang mit dem dritten Bereich 113c bildet, kann der meiste Strom an die zweite Elektrode 140 durch den zweiten Bereich 113b angelegt werden, der den ohmschen Kontakt bildet. Da der dritte Bereich 113c auch Licht reflektieren kann, das in der lichtemittierenden Struktur 110 erzeugt wird, kann diese Struktur ferner die Stromaufweitung und Lichtextraktionseffizienz verbessern, während die Fläche der stromsperrenden Schicht 130 minimiert wird.
  • Mit der Struktur, bei der die zweite reflektierende Metallschicht 142 Al enthält, kann die Lumineszenzdiode des Weiteren konfiguriert sein, um einen ohmschen Kontakt zwischen der zweiten reflektierenden Metallschicht 142 und der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs aufzuweisen. Bei dieser Struktur ist es jedoch zum Bilden des ohmschen Kontaktes zwischen der zweiten reflektierenden Metallschicht 142 und der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs erforderlich, eine Wärmebehandlung bei einer hohen Temperatur von 700°C oder mehr durchzuführen. Infolgedessen kann ein Problem einer Beschädigung der lichtemittierenden Struktur 110 aufgrund der Wärme bestehen. Bei beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung bildet jedoch die zweite reflektierende Metallschicht 142 einen Schottky-Übergang mit der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs anstatt eines ohmschen Kontaktes, solange die zweite reflektierende Metallschicht 142 Lichtreflexionscharakteristiken aufweist. Infolgedessen können die beispielhaften Ausführungsformen eine Wärmebehandlung in Bezug auf die erste reflektierende Metallschicht 142 weglassen, während eine Reflexion des Lichtes durch die zweite Elektrode 140 maximiert wird, wenn das Licht in der lichtemittierenden Struktur 110 erzeugt wird. Das heißt, verglichen zu der Struktur, bei der die zweite reflektierende Metallschicht 142 weggelassen wird, kann eine effektive Fläche der zweiten Elektrode 140, die zum Reflektieren von Licht fähig ist, vergrößert werden, wobei dadurch die Lichtextraktionseffizienz verbessert wird.
  • Der dritte Bereich 113c kann eine kleinere Fläche als der zweite Bereich 113b aufweisen. Da der dritte Bereich 113c, der einen Schottky-Übergang mit der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs bildet, eine kleine Fläche aufweist, kann folglich ein Gesamtwiderstand der Lumineszenzdiode verringert werden, wobei ferner eine Vorwärtsspannung (Vf) reduziert wird.
  • Bei der Struktur, bei der die stromsperrende Schicht 130 einen verteilten Bragg-Reflektor (DBR) aufweist, kann die stromsperrende Schicht 130 Licht in einem breiten Wellenlängenband reflektieren. Wenn die aktive Schicht 112 Licht, wie beispielsweise nahes UV-Licht, emittiert, kann das Licht insbesondere durch den verteilten Bragg-Reflektor (DBR) reflektiert werden, wobei dadurch die Lichtextraktionseffizienz verbessert wird. Andererseits reflektiert die zweite reflektierende Metallschicht 142, die unter der stromsperrenden Schicht 130 angeordnet ist, Licht, das durch die stromsperrende Schicht 130 hindurch geht, wobei dadurch die Lichtextraktionseffizienz verbessert wird. Bei der Struktur, bei der die stromsperrende Schicht 130 der verteilte Bragg-Reflektor (DBR) ist, können insbesondere die zweite reflektierende Metallschicht 142 und die stromsperrende Schicht 130 Licht in einem im Wesentlichen gesamten Wellenlängenband reflektieren, das von der aktiven Schicht 112 emittiert wird. Wenn ein von der aktiven Schicht 112 emittiertes Licht nahes UV-Licht ist, ist es beispielsweise möglich, ein hohes Reflexionsvermögen durch die stromsperrende Schicht 130 und die zweite reflektierende Metallschicht 142 beizubehalten. Des Weiteren kann eine Kombination aus der zweiten reflektierenden Metallschicht 142 und der stromsperrenden Schicht 130 ein hohes Reflexionsvermögen in Bezug auf Licht beibehalten, das in die stromsperrende Schicht 130 in verschiedenen Einfallswinkeln eintritt.
