DE112016001966B4 - Optoelektronische Anordnung - Google Patents

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Abstract

Optoelektronische Anordnung (100)mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (110), einem wellenlängenkonvertierenden Element (120) und einem Detektorbauteil (140),wobei der optoelektronische Halbleiterchip (110) ausgebildet ist, Licht (300) mit einer ersten Peak-Wellenlänge (330) zu emittieren,wobei das wellenlängenkonvertierende Element (120) ausgebildet ist, von dem optoelektronischen Halbleiterchip (110) emittiertes Licht (300) in Licht (400) mit einer zweiten Peak-Wellenlänge (430) zu konvertieren,wobei das von dem optoelektronischen Halbleiterchip (110) emittierbare Licht (300) bei einer Wellenlänge (210), bei der das von dem optoelektronischen Halbleiterchip (110) emittierbare Licht (300) und das von dem wellenlängenkonvertierenden Element (120) erzeugbare Licht (400) dieselbe Intensität (220) aufweisen, höchstens 10% der Intensität (340) bei der ersten Peak-Wellenlänge (330) aufweist, wobei die optoelektronische Anordnung (100) ausgebildet ist, Licht (300) mit der ersten Peak-Wellenlänge (330) und Licht (400) mit der zweiten Peak-Wellenlänge (430) abzustrahlen,wobei die erste Peak-Wellenlänge (330) im sichtbaren Spektralbereich und die zweite Peak-Wellenlänge (430) im nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt oder die erste Peak-Wellenlänge (330) im nicht-sichtbaren Spektralbereich und die zweite Peak-Wellenlänge (430) im sichtbaren Spektralbereich liegt,wobei die optoelektronische Anordnung (100) dazu vorgesehen ist, das Licht (300, 400), dessen Peak-Wellenlänge (330, 430) im nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, in einen Zielbereich abzustrahlen,wobei das Detektorbauteil (140) ausgebildet ist, aus dem Zielbereich zurückgestreutes Licht (300, 400), dessen Peak-Wellenlänge (330, 430) im nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, zu detektieren.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine optoelektronische Anordnung gemäß Patentanspruch 1.
  • Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung DE 10 2015 106 635 A1 , deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Bezugnahme aufgenommen wird.
  • Aus dem Stand der Technik sind Sensoranordnungen bekannt, die dazu ausgebildet sind, nicht-sichtbares Licht auszusenden und von zu untersuchenden Objekten rückgestreute Anteile des Lichts zu detektieren, um Informationen über diese Objekte zu gewinnen. Die Verwendung nicht-sichtbaren Lichts erschwert es dabei, das ausgesendete Licht auf die zu untersuchenden Objekte auszurichten.
  • Die EP 1 857 790 A2 beschreibt eine Vorrichtung mit einer Lichtquelle, die einen Lichtemitter und mindestens eine wellenlängenkonvertierende Schicht aufweist. Die Vorrichtung umfasst außerdem ein wellenlängenselektives Element und einen Lichtdetektor.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine optoelektronische Anordnung bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch eine optoelektronische Anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.
  • Eine optoelektronische Anordnung umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, ein wellenlängenkonvertierendes Element und ein Detektorbauteil. Der optoelektronische Halbleiterchip ist ausgebildet, Licht mit einer ersten Peak-Wellenlänge zu emittieren. Das wellenlängenkonvertierende Element ist ausgebildet, von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht in Licht mit einer zweiten Peak-Wellenlänge zu konvertieren. Die optoelektronische Anordnung ist ausgebildet, Licht mit der ersten Peak-Wellenlänge und Licht mit der zweiten Peak-Wellenlänge abzustrahlen. Entweder liegt die erste Peak-Wellenlänge im sichtbaren Spektralbereich und die zweite Peak-Wellenlänge im nicht-sichtbaren Spektralbereich oder die erste Peak-Wellenlänge liegt im nicht-sichtbaren Spektralbereich und die zweite Peak-Wellenlänge im sichtbaren Spektralbereich. Die optoelektronische Anordnung ist dazu vorgesehen, das Licht, dessen Peak-Wellenlänge im nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, in einen Zielbereich abzustrahlen. Das Detektorbauteil ist ausgebildet, aus dem Zielbereich zurückgestreutes Licht, dessen Peak-Wellenlänge im nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, zu detektieren.
