DE112014003340T5

DE112014003340T5 - Sensor

Info

Publication number: DE112014003340T5
Application number: DE112014003340.5T
Authority: DE
Inventors: Hitoshi Yoshida; Takumi Taura; Shinichi Kishimoto; Hideki Ueda; Takeshi Mori; Kazuo Goda; Nobuyuki Ibara
Original assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Current assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date: 2013-07-19
Filing date: 2014-06-10
Publication date: 2016-03-31
Also published as: US20160091526A1; WO2015008422A1; JPWO2015008422A1

Abstract

Eine Konfiguration mit einem ersten Substrat, das eine erste bewegliche Elektrode aufweist; einem zweiten Substrat, das mit dem ersten Substrat verbunden ist und eine erste fixierte Elektrode aufweist, die der ersten beweglichen Elektrode zugewandt ist; und einem dritten Substrat, das mit dem zweiten Substrat verbunden ist. Das erste Substrat, das zweite Substrat und das dritte Substrat sind in dieser Reihenfolge aufeinander geschichtet, und das zweite Substrat und das dritte Substrat sind zumindest in einem Teil zwischen der ersten fixierten Elektrode und dem dritten Substrat nicht miteinander verbunden.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Sensor, etwa einen Beschleunigungssensor und einen Winkelgeschwindigkeitssensor, der in einem elektronischen Gerät verwendet wird.
STAND DER TECHNIK
Ein Beschleunigungssensor des elektrostatischen Kapazitätstyps erfasst die Beschleunigung auf der Grundlage einer Änderung einer elektrostatischen Kapazität zwischen einem Gewicht (bewegliche Elektrode) und einer stationären Elektrode (siehe beispielsweise PTL 1 bis 4). Ein Beschleunigungssensor zur Erfassung der Beschleunigung in drei zueinander senkrechten axialen Richtungen X, Y und Z ist ebenfalls bekannt.
Zitatliste
Patentliteratur

PTL 1: ungeprüfte japanische offen gelegte Patentanmeldung mit der Nummer 2006-250702
PTL 2: ungeprüfte japanische offen gelegte Patentanmeldung mit der Nummer H05-333056
PTL 3: ungeprüfte japanische offen gelegte Patentanmeldung mit der Nummer 2009-260272
PTL 4: ungeprüfte japanische offen gelegte Patentanmeldung mit der Nummer 2012-232405

ÜBERBLICK ÜBER DIE ERFINDUNG
Wenn jedoch ein Sensorchip adhäsiv mit einem Trägersubstrat mit einem Chip-Verbindungsmaterial verbunden wird, kann eine thermische Hysterese in den Verschiebungstemperatureigenschaften aufgrund einer Wirkung des Chip-Verbindungsmaterials auftreten.
Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Sensor anzugeben, der in der Lage ist, das Auftreten einer thermischen Hysterese hinsichtlich der Verschiebungstemperatureigenschaften in stabilerer Weise zu unterdrücken.
Die vorliegende Erfindung hat einen Aufbau mit einem ersten Substrat mit einer ersten beweglichen Elektrode; einem zweiten Substrat, das mit dem ersten Substrat verbunden ist und eine erste fixierte Elektrode aufweist, die der ersten beweglichen Elektrode zugewandt ist; und einem dritten Substrat, das mit dem zweiten Substrat verbunden ist. Das erste Substrat, das zweite Substrat und das dritte Substrat sind in dieser Reihenfolge aufeinander geschichtet, und das zweite Substrat und das dritte Substrat sind zumindest in einem Teil zwischen der ersten fixierte Elektrode und dem dritten Substrat nicht miteinander verbunden.
Die vorliegende Erfindung kann einen Sensor bereitstellen, etwa einen Beschleunigungssensor und einen Winkelgeschwindigkeitssensor, der in der Lage ist, das Auftreten einer thermischen Hysterese bei Verschiebungstemperatureigenschaften in stabilerer Weise zu unterdrücken.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
1 ist eine perspektivische Ansicht, die einen inneren beispielhaften Aufbau eines Gehäuses zeigt, das einen Beschleunigungssensor gemäß einer anschaulichen Ausführungsform enthält.
2 ist eine perspektivische Aufrissansicht des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
3A ist eine Schnittansicht eines X-Erfassungsbereichs des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
3B ist eine Schnittansicht eines Z-Erfassungsbereichs des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
4 ist eine Schnittansicht des X-Erfassungsbereichs, in welchem keine Beschleunigung in einer X-Richtung auf den Beschleunigungssensor gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform einwirkt.
5 ist eine Ansicht zur Darstellung eines Prinzips zur Erfassung der Beschleunigung in der X-Richtung in dem in 4 gezeigten Beschleunigungssensor.
6 ist eine Schnittansicht des X-Erfassungsbereichs in einem Zustand, in welchem eine Beschleunigung von 1 G in der X-Richtung auf den Beschleunigungssensor gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform einwirkt.
7 ist eine Ansicht zur Darstellung eines Prinzips der Erfassung der Beschleunigung in der X-Richtung in dem in 6 gezeigten Beschleunigungssensor.
8 ist eine Schnittansicht des Z-Erfassungsbereichs in einem Zustand, in welchem eine Beschleunigung von 1 G in der Z-Richtung auf den Beschleunigungssensor gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform angewendet wird.
9 ist eine Ansicht zur Darstellung eines Prinzips zur Erfassung der Beschleunigung in der Z-Richtung in dem in 8 gezeigten Beschleunigungssensor.
10A ist eine Fotografie einer Oberfläche zur adhäsiven Verbindung bzw. zum adhäsiven Bonden eines Sensorchips des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
10B ist ein Graph, der Verschiebungstemperatureigenschaften des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform zeigt.