  • Die Bindefestigkeit zwischen der zweiten reflektierenden Metallschicht 142 und der stromsperrenden Schicht 130 kann größer als die Bindefestigkeit zwischen der ersten reflektierenden Metallschicht 141 und der stromsperrenden Schicht 130 sein. Insbesondere kann bei der Struktur, bei der die erste reflektierende Metallschicht 141 Ag enthält und die zweite reflektierende Metallschicht 142 Al enthält, eine Bindefestigkeit zwischen Al der zweiten reflektierenden Metallschicht 142 und der stromsperrenden Schicht 130 größer als zwischen Ag der ersten reflektierenden Metallschicht 141 und der stromsperrenden Schicht 130 sein. Ein Abschnitt der zweiten reflektierenden Metallschicht 142 kann die Unterseite und die Seitenflächen der stromsperrenden Schicht 130 bedecken. Bei dieser Struktur kann das durch die Unterseite und die Seitenflächen der stromsperrenden Schicht 130 hindurch gehende Licht durch die zweite reflektierende Metallschicht 142 reflektiert werden. Da die stromsperrende Schicht 130 an die zweite reflektierende Metallschicht 142 anstatt der ersten reflektierenden Metallschicht 141 angrenzt, die eine geringe Bindefestigkeit in Bezug auf die stromsperrende Schicht 130 aufweist, weist die Lumineszenzdiode des Weiteren eine verbesserte Zuverlässigkeit durch Lösen des Problems der Delamination der zweiten Elektrode 140 von der stromsperrenden Schicht 130 auf.
  • Die zweite reflektierende Metallschicht 142 kann durch Elektronenstrahlverdampfung, Vakuumbedampfung, Zerstäubung oder metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) ausgebildet werden.
  • Die Sperrmetallschicht 143 kann auf der Unterseite der zweiten reflektierenden Metallschicht 142 platziert werden. Die Sperrmetallschicht 143 kann von der ersten reflektierenden Metallschicht 141 und der stromsperrenden Schicht 130 durch die zweite reflektierende Metallschicht 142 beabstandet werden. Bei einer Struktur, bei der die Sperrmetallschicht 143 an die stromsperrende Schicht 130 angrenzt, kann Licht, das durch die stromsperrende Schicht 130 hindurch geht, in der Sperrmetallschicht 143 absorbiert werden. Da die zweite reflektierende Metallschicht 142, die ein höheres Reflexionsvermögen als die Sperrmetallschicht 143 aufweist, zwischen der stromsperrenden Schicht 130 und der Sperrmetallschicht 143 angeordnet wird, ist es jedoch möglich, einen durch Absorption von Licht durch die Sperrmetallschicht 143 verursachten Lichtverlust zu verhindern.
  • Die Sperrmetallschicht 143 dient zum Verhindern einer Diffusion von Ag der ersten reflektierenden Metallschicht 141 zu der Außenseite der ersten reflektierenden Metallschicht. Die Sperrmetallschicht 143 kann aus Ni, Cr, Ti, Pt, Au oder Kombinationen derselben gebildet werden. In Bezug auf 3 kann die Sperremetallschicht 143 beispielsweise eine Struktur enthalten, bei der eine Ni-Schicht 143a und eine Ti-Schicht 143b wiederholt übereinander gestapelt werden. Da die Sperrmetallschicht 143, insbesondere die Ni-Schicht 143a, ein hohes Reflexionsvermögen in Bezug auf von der aktiven Schicht 112 emittiertes Licht aufweist, besteht eine Notwendigkeit zu verhindern, dass Licht, das von der aktiven Schicht 112 emittiert wird, in die Ni-Schicht 143a gelangt. Zu diesem Zweck wird nach beispielhaften Ausführungsformen die zweite reflektierende Metallschicht 142 zwischen der stromsperrenden Schicht 130 und der Sperrmetallschicht 143 angeordnet, während dieselbe an die Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, um einen direkten Kontakt zwischen der Ni-Schicht 143a und der Halbleiterschicht 113 des zweiten leitfähigen Typs zu verhindern. Die Sperrmetallschicht 143 kann durch Elektronenstrahlverdampfung, Vakuumbedampfung, Zerstäubung oder metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) ausgebildet werden.
  • Die Lumineszenzdiode nach dieser beispielhaften Ausführungsform kann ferner die Isolierschicht 170 enthalten. Die Isolierschicht 170 kann auf einer Oberseite und Seitenflächen der lichtemittierenden Struktur 110 angeordnet werden. Die Isolierschicht 170 dient zum Schützen der lichtemittierenden Struktur 110 vor einer Einwirkung und Verunreinigungen von außen. Die Isolierschicht 170 kann zumindest eine Öffnung 170a enthalten, die die erste Elektrode 120 freilegt. Die erste Elektrode 120 kann durch die Öffnung 170a freiliegend sein, um mit einem Draht und dergleichen verbunden zu werden. Die Isolierschicht 170 kann SiOx oder SiNx enthalten, ohne darauf beschränkt zu sein. Die Isolierschicht 170 kann aus dem gleichen Material wie die stromsperrende Schicht 130 ausgebildet werden.