  • Bei dieser optoelektronischen Anordnung kann das ausgesandte Licht mit einer Peak-Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich dazu dienen, das von der optoelektronischen Anordnung abgestrahlte Licht auf einen Zielbereich auszurichten. Dadurch ist die optoelektronische Anordnung einfach handhabbar.
  • Dabei wird das Licht mit einer Peak-Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich und das Licht mit einer Peak-Wellenlänge aus dem nicht-sichtbaren Spektralbereich bei dieser optoelektronischen Anordnung vorteilhafterweise mit nur einem optoelektronischen Halbleiterchip erzeugt, wodurch die optoelektronische Anordnung eine kompakte Bauform aufweisen und sich beispielsweise für eine mobile Anwendung eignen kann. Durch die Erzeugung des sichtbaren und des nicht-sichtbaren Lichts mit nur einem optoelektronischen Halbleiterchip kann die optoelektronische Anordnung vorteilhafterweise eine hohe Systemeffizienz aufweisen. Die Verwendung lediglich eines optoelektronischen Halbleiterchips ermöglicht außerdem vorteilhafterweise eine kostengünstige Herstellung der optoelektronischen Anordnung.
  • In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung liegt die erste Peak-Wellenlänge im sichtbaren Spektralbereich, während die zweite Peak-Wellenlänge im nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt. Dabei ist das Detektorbauteil ausgebildet, Licht mit der zweiten Peak-Wellenlänge zu detektieren. In dieser Ausführungsform ist der optoelektronische Halbleiterchip der optoelektronischen Anordnung somit ausgebildet, Licht mit einer Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich zu erzeugen, beispielsweise blaues, grünes oder rotes Licht.
  • In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung liegt die erste Peak-Wellenlänge im nicht-sichtbaren Spektralbereich, während die zweite Peak-Wellenlänge im sichtbaren Spektralbereich liegt. Dabei ist das Detektorbauteil ausgebildet, Licht mit der ersten Peak-Wellenlänge zu detektieren. In dieser Ausführungsform ist das wellenlängenkonvertierende Element der optoelektronischen Anordnung somit ausgebildet, von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittiertes Licht mit einer Peak-Wellenlänge aus dem nicht-sichtbaren Spektralbereich in sichtbares Licht zu konvertieren, beispielsweise in blaues, grünes oder rotes Licht.
  • In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist der nicht-sichtbare Spektralbereich der infrarote Spektralbereich oder der ultraviolette Spektralbereich. Vorteilhafterweise eignet sich das von der optoelektronischen Anordnung ausgesandte Licht aus dem nicht-sichtbaren Spektralbereich dadurch für eine Untersuchung unterschiedlicher Eigenschaften zu untersuchender Objekte, beispielsweise für eine Untersuchung verschiedener Materialeigenschaften.
  • Das von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierbare Licht weist bei einer Wellenlänge, bei der das von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierbare Licht und das von dem wellenlängenkonvertierenden Element erzeugbare Licht dieselbe Intensität aufweisen, höchstens 10% der Intensität bei der ersten Peak-Wellenlänge auf. Vorteilhafterweise sind die spektralen Verteilungen des von dem optoelektronischen Halbleiterchip emittierten Lichts und des durch das wellenlängenkonvertierende Element erzeugten Lichts dadurch deutlich voneinander getrennt. Dies kann es ermöglichen, parasitäre Effekte zu vermeiden.
  • In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist diese ausgebildet, Licht mit der ersten Peak-Wellenlänge und Licht mit der zweiten Peak-Wellenlänge in dieselbe Raumrichtung abzustrahlen. Vorteilhafterweise ermöglicht das von der optoelektronischen Anordnung ausgesandte Licht mit einer Peak-Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich dadurch eine besonders einfache und genaue Ausrichtung des durch die optoelektronische Anordnung abgestrahlten Lichts mit einer Peak-Wellenlänge aus dem nicht-sichtbaren Spektralbereich auf zu untersuchende Objekte oder einen zu untersuchenden Zielbereich.