11 ist eine Schnittansicht des Beschleunigungssensors und seines Trägersubstrats gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
12A ist eine Schnittansicht einer Struktur zur Verhinderung der Anhaftung des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
12B ist eine Schnittansicht einer weiteren Struktur zur Verhinderung des Anhaftens des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
12C ist eine Schnittansicht einer noch weiteren Struktur zur Verhinderung der Anhaftung des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
12D ist eine Schnittansicht einer noch weiteren Struktur zur Verhinderung des Anhaftens des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
13A ist eine Schnittansicht einer Struktur zur Verhinderung des Anhaftens des Trägersubstrats des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
13B ist eine Schnittansicht einer weiteren Struktur zur Verhinderung des Anhaftens des Trägersubstrats des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
13C ist eine Schnittansicht einer noch weiteren Struktur zur Verhinderung des Anhaftens des Trägersubstrats des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
13D ist eine Schnittansicht einer noch weiteren Struktur zur Verhinderung des Anhaftens des Trägersubstrats des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform.
BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
Im Weiteren werden anschauliche Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu den Zeichnungen beschrieben. Zu beachten ist dabei, dass im Weiteren ähnliche Komponenten mit den gleichen Bezugszeichen versehen sind und deren Beschreibung nicht wiederholt wird. Ferner zeigt die Bezeichnung ein Beispiel bevorzugter Ausführungsformen und diese sind nicht notwendigerweise auf diese Form beschränkt.
1 ist eine perspektivische Ansicht, die einen inneren beispielhaften Aufbau eines Gehäuses 300 zeigt, in welchem ein Sensor gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform montiert ist. Diese Zeichnung zeigt einen Zustand, in welchem ein Deckel des Gehäuses 300, das auf einem Substrat 500 montiert ist, geöffnet ist. Wie in dieser Zeichnung dargestellt ist, sind in dem Gehäuse 300 beispielsweise ein Sensorchip 100 und ein ASIC (anwendungsspezifische integrierte Schaltungen) 200 zur Ausführung einer Vielzahl von Operationen auf der Grundlage eines Ausgangssignals aus dem Sensorchip 100 installiert. Es sind Anschlüsse 400 aus dem Gehäuse 300 herausgeführt und sind mit dem Substrat 500 verbunden. Dieser Sensor ist ein Sensor des Typs mit elektrostatischer Kapazität zur Erfassung einer Beschleunigung und ist in MEMS-Technik hergestellt. Um eine Beschleunigung in drei Achsenrichtungen X, Y und Z zu erfassen, sind Gewichte (bewegliche Elektroden) für die einzelnen Achsen in dem Sensorchip 100 ausgebildet und darin angeordnet. Zu beachten ist, dass die vorliegende Erfindung nicht auf einen Sensor des Typs mit elektrostatischer Kapazität zur Erfassung einer Beschleunigung beschränkt ist. Die vorliegende Erfindung kann beispielsweise auf einen Sensor des Typs mit elektrostatischer Kapazität zur Erfassung einer Winkelgeschwindigkeit angewendet werden. Zu beachten ist, dass die vorliegende Erfindung nicht auf den Sensor zur Erfassung einer Beschleunigung in drei Achsen beschränkt ist. Beispielsweise kann die vorliegende Erfindung für den Sensor zur Erfassung einer Beschleunigung in einer oder zwei Achsen verwendet werden.
2 ist eine perspektivische Aufrissansicht des Sensors (Sensorchip 100) gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform. Wie in dieser Zeichnung gezeigt ist, ist das erste Substrat 1 zwischen einer oberen Fixierplatte 2a und einem zweiten Substrat 2b eingeschlossen. Das erste Substrat 1 ist beispielsweise aus einem Silizium-SOI-Substrat gebildet. Die obere Fixierplatte 2a und das zweite Substrat 2b sind beispielsweise aus einem Isolator, etwa Glas, hergestellt.
Im Weiteren wird in dem ersten Substrat 1 ein Bereich zu Erfassung der Beschleunigung in einer ersten Richtung (in dieser anschaulichen Ausführungsform in 2 die Z-Richtung) als ein „Z-Erfassungsbereich 30” bezeichnet, ein Bereich zur Erfassung einer Beschleunigung in einer zweiten Richtung (in dieser anschaulichen Ausführungsform in 2 die X-Richtung) als „X-Erfassungsbereich 10” bezeichnet, und ein Bereich zur Erfassung einer Beschleunigung in einer dritten Richtung (in dieser anschaulichen Ausführungsform in 2 die Y-Richtung) wird als ein „Y-Erfassungsbereich 20” bezeichnet. Die X-Richtung ist eine Richtung in der ebenen Richtung. Die Y-Richtung ist eine Richtung in der ebenen Richtung, und ist senkrecht zu der X-Richtung. Die Z-Richtung ist die vertikale Richtung.
Der Z-Erfassungsbereich 30 erfasst eine Beschleunigung in der Z-Richtung durch parallele Bewegung einer ersten beweglichen Elektrode 31, die von zwei Paaren aus Auslegerteilen 32a, 32b, 32c, 32d gehalten wird. D. h., dritte fixierte Elektroden 33a und 33b sind entsprechend so angeordnet, dass sie der Vorderfläche und der Rückfläche der ersten beweglichen Elektrode 31 zugewandt sind. Dies macht es möglich, eine Beschleunigung in der Z-Richtung auf der Grundlage einer Änderung der elektrostatischen Kapazität zwischen der ersten beweglichen Elektrode 31 und den dritten fixierten Elektroden 33a und 33b zu erfassen. Zu beachten hier ist, dass eine Konfiguration, in der die erste beweglichen Elektrode 31 von den beiden Paaren aus Auslegerteilen 32a, 32b, 32c und 32d gehalten wird, beschrieben ist, dass aber der Aufbau nicht darauf beschränkt ist. Beispielsweise kann ein Aufbau angewendet werden, in welchem ein einzelnes Auslegerstück die erste bewegliche Elektrode hält. D. h., es ist nur ein Bereich eines Auslegerstücks zum Halten der ersten beweglichen Elektrode 31 erforderlich, um die erste beweglichen Elektrode 31 so zu halten, dass die erste beweglichen Elektrode 31 in Reaktion auf die Beschleunigung in der Z-Richtung verschoben bzw. ausgelenkt wird.