  • Die Lumineszenzdiode nach dieser beispielhaften Ausführungsform kann ferner das Substrat 160 enthalten. Das Substrat 160 kann auf einer Unterseite der Sperrmetallschicht 143 angeordnet werden. Das Substrat 160 kann zum Schützen der Sperrmetallschicht 143 dienen. Zudem kann das Substrat 160 zum Halten der lichtemittierenden Struktur 110 bei Trennung eines Substrates (nicht gezeigt) von der lichtemittierenden Struktur 110 dienen. Das Substrat 160 kann ein leitendes Metall, wie beispielsweise Cu, enthalten. In Bezug auf 2 kann das Substrat 160 auf der Unterseite der Sperrmetallschicht 143 über ein Bondingmaterial 150 angeordnet werden. Das Bondingmaterial 150 kann beispielsweise Bondmetalle, wie beispielsweise AuSn, enthalten.
  • In Bezug auf 4 weist die Lumineszenzdiode nach der vorliegenden Erfindung bessere Eigenschaften hinsichtlich der Vorwärtsspannung Vf und der Ausgangsleistung als eine typische Lumineszenzdiode auf. Insbesondere wurde die Lumineszenzdiode nach der vorliegenden Erfindung als ein Erfindungsbeispiel verwendet und eine typische Lumineszenzdiode mit der gleichen Struktur wie die Lumineszenzdiode nach der vorliegenden Erfindung mit Ausnahme der zweiten reflektierenden Metallschicht 142 als ein Vergleichsbeispiel verwendet. Beide Lumineszenzdioden hatte eine Größe von 1.000 μm × 1.000 μm, die erste reflektierende Metallschicht 141 bestand aus Ni/Ag/Ni/Ti-Schichten (3 Å/2.000 Å/200 Å/3000 Å), die stromsperrende Schicht 130 bestand aus SiO2 (8.000 Å), die Sperrmetallschicht 143 bestand aus Ti/Ni-Schichten (14 Schichten, 1,4 μm) und Au (50 Å) und die zweite reflektierende Metallschicht 142 der Lumineszenzdiode des Erfindungsbeispiels bestand aus Al (2.000 Å).
  • Da die Lumineszenzdiode des Erfindungsbeispiels eine Vorwärtsspannung von 3,041 V aufwies und die Lumineszenzdiode des Vergleichsbeispiels eine Vorwärtsspannung von 3,104 V aufwies, kann in Bezug auf 4(a) erkannt werden, dass die Lumineszenzdiode nach der vorliegenden Erfindung eine reduzierte Vorwärtsspannung aufweist. Da die Lumineszenzdiode des Erfindungsbeispiels eine Ausgangsleistung von 621,6 mW aufwies und da die Lumineszenzdiode des Vergleichsbeispiels eine Ausgangsleistung von 615,7 mW aufwies, kann in Bezug auf 4(b) erkannt werden, dass die Lumineszenzdiode nach der vorliegenden Erfindung eine erhöhte Ausgangsleistung aufweist. Dieses Ergebnis zeigt, dass die zweite reflektierende Metallschicht 142 zum Verbessern der Lichtextraktionseffizienz der Lumineszenzdiode dienen kann.
  • Andererseits wurden die Vorwärtsspannung Vf und die Lichtausbeute mit der auf 15 μm festgelegten Breite des oberen Fortsatzes 122 gemessen, während die Breite der stromsperrenden Schicht 130 in 23 μm, 30 μm, 50 μm und 70 μm geändert wurde. In Bezug auf einen Wert, der durch Einstellen der Breite der stromsperrenden Schicht auf 23 μm erhalten wird, nahm mit zunehmender Breite der stromsperrenden Schicht 130 die Lichtausbeute zu und die Vorwärtsspannung stieg leicht an. Wenn die stromsperrende Schicht 130 eine Breite von 50 μm aufwies, stieg insbesondere die Vorwärtsspannung Vf um weniger als 1% geringfügig an und die Lichtausbeute nahm um ca. 3,2% erheblich zu.
  • 5 ist eine Schnittansicht einer Lumineszenzdiode nach einer anderen beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Lumineszenzdiode der 5 ähnelt der in Bezug auf die 1 bis 3 beschriebenen Lumineszenzdiode mit der Ausnahme, dass eine Oberseite der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs eine raue Oberfläche R enthält. Die raue Oberfläche R dient zum Verhindern, dass in der lichtemittierenden Struktur 110 erzeugtes Licht zurück zur Innenseite der Lumineszenzdiode durch Reflexion durch die Oberseite der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs zurückkehrt, wobei dadurch die Lichtextraktionseffizienz der Lumineszenzdiode verbessert wird. Insbesondere kann ein Abschnitt der Oberseite der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs, der nicht an die erste Elektrode 120 angrenzt, die raue Oberfläche R enthalten. Bei einer Struktur, bei der ein Abschnitt der Oberseite der lichtemittierenden Struktur 110 mit der darauf angeordneten ersten Elektrode 120, das heißt, ein Abschnitt der Oberseite der Halbleiterschicht 111 des ersten leitfähigen Typs, der an die Unterseite der ersten Elektrode 120 angrenzt, die raue Oberfläche R enthält, kann das Material der ersten Elektrode 120 zu einem übermäßig tiefen Abschnitt in der lichtemittierenden Struktur 110 entlang der rauen Oberfläche R diffundiert werden. Infolgedessen kann die Lumineszenzdiode eine reduzierte interne Quantenausbeute aufweisen, wobei dadurch die Zuverlässigkeit der Lumineszenzdiode herabgesetzt wird.
