DE112015004819T5 - Filmartige Leiterplatte und Verfahren zur Herstellung derselbigen - Google Patents

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Abstract

Eine filmartige Leiterplatte umfasst: ein Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat, das aus einem Niedriger-Schmelzpunkt-Harz gebildet ist, bei welchem ein Schmelzpunkt 370°C oder weniger beträgt; eine Schaltung, die derart ausgebildet ist, dass eine schaltungsausbildende leitfähige Paste, die auf das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat aufgebracht ist, einem Plasma-Einbrennen ausgesetzt ist; eine Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht, die derart ausgebildet ist, dass eine leitfähige Montagepaste, die auf die Schaltung aufgebracht ist, dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt ist; und eine elektronische Komponente, die über die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht an der Schaltung montiert ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine filmartige (gedruckte) Leiterplatte und ein Verfahren zur Herstellung der filmartigen Leiterplatte.
  • Stand der Technik
  • Eine Leiterplatte („printed circuit board“, PCB) ist ein Gattungsbegriff für Produkte, in jedem von welchen eine elektronische Komponente, eine integrierte Schaltung („integrated circuit“, IC), ein Metalldraht, der diese miteinander verbindet, und dergleichen in einer hohen Dichte an einer Schaltungsplatte („printed wiring board“, PWB) montiert sind, welche eine plattenartige Komponente ist, die aus Harz oder dergleichen hergestellt ist. Bisher ist die Leiterplatte als eine wichtige Komponente eines elektronischen Geräts, wie beispielsweise ein Computer, verwendet worden, und ist für eine Schaltung für ein Kraftfahrzeugmessgerät, ein elektronisches Gerät oder dergleichen verwendet worden.
  • In den letzten Jahren, da es erforderlich war, dass ein Verkabelungsraum eines Kraftfahrzeugs verringert ist, war es erforderlich, dass ein Kabelbaum und eine dazugehörige Komponente miniaturisiert bzw. verkleinert und verdünnt sind. Deshalb war es bei der Kraftfahrzeugnutzung erforderlich, dass die Schaltungsplatte auch bei dem Kabelbaum oder der dazugehörigen Komponente sowie eine herkömmliche Messgerätschaltung verwendet werden. Insbesondere bei dem Kabelbaum und einer derartigen dazugehörigen Komponente war eine flexible Leiterplatte erforderlich gewesen, welche imstande ist miniaturisiert, verdünnt, mehrschichtig usw. zu werden.
  • Als die flexible Leiterplatte, welche auf eine derartige Miniaturisierung, Verdünnen und Mehrschichten wie oben beschrieben eingeht, ist eine Flexleiterplatte („flexible printed circuit“, FPC) bekannt, welche eine Platte ist, bei welcher eine elektrische Schaltung auf einem Substrat durch Aneinanderkleben eines dünnen und weichen Basisfilms mit isolierenden Eigenschaften und eines leitfähigen Metalls, wie beispielsweise Kupferfolie, ausgebildet ist. Als ein Basisfilm (Substrat) der FPC sind Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN) und dergleichen bekannt, sowie Polyimid (PI). PI weist einen hohen Wärmewiderstand auf, und PET und PEN sind vielseitig und niedriger im Preis verglichen mit PI.
  • Bisher ist eine derartige FPC-Schaltung durch ein subtraktives Verfahren ausgebildet worden. Das subtraktive Verfahren ist ein Verfahren des Klebens einer Metallfolie, wie beispielsweise Kupferfolie, auf ein Substrat, wie beispielsweise ein Polyimid-Film, und Ausbildens einer Schaltung durch Ätzen dieser Metallfolie. Um die Metallfolie zu ätzen, erfordert das subtraktive Verfahren einen extrem langen Prozess, der aus komplizierten Schritten gebildet ist, wie beispielsweise Photolithographie, Ätzen und chemische Gasphasenabscheidung („chemical vapor deposition“, CVD). Deshalb ist in Hinblick auf das subtraktive Verfahren ein Durchsatz von ihm, das heißt eine Verarbeitungskapazität davon pro Zeiteinheit, extrem gering. Überdies wird verstanden, dass bei dem subtraktiven Verfahren eine Abfallflüssigkeit, die bei den Schritten wie beispielsweise Photolithographie und Ätzen erzeugt wird, die Umgebung nachteilig beeinflussen kann.
  • Im Gegensatz wird untersucht, die FPC-Schaltung durch ein additives Verfahren anstelle des subtraktiven Verfahrens auszubilden. Das additive Verfahren ist ein Verfahren des Ausbildens eines Leitermusters auf einer isolierenden Platte, wie beispielsweise das Substrat. Mehrere Arten von spezifischen Verfahren als das additive Verfahren werden untersucht, welche umfassen: ein Verfahren des Plattierens des Substrats; ein Verfahren des Druckens einer leitfähigen Paste auf das Substrat; ein Verfahren des Abscheidens von Metall auf das Substrat; ein Verfahren des Anhaftens und Verdrahtens Polyimid-beschichteter elektrischer Drähte auf die Platte; ein Verfahren des Anhaftens eines vorgeformten Leitermusters auf die Platte; und dergleichen. Die leitfähige Paste ist aus Metallpulver, einem organischen Lösungsmittel, einem Reduktionsmittel, einem Haftmittel und dergleichen gebildet, und die leitfähige Paste wird auf das Substrat aufgebracht, gefolgt durch Einbrennen, wodurch eine Schaltung, die derart gebildet ist, dass das Metallpulver gesintert ist, ausgebildet werden kann. Unter den Verfahren, die zu dem oben beschriebenen additiven Verfahren gehören, hat ein Verfahren des Druckens der leitfähigen Paste (nachstehend als ein „Druckverfahren“ bezeichnet) Aufmerksamkeit als ein Verfahren angezogen, bei welchem ein Durchsatz der höchste ist. Insbesondere kann das Druckverfahren eine endgültige Schaltung ausbilden durch Drucken der leitfähigen Paste oder leitfähigen Tinte auf ein filmartiges Substrat, um eine aus leitfähigen Partikeln gebildete Schaltung auszubilden, und durch Kleben eines isolierenden Films auf den Film und eine Oberfläche der Schaltung, Aufbringen eines Resists bzw. einer Abdeckung darauf usw.
  • In einem Fall des Verwendens der leitfähigen Paste ist jedoch eine auf das Substrat aufgebrachte Wärmelast groß. Zum Beispiel, in einem Fall des Verwendens einer Silberpaste, die definiert ist, um imstande zu sein bei der niedrigsten Temperatur eingebrannt zu werden, und Ausbildens der Schaltung durch Wärme-Einbrennen unter Verwendung eines elektrischen Ofens und dergleichen, ist es dann notwendig, die Silberpaste für ungefähr 30 Minuten bis 1 Stunde durch einen heißen Luftstrom von 150°C oder mehr einzubrennen. Nämlich ist eine Heiztemperatur hoch und eine Heizzeit ist lang. Deshalb hat es ein Problem gegeben, dass ein derartiges filmartiges PET-Substrat oder PEN-Substrat in dem Fall des Einbrennens der Schaltung schrumpft und schmilzt.
  • Im Gegensatz ist auch angedacht, als ein Einbrennverfahren ein Plasma-Einbrennen mit einer kurzen Einbrennzeit, anstelle des Wärme-Einbrennens unter Verwendung des elektrischen Ofens oder dergleichen, zu verwenden. Es ist eine Vielzahl an Technologien zum Umsetzen einer Plasma-Behandlung für die gedruckte Platte oder das Material davon vorgeschlagen (Patentliteratur 1 bis 6).
  • Literaturstellenliste
  • Patentliteratur
    • Patentliteratur 1: Japanische ungeprüfte Patentanmeldung Veröffentlichungsnr. 2004-39833
    • Patentliteratur 2: Japanische ungeprüfte Patentanmeldung Veröffentlichungsnr. H02-134241
    • Patentliteratur 3: Japanische ungeprüfte Patentanmeldung Veröffentlichungsnr. S58-40886
    • Patentliteratur 4: Japanische ungeprüfte Patentanmeldung Veröffentlichungsnr. S62-179197
    • Patentliteratur 5: Japanische ungeprüfte Patentanmeldung Veröffentlichungsnr. H04-116837
    • Patentliteratur 6: Japanische ungeprüfte Patentanmeldung Veröffentlichungsnr. 2013-30760
    • Patentliteratur 7: Japanische ungeprüfte Patentanmeldung Veröffentlichungsnr. 2011-65749
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • [Technisches Problem]
  • Bisher ist jedoch keine Technologie zum Ausbilden der Schaltung auf einer Oberfläche eines aus PET, PEN oder dergleichen hergestellten, filmartigen Niedriger-Schmelzpunkt-Substrats durch Verwendung der leitfähigen Paste, und Montieren der elektronischen Komponente auf einer Oberfläche der Schaltung, vorgeschlagen worden. Überdies hat es ein Problem gegeben, dass das oben beschriebene, aus PET, PEN oder dergleichen hergestellte, filmartige Niedriger-Schmelzpunkt-Substrat verformt wird, in einem Fall des Übernehmens eines Verfahrens des Montierens der elektronischen Komponente in der Schaltung, die durch Aufbringen der leitfähigen Paste oder der leitfähigen Tinte auf das oben beschriebene filmartige Substrat ausgebildet ist, Umsetzens des Plasma-Einbrennens dafür, und Herstellens der FPC (nachstehend wird dieses Verfahren als ein „herkömmliches Plasma-Einbrennverfahren bezeichnet). Des Weiteren, gemäß dem herkömmlichen Plasma-Einbrennverfahren, ist es schwierig gewesen, eine FPC mit geringem Widerstand in einem kurzen Zeitraum herzustellen.
  • Die vorliegende Erfindung ist in Anbetracht der oben beschriebenen Umstände gemacht worden, und es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine filmartige Leiterplatte bereitzustellen, die imstande ist, die Schaltung auszubilden und die elektronische Komponente bei einer niedrigen Temperatur in einem kurzen Zeitraum durch Verwendung eines vielseitigen Niedriger-Schmelzpunkt-Basissubstrats zu montieren, und ein Verfahren zur Herstellung der filmartigen Leiterplatte bereitzustellen.
  • Im Übrigen ist bisher ein Sammelschienenmodul (Batteriepackanordnung) als ein Aggregat bzw. eine Anhäufung von Sammelschienen bekannt gewesen. Als diese Sammelschiene ist zum Beispiel ein Aggregat von Sammelschienen bekannt, welche eine Vielzahl an Sekundärbatterien in Reihe miteinander in einer Energieversorgungseinrichtung verbinden, die durch Verbinden der Sekundärbatterien in Reihe miteinander gebildet ist. Als ein spezifisches Beispiel des Sammelschienenmoduls ist zum Beispiel eines bekannt, das in Patentliteratur 7 gezeigt ist. Bei diesem Sammelschienenmodul sind elektrische Drähte als Spannungserfassungsleitungen mit den entsprechenden Sammelschienen verbunden. Dieses Sammelschienenmodul kann für eine Ladungssteuerung der Energieversorgungseinrichtung verwendet werden, durch Ausgeben einer Spannungsinformation von Batterien, bei welchen die entsprechenden Sammelschienen an ein Peripheriegerät, wie beispielsweise ein elektronisches Steuergerät (ECU) eines Fahrzeugs, durch die oben beschriebenen Spannungserfassungsleitungen gekoppelt sind. Es ist denkbar, dass die oben beschriebene Technologie der filmartigen Leiterplatte und des Verfahrens zur Herstellung der filmartigen Leiterplatte auf das Sammelschienenmodul, wie oben beschrieben, anwendbar sind.
  • In Hinblick auf das in Patentliteratur 7 beschriebene, herkömmliche Sammelschienenmodul ist es jedoch notwendig, die Spannungserfassungsleitungen mit den entsprechenden Sammelschienen fortlaufend zu verdrahten, in einem Fall des Montierens des betroffenen Sammelschienenmoduls an der Energieversorgungseinrichtung, und folglich ist eine Tätigkeit für die Montage kompliziert gewesen. Bei dem herkömmlichen, in Patentliteratur 7 beschriebenen Sammelschienenmodul hat es deshalb Raum zur Verbesserung für die Bearbeitbarkeit bzw. Handhabung zu einer Montagezeit und einer Produktionszeit gegeben. Wie oben beschrieben, bei einer Struktur, die das Sammelschienenmodul als ein Beispiel nimmt, das heißt bei einer Struktur mit: Metallelementen (zum Beispiel Sammelschienen), die mit Verbindungszielen (zum Beispiel Batterien) elektrisch verbunden sind; und Leiterschichten (zum Beispiel Spannungserfassungsleitungen), die mit den Verbindungszielen durch die Metallelemente elektrisch verbunden sind, ist es wünschenswert, dass eine Verdrahtungsstruktur, welche die Metallelemente und die Leiterschichten miteinander verbindet, fähig ist, einfach ausgebildet zu werden.
  • Wie oben beschrieben ist es bevorzugt, falls eine Leiterplatte, die imstande ist, die Verdrahtungsstruktur von: den Metallelementen, die mit den Verbindungszielen elektrisch verbunden sind; und den Leiterschichten, einfach auszubilden.