Der X-Erfassungsbereich 10 erfasst die Beschleunigung in der X-Richtung durch Schwingen bzw. Auslenken der zweiten beweglichen Elektrode 11 um ein Paar aus Auslegerteilen 12a und 12b. D. h., erste fixierte Elektroden 13a und 13b sind so angeordnet, dass sie einer Seite und der anderen Seite der Vorderfläche der zweiten beweglichen Elektrode 11 zugewandt sind, wobei eine gerade Linie das Paar aus Auslegerteilen 12a und 12b als eine Grenze verbindet. Dies ermöglicht die Erfassung der Beschleunigung in der X-Richtung auf der Grundlage einer Änderung der elektrostatischen Kapazität zwischen der zweiten beweglichen Elektrode 11 und den ersten fixierten Elektroden 13a und 13b. Zu beachten ist, dass hier eine Konfiguration beschrieben ist, in der das Paar aus Auslegerteilen 12a und 12b die zweite bewegliche Elektrode 11 halten, aber der Aufbau ist nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann eine Konfiguration angewendet werden, in der ein einzelnes Auslegerstück die bewegliche Elektrode hält. D. h., es ist nur ein Teil eines Auslegerstücks für das Halten der zweiten beweglichen Elektrode 11 erforderlich, um die zweite bewegliche Elektrode 11 so zu halten, dass die zweite bewegliche Elektrode 11 in Reaktion auf die Beschleunigung in der Z-Richtung ausgelenkt wird.
Der Y-Erfassungsbereich 20 erfasst eine Beschleunigung in der Y-Richtung, indem die dritte bewegliche Elektrode 21 um ein Paar aus Auslegerteilen 22a und 22b ausgelenkt wird. D. h., die zweiten fixierten Elektroden 23a und 23b sind so angeordnet, dass sie einer Seite und der anderen Seite der Vorderfläche der dritten beweglichen Elektrode 21 zugewandt sind, wobei eine gerade Linie das Paar der Auslegerteile 22a und 22b als eine Grenze verbindet. Dies ermöglicht die Erfassung der Beschleunigung in der Y-Richtung auf der Grundlage einer Änderung der elektrostatischen Kapazität zwischen der dritten beweglichen Elektrode 21 und den zweiten fixierten Elektroden 23a und 23b. Zu beachten dabei ist, dass ein Aufbau, in welchem das Paar aus Auslegerteilen 22a und 22b die zweite bewegliche Elektrode 11 hält, beschrieben ist, aber der Aufbau nicht darauf beschränkt ist. Es kann beispielsweise ein Aufbau angewendet werden, in welchem ein einzelnes Auslegerstück die bewegliche Elektrode hält. Das heißt, es ist nur ein Teil eines Auslegerstücks zum Halten der dritten beweglichen Elektrode 21 erforderlich, um die dritte bewegliche Elektrode 21 so zu halten, dass die dritte bewegliche Elektrode 21 in Reaktion auf die Beschleunigung in der Z-Richtung ausgelenkt wird.
Im Übrigen sind der X-Erfassungsbereich 10 und der Y-Erfassungsbereich 20 in gleicher Form ausgebildet, und sie sind lediglich um 90° in Bezug zueinander gedreht. Der X-Erfassungsbereich 10 und der Y-Erfassungsbereich 20 sind in einem einzelnen Chip auf beiden Seiten des Z-Erfassungsbereichs 30 angeordnet, der eine unterschiedliche Form besitzt. Das heißt, wie in 2 gezeigt ist, in einem Rahmenbereich 3 sind drei rechteckige Rahmen 10a, 20a und 30a zueinander ausgerichtet. Anders ausgedrückt, die zweite bewegliche Elektrode 11 ist alternativ in einer Position vorgesehen, in der sie der dritten beweglichen Elektrode 21 zugewandt ist, wobei die erste bewegliche Elektrode 31 dazwischen angeordnet ist.
Im Übrigen ist die zweite bewegliche Elektrode 11 in dem rechteckigen Rahmen 10a angeordnet, die dritte bewegliche Elektrode 21 ist in dem rechteckigen Rahmen 20a angeordnet und die erste bewegliche Elektrode 31 ist in dem rechteckigen Rahmen 30a angeordnet. Jede bewegliche Elektrode hat im Wesentlichen eine rechteckige Form. Es gibt einen Spalt mit einer vorbestimmten Größe zwischen der ersten beweglichen Elektrode 31, der zweiten beweglichen Elektrode 11 und der dritten beweglichen Elektrode 21 einerseits und den Seitenwandbereichen der rechteckigen Rahmen 30a, 20a und 20a andererseits.
Zu beachten ist dabei, dass die Formen der rechteckigen Rahmen 10a, 20a und 30a nicht auf ein Rechteck beschränkt sind. Beispielsweise kann die Form in Form eines Kreises sein oder es können diverse polygonale Formen sein.