  • 6 ist eine Schnittansicht einer Lumineszenzdiode nach einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Lumineszenzdiode der 6 ähnelt der in Bezug auf die 1 bis 3 beschriebenen Lumineszenzdiode mit der Ausnahme, dass Seitenflächen der zweiten reflektierenden Metallschicht 142 über die Seitenflächen der lichtemittierenden Struktur 110 hinaus hervorstehen. Insbesondere kann die zweite reflektierende Metallschicht 142 einen Vorsprung P enthalten, der über die Seitenflächen der lichtemittierenden Struktur 110 hinaus hervorsteht. Eine Oberseite der zweiten reflektierenden Metallschicht 142 kann eine breitere Fläche als die Unterseite der lichtemittierenden Struktur 110 aufweisen. Bei dieser Struktur kann ein Teil des durch die Seitenflächen der lichtemittierenden Struktur 110 emittierten Lichts in Richtung eines oberen Abschnitts der Lumineszenzdiode durch die zweite reflektierende Metallschicht 142 reflektiert werden. Folglich können die Lumineszenzdioden eine verbesserte Lichtextraktionseffizienz aufweisen.
  • In Bezug auf 6 kann ein Abschnitt der stromsperrenden Schicht 130 auf einer Oberseite des Vorsprungs P platziert werden. Mit dieser Struktur kann die Oberseite des Vorsprungs P vor einer Einwirkung und Verunreinigungen von außen geschützt werden. Zudem kann die Isolierschicht 170 an die stromsperrende Schicht 130 angrenzen. Insbesondere kann ein Abschnitt der Isolierschicht 170 an die stromsperrende Schicht 130 angrenzen, die auf der Oberseite des Vorsprungs P angeordnet ist. Bei dieser Struktur kann ein Abstand von einer Seitenfläche der Isolierschicht 170 oder einer Seitenfläche der stromsperrenden Schicht 130 zu der lichtemittierenden Struktur 110 vergrößert werden, wobei dadurch ein Eintritt von Verunreinigungen von außen in die Lumineszenzdiode verhindert wird, während die lichtemittierende Struktur 110 vor einer Einwirkung von außen effektiver geschützt wird. Die Isolierschicht 170 und die stromsperrende Schicht 130 können aus dem gleichen Material ausgebildet werden. Wenn die stromsperrende Schicht 130 beispielsweise aus SiO2 ausgebildet wird, kann die Isolierschicht 170 auch aus SiO2 ausgebildet werden. Bei dieser Struktur kann eine hohe Bindefestigkeit zwischen der Isolierschicht 170 und der stromsperrenden Schicht 130 erzeugt werden, wobei dadurch eine Delamination der Isolierschicht 170 oder der stromsperrenden Schicht 130 verhindert wird, während ein Eintritt von Verunreinigungen von außen in die Lumineszenzdiode effektiver verhindert wird.
  • 7 ist eine auseinandergezogene Perspektivansicht einer Ausführungsform einer Beleuchtungsvorrichtung, auf die eine Lumineszenzdiode nach einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung angewandt wird.
  • In Bezug auf 7 enthält die Beleuchtungsvorrichtung nach dieser Ausführungsform eine Diffusionsabdeckung 1010, ein Lumineszenzdiodenmodul 1020 und einen Körper 1030. Der Körper 1030 kann das Lumineszenzdiodenmodul 1020 aufnehmen und die Diffusionsabdeckung 1010 kann auf dem Körper 1030 angeordnet werden, um eine obere Seite des Lumineszenzdiodenmoduls 1020 zu bedecken.
  • Der Körper 1030 kann jede Gestalt aufweisen, solange der Körper elektrische Leistung an das Lumineszenzdiodenmodul 1020 anlegen kann, während derselbe das Lumineszenzdiodenmodul 1020 aufnimmt und lagert. Wie in der Zeichnung gezeigt, kann der Körper 1030 beispielsweise ein Körpergehäuse 1031, eine Leistungsversorgung 1033, ein Leistungsversorgungsgehäuse 1035 und einen Leistungsquellen-Verbindungsabschnitt 1037 enthalten.