  • Lösung des Problems
  • Eine filmartige Leiterplatte gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ausgeführt worden, um, wie die oben beschriebene Aufgabe der Erfindung, die filmartige Leiterplatte bereitzustellen, die imstande ist, die Schaltung auszubilden und die elektronische Komponente in einem kurzen Zeitraum bei einer niedrigen Temperatur durch Verwendung des vielseitigen Niedriger-Schmelzpunkt-Substrats daran zu montieren. Insbesondere umfasst die filmartige (gedruckte) Leiterplatte gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung: ein Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat bzw. Harzfilmsubstrat mit niedrigem Schmelzpunkt, das aus einem Niedriger-Schmelzpunkt-Harz bzw. Harz mit niedrigem Schmelzpunkt gebildet ist, bei welchem ein Schmelzpunkt 370°C oder weniger beträgt; eine Schaltung, die derart ausgebildet ist, dass eine schaltungsausbildende leitfähige Paste, die auf das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat aufgebracht ist, einem Plasma-Einbrennen („plasma baking“) ausgesetzt ist; eine Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht, die derart ausgebildet ist, dass eine leitfähige Montagepaste, die auf die Schaltung aufgebracht ist, dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt ist; und eine elektronischen Komponente, die über die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht an bzw. auf der Schaltung montiert ist.
  • Eine filmartige Leiterplatte gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass, bei dem ersten Aspekt, das Plasma-Einbrennen zum Ausbilden der Schaltung oder der Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht ein Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrennen des Bestrahlens von durch Mikrowellenentladung erzeugtem Plasma ist.
  • Eine filmartige Leiterplatte gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass, bei dem ersten oder zweiten Aspekt, die schaltungsausbildende leitfähige Paste eine leitfähige Paste ist, die Pulver von einer oder mehr Arten von Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ag, Cu und Au besteht, und die leitfähige Montagepaste eine leitfähige Paste ist, die Pulver von einer oder mehr Arten von Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ag, Cu und Au besteht.
  • Eine filmartige Leiterplatte gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass, bei einem der ersten bis dritten Aspekte, eine Dicke des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats 50 µm oder mehr beträgt.
  • Eine filmartige Leiterplatte gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass, bei einem der ersten bis vierten Aspekte, das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat aus Polyethylenterephthalat (PET), Polybutylenterephthalat (PBT), Polyethylennaphthalat (PEN), Polypropylen (PP) oder Polycarbonat (PC) gebildet ist.
  • Ein Verfahren zur Herstellung einer filmartigen Leiterplatte gemäß einem sechsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ausgeführt worden, um, wie die oben beschriebene Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung der filmartigen Leiterplatte bereitzustellen, das imstande ist, die Schaltung auszubilden und die elektronische Komponente in einem kurzen Zeitraum bei einer niedrigen Temperatur durch Verwendung des vielseitigen Niedriger-Schmelzpunkt-Substrats daran zu montieren. Insbesondere umfasst das Verfahren zur Herstellung einer filmartigen Leiterplatte gemäß dem sechsten Aspekt der vorliegenden Erfindung: einen Schritt des Aufbringens einer schaltungsausbildenden leitfähigen Paste auf ein Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat, das aus einem Niedriger-Schmelzpunkt-Harz gebildet ist, bei welchem ein Schmelzpunkt 370°C oder weniger beträgt, und Durchführen eines Plasma-Einbrennens für die aufgebrachte schaltungsausbildende leitfähige Paste, wobei dadurch eine Schaltung ausgebildet wird; und einen Schritt des Aufbringens einer leitfähigen Montagepaste auf die Schaltung, Platzierens einer elektronischen Komponente auf eine leitfähige Montagepaste, und Durchführens eines Plasma-Einbrennens für die aufgebrachte leitfähige Montagepaste, wobei dadurch die elektronische Komponente über eine Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht an der Schaltung montiert wird.
  • Vorteilhafte Wirkungen
  • Gemäß der filmartigen Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung wird die filmartige Leiterplatte erhalten, die imstande ist, die Schaltung auszubilden und die elektronische Komponente in einem kurzen Zeitraum bei einer niedrigen Temperatur durch Verwendung des vielseitigen Niedriger-Schmelzpunkt-Substrats daran zu montieren.
  • Gemäß dem Verfahren zur Herstellung der filmartigen Leiterplatte gemäß der vorliegenden Erfindung, kann die filmartige Leiterplatte durch Ausbilden der Schaltung und Montieren der elektronischen Komponente daran in einem kurzen Zeitraum bei einer niedrigen Temperatur durch Verwendung des vielseitigen Niedriger-Schmelzpunkt-Substrats hergestellt werden.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine Draufsicht, die eine schematische Ausgestaltung einer Leiterplatte gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, und ist auch eine schematische Ansicht zum Erläutern eines Prozesses von Schritt S104 eines Flussdiagramms von 3.
  • 2 ist eine Querschnittansicht, die eine Querschnittform senkrecht zu einer Sammelschiene-Anordnungsrichtung der in 1 gezeigten Leiterplatte zeigt.
  • 3 ist ein Flussdiagramm, das einen Herstellungsprozess für die Leiterplatte gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.
  • 4 ist eine schematische Ansicht zum Erläutern eines Prozesses von Schritt S101 des Flussdiagramms von 3.
  • 5 ist eine schematische Ansicht zum Erläutern eines Prozesses von Schritt S102 des Flussdiagramms von 3.
  • 6 ist eine Draufsicht, die eine schematische Ausgestaltung einer Leiterplatte gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, und ist auch eine schematische Ansicht zum Erläutern eines Prozesses von Schritt S204 eines Flussdiagramms von 8.
  • 7 ist eine Querschnittansicht, die eine Querschnittform senkrecht zu einer Sammelschiene-Anordnungsrichtung der in 6 gezeigten Leiterplatte zeigt.
  • 8 ist ein Flussdiagramm, das einen Herstellungsprozess für die Leiterplatte gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt.
  • 9 ist eine schematische Ansicht zum Erläutern eines Prozesses von Schritt S201 des Flussdiagramms von 8.
  • 10 ist eine schematische Ansicht zum Erläutern eines Prozesses von Schritt S202 des Flussdiagramms von 8.
  • Beschreibung der Ausführungsformen
  • Nachstehend wird eine spezifische Beschreibung einer filmartigen Leiterplatte dieser Ausführungsform und eines Verfahrens zur Herstellung der filmartigen Leiterplatte erfolgen.
  • [Filmartige Leiterplatte]
  • Die filmartige Leiterplatte dieser Ausführungsform umfasst: ein Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat; eine Schaltung, die auf diesem Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat ausgebildet ist; eine Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht, die auf dieser Schaltung ausgebildet ist; und eine elektronische Komponente, die über diese Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht an der Schaltung montiert ist
  • (Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat)
  • Das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat dieser Ausführungsform ist ein filmartiges Substrat, das aus einem Niedriger-Schmelzpunkt-Harz gebildet ist. Hier ist das Niedriger-Schmelzpunkt-Harz ein Harz, bei welchem ein Schmelzpunkt 370°C oder weniger beträgt, vorzugsweise 280°C oder weniger. Das Niedriger-Schmelzpunkt-Harz ist nicht besonders beschränkt; jedoch wird zum Beispiel verwendet: Polyethylenterephthalat (PET; ein Schmelzpunkt ist zum Beispiel 258 bis 260°C); Polybutylenterephthalat (PBT; ein Schmelzpunkt ist zum Beispiel 228 bis 267°C); Polyethylennaphthalat (PEN; ein Schmelzpunkt ist zum Beispiel 262 bis 269°C); oder Polypropylen (PP; ein Schmelzpunkt ist zum Beispiel 135 bis 165°C).
  • Eine Dicke des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats beträgt üblich 50 µm oder mehr, vorzugsweise 100 µm oder mehr. Überdies beträgt die Dicke des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats üblich 200 µm oder weniger. Wenn die Dicke des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats innerhalb des oben beschriebenen Bereichs bleibt, ist die Festigkeit des Substrats hoch, und außerdem, sogar falls Plasma-Einbrennen in einem Fall des Ausbildens der Schaltung auf dem Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat oder Montieren der elektronischen Komponente daran durchgeführt wird, ist es weniger wahrscheinlich, dass ein Schrumpfen, Welligkeit und Ablösen bei dem Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat auftreten.
  • (Schaltung)
  • Die Schaltung dieser Ausführungsform ist eine Schaltung, die auf dem Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat derart ausgebildet wird, dass eine schaltungsausbildende leitfähige Paste, die auf das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat aufgebracht wird, dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt wird.
  • <Schaltungsausbildende leitfähige Paste>
  • Die schaltungsausbildende leitfähige Paste ist eine Paste, welche Metallpulver und ein organisches Lösungsmittel umfasst, und ein Reduktionsmittel, eine Vielzahl an Additiven und dergleichen sind gemäß den Notwendigkeiten zugemischt. Als die schaltungsausbildende leitfähige Paste wird zum Beispiel eine leitfähige Paste verwendet, welche Pulver von einer oder mehr Arten an Metall umfasst, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ag, Cu und Au besteht. Nachstehend wird eine leitfähige Paste, welche als das Metallpulver ein Pulver umfasst, das Ag als eine Hauptkomponente enthält, als eine Ag-Paste bezeichnet, eine leitfähige Paste, welche als das Metallpulver ein Pulver umfasst, das Cu als eine Hauptkomponente enthält, wird als eine Cu-Paste bezeichnet, und eine leitfähige Paste, welche als das Metallpulver ein Pulver umfasst, das Au als eine Hauptkomponente enthält, wird als eine Au-Paste bezeichnet. Hier bedeutet die Tatsache, dass das Pulver Metall M als eine Hauptkomponente enthält, dass die Anzahl an Molekülen des in dem Metallpulver enthaltenen Metalls M am größten unter Inhalten in dem Pulver ist. Überdies wird eine leitfähige Paste, welche Pulver des Metalls M1 und Pulver des Metalls M2 als das Metallpulver umfasst, oder eine leitfähige Paste, bei welcher das Pulver bildende Partikel beide des Metalls M1 und des Metalls M2 umfassen, als eine M1-M2-Paste bezeichnet. Falls zum Beispiel M1 und M2 Ag und Cu sind, dann wird die leitfähige Paste als eine Ag-Cu-Paste bezeichnet. Als die schaltungsausbildende leitfähige Paste sind eine Ag-Paste und eine Cu-Paste bevorzugt.
  • Als die Ag-Paste werden zum Beispiel verwendet: Ag-Paste RAFS 074 (aushärtbar bei 100°C; Viskosität bei 25°C: 130 Pa·s) hergestellt durch Toyochem Co., Ltd.; Ag-Paste CA-6178 (aushärtbar bei 130°C; Viskosität bei 25°C: 195 Pa·s) hergestellt durch Daiken Chemical Co., Ltd.; und Ag-Tinte Metalon (eingetragenes Warenzeichen) HPS-030LV (aushärtbar bei 80 bis 130°C; Viskosität 1000 cP übersteigend) hergestellt durch NovaCentrix Corporation. Als die Cu-Paste wird zum Beispiel Cu-Paste CP 700 (Viskosität bei 25°C: 3 Pa·s) für Durchgangsloch, hergestellt durch Harima Chemicals Group, Inc., verwendet.
  • Die schaltungsausbildende leitfähige Paste wird dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt, nachdem sie auf das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat aufgebracht ist, und dadurch bildet sich eine Schaltung aus.
  • Angemerkt sei, dass die schaltungsausbildende leitfähige Paste aufgebracht wird, um mit einer Form der Schaltung übereinzustimmen. Als ein Verfahren des Aufbringens der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste, so dass die schaltungsausbildende leitfähige Paste mit der Form der Schaltung übereinstimmen kann, wird zum Beispiel ein Verfahren des Aufbringens der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste auf eine Oberfläche des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats durch Verwendung eines Druckverfahrens verwendet, wie beispielsweise Siebdruck, Tintenstrahl, Tiefdruck und Flexographie.
  • Wenn die aufgebrachte schaltungsausbildende leitfähige Paste dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt wird, wird das Metallpulver in der Paste gesintert, wodurch die Schaltung ausgebildet wird. Auf diese Art wird die Schaltung auf dem Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat ausgebildet. Eine aufgebrachte Menge der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste auf das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat wird als Reaktion auf eine Dicke und Breite der auszubildenden Schaltung angemessen festgelegt.
  • <Plasma-Einbrennen>
  • Das Plasma-Einbrennen ist ein Prozess zum Erwärmen der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste durch Bestrahlen von Plasma darauf, wobei dadurch eine flüchtige Komponente, wie beispielsweise ein organisches Lösungsmittel in der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste verflüchtigt wird, das Metallpulver fixiert und verfestigt wird, und die Schaltung ausgebildet wird. Das Plasma-Einbrennen wird auch als Plasma-Sintern bezeichnet. Im Vergleich mit einem gewöhnlichen Erwärmen/Einbrennen, das nicht Plasma verwendet, ermöglicht das Plasma-Einbrennen, die Schaltung mit niedriger Energie in einer kurzen Verarbeitungszeit auszubilden, und folglich wird es möglich, ein Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat zu verwenden, das anfällig ist, durch das Erwärmen/Einbrennen verformt zu werden.