Zu beachten ist dabei, dass die Formen der ersten beweglichen Elektrode 31, der zweiten beweglichen Elektrode 11 und der dritten beweglichen Elektrode 21 nicht auf ein Rechteck beschränkt sind. Beispielsweise kann die Form kreisförmig oder in Form von einem Polygon sein. Insbesondere ist es bevorzugt, dass die Form der ersten beweglichen Elektrode 31 eine Gestalt ähnlich zu der Form des rechteckigen Rahmens 10a besitzt. Folglich kann eine Fläche der ersten beweglichen Elektrode 31 (oder eine Masse der ersten beweglichen Elektrode 31) vergrößert werden, so dass die Empfindlichkeit des Sensors in Bezug auf die Beschleunigung verbessert werden kann.
Es ist bevorzugt, dass die Form der zweiten beweglichen Elektrode 11 ähnlich ist zu der Form des rechteckigen Rahmens 10a. Folglich kann eine Fläche der zweiten beweglichen Elektrode 11 (oder eine Masse der zweiten beweglichen Elektrode 11) vergrößert werden, so dass die Empfindlichkeit des Sensors in Bezug auf die Beschleunigung verbessert werden kann.
Es ist bevorzugt, dass die Form der dritten beweglichen Elektrode 21 ähnlich ist zu der Form des rechteckigen Rahmens 20a. Folglich kann eine Fläche der dritten beweglichen Elektrode 21 (oder eine Masse der dritten beweglichen Elektrode 21) vergrößert werden, so dass die Empfindlichkeit des Sensors in Bezug auf Beschleunigung verbessert werden kann.
3 ist eine Schnittansicht des Sensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform. (a) zeigt einen Schnitt des X-Erfassungsbereichs 10 und (b) zeigt einen Schnitt des Z-Erfassungsbereichs 30. Da der Schnitt des Y-Erfassungsbereichs 20 gleich ist zu jenem des X-Erfassungsbereichs 10, ist dieser hier nicht gezeigt.
Zunächst sind in dem Schnitt des X-Erfassungsbereichs 10 im Wesentlichen zentrale Bereiche gegenüberliegender zweier Seiten der Oberfläche der zweiten beweglichen Elektrode 11 und die Seitenwandbereiche des rechteckigen Rahmens 10a durch ein Paar aus Auslegerteilen 12a und 12b miteinander verbunden, so dass die zweite bewegliche Elektrode 11 schwingend bzw. auslenkbar in Bezug auf den Rahmenbereich 3 gehalten wird. Die ersten fixierten Elektroden 13a und 13b sind um die gerade Linie herum, die den Auslegerteil 12a und den Auslegerteil 12b miteinander verbindet und als Grenze dient, auf der oberen Fixierplatte 2a auf der Seite, die der zweiten beweglichen Elektrode 11 zugewandt ist, vorgesehen. Die ersten fixierten Elektroden 13a und 13b sind an einer oberen Oberfläche (eine Seite) der oberen Fixierplatte 2a unter Verwendung erster Durchgangselektroden 14a und 14b herausgeführt. Das Material der ersten Durchgangselektroden 14a und 14b ist ein Leiter, etwa Silizium, Wolfram und Kupfer, und ein Material an dem Randbereich davon, das die ersten Durchgangselektroden 14a und 14b hält, ist ein Isolator, etwa Glas.
In dem Schnitt des Y-Erfassungsbereichs 20 sind im Wesentlichen zentrale Bereiche gegenüberliegender zweier Seiten der Oberfläche der dritten beweglichen Elektrode 21 und die Seitenwandbereiche des rechteckigen Rahmens 20a durch ein Paar aus Auslegerteilen 22a und 22b miteinander verbunden, so dass die dritte bewegliche Elektrode 21 schwingend bzw. auslenkbar in Bezug auf den Rahmenbereich 3 gehalten wird. Die zweiten fixierten Elektroden 23a und 23b sind um die gerade Linie herum, die die Auslegerteile 22a und den Auslegerteil 22b als eine Grenze miteinander verbinden, auf der oberen Fixierplatte 2a auf der Seite, die der dritten beweglichen Elektrode 21 zugewandt ist, vorgesehen. Die zweiten fixierten Elektroden 23a und 23b sind auf einer oberen Oberfläche der oberen Fixierplatte 2a unter Verwendung zweiter Durchgangselektroden 24a und 24b herausgeführt. Das Material der zweiten Durchgangselektroden 24a und 24b ist ein Leiter, etwa Silizium, Wolfram und Kupfer, und das Material an deren Randbereich, der die zweiten Durchgangselektroden 24a und 24b hält, ist ein Isolator, etwa Glas.
Ferner sind in dem Schnitt des Z-Erfassungsbereichs 30 vier Ecken der ersten beweglichen Elektrode 31 und Seitenwandbereiche des rechteckigen Rahmens 30a durch zwei Paare aus L-förmigen Auslegerteilen 32a, 32b, 32c und 32d miteinander verbunden, so dass sich die erste bewegliche Elektrode 31 parallel zu der vertikalen Richtung bewegen kann. Eine Form der Auslegerteile 32a, 32b, 32c und 32d ist nicht in besonderer Weise eingeschränkt, aber wenn die Form eine L-Form ist, kann die Länge der Auslegerteile 32a, 32b, 32c, 32d vergrößert werden. Die dritte fixierte Elektrode 33a ist auf der oberen Fixierplatte 2a auf einer Seite vorgesehen, die der ersten beweglichen Elektrode 31 zugewandt ist, und die dritte fixierte Elektrode 33b ist auf dem zweiten Substrat 2b auf einer Seite vorgesehen, die der ersten beweglichen Elektrode 31 zugewandt ist. Die dritte fixierte Elektrode 33a ist aus der oberen Oberfläche der oberen Fixierplatte 2a unter Anwendung einer dritten Durchgangselektrode 34a herausgeführt. Die dritte fixierte Elektrode 33b ist mit einem Vorsprungsgebiet 33b2, das aus einem rechteckigen Gebiet 33b1 (siehe 2) hervorsteht, versehen. Das Vorsprungsgebiet 33b2 ist mit einer säulenartigen fixierten Elektrode 34c verbunden, die zu der ersten beweglichen Elektrode 31 separat ist. Die säulenartige fixierte Elektrode 34c ist mit einer in der oberen Fixierplatte 2a vorgesehenen dritten Durchgangselektrode 34b verbunden. Daher kann die dritte fixierte Elektrode 33b aus der oberen Oberfläche der oberen Fixierplatte 2a unter Verwendung der säulenartigen fixierten Elektrode 34c und der dritten Durchgangselektrode 34b herausgeführt werden. Ein Material der dritten Durchgangselektroden 34a und 34b ist ein Leiter, etwa Silizium, Wolfram und Kupfer, und ein Material des Randbereichs, der die dritten Durchgangselektroden 34a und 34b hält, ist ein Isolator, etwa Glas.