  • Die Leistungsversorgung 1033 wird in dem Leistungsversorgungsgehäuse 1035 aufgenommen, um mit dem Lumineszenzdiodenmodul 1020 elektrisch verbunden zu werden, und kann zumindest einen IC-Chip enthalten. Der IC-Chip kann elektrische Leistung regulieren, ändern oder steuern, die an das Lumineszenzdiodenmodul 1020 angelegt wird. Das Leistungsversorgungsgehäuse 1035 kann die Leistungsversorgung 1033 aufnehmen und lagern. Das Leistungsversorgungsgehäuse 1035, das die in demselben befestigte Leistungsversorgung 1033 aufweist, kann innerhalb des Körpergehäuses 1031 angeordnet werden. Der Leistungsquellen-Verbindungsabschnitt 1037 ist an einem unteren Ende des Leistungsversorgungsgehäuses 1035 angeordnet und mit demselben verbunden. Folglich wird der Leistungsquellen-Verbindungsabschnitt 1037 mit der Leistungsversorgung 1033 innerhalb des Leistungsversorgungsgehäuses 1035 elektrisch verbunden und kann als ein Durchgang dienen, durch den Leistung von einer externen Leistungsquelle an die Leistungsversorgung 1033 angelegt werden kann.
  • Das Lumineszenzdiodenmodul 1020 enthält ein Substrat 1023 und eine Lumineszenzdiode 1021, die auf dem Substrat 1023 angeordnet ist. Das Lumineszenzdiodenmodul 1020 kann an einem oberen Abschnitt des Körpergehäuses 1031 angeordnet und mit der Leistungsversorgung 1033 elektrisch verbunden werden.
  • Als das Substrat 1023 kann jedes Substrat, das zum Lagern der Lumineszenzdiode 1021 fähig ist, ohne Beschränkung verwendet werden. Beispielsweise kann das Substrat 1023 eine Leiterplatte enthalten, die auf derselben ausgebildete Verbindungen aufweist. Das Substrat 1023 kann eine Gestalt aufweisen, die einem Befestigungsabschnitt entspricht, der an dem oberen Abschnitt des Körpergehäuses 1031 ausgebildet ist, um an dem Körpergehäuse 1031 stabil befestigt zu werden. Die Lumineszenzdiode 1021 kann zumindest eine Lumineszenzdiode der Lumineszenzdioden nach den Ausführungsformen enthalten, die oben beschrieben wurden.
  • Die Diffusionsabdeckung 1010 wird auf der Lumineszenzdiode 1021 angeordnet und kann an dem Körpergehäuse 1031 befestigt werden, um die Lumineszenzdiode 1021 zu bedecken. Die Diffusionsabdeckung 1010 kann aus einem lichtdurchlässigen Material ausgebildet werden und eine Lichtorientierung der Beleuchtungsvorrichtung kann durch Regulierung der Gestalt und des optischen Durchlassvermögens der Diffusionsabdeckung 1010 eingestellt werden. An sich kann die Diffusionsabdeckung 1010 in verschiedene Gestalten abhängig von einer Verwendung und Anwendungen der Beleuchtungsvorrichtung modifiziert werden.
  • 8 ist eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines Displays, auf das eine Lumineszenzdiode nach einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung angewandt wird.
  • Das Display nach dieser Ausführungsform enthält ein Anzeigefeld 2110, eine Hintergrundbeleuchtungseinheit BLU1, die das Anzeigefeld 2110 mit Licht versorgt, und eine Feld-Führung 2100, die eine untere Kante des Anzeigefelds 2110 lagert.
  • Das Anzeigefeld 2110 ist nicht besonders beschränkt und kann beispielsweise ein Flüssigkristallfeld sein, das eine Flüssigkristallschicht enthält. Gate-Treiber-PCBs können ferner an der Kante des Anzeigefelds 2110 angeordnet werden, um Treibersignale an eine Gateleitung anzulegen. Hier können die Gate-Treiber-PCBs 2112 und 2113 auf einem Dünnschichttransistor-Substrat ausgebildet werden anstatt auf separaten PCBs ausgebildet zu werden.
  • Die Hintergrundbeleuchtungseinheit BLU1 enthält ein Lichtquellenmodul, das zumindest ein Substrat 2150 enthält, und eine Vielzahl von Lumineszenzdioden 2160. Die Hintergrundbeleuchtungseinheit BLU1 kann ferner eine Unterseitenabdeckung 2180, eine reflektierende Folie 2170, eine Diffusionsplatte 2131 und optische Folien 2130 enthalten.
  • Die Unterseitenabdeckung 2180 kann an einer oberen Seite derselben offen sein, um das Substrat 2150, die Lumineszenzdioden 2160, die reflektierende Folie 2170, die Diffusionsplatte 2131 und die optischen Folien 2130 aufzunehmen. Zudem kann die Unterseitenabdeckung 2180 mit der Feld-Führung 2100 verbunden sein. Das Substrat 2150 kann unter der reflektierenden Folie 2170 angeordnet werden, um durch die reflektierende Folie 2170 umgeben zu werden. Alternativ kann das Substrat 2150, wenn ein reflektierendes Material auf eine Oberfläche desselben aufgetragen wird, auf der reflektierenden Folie 2170 angeordnet werden. Ferner können eine Vielzahl von Substraten 2150 parallel zueinander angeordnet werden. Es sollte jedoch klar sein, dass andere Implementierungen auch möglich sind und das Lichtquellenmodul ein einzelnes Substrat enthalten kann.