  • In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist diese ausgebildet, Licht mit der ersten Peak-Wellenlänge und Licht mit der zweiten Peak-Wellenlänge in unterschiedlich große Raumwinkel abzustrahlen. Dabei kann das Licht mit einer Peak-Wellenlänge aus dem sichtbaren Spektralbereich in einen kleineren oder einen größeren Raumwinkel abgestrahlt werden, als das Licht mit einer Peak-Wellenlänge aus dem nicht-sichtbaren Spektralbereich. Hierdurch wird vorteilhafterweise, je nach Anwendungsfall, eine besonders einfache und/oder besonders präzise Ausrichtung des durch die optoelektronische Anordnung abgestrahlten Lichts auf einen zu untersuchenden Zielbereich oder zu untersuchende Zielobjekte ermöglicht.
  • In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung weist diese ein optisches Element auf, das bei der ersten Peak-Wellenlänge und bei der zweiten Peak-Wellenlänge unterschiedliche Berechnungsindices aufweist. Das optische Element kann dabei beispielsweise eine optische Linse sein, insbesondere beispielsweise eine optische Sammellinse. Durch die unterschiedlichen Brechungsindices des optischen Elements bei der ersten Peak-Wellenlänge und bei der zweiten Peak-Wellenlänge wird Licht aus dem sichtbaren Spektralbereich und Licht aus dem nicht-sichtbaren Spektralbereich durch das optische Element unterschiedlich stark gebrochen, wodurch die beiden Anteile des Lichts beispielsweise durch das optische Element unterschiedlich stark gebündelt werden können.
  • In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung umfasst das Detektorbauteil einen Silicium-Detektor. Dadurch kann sich das Detektorbauteil beispielsweise zur Detektion von Licht mit einer Wellenlänge aus dem infraroten Spektralbereich eignen. Vorteilhafterweise kann das Detektorbauteil dadurch kompakt und kostengünstig ausgebildet sein.
  • In einer Ausführungsform der optoelektronischen Anordnung ist diese ein Infrarotspektrometer oder ein UV-Spektrometer. Dadurch kann die optoelektronische Anordnung beispielsweise zur Untersuchung von Materialeigenschaften zu untersuchender Objekte dienen.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
    • 1 ein Blockschaltbild einer optoelektronischen Anordnung; und
    • 2 ein Spektrumsdiagramm von durch die optoelektronische Anordnung ausgesandtem Licht.
  • 1 zeigt ein stark schematisiertes Blockschaltbild einer optoelektronischen Anordnung 100. Die optoelektronische Anordnung 100 dient zur Sensierung eines Untersuchungsbereichs oder in einem Untersuchungsbereich angeordneter Objekte. Die optoelektronische Anordnung 100 kann beispielsweise als Spektrometer ausgebildet sein, insbesondere beispielsweise als Infrarotspektrometer. Die optoelektronische Anordnung 100 kann als tragbares Gerät ausgebildet und für eine mobile Anwendung vorgesehen sein.
  • Die optoelektronische Anordnung 100 umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip 110. Der optoelektronische Halbleiterchip 110 ist dazu ausgebildet, Licht, also elektromagnetische Strahlung, zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 110 kann beispielsweise als Leuchtdiodenchip (LED-Chip) oder als Laserchip ausgebildet sein.
  • 2 zeigt ein schematisches Spektrumsdiagramm 200. Auf einer horizontalen Achse des Spektrumsdiagramms 200 ist eine Wellenlänge 201 aufgetragen. Auf einer vertikalen Achse des Spektrumsdiagramms 200 ist eine Intensität 202 aufgetragen.
  • Der optoelektronische Halbleiterchip 110 ist dazu ausgebildet, erstes Licht 300 zu emittieren, das eine in 2 dargestellte erste spektrale Verteilung 320 mit einer ersten Peak-Wellenlänge 330 aufweist. Bei der ersten Peak-Wellenlänge 330 weist das erste Licht 300 eine erste Maximalintensität 340 auf.