  • Vorzugsweise ist eine Art des Plasma-Einbrennens zum Ausbilden der Schaltung aus der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste ein Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrennen. Das Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrennen ist ein Plasma-Einbrennen des Bestrahlens von Plasma, welches durch Mikrowellenentladung erzeugt wird, auf ein Objekt des Plasma-Einbrennens. Das Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrennen ist imstande zum Plasma-Einbrennen durch Bestrahlen von Plasma auf das Objekt, ohne das Objekt physikalisch zu berühren. Somit ist das Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrennen bevorzugt, da es einfach ist, die Schaltung aus der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste auszubilden. Als eine Mikrowelle zur Verwendung bei dem Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrennen wird gewöhnlich eine Mikrowelle mit einer Frequenz von ungefähr 2450 MHz verwendet.
  • In einem Fall des Nutzens des Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrennens werden als Prozessgas, das als eine Plasma-Erzeugungsquelle dient, zum Beispiel eine oder mehr Arten verwendet, die aus der Gruppe ausgewählt sind, die aus Wasserstoffgas (H2), Stickstoffgas (N2), Heliumgas (He) und Argongas (Ar) besteht.
  • In einem Fall des Nutzens des Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrennens beträgt eine Leistung der Mikrowelle, die Plasma erzeugt, zum Beispiel 2 bis 6 kW, vorzugsweise 3 bis 5 kW. Wenn die Leistung der Mikrowelle innerhalb des oben beschriebenen Bereichs bleibt, ist es möglich, die Schaltung auszubilden ohne die schaltungsausbildende leitfähige Paste zu zerbrechen, und dies ist bevorzugt. Überdies beträgt in einem derartigen Fall, wo die Leistung der Mikrowelle innerhalb des oben beschriebenen Bereichs liegt, ein Zeitraum des Plasma-Einbrennens zum Beispiel 0,5 bis 5 Minuten, vorzugsweise 1 bis 4 Minuten.
  • In Hinblick auf die Schaltung, die derart ausgebildet ist, dass die schaltungsausbildende leitfähige Paste dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt ist, wird eine Leitungsbreite davon 1 bis 2000 µm, und eine Höhe davon wird 0,1 bis 100 µm.
  • (Isolierende Deckschicht)
  • Angemerkt sei, dass auf der Oberfläche des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats, an einem Abschnitt, an welchem die Schaltung nicht ausgebildet ist, eine isolierende Deckschicht ausgebildet sein kann, um isolierende Eigenschaften unter Leitungen der Schaltung zu steigern. Zum Beispiel wird die isolierende Deckschicht durch drei Verfahren ausgebildet, welche folgen.
  • Ein erstes Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahren ist ein Verfahren des Ausbildens der isolierenden Deckschicht, nachdem die Schaltung ausgebildet ist und bevor die elektronische Komponente montiert ist. Insbesondere ist das erste Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahren ein Verfahren des Ausbildens der Schaltung durch Aufbringen der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste auf die Oberfläche des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats und Durchführen des Plasma-Einbrennens für die betreffende schaltungsausbildende leitfähige Paste, danach Ausbilden der isolierenden Deckschicht, Aufbringen einer leitfähigen Montagepaste auf die Schaltung, Platzieren der elektronischen Komponente auf dieser Paste, und erneutes Durchführen des Plasma-Einbrennens, wobei dadurch die elektronische Komponente an der Schaltung montiert wird.
  • Ein zweites Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahren ist ein Verfahren des Ausbildens der isolierenden Deckschicht, nachdem die elektronische Komponente auf der Schaltung montiert ist. Insbesondere ist das zweite Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahren ein Verfahren des Ausbildens der Schaltung durch Aufbringen der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste auf die Oberfläche des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats und Durchführen des Plasma-Einbrennens für die betreffende schaltungsausbildende leitfähige Paste, danach Aufbringen der leitfähigen Montagepaste auf die Oberfläche der Schaltung und Montieren der elektronischen Komponente an der Schaltung durch erneutes Durchführen des Plasma-Einbrennens, und danach Ausbilden der isolierenden Deckschicht.
  • Ein drittes Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahren ist ein Verfahren des Montierens der elektronischen Komponente an der Schaltung durch Durchführen des Plasma-Einbrennens gleichzeitig für die schaltungsausbildende leitfähige Paste und die leitfähige Montagepaste, und danach Ausbilden der isolierenden Deckschicht. Insbesondere ist das dritte Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahren ein Verfahren des Aufbringens der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste an die Oberfläche des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats, nachfolgend Aufbringen der leitfähige Montagepaste darauf, Platzieren der elektronischen Komponente daran, Durchführen des Plasma-Einbrennens, um die Schaltung auszubilden, und Montieren der elektronischen Komponente, und danach Ausbilden der isolierenden Deckschicht.
  • In einem Fall des Nutzens des ersten Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahrens wird die isolierende Deckschicht dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt. Deshalb ist in dem Fall des Nutzens des ersten Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahrens für ein die isolierende Deckschicht bildendes Material ein Wärmewiderstand gegen ein Erwärmen beim Plasma-Einbrennen erforderlich. Als das die isolierende Deckschicht bildende Material wird zum Beispiel ein isolierender Film oder ein isolierender Resist, die öffentlich bekannt sind, verwendet. Angemerkt sei, dass in einem Fall des Nutzens des zweiten oder dritten Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahrens die isolierende Deckschicht nicht dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt wird, und folglich ist der Wärmewiderstand gegen das Erwärmen beim Plasma-Einbrennen dafür nicht erforderlich. Sogar in dem Fall des Nutzens des zweiten oder dritten Verfahrens, falls die isolierende Deckschicht einen Wärmewiderstand ähnlich demjenigen in dem Fall des Nutzens des ersten Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahrens aufweist, ist dann jedoch der Wärmewiderstand der isolierenden Deckschicht höher, und folglich ist dies bevorzugt.
  • Der isolierende Film ist filmartig. Bei Herstellung einer derartigen isolierenden Deckschicht unter Verwendung dieses isolierenden Films wird zuerst ein isolierender Film hergestellt, bei welchem ein Loch mit einer Form einer montierten Komponente durch ein Formwerkzeug ausgebildet ist. Als nächstes wird dieser isolierende Film auf die Oberfläche des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats geklebt. Auf diese Art kann eine isolierende Deckschicht, die durch eine Form der Schaltung durchdrungen wird, ausgebildet werden. Überdies ist der isolierende Resist flüssig. Bei Herstellung einer derartigen isolierenden Deckschicht unter Verwendung dieses isolierenden Resists, wird als erstes der isolierende Resist auf die Oberfläche des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats durch Drucken und dergleichen aufgebracht, gefolgt durch Trocknen. Als nächstes wird ein derartiges Resist-aufgebrachtes Objekt, das auf diese Weise getrocknet ist, zu einer vorbestimmten Form durch Ultraviolett-Aushärten, thermisches Aushärten und dergleichen durch Verwenden einer Maskierung und dergleichen ausgehärtet, und danach wird ein nicht ausgehärteter Abschnitt entfernt. Auf diese Art kann eine derartige isolierende Deckschicht, die durch die Form der Schaltung durchdrungen ist, ausgebildet werden.
  • Als der isolierende Film wird zum Beispiel ein Film verwendet, der aus Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN), Polycarbonat (PC), Polypropylen (PP), Polybutylenterephthalat (PBT), Polyurethan (PU) oder dergleichen hergestellt ist. Diese isolierenden Filme sind bevorzugt, da ein Wärmewiderstand von ihnen hoch ist.
  • Als der isolierende Resist wird zum Beispiel ein wärmehärtender Resist oder ein ultraviolett-aushärtbarer Resist verwendet. Überdies wird als der wärmhärtende Resist zum Beispiel ein Epoxid-basierter Resist oder ein Urethan-basierter Resist verwendet. Diese Materialien sind bevorzugt, da ein Wärmewiderstand von ihnen nach einem Aushärten hoch ist.
  • (Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht)
  • Die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht ist eine Schicht, die derart ausgebildet ist, dass die leitfähige Montagepaste, die auf die Schaltung aufgebracht ist, dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt wird. Diese Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht ist eine Schicht zum Montieren der elektronischen Komponente an der Schaltung. In einem Fall, wo die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht ausgebildet ist, wird deshalb die leitfähige Montagepaste, die auf die Schaltung aufgebracht ist, dem Plasma-Einbrennen in einem Zustand ausgesetzt, wo die elektronische Komponente daran montiert ist, wodurch nicht nur die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht ausgebildet wird, sondern auch die elektronische Komponente über die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht an der Schaltung montiert wird.
  • <Leitfähige Montagepaste>
  • Auf eine ähnliche Art zu der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste ist die leitfähige Montagepaste eine Paste, welche Metallpulver und ein organisches Lösungsmittel enthält, und ein Reduktionsmittel, eine Vielzahl an Additiven und dergleichen sind gemäß den Notwendigkeiten zugemischt. Zum Beispiel wird die leitfähige Montagepaste aus jenen ausgewählt, die ähnlich den Materialien für die schaltungsausbildende leitfähige Paste sind, und wird dann verwendet. Eine Zusammensetzung der leitfähigen Montagepaste kann die gleiche sein wie diejenige oder sich unterscheiden von derjenigen der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste. Falls die Zusammensetzung der leitfähige Montagepaste und die Zusammensetzung der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste die gleichen sind, dann wird eine Verbindung zwischen Metallpartikeln an einer Grenzfläche zwischen der Schaltung und der Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht stark bzw. fest, und folglich ist dies bevorzugt.
  • Nachdem sie auf die Schaltung aufgebracht ist, wird die leitfähige Montagepaste dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt, und dadurch wird die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht ausgebildet.
  • Es sei angemerkt, dass die leitfähige Montagepaste auf den Abschnitt aufgebracht wird, an welchem die elektronische Komponente montiert ist. Als ein Verfahren des Aufbringens der leitfähige Montagepaste, so dass die leitfähige Montagepaste mit einer Form des Abschnitts, an welchem die elektronische Komponente montiert ist, übereinstimmen kann, wird zum Beispiel ein Verfahren ähnlich demjenigen der Aufbringung der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste auf die Schaltung verwendet. Insbesondere wird ein Verfahren des Ausbildens einer isolierenden Deckschicht, welche durch die Form des Abschnitts durchdrungen ist, an welchem die elektronische Komponente montiert ist, auf der Oberfläche der Schaltung verwendet, und dann Aufbringen der leitfähigen Montagepaste auf die isolierende Deckschicht. Ein Ausbildungsverfahren der isolierenden Deckschicht ist ähnlich dem Verfahren der Aufbringung der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste auf die Schaltung, und folglich wird eine Beschreibung davon weggelassen. Eine aufgebrachte Menge der leitfähigen Montagepaste auf die Schaltung wird als Reaktion auf eine Dicke und Breite der auszubildenden Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht angemessen festgelegt.
  • <Plasma-Einbrennen>
  • Plasma-Einbrennen zum Ausbilden der Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht aus der leitfähige Montagepaste wird auf eine ähnliche Art zu dem Plasma-Einbrennen zum Ausbilden der Schaltung aus der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste durchgeführt. Insbesondere ist es bevorzugt, dass eine Art des Plasma-Einbrennens zum Ausbilden der Schaltung ein Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrennen ist. Das Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrennen ist imstande zum Plasma-Einbrennen durch Bestrahlen des Plasmas auf das Objekt, ohne das Objekt physikalisch zu berühren, und ist folglich bevorzugt, da es einfach ist, die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht aus der leitfähigen Montagepaste auszubilden.
  • Eine Frequenz der Mikrowelle zur Verwendung beim Plasma-Einbrennen zum Ausbilden der Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht aus der leitfähigen Montagepaste, eine Art des Prozessgases zur Verwendung darin, Leistung der Mikrowelle, ein Zeitraum des Plasma-Einbrennens und dergleichen werden innerhalb eines Bereichs ausgewählt, der ähnlich demjenigen beim Plasma-Einbrennen zum Ausbilden der Schaltung aus der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste ist. Bedingungen für das Plasma-Einbrennen zum Ausbilden der Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht aus der leitfähigen Montagepaste können die gleichen sein wie oder unterschiedlich als jene für das Plasma-Einbrennen zum Ausbilden der Schaltung aus der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste.
  • (Elektronische Komponente)
  • Die elektronische Komponente wird an der Schaltung über die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht montiert. Die elektronische Komponente ist nicht besonders beschränkt, und eine öffentlich bekannte Komponente wird verwendet.