  • Die Lumineszenzdioden 2160 können zumindest eine Lumineszenzdiode der Lumineszenzdioden nach den Ausführungsformen enthalten, die oben beschrieben wurden. Die Lumineszenzdioden 2160 können in einem vorbestimmten Muster auf dem Substrat 2150 regelmäßig angeordnet werden. Zudem ist eine Linse 2210 auf jeder Lumineszenzdiode 2160 angeordnet, um eine Gleichmäßigkeit des von der Vielzahl von Lumineszenzdioden 2160 emittierten Lichts zu verbessern.
  • Die Diffusionsplatte 2131 und die optischen Folien 2130 sind auf den lichtemittierenden Vorrichtungen 2160 angeordnet. Das von den lichtemittierenden Vorrichtungen 2160 emittierte Licht kann dem Anzeigefeld 2110 durch die Diffusionsplatte 2131 und die optischen Folien 2130 in Form von flächigem Licht zugeführt werden.
  • Auf diese Weise können die Lumineszenzdioden nach den Ausführungsformen auf Displays vom direkten Typ, wie das Display nach dieser Ausführungsform, angewandt werden.
  • 9 ist eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines Displays, auf das eine Lumineszenzdiode nach einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung angewandt wird.
  • Das Display nach dieser Ausführungsform enthält ein Anzeigefeld 3210, auf dem ein Bild angezeigt wird, und eine Hintergrundbeleuchtungseinheit BLU2, die an einer Rückseite des Anzeigefeldes 3210 angeordnet ist und Licht zu demselben emittiert. Ferner enthält das Display einen Rahmen 240, der das Anzeigefeld 3210 lagert und die Hintergrundbeleuchtungseinheit BLU2 aufnimmt, und Abdeckungen 3240, 3280, die das Anzeigefeld 3210 umgeben.
  • Das Anzeigefeld 3210 ist nicht besonders beschränkt und kann beispielsweise ein Flüssigkristallfeld sein, das eine Flüssigkristallschicht enthält. Eine Gate-Treiber-PCB kann ferner an einer Kante des Anzeigefelds 3210 angeordnet werden, um Treibersignale an eine Gateleitung anzulegen. Hier kann die Gate-Treiber-PCB aus einem Dünnschichttransistor-Substrat ausgebildet werden anstatt auf einer separaten PCB ausgebildet zu werden. Das Anzeigefeld 3210 wird durch die Abdeckungen 3240, 3280 befestigt, die an oberen und unteren Seiten desselben angeordnet sind, und die an der unteren Seite des Anzeigefelds 3210 angeordnete Abdeckung 3280 kann mit der Hintergrundbeleuchtungseinheit BLU2 verbunden werden.
  • Die Hintergrundbeleuchtungseinheit BLU2, die das Anzeigefeld 3210 mit Licht versorgt, enthält eine untere Abdeckung 3270, die an einer oberen Seite derselben teilweise offen ist, ein Lichtquellenmodul, das an einer Seite in der unteren Abdeckung 3270 angeordnet ist, und eine Lichtleiterplatte 3250, die parallel zu dem Lichtquellenmodul angeordnet ist und punktförmiges Licht in flächiges Licht umwandelt. Zudem kann die Hintergrundbeleuchtungseinheit BLU2 nach dieser Ausführungsform ferner optische Folien 3230, die auf der Lichtleiterplatte 3250 angeordnet sind, um Licht zu streuen und zu sammeln, und eine reflektierende Folie 3260 enthalten, die an einer unteren Seite der Lichtleiterplatte 3250 angeordnet ist und Licht, das sich in eine Richtung nach unten der Lichtleiterplatte 3250 bewegt, in Richtung des Anzeigefelds 3210 reflektiert.
  • Das Lichtquellenmodul enthält ein Substrat 3220 und eine Vielzahl von Lumineszenzdioden 3110, die in konstanten Abständen auf einer Oberfläche des Substrates 3220 angeordnet sind. Als das Substrat 3220 kann jedes Substrat, das zum Lagern der Lumineszenzdioden 3110 und elektrischen Verbinden mit denselben fähig ist, ohne Beschränkung verwendet werden. Beispielsweise kann das Substrat 3220 eine Leiterplatte enthalten. Die Lumineszenzdioden 3110 können zumindest eine Lumineszenzdiode der Lumineszenzdioden nach den beispielhaften Ausführungsformen enthalten, die oben beschrieben wurden. Licht, das von dem Lichtquellenmodul emittiert wird, gelangt in die Lichtleiterplatte 3250 und wird dem Anzeigefeld 3210 durch die optischen Folien 3230 zugeführt. Die Lichtleiterplatte 3250 und die optischen Folien 3230 wandeln punktförmiges Licht, das von den Lumineszenzdioden 3110 emittiert wird, in flächiges Licht um.