  • Die in 1 gezeigte optoelektronische Anordnung 100 umfasst ferner ein wellenlängenkonvertierendes Element 120. Das wellenlängenkonvertierende Element 120 ist dazu ausgebildet, einen Teil des durch den optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten ersten Lichts 300 in zweites Licht 400 zu konvertieren. Das zweite Licht 400 weist, wie in 2 dargestellt, eine von der ersten spektralen Verteilung 320 verschiedene zweite spektrale Verteilung 420 mit einer von der ersten Peak-Wellenlänge 330 verschiedenen zweiten Peak-Wellenlänge 430 auf. Bei der zweiten Peak-Wellenlänge 430 besitzt das zweite Licht 400 eine zweite Maximalintensität 440.
  • Das wellenlängenkonvertierende Element 120 kann direkt an dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 angeordnet oder von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 beabstandet sein. Das wellenlängenkonvertierende Element 120 kann beispielsweise als Beschichtung oder als Plättchen ausgebildet sein. Das wellenlängenkonvertierende Element 120 kann beispielsweise ein Matrixmaterial und in das Matrixmaterial eingebettete wellenlängenkonvertierende Partikel aufweisen. In diesem Fall sind die wellenlängenkonvertierenden Partikel des wellenlängenkonvertierenden Elements 120 dazu ausgebildet, einen Teil des durch den optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten ersten Lichts 300 in das zweite Licht 400 zu konvertieren.
  • Im in 2 gezeigten Beispiel ist die zweite Peak-Wellenlänge 430 des zweiten Lichts 400 größer als die erste Peak-Wellenlänge 330 des ersten Lichts 300. Es ist jedoch auch möglich, dass die zweite Peak-Wellenlänge 430 des zweiten Lichts 400 kleiner als die erste Peak-Wellenlänge 330 des ersten Lichts 300 ist. In diesem Fall kann das wellenlängenkonvertierende Element 120 beispielsweise dazu ausgebildet sein, zur Erzeugung eines Lichtquants des zweiten Lichts 400 zwei oder mehr Lichtquanten des ersten Lichts 300 zu absorbieren.
  • Die erste spektrale Verteilung 320 des durch den optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten ersten Lichts 300 ist in vielen Fällen schmalbandiger als die zweite spektrale Verteilung 420 des zweiten Lichts 400.
  • Entweder die erste Peak-Wellenlänge 330 des ersten Lichts 300 oder die zweite Peak-Wellenlänge 430 des zweiten Lichts 400 liegt im sichtbaren Spektralbereich. Die andere Peak-Wellenlänge 430, 330 des anderen Lichts 400, 300 liegt dagegen in einem nicht-sichtbaren Spektralbereich, also in einem anderen als dem obengenannten sichtbaren Spektralbereich. Somit liegt entweder die erste Peak-Wellenlänge 330 im sichtbaren Spektralbereich und die zweite Peak-Wellenlänge 430 in einem nicht-sichtbaren Spektralbereich oder die erste Peak-Wellenlänge 330 in einem nicht-sichtbaren Spektralbereich und die zweite Peak-Wellenlänge 430 im sichtbaren Spektralbereich. Die im sichtbaren Spektralbereich liegende Peak-Wellenlänge 330, 430 kann beispielsweise im blauen, grünen, roten oder hyperroten Spektralbereich liegen. Die in einem nicht-sichtbaren Spektralbereich liegende Peak-Wellenlänge 330, 430 kann beispielsweise im infraroten oder im ultravioletten Spektralbereich liegen.