  • In Hinblick auf die elektronische Komponente, falls eine Plattierungsschicht an einem Abschnitt zumindest in Kontakt mit der Schaltung zum Beispiel in einem Elektrodenabschnitt ausgebildet wird, dann wird überdies die elektronische Komponente an der Schaltung sicherer montiert, und folglich ist dies bevorzugt. Angemerkt sei, dass die Plattierungsschicht an einem anderen Abschnitt als der Abschnitt in Kontakt mit der Schaltung ausgebildet werden kann. Es ist bevorzugt, dass ein Material der Plattierungsschicht, die auf der Oberfläche der elektronischen Komponente ausgebildet ist, zum Beispiel ein Metall ist, das aus einer oder mehr Arten von Metall gebildet, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Zinn, Gold, Kupfer, Silber, Nickel und Palladium besteht, hergestellt ist. Angemerkt sei, dass in einem Fall, wo das Material der Plattierungsschicht aus zwei oder mehr Arten von diesen Metallen gebildet ist, die Plattierungsschicht eine Legierung der zwei oder mehr Arten der Metalle wird.
  • Die filmartige Leiterplatte dieser Ausführungsform wird zum Beispiel durch ein Verfahren zur Herstellung der filmartigen Leiterplatte hergestellt, das unten gezeigt wird.
  • [Verfahren zur Herstellung der filmartigen Leiterplatte]
  • Das Verfahren zur Herstellung der filmartigen Leiterplatte dieser Ausführungsform umfasst erste und zweite Herstellungsverfahren. Das erste Herstellungsverfahren umfasst: einen Schaltungsausbildungsschritt des Ausbildens einer Schaltung; und einen Elektronische-Komponente-Montageschritt des Montierens einer elektronischen Komponente an der Schaltung über eine Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht. Überdies umfasst das zweite Herstellungsverfahren einen Schaltungsausbildungs-/Elektronische-Komponente-Montageschritt des Montierens einer elektronischen Komponente an einer Schaltung über eine Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht gleichzeitig mit dem Ausbilden der Schaltung.
  • (Erstes Herstellungsverfahren)
  • <Schaltungsausbildungsschritt>
  • Der Schaltungsausbildungsschritt ist ein Schritt des Aufbringens einer schaltungsausbildenden leitfähigen Paste auf ein Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat, das aus einem Niedriger-Schmelzpunkt-Harz gebildet ist, bei welchem ein Schmelzpunkt 370°C oder weniger beträgt, und Durchführens von Plasma-Einbrennen für die aufgebrachte schaltungsausbildende leitfähige Paste, wobei dadurch eine Schaltung ausgebildet wird.
  • In diesem Schritt sind Definitionen und Bedingungen des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats, der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste, des Plasma-Einbrennens und der Schaltung die gleichen wie jene der filmartigen Leiterplatte der oben beschriebenen Ausführungsform, und folglich wird eine Beschreibung davon weggelassen.
  • <Elektronische-Komponente-Montageschritt>
  • Der Elektronische-Komponente-Montageschritt ist ein Schritt des Aufbringens einer leitfähigen Montagepaste auf die Schaltung, Platzierens der elektronischen Komponente auf eine leitfähige Montagepaste, und Durchführens von Plasma-Einbrennen für die aufgebrachte leitfähige Montagepaste, wobei dadurch die elektronische Komponente über eine Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht auf der Schaltung montiert wird.
  • In diesem Schritt sind Definitionen und Bedingungen der leitfähigen Montagepaste, des Plasma-Einbrennens, der elektronischen Komponente und der Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht die gleichen wie jene der filmartigen Leiterplatte der oben beschriebenen Ausführungsform, und folglich wird eine Beschreibung davon weggelassen.
  • (Zweites Herstellungsverfahren)
  • <Schaltungsausbildungs-/Elektronische-Komponente-Montageschritt>
  • Der Schaltungsausbildungs-/Elektronische-Komponente-Montageschritt ist ein Schritt des Aufbringens der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste auf das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat, das aus dem Niedriger-Schmelzpunkt-Harz gebildet ist, bei welchem der Schmelzpunkt 370°C oder weniger beträgt, Aufbringens der leitfähigen Montagepaste auf diese schaltungsausbildende leitfähige Paste, Platzierens der elektronischen Komponente auf die leitfähige Montagepaste, und Durchführens des Plasma-Einbrennens für die aufgebrachten leitfähigen Pasten, wobei dadurch die elektronische Komponente über die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht an der Schaltung montiert wird.
  • Bei dem zweiten Herstellungsverfahren sind Definitionen und Bedingungen des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats, der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste, der leitfähige Montagepaste, der elektronischen Komponente und der Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht die gleichen wie jene des ersten Herstellungsverfahrens, und folglich wird eine Beschreibung davon weggelassen.
  • Bei dem zweiten Herstellungsverfahren werden die schaltungsausbildende leitfähige Paste und die leitfähige Montagepaste, auf welche die elektronische Komponente platziert ist, gleichzeitig dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt, und die elektronische Komponente wird an der Schaltung montiert, welche durch das Plasma-Einbrennen erhalten wird, über die durch Plasma-Einbrennen erhaltene Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht. Bei dem zweiten Herstellungsverfahren sind Bedingungen für das Plasma-Einbrennen die gleichen wie jene des ersten Herstellungsverfahrens, und folglich wird eine Beschreibung davon weggelassen.
  • Das erste oder zweite Herstellungsverfahren kann einen Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsschritt des Ausbildens einer isolierenden Deckschicht zum Steigern isolierender Eigenschaften zwischen Leitungen einer Schaltung an einem Abschnitt umfassen, an welchem die Schaltung nicht auf der Oberfläche des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats der filmartigen Leiterplatte der Ausführungsform ausgebildet ist. Bei dem ersten Herstellungsverfahren wird für den Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsschritt genutzt: ein Verfahren, das nach dem Schaltungsausbildungsschritt und vor dem Elektronische-Komponente-Montageschritt durchgeführt wird (das heißt ein erstes Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahren); oder ein Verfahren, das nach dem Elektronische-Komponente-Montageschritt durchgeführt wird (das heißt ein zweites Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahren). Überdies wird bei dem zweiten Herstellungsverfahren für das Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahren ein Verfahren verwendet, das nach dem Schaltungsausbildungs-/Elektronische-Komponente-Montageschritt durchgeführt wird (das heißt ein drittes Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahren).
  • Als die ersten bis dritten Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsverfahren werden insbesondere genutzt: ein Verfahren des Klebens eines isolierenden Films an die Oberfläche des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats, oder ein Verfahren des Aufbringens eines öffentlich bekannten isolierenden Resists auf die Oberfläche des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats durch Drucken und dergleichen, gefolgt durch Trocknen.
  • (Funktionen)
  • Bei der filmartigen Leiterplatte dieser Ausführungsform und dem ersten Herstellungsverfahren dafür, wird die schaltungsausbildende leitfähige Paste auf das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat aufgebracht, und wird dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt, wodurch die Schaltung auf dem Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat in einem kurzen Zeitraum bei einer niedrigen Temperatur ausgebildet wird. Als nächstes wird bei dem ersten Herstellungsverfahren die leitfähige Montagepaste auf die Schaltung aufgebracht, und die elektronische Komponente wird auf die leitfähige Montagepaste platziert, und beide der leitfähigen Pasten werden dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt, wodurch die elektronische Komponente über die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht in einem kurzen Zeitraum bei einer niedrigen Temperatur an der Schaltung montiert wird.
  • Überdies wird bei der filmartigen Leiterplatte der Ausführungsform und dem zweiten Herstellungsverfahren dafür, die schaltungsausbildende leitfähige Paste auf das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat aufgebracht, die leitfähige Montagepaste wird auf diese schaltungsausbildende leitfähige Paste aufgebracht, die elektronische Komponente wird auf die leitfähige Montagepaste platziert, und beide der leitfähigen Pasten werden dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt, wodurch die elektronische Komponente über die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht in einem kurzen Zeitraum bei einer niedrigen Temperatur an der Schaltung montiert wird.
  • Bei der filmartigen Leiterplatte der Ausführungsform und dem Herstellungsverfahren dafür ist es deshalb möglich, die Schaltung auszubilden und die elektronische Komponente daran in einem kurzen Zeitraum bei einer niedrigen Temperatur zu montieren, während das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat als ein Substrat verwendet wird.
  • [Leiterplatte]
  • Als nächstes erfolgt eine Beschreibung einer (gedruckten) Leiterplatte von dieser Ausführungsform.
  • Die Leiterplatte von dieser Ausführungsform umfasst: ein Metallelement, das mit einem Verbindungsziel elektrisch verbunden ist; eine Isolatorschicht mit isolierenden Eigenschaften; und eine Leiterschicht, welche das Metallelement und die Isolatorschicht integriert bedeckt, und mit dem Metallelement elektrisch verbunden ist.
  • Überdies ist es bevorzugt, dass die Leiterplatte von dieser Ausführungsform eine Schutzschicht umfasst, welche die Leiterschicht bedeckt und schützt.
  • Des Weiteren sind bei der Leiterplatte von dieser Ausführungsform vorzugsweise das Metallelement und die Isolatorschicht integriert miteinander ausgebildet, und die Leiterschicht wird ausgebildet, um das Metallelement und die Isolatorschicht integriert zu bedecken, während ein Verbindungsabschnitt dazwischen enthalten ist.
  • Überdies umfasst vorzugsweise die Leiterplatte von dieser Ausführungsform einen isolierenden Stützkörper, in welchem das Metallelement und die Isolatorschicht auf einer Oberfläche platziert sind, wobei das Metallelement und die Isolatorschicht an dem isolierenden Stützkörper platziert sind, um voneinander beabstandet zu sein, und die Leiterschicht das Metallelement, den isolierenden Stützkörper und die Isolatorschicht integriert bedeckt.
  • Überdies wird bei der Leiterplatte von dieser Ausführungsform vorzugsweise die Leiterschicht durch Drucken ausgebildet.
  • Überdies wird bei der Leiterplatte von dieser Ausführungsform vorzugsweise die Leiterschicht ausgebildet, um durch Drucken einer leitfähigen Paste und danach Einbrennen derselbigen zu leiten, und die leitfähige Paste ist eine beliebige von einer Ag-Paste, einer Cu-Paste und einer Au-Paste, welche Silber (Ag), Kupfer (Cu) beziehungsweise Gold (Au) als Hauptmetallkomponente enthalten, und einer gemischten Paste, die durch Mischen von zwei oder mehr Arten von diesen ausgebildet wird.
  • Überdies wird bei der Leiterplatte von dieser Ausführungsform vorzugsweise die Isolatorschicht aus einem beliebigen von Materialien ausgebildet, welche Polyvinylchlorid (PVC), Polypropylen (PP), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN), Polycarbonat (PC), Polybutylenterephthalat (PBT) und Polyethylen (PE) sind.
  • Nachstehend wird eine spezifische Beschreibung der Leiterplatten gemäß der ersten und zweiten Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erfolgen. Angemerkt sei, dass bei den Zeichnungen, welche folgen, die gleichen Bezugszeichen den gleichen oder äquivalenten Abschnitten zugeordnet werden, und eine Beschreibung von Ausgestaltungen und Funktionen davon wird weggelassen.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Eine Beschreibung der Leiterplatte gemäß der ersten Ausführungsform wird unter Bezugnahme auf 1 bis 5 erfolgen. 1 ist eine Draufsicht, die eine schematische Ausgestaltung einer Leiterplatte 1 gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 2 ist eine Querschnittansicht, die eine Querschnittform senkrecht zu einer Sammelschiene-Anordnungsrichtung der in 1 gezeigten Leiterplatte 1 zeigt.
  • Angemerkt sei, dass bei der folgenden Beschreibung eine Richtung (eine Links-Und-Rechts-Richtung in 1), wo Sammelschienen 2 als derartige Metallelemente, welche in 1 gezeigt sind, parallel angeordnet sind, als eine „Sammelschiene-Anordnungsrichtung“ geschrieben ist, und eine verlängerte Richtung (eine Hoch-Und-Runter-Richtung von 1) von einer kurzen Seite einer Isolatorschicht 3 wird als eine „Breitenrichtung“ geschrieben. Überdies wird eine Richtung (eine Hoch-Und-Runter-Richtung von 2), wo die entsprechenden Elemente, die in 2 gezeigt sind, aufeinander laminiert sind, als eine „Laminierungsrichtung“ geschrieben, wobei eine Seite, auf welcher eine Resist-Schicht 5 angeordnet ist, als eine „Vordere-Oberfläche-Seite“ geschrieben wird, und eine Seite, an welcher die Sammelschienen 2 und eine Isolatorschicht 3 angeordnet sind, als eine „Hintere-Oberfläche-Seite“ geschrieben wird. Wie in 2 gezeigt, ist eine „Breitenrichtung“ in 2 eine Links-Und-Rechts-Richtung von 2.
  • Die Leiterplatte 1 gemäß der ersten Ausführungsform, welche in 1 und 2 gezeigt ist, umfasst: Metallelemente (Sammelschienen) 2, die mit einem Verbindungsziel, wie beispielsweise eine Batterie (nicht gezeigt), elektrisch verbunden sind; Leiterschichten 4, die mit dem Verbindungsziel über die Metallelemente elektrisch verbunden sind; und die Isolatorschicht 3. Die Metallelemente 2 und die Isolatorschicht 3 sind integriert mit den Leiterschichten 4 bedeckt.