  • Auf diese Weise können die Lumineszenzdioden nach den Ausführungsformen auf Kanten-Displays, wie das Display nach dieser Ausführungsform, angewandt werden.
  • 10 ist eine Schnittansicht einer Ausführungsform eines Scheinwerfers, auf den eine Lumineszenzdiode nach einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung angewandt wird.
  • In Bezug auf 10 enthält der Scheinwerfer nach dieser Ausführungsform einen Leuchtenkörper 4070, ein Substrat 4020, eine Lumineszenzdiode 4010 und eine Abdeckungslinse 4050. Der Scheinwerfer kann ferner eine Wärmeableitungseinheit 4030, ein Lagergestell 4060 und ein Verbindungselement 4040 enthalten.
  • Das Substrat 4020 wird durch das Lagergestellt 4060 befestigt und über dem Leuchtenkörper 4070 angeordnet. Als das Substrat 4020 kann jedes Element, das zum Lagern der Lumineszenzdiode 4010 fähig ist, ohne Beschränkung verwendet werden. Beispielsweise kann das Substrat 4020 ein Substrat mit einem Leiterbild, wie beispielsweise eine Leiterplatte, enthalten. Die Lumineszenzdiode 4010 wird auf dem Substrat 4020 angeordnet und kann durch das Substrat 4020 gelagert und befestigt werden. Zudem kann die Lumineszenzdiode 4010 mit einer externen Leistungsquelle durch das Leiterbild des Substrates 4020 elektrisch verbunden werden. Ferner kann die Lumineszenzdiode 4010 zumindest eine Lumineszenzdiode der Lumineszenzdioden nach den beispielhaften Ausführungsformen enthalten, die oben beschrieben wurden.
  • Die Abdeckungslinse 4050 wird auf einem Weg des Lichtes angeordnet, das von der Lumineszenzdiode 4010 emittiert wird. Wie in der Zeichnung gezeigt, kann die Abdeckungslinse 4050 beispielsweise von der Lumineszenzdiode 4010 durch das Verbindungselement 4040 beabstandet werden und in einer Richtung zum Zuführen des Lichts angeordnet werden, das von der Lumineszenzdiode 4010 emittiert wird. Durch die Abdeckungslinse 4050 kann ein Orientierungswinkel und/oder eine Farbe des durch den Scheinwerfer emittierten Lichts eingestellt werden. Andererseits wird das Verbindungselement 4040 zum Befestigen der Abdeckungslinse 4050 an dem Substrat 4020 angeordnet, während dasselbe die Lumineszenzdiode 4010 umgibt, und kann folglich als Lichtleiter fungieren, der einen Leuchtweg 4045 bereitstellt. Das Verbindungselement 4040 kann aus einem lichtreflektierenden Material gebildet oder mit demselben beschichtet werden. Andererseits kann die Wärmeableitungseinheit 4030 Wärmeableitungsrippen 4031 und/oder ein Wärmeableitungsgebläse 4033 enthalten und leitet wärme ab, die bei Betätigung der Lumineszenzdiode 4010 erzeugt wird.
  • Auf diese Weise können die Lumineszenzdioden nach der beispielhaften Ausführungsform auf Scheinwerfer, insbesondere Scheinwerfer für Fahrzeuge, wie der Scheinwerfer nach dieser Ausführungsform, angewandt werden.

Claims (18)

  1. Lumineszenzdiode, aufweisend: eine lichtemittierende Struktur mit einer Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs, einer aktiven Schicht, die auf einer Oberseite der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angeordnet ist, und einer Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs, die auf einer Oberseite der aktiven Schicht angeordnet ist; zumindest eine erste Elektrode, die mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; eine stromsperrende Schicht, die auf einer Unterseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist; und eine zweite Elektrode, die mit der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist, wobei die zweite Elektrode Folgendes aufweist: eine erste reflektierende Metallschicht, die an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt; und eine zweite reflektierende Metallschicht, die eine Unterseite der stromsperrenden Schicht und eine Unterseite der ersten reflektierenden Metallschicht bedeckt, während dieselbe an einen Abschnitt der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, und wobei ein Kontaktwiderstand zwischen der zweiten reflektierenden Metallschicht und der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs höher als ein Kontaktwiderstand zwischen der ersten reflektierenden Metallschicht und der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs ist.
  2. Lumineszenzdiode nach Anspruch 1, wobei die erste reflektierende Metallschicht von der stromsperrenden Schicht beabstandet ist.