  • Die optoelektronische Anordnung 100 ist dazu ausgebildet, sowohl den nicht durch das wellenlängenkonvertierende Element 120 konvertierten Teil des durch den optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten ersten Lichts 300 als auch das durch das wellenlängenkonvertierende Element 120 erzeugte zweite Licht 400 nach außen abzustrahlen. Es ist zweckmäßig, dass das erste Licht 300 und das zweite Licht 400 in eine gemeinsame Raumrichtung 135 abgestrahlt werden. Dabei wird das erste Licht 300 in einen ersten Raumwinkel 310 abgestrahlt. Das zweite Licht 400 wird in einen zweiten Raumwinkel 410 abgestrahlt. Der erste Raumwinkel 310 und der zweite Raumwinkel 410 können unterschiedliche Größen aufweisen. Beispielsweise kann der zweite Raumwinkel 410, wie in 1 schematisch dargestellt, größer als der erste Raumwinkel 310 sein. Der erste Raumwinkel 310 kann aber auch größer als der zweite Raumwinkel 410 sein.
  • Die optoelektronische Anordnung 100 kann ein optisches Element 130 umfassen, das dazu ausgebildet ist, die räumliche Verteilung des durch die optoelektronische Anordnung 100 abgestrahlten ersten Lichts 300 und/oder die räumliche Verteilung des durch die optoelektronische Anordnung 100 abgestrahlten zweiten Lichts 400 zu formen. Das optische Element 130 kann beispielsweise eine optische Linse umfassen, insbesondere beispielsweise eine Sammellinse. Das optische Element 130 kann das erste Licht 300 mit der ersten Peak-Wellenlänge 330 und das zweite Licht 400 mit der zweiten Peak-Wellenlänge 430 unterschiedlich abbilden, beispielsweise unterschiedlich stark brechen. Hierzu kann das optische Element 130 beispielsweise unterschiedliche Brechungsindices bei der ersten Peak-Wellenlänge 330 und bei der zweiten Peak-Wellenlänge 430 aufweisen. Das optische Element 130 kann entfallen.
  • Die optoelektronische Anordnung 100 umfasst ferner ein Detektorbauteil 140. Das Detektorbauteil 140 ist dazu vorgesehen, das von der optoelektronischen Anordnung 100 abgestrahlte Licht 300, 400, dessen Peak-Wellenlänge 330, 430 in einem nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, zu detektieren. Falls die erste Peak-Wellenlänge 330 des durch den optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierten ersten Lichts 330 in einem nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, so ist das Detektorbauteil 140 also ausgebildet, das erste Licht 300 mit der ersten Peak-Wellenlänge 330 zu detektieren. Andernfalls ist das Detektorbauteil 140 ausgebildet, das von dem wellenlängenkonvertierenden Element 120 der optoelektronischen Anordnung 100 erzeugte zweite Licht 400, dessen zweite Peak-Wellenlänge 430 in einem nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, zu detektieren.
  • Es ist zweckmäßig, dass das Detektorbauteil 140 der optoelektronischen Anordnung für das von der optoelektronischen Anordnung 100 abgestrahlte Licht 300, 400, dessen Peak-Wellenlänge 330, 430 im sichtbaren Spektralbereich liegt, möglichst unempfindlich ist. Dies kann dadurch unterstützt werden, dass die erste spektrale Verteilung 320 des ersten Lichts 300 und die zweite spektrale Verteilung 420 des zweiten Lichts 400 möglichst vollständig voneinander getrennt sind. Eine ausreichende Trennung der spektralen Verteilungen 320, 420 kann beispielsweise dann erreicht sein, wenn das von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 der optoelektronischen Anordnung 100 emittierte erste Licht 300 bei einer Gleichheitswellenlänge 210, bei der das von dem optoelektronischen Halbleiterchip 110 emittierte erste Licht 300 und das von dem wellenlängenkonvertierenden Element 120 erzeugte zweite Licht 400 jeweils eine übereinstimmende Gleichheitsintensität 220 aufweisen, höchstens 10% der ersten Maximalintensität 340 aufweist. Das erste Licht 300 und das zweite Licht 400 weisen dann somit bei der Gleichheitswellenlänge 210 dieselbe Intensität auf, nämlich die Gleichheitsintensität 220. Die Gleichheitsintensität 220 beträgt dabei höchstens 10% der ersten Maximalintensität 340.