Als nächstes wird ein Prinzip zur Erfassung der Beschleunigung in der X-Richtung beschrieben. Zunächst kann die elektrostatischen Kapazität C aus C = εS/d berechnet werden, wobei ε eine Dielektrizitätskonstante, S eine Fläche gegenüberliegender Elektroden und d ein Spalt bzw. ein Abstand der gegenüberliegenden Elektroden ist. Wenn eine bewegliche Elektrode aufgrund der Beschleunigung ausgelenkt wird, ändert sich der gegenseitige Abstand d, und daher ändert sich die elektrostatischen Kapazität C. Sodann wird der Unterschied in der Kapazität (C1 – C2) durch die ASIC 200 einer C-V-(Kapazität-zu-Spannung-)Umwandlung unterzogen.
4 zeigt einen Schnitt des X-Erfassungsbereichs 10 in einem Zustand, in welchem eine Beschleunigung in der X-Richtung nicht auftritt. In diesem Falle werden, wie in 5 gezeigt ist, die elektrostatischen Kapazitäten C1 und C2 zwischen der zweiten beweglichen Elektrode 11 und den ersten fixierten Elektroden 13a und 13b gleich. Die ASIC 200 berechnet einen Differenzwert (C1 – C2 = 0) zwischen der elektrostatischen Kapazität C1 und der elektrostatischen Kapazität C2, und gibt den berechneten Differenzwert als eine X-Ausgabe aus.
6 zeigt einen Schnitt des X-Erfassungsbereichs 10 in einem Zustand, in welchem eine Beschleunigung von 1 G in der X-Richtung anliegt. In diesem Falle wird, wie in 7 gezeigt ist, die elektrostatische Kapazität C1 zwischen der zweiten beweglichen Elektrode 11 und der ersten fixierten Elektrode 13a zu einer parasitären Kapazität +ΔC, und die elektrostatische Kapazität C2 zwischen der zweiten beweglichen Elektrode 11 und der ersten fixierten Elektrode 13b wird zu der parasitären Kapazität –ΔC. Die ASIC 200 berechnet einen Differenzwert (C1 – C2 = 2ΔC) zwischen der elektrostatischen Kapazität C1 und der elektrostatischen Kapazität C2, und gibt den berechneten Differenzwert als eine X-Ausgabe aus.
Wie zuvor angegeben ist, erfasst der X-Erfassungsbereich 10 die Beschleunigung in der X-Richtung auf der Grundlage der Änderung der elektrostatischen Kapazitäten. Das gleiche gilt für ein Prinzip, nach welchem der Y-Erfassungsbereich 20 eine Beschleunigung in der Y-Richtung erfasst.
8 zeigt einen Schnitt des Z-Erfassungsbereichs 30 in einem Zustand, in welchem eine Beschleunigung von 1 G in der Z-Richtung anliegt. In diesem Falle wird, wie in 9 gezeigt ist, die elektrostatische Kapazität C5 zwischen der ersten beweglichen Elektrode 31 und der dritten fixierten Elektrode 33a zu einer parasitären Kapazität +ΔC, und eine elektrostatischen Kapazität C6 zwischen der ersten beweglichen Elektrode 31 und der dritten fixierten Elektrode 33a wird zu einer parasitären Kapazität –ΔC. Die ASIC 200 berechnet einen Differenzwert (C5 – C6 = 2ΔC) zwischen der elektrostatischen Kapazität C5 und der elektrostatischen Kapazität C6, und gibt den berechneten Differenzwert als eine Z-Ausgabe aus. Somit erfasst der Z-Erfassungsbereich 30 eine Beschleunigung in der Z-Richtung auf der Grundlage einer Änderung der elektrostatischen Kapazität.