  • Bei dieser Ausführungsform erfolgt eine Beschreibung von einer Ausgestaltung in einem Fall, wo diese Leiterplatte 1 als ein Sammelschienenmodul für eine Energieversorgungseinrichtung angewandt ist. Wie oben erwähnt, wird das Sammelschienenmodul für eine Energieversorgungseinrichtung zum Beispiel für eine Energieversorgungseinrichtung verwendet, die derart gebildet ist, dass eine Vielzahl an Sekundärbatterien in Reihe miteinander verbunden ist. Zum Beispiel wird die Energieversorgungseinrichtung wie oben beschrieben als eine Einrichtung verwendet, welche an einem Elektrofahrzeug oder einem Hybrid-Fahrzeug montiert ist, elektrische Leistung an einen Elektromotor zuführt und von dem Elektromotor geladen wird. Überdies ermöglicht es diese Energieversorgungseinrichtung eine hohe Batterieausgabe zu erlangen, welche einer erforderlichen Ausgabe von einem derartigen Fahrzeug entspricht, durch Verbinden der Vielzahl an Batterien in Reihe miteinander. Gewöhnlich umfasst das Sammelschienenmodul für eine Energieversorgungseinrichtung eine Vielzahl der Sammelschienen 2. Jede der Vielzahl an Sammelschienen 2 verbindet elektrisch einen positiven Elektrodenanschluss und negativen Elektrodenanschluss von zwei Batterien, die in der Energieversorgungseinrichtung aneinander angrenzen. Auf diese Art wird dem Sammelschienenmodul für eine Energieversorgungseinrichtung ermöglicht, eine Vielzahl der Sekundärbatterien in der Energieversorgungseinrichtung in Reihe miteinander zu verbinden.
  • Bei dem Sammelschienenmodul für eine Energieversorgungseinrichtung ist eine Vielzahl der Leiterschichten 4 als Spannungserfassungsleitungen zum Ausgeben von Stücken bzw. Teilen von Spannungsinformationen der Batterien, mit welchen die entsprechenden Sammelschienen 2 gekoppelt sind, vorgesehen. Die Vielzahl an Leiterschichten 4 ist durch die gleiche Anzahl wie diejenige der Sammelschienen 2 vorgesehen, und jede der Leiterschichten 4 ist mit irgendeiner bzw. einer beliebigen der Vielzahl an Sammelschienen 2 verbunden. Das Sammelschienenmodul für eine Energieversorgungseinrichtung gibt die Stücke von Spannungsinformationen der Batterien, mit welchen die entsprechenden Sammelschienen 2 gekoppelt sind, an ein Peripheriegerät, wie beispielsweise ein elektronisches Steuergerät (ECU) des Fahrzeugs, über die Vielzahl an Leiterschichten 4 aus. Basierend auf den erlangten Stücken von Spannungsinformationen führt das Peripheriegerät eine Ladungssteuerung für die entsprechenden Batterien der Energieversorgungseinrichtung durch.
  • Wie in 1 und 2 gezeigt, umfasst die Leiterplatte 1: die Sammelschienen 2 als die Metallelemente; die Isolatorschicht 3; die Leiterschichten 4; und die Resist-Schichten 5 als die Schutzschichten.
  • Die Sammelschienen 2 sind Metallelemente, die mit Verbindungszielen, wie beispielsweise die Anschlüsse der Batterien, elektrisch verbunden sind. Die Sammelschienen 2 sind in eine rechteckige Plattenform ausgebildet. Es ist bevorzugt, dass die Leiterplatte 1 die Vielzahl an Sammelschienen 2 aufweist. Bei der in 1 gezeigten Leiterplatte 1 sind vier Sammelschienen 2 in Bezug auf die einzelne Leiterplatte 1 vorgesehen. In einem Fall, wo die Sammelschienen 2 in der Mehrzahl sind, sind die Sammelschienen 2 parallel zueinander in einem vorbestimmten Intervall bzw. Abstand entlang einer vorbestimmten Richtung angeordnet. Bei der in 1 gezeigten Leiterplatte 1 sind vier Sammelschienen 2 parallel entlang der Sammelschiene-Anordnungsrichtung angeordnet. Wie in 1 und 2 gezeigt, in Hinblick auf jede der Sammelschienen 2, ist eine Endseite (eine untere Seite in 1) davon in einer Breitenrichtung in der Isolatorschicht 3 eingebettet.
  • Die Isolatorschicht 3 ist ein Substrat, das eine Funktion aufweist, um mit der Sammelschiene 2 über die Leiterschicht 4, die auf einer Oberfläche der betreffenden Isolatorschicht 3 angeordnet ist, gekoppelt zu sein. Die Isolatorschicht 3 ist angeordnet, so dass eine Normalenrichtung einer Hauptebene davon im Wesentlichen mit einer Normalenrichtung einer Hauptebene von jeder der Sammelschienen 2 übereinstimmen kann. Die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 sind durch Insert-Formgebung integriert miteinander ausgebildet. Die Isolatorschicht 3 ist ein bandartiges Element, das entlang der Sammelschiene-Anordnungsrichtung verlängert ist. In einer Eine-Seite-Endoberfläche der Isolatorschicht 3, welche entlang der Sammelschiene-Anordnungsrichtung geht, das heißt in einer Endoberfläche davon in einer Längsrichtung, ist die Vielzahl an Sammelschienen 2 teilweise eingebettet.
  • Die Isolatorschicht 3 ist eine Schicht mit isolierenden Eigenschaften. Als die Isolatorschicht 3 kann zum Beispiel ein Film, ein geformtes Produkt oder dergleichen, welches durch Durchführen von Spritzgießen für ein Polyvinylchlorid (PVC) geformt ist, verwendet werden. Überdies kann, neben dem Obigen, als ein Material der Isolatorschicht 3 Polypropylen (PP), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN), Polycarbonat (PC), Polybutylenterephthalat (PBT) oder dergleichen verwendet werden.
  • Die Leiterschichten 4 sind leitfähige Elemente, welche mit den Sammelschienen 2 elektrisch verbunden sind, und dadurch auch mit den Verbindungszielen, die mit den Sammelschienen 2 verbunden sind, elektrisch verbunden sind. Wie in 2 gezeigt, ist jede der Leiterschichten 4 an einer Vordere-Oberfläche-Seite in der Laminierungsrichtung der Sammelschiene 2 und der Isolatorschicht 3 ausgebildet, um die Sammelschiene 2 und die Isolatorschicht 3 integriert zu bedecken. Die Leiterplatte 1 umfasst die gleiche Anzahl an Leiterschichten 4 wie diejenige der Sammelschienen 2, und bei der in 1 gezeigten Leiterplatte 1 sind vier Leiterschichten 4 vorgesehen. In einem Fall, wo die Leiterschichten 4 in Mehrzahl sind, ist jede der Leiterschichten 4 individuell mit irgendeiner der Vielzahl an Sammelschienen 2 verbunden. Jede der Leiterschichten 4 umfasst: einen Hauptleitungsabschnitt 4a, welcher in eine Linienform ausgebildet ist, und auf der Isolatorschicht 3 entlang der Sammelschiene-Anordnungsrichtung verlängert ist; und einen Verbindungsleitungsabschnitt 4b, welcher von diesem Hauptleitungsabschnitt 4a in einem im Wesentlichen rechten Winkel in eine Richtung von irgendeiner der Sammelschienen 2 gebogen ist, und in der Breitenrichtung der Isolatorschicht 3 verlängert ist, bis er die vordere Oberfläche der Sammelschiene 2 erreicht. Dieser Verbindungsleitungsabschnitt 4b der Leiterschicht 4 ist ausgebildet, um die Sammelschiene 2 und die Isolatorschicht 3 integriert zu bedecken, mit welchen die betreffende Leiterschicht 4 verbunden sind. Überdies werden die Leiterschichten 4 durch Drucken ausgebildet. In Hinblick auf jede der Leiterschichten 4 ist ein Eine-Seite-Endabschnitt davon mit irgendeiner der Sammelschienen 2 verbunden.
  • Zum Beispiel ist jede der Leiterschichten 4 ausgebildet, um durch Drucken der leitfähigen Paste und danach Einbrennen derselbigen zu leiten. Als die leitfähige Paste kann eine Paste verwendet werden, welche durch Zufügen eines organischen Lösungsmittels, eines Reduktionsmittels, eines Additivs oder dergleichen zu Metallpartikeln erhalten wird. Als die Metallpartikel ist es bevorzugt, Silber, Kupfer, Gold oder eine Hybrid-Art zu verwenden, die durch Kombinieren von zwei Arten oder mehr von diesen miteinander erhalten wird. Nämlich ist es bevorzugt, als die leitfähige Paste eine Ag-Paste, eine Cu-Paste und eine Au-Paste zu verwenden, welche Silber (Ag), Kupfer (Cu) beziehungsweise Gold (Au) als Hauptmetallkomponenten enthalten, oder eine gemischte Paste, die durch Mischen von zwei oder mehr Arten von diesen erhalten wird.
  • Als ein Druckverfahren von jeder der Leiterschichten 4 ist ein Druckverfahren wie beispielsweise Siebdruck, Abgabedruck, Tintenstrahl, Tiefdruck und Flexographie bevorzugt. Unter ihnen ist der Siebdruck oder der Abgabedruck bevorzugt, da eine Schaltungsbreite dadurch geeignet gehalten werden kann. Überdies ist es bevorzugt, dass jede der Leiterschichten 4 durch mehrmaliges Wiederholen des Druckens ausgebildet wird. Angemerkt sei, dass jede der Leiterschichten 4 auch durch partielles mehrmaliges Wiederholen des Druckens ausgebildet werden kann.
  • Die Resist-Schichten 5 sind Schutzschichten, welche die Leiterschichten 4 bedecken und schützen. Wie in 2 gezeigt, werden die Resist-Schichten 5 an einer Vordere-Oberfläche-Seite in der Laminierungsrichtung der Leiterschichten 4 ausgebildet. Die Leiterplatte 1 umfasst die gleiche Anzah an Resist-Schichten 5 wie diejenige der Sammelschienen 2 und diejenige der Leiterschichten 4. Bei der in 1 gezeigten Leiterplatte 1 sind vier Resist-Schichten 5 vorgesehen. Jede der Resist-Schichten 5 ist ausgebildet, um einen gesamten Bereich von irgendeiner der Vielzahl an Leiterschichten 4 zu bedecken. Als jede der Resist-Schichten 5 wird zum Beispiel ein wärmehärtendes oder UV-aushärtbares Resist verwendet. Es ist besonders bevorzugt ein Epoxid-basiertes Resist oder ein Urethan-basiertes Resist zu verwenden.
  • Als nächstes wird eine Beschreibung eines Herstellungsprozesses für die Leiterplatte 1 gemäß der ersten Ausführungsform unter Bezugnahme auf 3 bis 5 erfolgen. 3 ist ein Flussdiagramm, das den Herstellungsprozess für die Leiterplatte gemäß der ersten Ausführungsform zeigt. 4 ist eine schematische Ansicht zum Erläutern eines Prozesses von Schritt S101 des Flussdiagramms von 3. 5 ist eine schematische Ansicht zum Erläutern eines Prozesses von Schritt S102 des Flussdiagramms von 3. Angemerkt sei, dass auf die oben erwähnte 1 auch hier Bezug genommen wird, da 1 auch eine schematische Ansicht zum Erläutern eines Prozesses von Schritt S104 des Flussdiagramms von 3 ist. Nachstehend wird eine Beschreibung des Herstellungsprozesses für die Leiterplatte 1 gemäß dem Flussdiagramm von 3 erfolgen, während auf 1, 4 und 5 Bezug genommen wird.
  • In Schritt S101 werden die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 integriert miteinander durch Insert-Formgebung geformt. Insbesondere wird die Vielzahl an Sammelschienen 2 parallel zueinander entlang der Sammelschiene-Anordnungsrichtung angeordnet, und die Eine-Seite-Endabschnitte in der Breitenrichtung dieser Sammelschienen 2 werden durch ein geschmolzenes Material der Isolatorschicht 3 eingepackt bzw. umwickelt und werden verfestigt, wodurch die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 integriert miteinander geformt werden. In 4 sind vier Sammelschienen 2 parallel zueinander angeordnet. Wie in 4 gezeigt, werden die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3, welche integriert miteinander geformt sind, in eine Bandform ausgebildet, bei welcher die Isolatorschicht 3 in der Sammelschiene-Anordnungsrichtung verlängert ist. Hier wird die Vielzahl an Sammelschienen 2 partiell in die Eine-Seite-Endoberfläche in der Breitenrichtung der Isolatorschicht 3 eingebettet. Wenn ein derartiges Verarbeiten von Schritt S101 abgeschlossen ist, schreitet der Herstellungsprozess zu Schritt S102 fort.