  3. Lumineszenzdiode nach Anspruch 1, wobei die zweite reflektierende Metallschicht eine Al-Schicht aufweist, wobei die Al-Schicht an die stromsperrende Schicht, die erste reflektierende Metallschicht und die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt.
  4. Lumineszenzdiode nach Anspruch 3, ferner aufweisend: eine Sperrmetallschicht, die auf einer Unterseite der zweiten reflektierenden Metallschicht angeordnet ist, wobei die Sperrmetallschicht Ni aufweist.
  5. Lumineszenzdiode nach Anspruch 3, wobei die stromsperrende Schicht einen ersten Bereich aufweist, der an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, die erste reflektierende Metallschicht einen zweiten Bereich aufweist, der an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, und die zweite reflektierende Metallschicht einen dritten Bereich aufweist, der an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt, wobei der erste Bereich, der zweite Bereich und der dritte Bereich unterschiedliche elektrische Übergangscharakteristiken aufweisen.
  6. Lumineszenzdiode nach Anspruch 5, wobei der dritte Bereich und die zweite reflektierende Metallschicht einen Schottky-Übergang zwischen denselben bilden.
  7. Lumineszenzdiode nach Anspruch 6, wobei der dritte Bereich eine kleinere Fläche als der zweite Bereich aufweist.
  8. Lumineszenzdiode nach Anspruch 1, wobei ein Abschnitt der zweiten reflektierenden Metallschicht eine Seitenfläche der stromsperrenden Schicht bedeckt.
  9. Lumineszenzdiode nach Anspruch 8, wobei die Seitenfläche der stromsperrenden Schicht eine schräge Oberfläche aufweist
  10. Lumineszenzdiode nach Anspruch 1, wobei die zweite reflektierende Metallschicht einen Vorsprung aufweist, der über eine Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur hinaus hervorsteht.
  11. Lumineszenzdiode nach Anspruch 10, ferner aufweisend: eine Isolierschicht, die auf einer Oberseite und einer Seitenfläche der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist.
  12. Lumineszenzdiode nach Anspruch 11, wobei ein Abschnitt der stromsperrenden Schicht auf einer Oberseite des Vorsprungs platziert wird.
  13. Lumineszenzdiode nach Anspruch 12, wobei die Isolierschicht und die stromsperrende Schicht aneinander angrenzen.
  14. Lumineszenzdiode nach Anspruch 13, wobei die Isolierschicht und die stromsperrende Schicht aus dem gleichen Material gebildet sind.
  15. Lumineszenzdiode nach Anspruch 1, wobei die erste Elektrode ein Elektrodenpad und einen oberen Fortsatz aufweist, wobei der obere Fortsatz einen Bereich aufweist, der die stromsperrende Schicht überlappt, wobei die stromsperrende Schicht eine größere Breite als der obere Fortsatz aufweist, so dass Abschnitte der stromsperrenden Schicht über beide Seiten des oberen Fortsatzes hinaus in einer Breitenrichtung in einer Ansicht platziert werden, die den oberen Fortsatz zeigt, der die stromsperrende Schicht überlappt, und wobei die Abschnitte der stromsperrenden Schicht, die über beide Seiten des oberen Fortsatzes hinaus in Breitenrichtung platziert sind, jeweils die gleiche Breite wie der obere Fortsatz oder eine größere Breite als derselbe aufweisen.
  16. Lumineszenzdiode, aufweisend: eine lichtemittierende Struktur mit einer Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs, einer aktiven Schicht, die auf einer Oberseite der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angeordnet ist, und einer Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs, die auf einer Oberseite der aktiven Schicht angeordnet ist; zumindest eine erste Elektrode, die auf einer Oberseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist und mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; eine stromsperrende Schicht, die auf einer Unterseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist; und eine zweite Elektrode, die auf einer Unterseite der lichtemittierenden Struktur angeordnet ist und mit der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist, wobei die zweite Elektrode Folgendes aufweist: eine erste reflektierende Metallschicht, die an die Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs angrenzt; und eine zweite reflektierende Metallschicht, die eine Unterseite der stromsperrenden Schicht und eine Unterseite der ersten reflektierenden Metallschicht bedeckt, und wobei eine Bindefestigkeit zwischen der stromsperrenden Schicht und der zweiten reflektierenden Metallschicht größer als eine Bindefestigkeit zwischen der stromsperrenden Schicht und der ersten reflektierenden Metallschicht ist.
  17. Lumineszenzdiode nach Anspruch 16, wobei die zweite reflektierende Metallschicht Al aufweist.
  18. Lumineszenzdiode nach Anspruch 16, wobei ein Abschnitt der zweiten reflektierenden Metallschicht eine Seitenfläche der stromsperrenden Schicht bedeckt und die stromsperrende Schicht von der ersten reflektierenden Metallschicht trennt.
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