10A ist eine Fotografie einer Adhäsions-Verbindungsoberfläche bzw. Bond-Oberfläche des Sensorchips 100 des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform. 10B ist ein Graph, der die Eigenschaften der Temperaturverschiebung des Beschleunigungssensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform zeigt. In dieser anschaulichen Ausführungsform ist in einem Gebiet, das dem Z-Erfassungsbereich 30 in der Adhäsions-Verbindungsoberfläche für das dritte Substrat 40 des Sensors entspricht, ein Gebiet zur Verhinderung der Anhaftung des Adhäsionsmaterials, etwa des Z-Verbindungsmaterials, ausgebildet (nachfolgend erläutert). Experimente mit einem derartigen Sensor zeigen, dass, wie in 10B gezeigt ist, das Auftreten einer thermischen Hysterese in den Eigenschaften der Temperaturverschiebung unterdrückt werden kann. Wenn eine Verformung des dritten Substrats 40 entsprechend einer Temperaturänderung auf die dritte fixierte Elektrode 33b übertragen wird, ändert sich ein Abstand zwischen der ersten beweglichen Elektrode 31 und der dritten fixierten Elektrode 33b, wodurch bewirkt wird, dass ein Ausgangssignal des Trägheitssensors geändert wird. Da jedoch in dem Sensor gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform das zweite Substrat 2b und das dritte Substrat 40 nicht miteinander unmittelbar unter der dritten fixierten Elektrode 33b verbunden sind, wird eine Verformung des dritten Substrats 40 aufgrund einer Temperaturänderung nicht in einfacher Weise auf die dritte fixierte Elektrode 33b übertragen. Daher kann das Auftreten einer thermischen Hysterese unterdrückt werden. Jedoch ist die dritte fixierte Elektrode 33b keine essenzielle Komponente. D. h., selbst wenn die dritte fixierte Elektrode 33b nicht vorgesehen ist, kann das Auftreten einer thermischen Hysterese unterdrückt werden. Dies liegt daran, dass das zweite Substrat 2b und das dritte Substrat 40 nicht unmittelbar unter der ersten beweglichen Elektrode 31 miteinander verbunden sind, und daher kann bei einer Verformung des dritten Substrats 40 aufgrund einer Temperaturänderung eine Auslenkung der ersten beweglichen Elektrode 31 mittels der Auslegerteile 32a bis 32d unterdrückt werden. Folglich kann das Auftreten einer thermischen Hysterese unterdrückt werden.
11 ist eine Schnittansicht des Sensors und seines dritten Substrats 40 gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform. Wie in dieser Zeichnung gezeigt ist, weist der Sensor dieser anschaulichen Ausführungsform ein Gebiet zur Verhinderung des Anhaftens 50 auf, in welchem das zweite Substrat 2b ist das dritte Substrat 40 nicht miteinander verbunden sind, wobei das Gebiet zwischen der ersten beweglichen Elektrode 31 und dem dritten Substrat 40 angeordnet ist.
Ein Bereich bzw. eine Fläche des Gebiets zur Verhinderung des Anhaftens 50 unterliegt keiner besonderen Einschränkung, und das Gebiet zur Verhinderung des Anhaftens 50, in welchem das zweite Substrat 2b und das dritte Substrat 40 nicht miteinander verbunden sind, kann zumindest in einem Teil zwischen der ersten beweglichen Elektrode 31 und dem dritten Substrat 40 vorgesehen sein. Um ferner eine geringere Wirkung des Chip-Verbindungsmaterials zu erhalten, ist es wünschenswert, dass das Gebiet zur Verhinderung des Anhaftens 50 der dritten fixierten Elektrode 33a entspricht, die etwas größer ist als die erste bewegliche Elektrode 31.
12A bis 12D sind jeweils Schnittansichten, die ein spezielles Beispiel einer Struktur zur Verhinderung des Anhaftens des Sensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform zeigen. In 12A bis 12D sind Bereiche des Sensors, die nicht das zweite Substrat 2b sind, nicht gezeigt.
Wenn ein Sensor auf dem dritten Substrat 40 montiert wird, wird die obere Oberfläche 60a des dritten Substrats 40 mit dem Chip-Verbindungsmaterial beschichtet, und der Sensor wird darauf angeordnet, woran sich das Aushärten des Chip-Verbindungsmaterials durch Ausheizen anschließt. In 12A hat das zweite Substrat 2b eine Vertiefung 51 zwischen der ersten beweglichen Elektrode 31 und dem dritten Substrat 40. Bei einer derartigen Konfiguration ist der untere Teil des Z-Erfassungsbereichs 30 in Bezug auf den unteren Teil des X-Erfassungsbereichs 10 und des Y-Erfassungsbereichs 20 abgesenkt. Folglich haftet das Chip-Verbindungsmaterial an dem unteren Teil des X-Erfassungsbereichs 10 und des Y-Erfassungsbereichs 20, während das Chip-Verbindungsmaterial nicht in einfacher Weise an dem unteren Teil des Z-Erfassungsbereichs 30 anhaftet.
Alternativ können, wie in 12B gezeigt ist, der untere Teil des X-Erfassungsbereichs 10 und der untere Teil des Y-Erfassungsbereichs 20 mit ersten Vorsprüngen 52, die eine vorbestimmte Höhe besitzen, versehen sein. Für den ersten Vorsprung kann beispielsweise Harz, etwa Epoxydharz, verwendet werden. Beispielsweise kann ein Isolator, etwa Glas, verwendet werden. Wenn ein Isolator, etwa Glas, verwendet wird, kann der erste Vorsprung gemeinsam mit dem zweiten Substrat 2b verwendet werden, und kann auch separat vorgesehen sein. Bei einer derartigen Konfiguration ist der untere Teil des Z-Erfassungsbereichs 30 in Bezug auf den unteren Teil des X-Erfassungsbereichs 10 und des Y-Erfassungsbereichs 20 abgesenkt. Daher ist das Chip-Verbindungsmaterial mit dem unteren Teil des X-Erfassungsbereichs 10 und des Y-Erfassungsbereichs 20 verbunden, aber das Chip-Verbindungsmaterial haftet nicht in einfacher Weise an dem unteren Teil des Z-Erfassungsbereichs 30.