  • In Schritt S102 werden die Leiterschichten 4, welche die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 integriert bedecken, durch Drucken ausgebildet. Die Leiterschichten 4 werden durch die gleiche Anzahl wie jene der Sammelschienen 2 ausgebildet. In 5 werden vier Leiterschichten 4 und vier Sammelschienen 2 ausgebildet. Jede der Vielzahl an Leiterschichten 4 wird mit irgendeiner der Vielzahl an Sammelschienen 2 individuell verbunden. Wie in 5 gezeigt, wird bei jeder der Leiterschichten 4 der Hauptleitungsabschnitt 4a der Leiterschicht 4 in einer Linienform ausgebildet, um auf der Isolatorschicht 3 entlang der Sammelschiene-Anordnungsrichtung verlängert zu sein. Überdies wird bei jeder der Leiterschichten 4 der Verbindungsleitungsabschnitt 4b der Leiterschicht 4 in eine derartige Linienform ausgebildet, dass der Verbindungsleitungsabschnitt 4b von dem Hauptleitungsabschnitt 4a in einem im Wesentlichen rechten Winkel in die Richtung von irgendeiner der Sammelschienen 2 gebogen ist und in der Breitenrichtung der Isolatorschicht 3 verlängert ist, bis er die vordere Oberfläche der Sammelschiene 2 erreicht. In diesem Prozess wird zum Beispiel die leitfähige Paste unter Verwendung eines Siebdruckers gedruckt, wodurch die Leiterschichten 4 überlagert und an der Vordere-Oberfläche-Seite in der Laminierungsrichtung der Sammelschienen 2 und der Isolatorschicht 3 angeordnet sind. Als der Siebdrucker wird zum Beispiel DP-320 verwendet, der durch Newlong Seimitsu Kogyo Co., Ltd. hergestellt wird. Als die leitfähige Paste wird zum Beispiel Ag-Paste CA-6178 verwendet, die durch Daiken Chemical Co., Ltd. hergestellt wird. Wenn ein derartiges Verarbeiten des Schritts S102 abgeschlossen ist, schreitet der Herstellungsprozess zu Schritt S103 fort.
  • In Schritt S103 werden die Leiterschichten 4 eingebrannt. Durch diesen Einbrennprozess kann den Leiterschichten 4 eine Leitfähigkeit auferlegt werden. Bei diesem Einbrennprozess werden zum Beispiel die Leiterschichten 4 für 30 Minuten durch Nutzen eines Heißlufttrockners von 150°C erwärmt. Wenn ein derartiges Verarbeiten von Schritt S103 abgeschlossen ist, schreitet der Herstellungsprozess zu Schritt S104 fort.
  • In Schritt S104 werden die Resist-Schichten 5, welche die Leiterschichten 4 bedecken, ausgebildet. Die Resist-Schichten 5 werden durch die gleiche Anzahl wie jene der Sammelschienen 2 und der Leiterschichten 4 ausgebildet. Bei der in 1 gezeigten Leiterplatte werden vier Resist-Schichten 5 ausgebildet. Jede der Resist-Schichten 5 wird an der Vordere-Oberfläche-Seite in der Laminierungsrichtung der Vielzahl an Leiterschichten 4 ausgebildet, um den gesamten Bereich von irgendeiner der Vielzahl an Leiterschichten 4 zu bedecken. Nämlich wird, wie in 1 gezeigt, jede der Resist-Schichten 5 in eine derartige Linienform ausgebildet, die entlang der Sammelschiene-Anordnungsrichtung verlängert ist, um den Hauptleitungsabschnitt 4a der Leiterschicht 4 zu bedecken, und wird außerdem in einer derartigen Linienform ausgebildet, die entlang der Breitenrichtung der Isolatorschicht 3 verlängert ist, um den Verbindungsleitungsabschnitt 4b der Leiterschicht 4 zu bedecken. Wenn eine derartige Verarbeitung von Schritt S104 abgeschlossen ist, schreitet der Herstellungsprozess zu Schritt S105 fort.
  • In Schritt S105 wird eine Bewertung bzw. Beurteilung der Kontinuität implementiert bzw. verwirklicht, und eine Kontinuität der Leiterschichten 4 wird bestätigt. Bei der Beurteilung der Kontinuität wird ein Kontinuitätstest der Leiterschichten 4 implementiert, welcher einen Tester nutzt, und eine Kontinuität zwischen einem Sammelschiene 2-Seite Endabschnitt auf einer Seite von jeder der Leiterschichten 4 und einem Isolatorschicht 3-Seite Endabschnitt auf der anderen Seite davon wird bestätigt. Wenn eine derartige Verarbeitung von Schritt S105 abgeschlossen ist, ist der Herstellungsprozess für die Leiterplatte 1 beendet.
  • <Wirkungen>
  • Als nächstes wird eine Beschreibung von Wirkungen bzw. Effekten der Leiterplatte 1 gemäß der ersten Ausführungsform erfolgen.
  • Die Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform umfasst: die Sammelschienen 2, die mit den Verbindungszielen, wie beispielsweise den Anschlüssen der Batterien, elektrisch verbunden sind; die Isolatorschicht 3 mit isolierenden Eigenschaften; und die Leiterschichten 4, welche die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 integriert bedecken, und elektrisch mit den Sammelschienen 2 verbunden sind.
  • Durch diese Ausgestaltung bedecken die Leiterschichten 4 integriert die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3, und folglich wird es unnötig eine Verdrahtungsarbeit durchzuführen, um die Sammelschienen 2 und die Leiterschichten 4 miteinander elektrisch zu verbinden, wie das herkömmliche Sammelschienenmodul. Auf diese Art, falls die Leiterplatte 1 hergestellt wird, wird es möglich, gleichzeitig die Verbindung zwischen den Sammelschienen 2 und den Leiterschichten 4 und die Schaltungsausbildung zu implementieren, und als eine Folge kann eine Verdrahtungsstruktur zwischen den Sammelschienen 2 und den Leiterschichten 4 mit Leichtigkeit ausgebildet werden. Gemäß der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform werden nämlich derartige Wirkungen ausgeübt, dass es möglich wird, gleichzeitig eine Verbindung zwischen den Metallelementen 2 und den Leiterschichten 4 und die Schaltungsausbildung zu implementieren, und dass eine Verdrahtungsstruktur zwischen den Metallelementen 2 und den Leiterschichten 4 mit Leichtigkeit ausgebildet werden kann.
  • Überdies umfasst die Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform die Resist-Schichten 5, welche die Leiterschichten 4 bedecken und schützen. Durch diese Ausgestaltung, gemäß der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform, werden die Leiterschichten 4 nicht zur Außenseite freigelegt, und können durch die Resist-Schichten 5 geschützt werden, und folglich kann die Kontinuität der Leiterschichten 4 geeignet beibehalten werden.
  • Des Weiteren werden bei der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 integriert miteinander durch Insert-Formgebung ausgebildet. Die Leiterschichten 4 bedecken integriert die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3, während sie die Verbindungsabschnitte dazwischen aufweisen. Durch diese Ausgestaltung können die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 integriert miteinander geformt werden, und folglich kann die Anzahl an Komponenten zum Zeitpunkt der Herstellung der Leiterplatte 1 verringert werden. Überdies können relative Positionen zwischen den Sammelschienen 2 und der Isolatorschicht 3 fixiert bzw. fest sein, und folglich kann es einfach gemacht sein, die Leiterschichten 4 an den Sammelschienen 2 und der Isolatorschicht 3 auszubilden. Somit kann gemäß der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform eine Verarbeitbarkeit gesteigert werden.
  • Überdies werden bei der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform die Leiterschichten 4 durch Drucken ausgebildet. Durch diese Ausgestaltung können gemäß der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform die Leiterschichten 4 mit Leichtigkeit ausgebildet werden, während die Form und Anordnung davon wie gewünscht festgelegt werden.
  • Des Weiteren werden bei der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform die Leiterschichten 4 ausgebildet, um durch Drucken der leitfähigen Paste und danach Einbrennen derselbigen zu leiten. Die leitfähige Paste ist eine beliebige der Ag-Paste, der Cu-Paste und der Au-Paste, welche Silber (Ag), Kupfer (Cu) beziehungsweise Gold (Au) als Hauptmetallkomponenten enthalten, oder die gemischte Paste, die durch Mischen von zwei oder mehr Arten von diesen erhalten wird. Durch diese Ausgestaltung kann gemäß der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform die Leitfähigkeit der Leiterschichten 4 weiter gesteigert werden.
  • Überdies werden bei der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform die Isolatorschichten 3 aus einem beliebigen der Materialien ausgebildet, welche Polyvinylchlorid (PVC), Polypropylen (PP), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethylennaphthalat (PEN), Polycarbonat (PC), Polybutylenterephthalat (PBT) und Polyethylen (PE) sind. Durch diese Ausgestaltung können gemäß der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform die isolierenden Eigenschaften der Isolatorschichten 3 weiter gesteigert werden.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Als nächstes wird eine Beschreibung einer zweiten Ausführungsform unter Bezugnahme auf 6 bis 10 erfolgen. Als erstes wird eine Beschreibung von einer Ausgestaltung einer Leiterplatte 1a gemäß der zweiten Ausführungsform unter Bezugnahme auf 6 und 7 erfolgen. 6 ist eine Draufsicht, die eine schematische Ausgestaltung der Leiterplatte gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. 7 ist eine Querschnittansicht, die eine Querschnittform senkrecht zu einer Sammelschiene-Anordnungsrichtung der in 6 gezeigten Leiterplatte zeigt.
  • Wie in 6 und 7 gezeigt, umfasst die Leiterplatte 1a: die Sammelschienen 2; die Isolatorschicht 3; die Leiterschichten 4; die Resist-Schichten 5; und einen Basisrahmen 10 als eine isolierende Stütze. Was eine Ausgestaltung anbelangt, unterscheidet sich die Leiterplatte 1a der zweiten Ausführungsform von der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform in einem Punkt, dass die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 nicht integriert miteinander geformt werden, sondern getrennt voneinander angeordnet sind, und in einem Punkt, dass die Leiterschichten 4 auch den Basisrahmen 10 integriert bedecken, der zwischen den Sammelschienen 2 und den Isolatorschichten 3 angeordnet ist.
  • Der Basisrahmen 10 ist ein Substrat, bei welchem die Sammelschienen 2, die Isolatorschicht 3 und die Leiterschichten 4 an einer vorderen Oberfläche angeordnet sind, wobei das Substrat die Leiterschichten 4 mit den Sammelschienen 2 koppelt. Der Basisrahmen 10 wird durch Verwenden eines isolierenden Materials ähnlich demjenigen der Isolatorschicht 3 ausgebildet. Das Material des Basisrahmens 10 kann das gleiche sein wie das oder unterschiedlich von dem Material der Isolatorschicht 3. Wie in 6 und 7 gezeigt, werden die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 auf einer Hauptebene auf einer Vordere-Oberfläche-Seite in der Laminierungsrichtung des Basisrahmens 10 platziert, um voneinander beabstandet zu sein. Nämlich ist die Hauptebene des Basisrahmens 10 zwischen den Sammelschienen 2 und der Isolatorschicht 3 freiliegend. Auf diese Art, wenn die Leiterschichten 4 an dieser vorderen Oberfläche ausgebildet werden, werden dann, wie in 7 gezeigt, die erhaltenen Leiterschichten 4 zu Leiterschichten, welche die Sammelschienen 2, den Basisrahmen 10 und die Isolatorschicht 3 integriert bedecken.
  • Als nächstes wird eine Beschreibung eines Herstellungsprozesses für die Leiterplatte 1a gemäß der zweiten Ausführungsform unter Bezugnahme auf 8 bis 10 erfolgen. 8 ist ein Flussdiagramm, das den Herstellungsprozess für die Leiterplatte gemäß der zweiten Ausführungsform zeigt. 9 ist eine schematische Ansicht zum Erläutern eines Prozesses von Schritt S201 des Flussdiagramms von 8. 10 ist eine schematische Ansicht zum Erläutern eines Prozesses von Schritt S202 des Flussdiagramms von 8. Angemerkt sei, dass auf die oben erwähnte 6 auch hier Bezug genommen wird, da 6 auch eine schematische Ansicht zum Erläutern eines Prozesses von Schritt S204 des Flussdiagramms von 8 ist. Nachstehend wird eine Beschreibung des Herstellungsprozesses für die Leiterplatte 1a gemäß dem Flussdiagramm von 8 erfolgen, während auf 6, 9 und 10 Bezug genommen wird.
  • In Schritt S201 werden die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 auf dem Basisrahmen 10 platziert. Wie in 9 gezeigt, ist auf der Hauptebene an der Vordere-Oberfläche-Seite in der Laminierungsrichtung des Basisrahmens 10 eine Vielzahl der Sammelschienen 2 parallel zueinander entlang der Sammelschiene-Anordnungsrichtung platziert. In 9 sind vier Sammelschienen 2 parallel zueinander platziert. Überdies wird auf die gleiche Art auf der Hauptebene an der Vordere-Oberfläche-Seite in der Laminierungsrichtung des Basisrahmens 10 die Isolatorschicht 3 platziert, um entlang der Sammelschiene-Anordnungsrichtung getrennt von diesen Sammelschienen 2 um einen vorbestimmten Abstand in der Breitenrichtung verlängert zu sein. Angemerkt sei, dass bei diesem Prozess die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 auf den Basisrahmen 10 angehaftet bzw. geklebt sein können, oder mit dem Basisrahmen 10 durch Schrauben und dergleichen befestigt sein können. Wenn eine derartige Verarbeitung von Schritt S201 abgeschlossen ist, schreitet der Herstellungsprozess zu Schritt S202 fort.