  • Das Detektorbauteil 140 der optoelektronischen Anordnung 100 kann beispielsweise einen Silicium-Detektor 145 umfassen. In diesem Fall kann die Peak-Wellenlänge 330, 430 des von der optoelektronischen Anordnung 100 abgestrahlten Lichts 300, 400, dessen Peak-Wellenlänge 330, 430 in einem nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, beispielsweise im infraroten Spektralbereich liegen.
  • Das von der optoelektronischen Anordnung 100 abgestrahlte Licht 300, 400, dessen Peak-Wellenlänge 330, 430 in einem nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, ist zur Detektion oder Untersuchung eines Zielbereichs oder im Zielbereich angeordneter Objekte vorgesehen. Hierzu muss das von der optoelektronischen Anordnung 100 in die Raumrichtung 135 abgestrahlte Licht 300, 400, dessen Peak-Wellenlänge 330, 430 in einem nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, auf den Zielbereich oder die im Zielbereich angeordneten Zielobjekte gerichtet werden.
  • Von dem Zielbereich oder den im Zielbereich angeordneten Zielobjekten zurückgestreutes Licht 300, 400 wird durch das Detektorbauteil 140 der optoelektronischen Anordnung 100 erfasst und kann Informationen über den Zielbereich oder die Zielobjekte liefern. Die Informationen können sich beispielsweise aus Änderungen der spektralen Verteilung 320, 420 des Lichts 300, 400, dessen Peak-Wellenlänge 330, 430 in einem nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, ergeben, beispielsweise aus durch Absorption bewirkten Änderungen der spektralen Verteilung 320, 420.
  • Das Detektorbauteil 140 ist derart angeordnet, dass aus dem Zielbereich zurückgestreutes Licht 300, 400 auf das Detektorbauteil 140 trifft. Es ist zweckmäßig, das Detektorbauteil 140 so anzuordnen, dass kein oder nur wenig von der optoelektronischen Anordnung 100 abgestrahltes Licht 300, 400 auf direktem Weg, also ohne Rückstreuung aus dem Zielbereich, auf das Detektorbauteil 140 trifft. Dies kann beispielsweise durch ein Vorsehen geeigneter Blenden zwischen dem optoelektronischen Halbleiterchip 110, dem wellenlängenkonvertierenden Element 120 und dem optischen Element 130 auf der einen Seite und dem Detektorbauteil 140 auf der anderen Seite erreicht werden.
  • Das von der optoelektronischen Anordnung 100 abgestrahlte Licht 300, 400, dessen Peak-Wellenlänge 330, 430 im sichtbaren Spektralbereich liegt, erleichtert es, das von der optoelektronischen Anordnung 100 abgestrahlte Licht 300, 400, dessen Peak-Wellenlänge 330, 430 in einem nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, auf den Zielbereich oder die zu untersuchenden Zielobjekte auszurichten. Falls sowohl das erste Licht 300 als auch das zweite Licht 400 in die gleiche Raumrichtung 135 abgestrahlt werden, muss hierfür auch das von der optoelektronischen Anordnung 100 abgestrahlte Licht 300, 400, dessen Peak-Wellenlänge 330, 430 im sichtbaren Spektralbereich liegt, auf den zu untersuchenden Zielbereich oder die zu untersuchenden Zielobjekte gerichtet werden.
  • Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 100
    optoelektronische Anordnung
    110
    optoelektronischer Halbleiterchip
    120
    wellenlängenkonvertierendes Element
    130
    optisches Element
    135
    Raumrichtung
    140
    Detektorbauteil
    145
    Silicium-Detektor
    200
    Spektrumsdiagramm
    201
    Wellenlänge
    202
    Intensität
    210
    Gleichheitswellenlänge
    220
    Gleichheitsintensität
    300
    erstes Licht
    310
    erster Raumwinkel
    320
    erste spektrale Verteilung
    330
    erste Peak-Wellenlänge
    340
    erste Maximalintensität
    400
    zweites Licht
    410
    zweiter Raumwinkel
    420
    zweite spektrale Verteilung
    430
    zweite Peak-Wellenlänge
    440
    zweite Maximalintensität

Claims (9)

  1. Optoelektronische Anordnung (100) mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (110), einem wellenlängenkonvertierenden Element (120) und einem Detektorbauteil (140), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (110) ausgebildet ist, Licht (300) mit einer ersten Peak-Wellenlänge (330) zu emittieren, wobei das wellenlängenkonvertierende Element (120) ausgebildet ist, von dem optoelektronischen Halbleiterchip (110) emittiertes Licht (300) in Licht (400) mit einer zweiten Peak-Wellenlänge (430) zu konvertieren, wobei das von dem optoelektronischen Halbleiterchip (110) emittierbare Licht (300) bei einer Wellenlänge (210), bei der das von dem optoelektronischen Halbleiterchip (110) emittierbare Licht (300) und das von dem wellenlängenkonvertierenden Element (120) erzeugbare Licht (400) dieselbe Intensität (220) aufweisen, höchstens 10% der Intensität (340) bei der ersten Peak-Wellenlänge (330) aufweist, wobei die optoelektronische Anordnung (100) ausgebildet ist, Licht (300) mit der ersten Peak-Wellenlänge (330) und Licht (400) mit der zweiten Peak-Wellenlänge (430) abzustrahlen, wobei die erste Peak-Wellenlänge (330) im sichtbaren Spektralbereich und die zweite Peak-Wellenlänge (430) im nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt oder die erste Peak-Wellenlänge (330) im nicht-sichtbaren Spektralbereich und die zweite Peak-Wellenlänge (430) im sichtbaren Spektralbereich liegt, wobei die optoelektronische Anordnung (100) dazu vorgesehen ist, das Licht (300, 400), dessen Peak-Wellenlänge (330, 430) im nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, in einen Zielbereich abzustrahlen, wobei das Detektorbauteil (140) ausgebildet ist, aus dem Zielbereich zurückgestreutes Licht (300, 400), dessen Peak-Wellenlänge (330, 430) im nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, zu detektieren.
  2. Optoelektronische Anordnung (100) gemäß Anspruch 1, wobei die erste Peak-Wellenlänge (330) im sichtbaren Spektralbereich liegt und die zweite Peak-Wellenlänge (430) im nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt, wobei das Detektorbauteil (140) ausgebildet ist, Licht (400) mit der zweiten Peak-Wellenlänge (430) zu detektieren.
  3. Optoelektronische Anordnung (100) gemäß Anspruch 1, wobei die erste Peak-Wellenlänge (330) im nicht-sichtbaren Spektralbereich liegt und die zweite Peak-Wellenlänge (430) im sichtbaren Spektralbereich liegt, wobei das Detektorbauteil (140) ausgebildet ist, Licht (300) mit der ersten Peak-Wellenlänge (330) zu detektieren.
  4. Optoelektronische Anordnung (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der nicht-sichtbare Spektralbereich der infrarote Spektralbereich oder der ultraviolette Spektralbereich ist.
  5. Optoelektronische Anordnung (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die optoelektronische Anordnung (100) ausgebildet ist, Licht (300) mit der ersten Peak-Wellenlänge (330) und Licht (400) mit der zweiten Peak-Wellenlänge (430) in dieselbe Raumrichtung (135) abzustrahlen.
  6. Optoelektronische Anordnung (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die optoelektronische Anordnung (100) ausgebildet ist, Licht (300) mit der ersten Peak-Wellenlänge (330) und Licht (400) mit der zweiten Peak-Wellenlänge (430) in unterschiedlich große Raumwinkel (310, 410) abzustrahlen.
  7. Optoelektronische Anordnung (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die optoelektronische Anordnung (100) ein optisches Element (130) aufweist, wobei das optische Element (130) bei der ersten Peak-Wellenlänge (330) und bei der zweiten Peak-Wellenlänge (430) unterschiedliche Brechungsindices aufweist.
  8. Optoelektronische Anordnung (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Detektorbauteil (140) einen Silicium-Detektor (145) umfasst.
  9. Optoelektronische Anordnung (100) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die optoelektronische Anordnung (100) ein Infrarotspektrometer oder ein UV-Spektrometer ist.
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