Ferner kann das zweite Substrat 2b den ersten Vorsprung 52 zwischen der zweiten beweglichen Elektrode 11 und dem dritten Substrat 40 aufweisen, während der zweite Vorsprung 53 zwischen der dritten beweglichen Elektrode 21 und dem dritten Substrat 40 vorgesehen ist. Dabei können der erste Vorsprung 52 und der zweite Vorsprung 53 aus einer Metallschicht hergestellt sein. In diesem Falle ist eine Adhäsions-Verbindungsoberfläche zwischen dem dritten zweiten Substrat 2b und dem dritten Substrat 40 aus den Oberflächen des ersten Vorsprungs 52 und des zweiten Vorsprungs 53 gebildet. Daher ist der untere Teil des Z-Erfassungsbereichs 30 relativ abgesenkt, so dass die Vertiefung 54 ähnlich zu dem Fall der 12A gebildet werden kann.
Ferner kann, wie in 12C gezeigt ist, eine wasserabstoßende Schicht 54 zwischen der ersten beweglichen Elektrode 31 und dem dritten Substrat 40 vorgesehen sein. Die wasserabstoßende Schicht 55 muss lediglich in der Lage sein zu verhindern, dass das zweite Substrat 2b und das dritte Substrat 40 sich durch Adhäsion miteinander verbinden und ein Anhaften an dem Chip-Verbindungsmaterial erfolgt. D. h., das Material für die wasserabstoßende Schicht 55 unterliegt keiner besonderen Einschränkung. Beispielsweise kann Hexamethyldisiloxan verwendet werden. Auch in diesem Falle haftet das Chip-Verbindungsmaterial an dem unteren Teil des X-Erfassungsbereichs 10 und des Y-Erfassungsbereichs 20 an, aber das Chip-Verbindungsmaterial haftet nicht in einfacher Weise an dem unteren Teil des Z-Erfassungsbereichs 30 an.
Ferner kann, wie in 12D gezeigt ist, das Gebiet 56 mit einer großen Oberflächenrauhigkeit hergestellt werden, indem die Oberfläche zwischen der ersten beweglichen Elektrode 31 und dem dritten Substrat 40 aufgeraut wird. Der Grad der Oberflächenrauhigkeit unterliegt keinerlei besonderen Beschränkung und muss lediglich von einer Größe sein, die ein Anhaften des Chip-Verbindungsmaterials verhindern kann. Auch in diesem Falle haftet das Chip-Verbindungsmaterial an dem unteren Teil des X-Erfassungsbereichs 10 und des Y-Erfassungsbereichs 20 an, aber das Chip-Verbindungsmaterial haftet nicht in einfacher Weise an dem unteren Teil des Z-Erfassungsbereichs 30 an.
13 ist eine Schnittansicht, die ein spezielles Beispiel einer Struktur zur Verhinderung des Anhaftens des dritten Substrats 40 des Sensors gemäß dieser anschaulichen Ausführungsform zeigt. Das dritte Substrat 40 ist so ausgebildet, dass es eine Montage eines Sensors darauf zulässt, und weist beispielsweise das Gehäuse 300 auf, das in 1 gezeigt ist. Wie nachfolgend beschrieben ist, kann eine Struktur zur Verhinderung des Anhaftens ähnlich zu jener auf Seite des Sensors auch auf Seite des dritten Substrats 40 vorgesehen werden.
Zunächst kann, wie in 13A gezeigt ist, eine Vertiefung 61 auf dem dritten Substrat 40 zwischen der ersten beweglichen Elektrode 31 und dem dritten Substrat 40 gebildet werden. Mit einer derartigen Konfiguration ist der untere Teil des Z-Erfassungsbereichs 30 in Bezug auf den unteren Teil des X-Erfassungsbereichs 10 und des Y-Erfassungsbereichs 20 abgesenkt. Folglich haftet das Chip-Verbindungsmaterial an dem unteren Teil des X-Erfassungsbereichs 10 und des Y-Erfassungsbereichs 20 an, aber das Chip-Verbindungsmaterial haftet nicht in einfacher Weise an dem unteren Teil des Z-Erfassungsbereichs 30 an.
Alternativ kann, wie in 13B gezeigt ist, das dritte Substrat 40 einen ersten Vorsprung 62 zwischen der zweiten beweglichen Elektrode 11 und dem dritten Substrat 40, und einen zweiten Vorsprung 63 zwischen der dritten beweglichen Elektrode 21 und dem dritten Substrat 40 aufweisen.
Der erste Vorsprung 62 und der zweite Vorsprung 63 können aus einer Metallschicht hergestellt sein. In diesem Falle ist eine Adhäsions-Verbindungsoberfläche für den Sensor aus den Oberflächen des ersten Vorsprungs 62 und des zweiten Vorsprungs 63 gebildet. Folglich ist der untere Teil des Z-Erfassungsbereichs 30 relativ abgesenkt, so dass eine Vertiefung 64 ähnlich zu dem Fall der 13A gebildet werden kann.
Ferner kann, wie in 13C gezeigt ist, eine Beschichtung mittels einer wasserabstoßenden Schicht 65 zwischen der ersten beweglichen Elektrode 31 und dem dritten Substrat 40 vorgesehen werden. Das Material für die wasserabstoßende Schicht 65 unterliegt keiner besonderen Beschränkung und es muss lediglich in der Lage sein, ein Anhaften des Chip-Verbindungsmaterials zu verhindern. Auch in diesem Falle haftet das Chip-Verbindungsmaterial an dem unteren Teil des X-Erfassungsbereichs 10 und des Y-Erfassungsbereichs 20 an, aber das Chip-Verbindungsmaterial haftet nicht in einfacher Weise an dem unteren Teil des Z-Erfassungsbereichs 30 an.