  • In Schritt S202 werden die Leiterschichten 4 durch Drucken ausgebildet, um die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 integriert zu bedecken. Die Leiterschichten 4 werden durch die gleiche Anzahl wie diejenige der Sammelschienen 2 ausgebildet. In 10 sind vier Leiterschichten 4 und vier Sammelschienen 2 ausgebildet. Jede der Vielzahl an Leiterschichten 4 wird mit irgendeiner der Vielzahl an Sammelschienen 2 individuell verbunden. Wie in 10 gezeigt, ist bei jeder der Leiterschichten 4 der Hauptleitungsabschnitt 4a der Leiterschicht 4 in eine lineare Form ausgebildet, um an der Isolatorschicht 3 entlang der Sammelschiene-Anordnungsrichtung verlängert zu sein. Überdies ist bei jeder der Leiterschichten 4 der Verbindungsleitungsabschnitt 4b der Leiterschicht 4 in eine derartige Linienform ausgebildet, dass der Verbindungsleitungsabschnitt 4b von dem Hauptleitungsabschnitt 4a in einem im Wesentlichen rechten Winkel in der Richtung von irgendeiner der Sammelschienen 2 gebogen ist, und in der Breitenrichtung der Isolatorschicht 3 verlängert ist, bis er die vordere Oberfläche der Sammelschiene 2 erreicht. Nämlich bedeckt jeder der Verbindungsleitungsabschnitte 4b der Leiterschicht 4 integriert die Isolatorschicht 3, den Basisrahmen 10 und die Sammelschiene 2 entlang der Breitenrichtung. In diesem Prozess wird zum Beispiel die leitfähige Paste unter Verwendung einer Abgabeeinrichtung bzw. eines Dispensers gedruckt, wodurch die Leiterschichten 4 überlagert und an der Vordere-Oberfläche-Seite in der Laminierungsrichtung der Sammelschienen 2, des Basisrahmens 10 und der Isolatorschicht 3 angeordnet werden. Als der Dispenser wird zum Beispiel ein Hochleistung-Schneckendispenser SCREW MASTER 2, durch Musahi Engineering Co., Ltd. hergestellt, verwendet. Als die leitfähige Paste wird zum Beispiel Ag-Paste RA FS 074, durch TOYOCHEM Co., Ltd. hergestellt, verwendet. Wenn eine derartige Verarbeitung von Schritt S202 abgeschlossen ist, schreitet der Herstellungsprozess zu Schritt S203 fort.
  • In Schritt S203 werden die Leiterschichten 4 eingebrannt. Durch diese Einbrennverarbeitung kann den Leiterschichten 4 eine Leitfähigkeit auferlegt werden. In diesem Prozess werden zum Beispiel die Leiterschichten 4 für 30 Minuten durch Verwendung eines Heißlufttrockners von 150°C erwärmt. Wenn eine derartige Verarbeitung von Schritt S203 abgeschlossen ist, schreitet der Herstellungsprozess zu Schritt S204 fort.
  • In Schritt S204 werden die Resist-Schichten 5 ausgebildet, welche die Leiterschichten 4 bedecken. Die Resist-Schichten 5 werden durch die gleiche Anzahl wie diejenige der Sammelschienen 2 und der Leiterschichten 4 ausgebildet. Bei der in 6 gezeigten Leiterplatte 1a sind vier Resist-Schichten 5 ausgebildet. Jede der Resist-Schichten 5 wird an der Vordere-Oberfläche-Seite in der Laminierungsrichtung der Vielzahl an Leiterschichten 4 ausgebildet, um den gesamten Bereich von irgendeiner der Vielzahl an Leiterschichten 4 zu bedecken. Nämlich wird, wie in 6 gezeigt, jede der Resist-Schichten 5 in einer derartigen Linienform ausgebildet, die entlang der Sammelschiene-Anordnungsrichtung verlängert ist, um den Hauptleitungsabschnitt 4a der Leiterschicht 4 zu bedecken, und wird außerdem in einer derartigen Linienform ausgebildet, die entlang der Breitenrichtung der Isolatorschicht 3 verlängert ist, um den Verbindungsleitungsabschnitt 4b der Leiterschicht 4 zu bedecken. Wenn ein derartiges Verarbeiten von Schritt S204 abgeschlossen ist, schreitet der Herstellungsprozess zu Schritt S205 fort.
  • In Schritt S205 wird eine Beurteilung der Kontinuität implementiert, und die Kontinuität der Leiterschichten 4 wird bestätigt. Bei der Beurteilung der Kontinuität wird ein Kontinuitätstest der Leiterschichten 4 implementiert, welcher einen Tester nutzt, und eine Kontinuität zwischen einem Sammelschiene 2-Seite Endabschnitt auf einer Seite von jeder der Leiterschichten 4 und einem Isolatorschicht 3-Seite Endabschnitt auf der anderen Seite davon wird bestätigt. Wenn eine derartige Verarbeitung von Schritt S205 abgeschlossen ist, ist der Herstellungsprozess für die Leiterplatte 1a beendet.
  • <Wirkungen>
  • Als nächstes wird eine Beschreibung von Wirkungen der Leiterplatte 1a gemäß der zweiten Ausführungsform erfolgen.
  • Auf eine ähnliche Art zu der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform umfasst die Leiterplatte 1a der zweiten Ausführungsform: die Sammelschienen 2, die mit den Verbindungszielen, wie beispielsweise den Anschlüssen der Batterien, elektrisch verbunden sind; die Isolatorschicht 3 mit isolierenden Eigenschaften; und die Leiterschichten 4, welche die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 integriert bedecken, und elektrisch mit den Sammelschienen 2 verbunden sind. Überdies umfasst die Leiterplatte 1a der zweiten Ausführungsform die Resist-Schichten 5, welche die Leiterschichten 4 bedecken und schützen. Des Weiteren sind bei der Leiterplatte 1a der zweiten Ausführungsform die Leiterschichten 4 ausgebildet, um durch Drucken der leitfähigen Paste und danach Einbrennen derselbigen zu leiten. Somit können gemäß der Leiterplatte 1a der zweiten Ausführungsform ähnliche Wirkungen zu denen der Leiterplatte 1 der ersten Ausführungsform ausgeübt werden. Nämlich werden gemäß der Leiterplatte 1a der zweiten Ausführungsform derartige Wirkungen ausgeübt, dass es möglicht wird, gleichzeitig die Verbindung zwischen den Metallelementen 2 und den Leiterschichten 4 und die Schaltungsausbildung zu implementieren, und dass die Verdrahtungsstruktur zwischen den Metallelementen 2 und den Leiterschichten 4 mit Leichtigkeit ausgebildet werden kann.
  • Überdies umfasst die Leiterplatte 1a der zweiten Ausführungsform den Basisrahmen 10, an welchem die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 platziert sind. Überdies werden die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 auf der Hauptebene an der Vordere-Oberfläche-Seite in der Laminierungsrichtung des Basisrahmens 10 platziert, um voneinander beabstandet zu sein. Die Leiterschichten 4 werden ausgebildet, um die Sammelschienen 2, den Basisrahmen 10 und die Isolatorschicht 3 integriert zu bedecken. Gemäß dieser Ausgestaltung sind die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 an dem Basisrahmen 10 angeordnet, wodurch die relativen Positionen zwischen den Sammelschienen 2 und der Isolatorschicht 3 mit Leichtigkeit konstant festgelegt werden können, und folglich kann es vereinfacht werden, die Leiterschichten 4 zwischen den Sammelschienen 2 und der Isolatorschicht 3 auszubilden, und die Verarbeitbarkeit kann gesteigert werden.
  • Angemerkt sei, dass die Leiterplatte 1a der zweiten Ausführungsform auch eine Ausgestaltung annehmen kann, bei welcher der Basisrahmen 10 und die Isolatorschicht 3 kollektiv als ein einzelnes Element ausgebildet sind. Mit anderen Worten kann die Leiterplatte 1a der zweiten Ausführungsform auch eine Ausgestaltung annehmen, bei welcher die Isolatorschicht 3 von der Leiterplatte 1a der zweiten Ausführungsform beseitigt bzw. ausgelassen ist, und die Leiterschichten 4 direkt an dem Basisrahmen 10 ausgebildet sind. In diesem Fall dient der Basisrahmen 10 auch als solcher als eine Isolatorschicht, an welcher die Hauptleitungsabschnitte 4a der Leiterschichten 4 angeordnet sind. Die Verbindungsleitungsabschnitte 4b der Leiterschichten 4 sind entlang der Breitenrichtung ausgebildet, um den Basisrahmen 10 und die Sammelschienen 2 integriert zu bedecken.
  • Bei den ersten und zweiten Ausführungsformen werden derartige Ausgestaltungen dargestellt, bei welchen die Leiterplatten 1 und 1a gemäß den Ausführungsformen als die Sammelschienenmodule für eine Energieversorgungseinrichtung angewandt sind. Die Leiterplatten 1 und 1a können jedoch an andere als die Sammelschienenmodule angewandt werden.
  • Überdies müssen die Sammelschienen 2 lediglich Metallelemente sein, welche die Verbindungsziele, wie beispielsweise die Anschlüsse der Batterien, und die Leiterschichten 4 elektrisch verbinden. Zum Beispiel können die Sammelschienen 2 eine andere Form aufweisen als die rechteckige Plattenform, oder können durch Metallelemente ausgetauscht werden, welche eine andere Funktion als diejenige der Sammelschienen 2 (Anschlüsse) aufweisen.
  • Überdies werden bei den ersten und zweiten Ausführungsformen derartige Ausgestaltungen dargestellt, bei jeder von welchen die Resist-Schichten 5 als die Elemente vorgesehen sind, welche die Leiterschichten 4 schützen. Die ersten und zweiten Ausführungsformen können jedoch Ausgestaltungen annehmen, bei welchen die Resist-Schichten 5, welche die Leiterschichten 4 schütze, nicht vorgesehen sind, als Reaktion auf eine Verwendungsumgebung der Leiterplatten 1 und 1a gemäß den Ausführungsformen.
  • Des Weiteren werden bei den ersten und zweiten Ausführungsformen derartige Ausgestaltungen dargestellt, bei jeder von welchen die Resist-Schichten 5 als die Elemente vorgesehen sind, welche die Leiterschichten 4 schützen. Bei den ersten und zweiten Ausführungsformen können jedoch derartige Ausgestaltungen verwendet werden, bei jeder von welchen eine isolierende Abdeckung, welche eine Gesamtheit der Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 bedeckt, anstelle der Resist-Schichten 5 verwendet wird. Als die isolierende Abdeckung ist es bevorzugt, PET, PEN, PC, PP, PBT, PU und dergleichen zu verwenden, jedes von welchen ein Haftmaterial an Einer-Oberfläche-Seite in Kontakt mit der Isolatorschicht 3 aufweist.
  • Überdies werden bei den ersten und zweiten Ausführungsformen derartige Ausgestaltungen dargestellt, bei jeder von welchen die Leiterschichten 4 durch Drucken ausgebildet werden. Bei den ersten und zweiten Ausführungsformen können die Leiterschichten 4 jedoch durch ein anderes Verfahren als Drucken ausgebildet werden, solange wie die Leiterschichten 4 die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 integriert bedecken, und die Hauptleitungsabschnitte 4a und die Verbindungsleitungsabschnitte 4b können integriert ausgebildet werden.
  • Überdies werden bei den ersten und zweiten Ausführungsformen derartige Ausgestaltungen dargestellt, bei jeder von welchen die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 integriert durch Insert-Formgebung ausgebildet werden. Bei den ersten und zweiten Ausführungsformen können die Sammelschienen 2 und die Isolatorschicht 3 jedoch integriert durch Laminierformgebung, Strangpressen bzw. Extrusionsformgebung, Pressarbeitsgang, Haftarbeitsgang und dergleichen ausgebildet werden.
  • Oben ist die Beschreibung der vorliegenden Erfindung durch die Ausführungsformen erfolgt; jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese beschränkt, und ist auf verschiedene Arten innerhalb des Bereichs des Gedankens der Erfindung modifizierbar.
  • BEISPIELE
  • Die vorliegende Erfindung wird unten genauer durch Beispiele beschrieben werden; jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Beispiele beschränkt.
  • Bei den folgenden Beispielen wurden die folgenden leitfähigen Pasten als die schaltungsausbildende leitfähige Paste oder die leitfähige Montagepaste verwendet.
    • (1) Leitfähige Paste A: Ag-Paste RAFS 074 (aushärtbar bei 100°C; Viskosität bei 25°C: 130 Pa·s) hergestellt durch Toyochem Co., Ltd.
    • (2) Leitfähige Paste B: Ag-Paste CA-6178 (aushärtbar bei 130°C; Viskosität bei 25°C: 195 Pa·s) hergestellt durch Daiken Chemical Co., Ltd.
    • (3) Leitfähige Paste C: Ag-Tinte Metalon (eingetragenes Warenzeichen) HPS-030LV (aushärtbar bei 80 bis 130°C; Viskosität 1000 cP übersteigend) hergestellt durch NovaCentrix Corporation
    • (4) Leitfähige Paste D: Durchgangsloch-bereite Cu-Paste CP 700 (Viskosität bei 25°C: 3 Pa·s) hergestellt durch Harima Chemicals Group, Inc.
  • [Beispiel 1]
  • (Schaltungsausbildungsschritt)
  • Als erstes wurde ein filmartiges Polyethylenterephthalat (PET) Substrat (Lumirror S10, durch Toray Industries, Inc. hergestellt; Schmelzpunkt: 260°C) mit einer Dicke von 50 µm vorbereitet. Als nächstes wurde auf eine vordere Oberfläche des PET-Substrats die leitfähige Paste A als die schaltungsausbildende leitfähige Paste durch Siebdruck aufgebracht. Das PET-Substrat mit der aufgebrachten leitfähigen Paste A wurde in einer Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrenneinrichtung (Micro Labo PS-2, durch Nisshin Inc. hergestellt) angeordnet, und wurde einem Plasma-Einbrennen unter in Tabelle 1 gezeigten Bedingungen ausgesetzt. Nach dem Plasma-Einbrennen war eine aus Ag hergestellte Schaltung mit einer Dicke von 10 bis 20 µm an der vorderen Oberfläche des PET-Substrats ausgebildet.
  • (Isolierende-Deckschicht-Ausbildungsschritt)
  • Siebdruck des Epoxid-basierten Resists NPR-3400, der durch Nippon Polytech Corp. hergestellt war, wurde für eine vordere Oberfläche der Schaltung unter Verwendung einer Siebplatte durchgeführt, bei welcher Abschnitte, um montierte Komponenten daran platziert aufzuweisen, und Anschlussabschnitte offen ausgeführt sind, und das Epoxid-basierte Resist wurde für 20 Minuten bei 80°C durch einen Heißlufttrockner getrocknet.
  • (Elektronische-Komponente-Montageschritt)
  • Als nächstes wurde die leitfähige Paste A als die leitfähige Montagepaste auf die oben beschriebene Schaltung aufgebracht, und eine LED SMLZ14WBGDW(A) (längs 2,8 mm × seitlich 3,5 mm × Dicke 1,9 mm, durch ROHM Co., Ltd. hergestellt, wurde an einem aufgebrachten Film montiert.
  • Dann wurde in der oben beschriebenen Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrenneinrichtung das PET-Substrat, bei welchem die leitfähige Paste A auf die Schaltung aufgebracht wurde und die elektronische Komponente daran platziert wurde, angeordnet, und wurde dem Plasma-Einbrennen unter in Tabelle 1 gezeigten Herstellungsbedingungen ausgesetzt. Nach dem Plasma-Einbrennen wurde eine filmartige Leiterplatte erhalten, bei welcher die elektronische Komponente an der vorderen Oberfläche der Schaltung über die aus Ag hergestellte Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht montiert war.
    Figure DE112015004819T5_0002
  • (Beurteilung)
  • Für das PET-Substrat, bei welchem die elektronische Komponente an der vorderen Oberfläche der Schaltung montiert war, wurden eine Substratverformung, Verbindungsfestigkeit der montierten Komponente, ein Verbindungszustand zwischen der Schaltung und der Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht und eine Leitfähigkeit beurteilt.
  • <Substratverformung>
  • In Hinblick auf die Substratverformung wurde es visuell beurteilt, ob oder nicht eine Änderung in einer Höhenrichtung des Substrats verschuldet durch Welligkeit und dergleichen des Substrats auftrat. Eine, bei welcher keine Änderung in der Höhenrichtung des Substrats auftrat, wurde als gut beurteilt (durch ein Kreissymbol gezeigt), und eine, bei welcher eine Änderung in der Höhenrichtung des Substrats auftrat, wurde als fehlerhaft beurteilt (durch ein Kreuzsymbol gezeigt).
  • <Verbindungsfestigkeit der montierten Komponente>
  • Die Verbindungsfestigkeit der montierten Komponente wurde in Übereinstimmung mit JIS Z 3198-7 beurteilt. Insbesondere wurde eine Zugfestigkeit gemessen und beurteilt, wenn die LED SMLZ14WBGDW(A), durch ROHM Co., Ltd. hergestellt, bei welcher Abmessungen sind: längs 2,8 mm × seitlich 3,5 mm × Dicke 1,9 mm, in eine Richtung parallel zu der vorderen Oberfläche der Schaltung gezogen und abgelöst wurde. Eine, bei welcher die Zugfestigkeit 20 MPa oder mehr betrug, wurde als gut beurteilt (durch ein Kreissymbol gezeigt), und eine, bei welcher die Zugfestigkeit weniger als 20 MPa betrug, wurde als fehlerhaft beurteilt (durch ein Kreuzsymbol gezeigt).
  • <Verbindungszustand zwischen Schaltung und Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht>
  • Durch Nutzen eines Schnittbildes (500 Vergrößerungen) von einer derartigen Probe, wurde ein Verbindungszustand von einer Grenzfläche zwischen der Schaltung und der Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht beobachtet, und es wurde beurteilt, ob oder nicht die Metallpartikel, welche die Schaltung bilden, und die Metallpartikel, welche die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht bilden, miteinander gekoppelt waren. Einer, bei welchem die Metallpartikel, welche die Schaltung bilden, und die Metallpartikel, welche die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht bilden, ohne Spalt miteinander gekoppelt waren, wurde als gut beurteilt (durch ein Kreissymbol gezeigt), und einer, bei welchem die Grenzfläche teilweise oder gänzlich einen Spalt und keine Kopplung aufweist, wurde als fehlerhaft beurteilt (durch ein Kreuzsymbol gezeigt).
  • <Leitfähigkeit>
  • Ein LED-Schalter mit Verwendung der LED (SMLZ14WBGDW(A), durch ROHM Co., Ltd. hergestellt), wurde zwischen zwei Pads an der Probe verbunden. Als nächstes wurde bestätigt, ob oder nicht die LED anging, wenn dem LED-Schalter durch 3 V Energie zugeführt wurde, so dass ein Strom von 12 mA dadurch fließen konnte. Eine, bei welcher die LED anging, wurde als gut beurteilt (durch ein Kreissymbol gezeigt), und eine, bei welcher die LED nicht anging, wurde als fehlerhaft beurteilt (durch ein Kreuzsymbol gezeigt).
  • Tabelle 1 zeigt Ergebnisse der Substratverformung, der Verbindungsfestigkeit der montierten Komponente, des Verbindungszustands zwischen der Schaltung und der Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht, und der Leitfähigkeit.
  • [Beispiele 2 bis 17]
  • Filmartige Leiterplatten wurden auf eine ähnliche Art zu Beispiel 1 hergestellt, mit Ausnahme, dass die Herstellungsbedingungen, wie in Tabelle 1 oder Tabelle 2 gezeigt, geändert wurden, und die hergestellten filmartigen Leiterplatten wurden beurteilt.
  • Tabelle 1 und Tabelle 2 zeigen die Herstellungsbedingungen und Beurteilungsergebnisse.
    Figure DE112015004819T5_0003
  • [Vergleichsbeispiele 1 bis 3]
  • Filmartige Leiterplatten wurden auf eine ähnliche Art zu Beispiel 1 hergestellt, mit Ausnahme, dass die Herstellungsbedingungen wie in Tabelle 2 gezeigt geändert wurden, und die hergestellten filmartigen Leiterplatten wurden beurteilt.
  • Insbesondere wurde der Schaltungsausbildungsschritt auf eine ähnliche Art zu Beispiel 1 durchgeführt, mit Ausnahme, dass das Einbrennen der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste durch Wärme-Einbrennen unter Verwendung eines Ofens anstelle des Plasma-Einbrennens durchgeführt wurde. Bei Vergleichsbeispiel 1 wurde ein Wärme-Einbrennen bei 150°C für 30 Minuten durchgeführt. Bei Vergleichsbeispiel 2 wurde ein Wärme-Einbrennen bei 150°C für 20 Minuten durchgeführt. Bei Vergleichsbeispiel 3 wurde ein Wärme-Einbrennen bei 110°C für 60 Minuten durchgeführt. Auf eine ähnliche Art zu Beispiel 1, wurde die Dicke der Schaltung auf 10 bis 20 µm festgelegt.
  • Überdies wurde der Elektronische-Komponente-Montageschritt auf eine ähnliche Art zu Beispiel 1 durchgeführt, mit Ausnahme, dass das Einbrennen der leitfähigen Montagepaste durch das Wärme-Einbrennen unter Verwendung eines Ofens anstelle des Plasma-Einbrennens nach dem Schaltungsausbildungsschritt durchgeführt wurde. Bei jedem der Vergleichsbeispiele 1 bis 3 wurde ein Wärme-Einbrennen bei 150°C für 30 Minuten durchgeführt. Tabelle 2 zeigt Bedingungen des Wärme-Einbrennens.
  • Tabelle 2 zeigt die Herstellungsbedingungen und Beurteilungsergebnisse.
  • Aus den Ergebnissen von Tabelle 1 und Tabelle 2 wird verstanden, dass die Beurteilungsergebnisse gut sind in einem Fall, wo das Plasma-Einbrennen für das Einbrennen der schaltungsausbildenden leitfähigen Paste und der leitfähigen Montagepaste genutzt wird.
  • Die gesamten Inhalte der Japanischen Patentanmeldung Nr. 2014-216121 (angemeldet am: 23. Oktober 2014) und Japanischen Patentanmeldung Nr. 2014-219737 (angemeldet am: 28. Oktober 2014) sind hierin durch Bezugnahme aufgenommen.
  • [Industrielle Anwendbarkeit]
  • Die schaltungsausbildende leitfähige Paste dieser Ausführungsform und das Herstellungsverfahren dafür werden zum Beispiel für einen Kabelbaum eines Automobils und eine dazugehörige Komponente genutzt. Als die zu dem Kabelbaum zugehörige Komponente wird zum Beispiel ein elektronisches Steuergerät (ECU) eines Fahrzeugs erwähnt. Die Leiterplatte dieser Ausführungsform wird zum Beispiel für das elektronische Steuergerät (ECU) des Fahrzeugs genutzt.
  • Bezugszeichenliste
    • 1, 1a
    Leiterplatte
    2
    Sammelschiene (Metallelement)
    3
    Isolatorschicht
    4
    Leiterschicht
    5
    Resist-Schicht (Schutzschicht)
    10
    Basisrahmen (isolierende Stütze)

Claims (6)

  1. Filmartige Leiterplatte, mit: einem Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat, das aus einem Niedriger-Schmelzpunkt-Harz gebildet ist, bei welchem ein Schmelzpunkt 370°C oder weniger beträgt; einer Schaltung, die derart ausgebildet ist, dass eine schaltungsausbildende leitfähige Paste, die auf das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat aufgebracht ist, einem Plasma-Einbrennen ausgesetzt ist; einer Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht, die derart ausgebildet ist, dass eine leitfähige Montagepaste, die auf die Schaltung aufgebracht ist, dem Plasma-Einbrennen ausgesetzt ist; und einer elektronischen Komponente, die über die Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht an der Schaltung montiert ist.
  2. Filmartige Leiterplatte nach Anspruch 1, wobei das Plasma-Einbrennen zum Ausbilden der Schaltung oder der Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht ein Mikrowellenentladung-Plasma-Einbrennen des Bestrahlens von durch Mikrowellenentladung erzeugtem Plasma ist.
  3. Filmartige Leiterplatte nach Anspruch 1 oder 2, wobei die schaltungsausbildende leitfähige Paste eine leitfähige Paste ist, die Pulver von einer oder mehr Arten von Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ag, Cu und Au besteht, und die leitfähige Montagepaste eine leitfähige Paste ist, die Pulver von einer oder mehr Arten von Metall enthält, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Ag, Cu und Au besteht.
  4. Filmartige Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei eine Dicke des Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrats 50 µm oder mehr beträgt.
  5. Filmartige Leiterplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat aus Polyethylenterephthalat (PET), Polybutylenterephthalat (PBT), Polyethylennaphthalat (PEN), Polypropylen (PP) oder Polycarbonat (PC) gebildet ist.
  6. Verfahren zur Herstellung einer filmartigen Leiterplatte, umfassend: einen Schritt des Aufbringens einer schaltungsausbildenden leitfähigen Paste auf ein Niedriger-Schmelzpunkt-Harzfilmsubstrat, das aus einem Niedriger-Schmelzpunkt-Harz gebildet ist, bei welchem ein Schmelzpunkt 370°C oder weniger beträgt, und Durchführen eines Plasma-Einbrennens für die aufgebrachte schaltungsausbildende leitfähige Paste, wobei dadurch eine Schaltung ausgebildet wird; und einen Schritt des Aufbringens einer leitfähigen Montagepaste auf die Schaltung, Platzierens einer elektronischen Komponente auf eine leitfähige Montagepaste, und Durchführens eines Plasma-Einbrennens für die aufgebrachte leitfähige Montagepaste, wobei dadurch die elektronische Komponente über eine Elektronische-Komponente-Verbindungsschicht an der Schaltung montiert wird.
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