Ferner kann, wie in 13D gezeigt ist, ein Gebiet 66 mit einer großen Oberflächenrauhigkeit hergestellt werden, indem der untere Teil des Z-Erfassungsbereichs 30 aufgeraut wird. Der Grad an Oberflächenrauhigkeit unterliegt keiner besonderen Einschränkung und muss lediglich eine Größe haben, die zur Verhinderung des Anhaftens des Chip-Verbindungsmaterials geeignet ist. Auch in diesem Falle haftet das Chip-Verbindungsmaterial an dem unteren Teil des X-Erfassungsbereichs 10 und des Y-Erfassungsbereichs 20 an, wohingegen das Chip-Verbindungsmaterial nicht in einfacher Weise an dem unteren Teil des Z-Erfassungsbereichs 30 anhaftet.
Ferner sind die in 12A bis 12D oder in 13A bis 13D gezeigten Konfigurationen nicht darauf beschränkt, dass sie individuell verwendet werden, sondern sie können auch in Kombination eingesetzt werden. Beispielsweise können die in 12C gezeigte wasserabstoßende Schicht 55 und das Gebiet 66 mit der großen Oberflächenrauhigkeit, das in 13D gezeigt ist, gleichzeitig verwendet werden.
Ferner ist es bevorzugt, dass eine Breite W2 der Vertiefung 51, die in 12A gezeigt ist (oder eine Breite W der Vertiefung 61, die in 13A gezeigt ist) größer als die Breite (W1) der dritten fixierte Elektrode 33b gemacht wird. D. h., es ist ein bevorzugter Aufbau, dass das zweite Substrat 2b und das dritte Substrat 40 unmittelbar unter der dritten fixierten Elektrode 33b nicht miteinander verbunden sind. Damit kann in wirksamer Weise ein Einfluss des Chip-Verbindungsmaterials auf die dritte fixierte Elektrode 33b unterdrückt werden.
Ferner ist es bevorzugt, dass der Abstand W3 zwischen dem ersten Vorsprung 52 und dem zweiten Vorsprung 53, die in 12B gezeigt sind (oder der Abstand zwischen dem ersten Vorsprung 62 und dem zweiten Vorsprung 63, die in 13B gezeigt sind) größer ist als die Breite (W2) der dritten fixierten Elektrode 33b. D. h., es ist eine bevorzugte Konfiguration, dass das zweite Substrat 2b und das dritte Substrat 40 unmittelbar unter der dritten fixierten Elektrode 33b nicht miteinander verbunden sind. Damit kann in wirksamer Weise ein Einfluss des Chip-Verbindungsmaterials auf die dritte fixierte Elektrode 33b unterdrückt werden.
Ferner ist es bevorzugt, dass eine Breite W4 der wasserabstoßenden Schicht 55, die in 12C gezeigt ist (oder eine Breite der wasserabstoßenden Schicht 65, die in 13C gezeigt ist) größer gewählt wird als die Breite (W1) der dritten fixierten Elektrode 33b. D. h., es ist eine bevorzugte Konfiguration, dass das zweite Substrat 2b und das dritte Substrat 40 unmittelbar unterhalb der dritten fixierten Elektrode 33b nicht miteinander verbunden sind. Dadurch kann in wirksamer Weise ein Einfluss des Chip-Verbindungsmaterials auf die dritte fixierte Elektrode 33b unterdrückt werden.
Ferner ist es bevorzugt, dass eine Breite W5 des Gebiets 56 mit der großen Oberflächenrauhigkeit, das in 12D gezeigt ist (oder des Gebiets 66 mit der großen Oberflächenrauhigkeit, das in 13D gezeigt ist) größer gewählt wird als die Breite (W1) der dritten fixierten Elektrode 33b. D. h., eine Konfiguration, in der das zweite Substrat 2b und das dritte Substrat 40 unmittelbar unterhalb der dritten fixierten Elektrode 33b nicht miteinander verbunden sind, wird bevorzugt. Dies kann in wirksamer Weise einen Einfluss des Chip-Verbindungsmaterials auf die dritte fixierte Elektrode 33b unterdrücken.
Zu beachten ist, dass die obere Fixierplatte 2a keine essenzielle Konfiguration in der vorliegenden Erfindung ist. Ein Fall, in welchem die obere Fixierplatte 2a nicht vorgesehen ist, umfasst beispielsweise eine Konfiguration, die in der Lage ist, eine Änderung der elektrostatischen Kapazität zwischen dem ersten Substrat 1 und dem zweiten Substrat zu erfassen.
Des Weiteren ist es bevorzugt, dass das zweite Substrat 2b eine Verarbeitungsschaltung aufweist, um ein elektrisches Signal aus dem ersten Substrat 1 zu verarbeiten. Da das erste Substrat 1 und eine Verarbeitungsschaltung als Schicht aufeinander gebildet werden können, ist es in dieser Konfiguration möglich, eine Größe eines Trägheitssensors zu verringern.
Ferner kann das dritte Substrat 40 aus einem geschichteten Keramikmaterial unter Verwendung eines Aluminiumoxid-Materials hergestellt werden. Alternativ kann es ein Teil eines Elements sein, das ein Keramikgehäuse bildet. Gemäß diesem Aufbau können Komponenten, die kein Sensor sind, beispielsweise andere Sensoren, etwa ein geomagnetischer Sensor, Elektrodenanschlüsse, die elektrisch mit der Peripherie zu verbinden sind, auf dem dritten Substrat vorgesehen werden. Alternativ kann das dritte Substrat 40 eine Chip-Kontaktfläche sein, die aus Metall hergestellt ist, oder sie kann eine gedruckte Leiterplatte sein.
Im Vorhergehenden sind bevorzugte anschauliche Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beschrieben. Jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf die zuvor genannten anschaulichen Ausführungsformen beschränkt, sondern sie kann auf diverse Arten modifiziert werden. Beispielsweise können beliebige zwei oder mehr der Strukturen zur Verhinderung des Anhaftens, die in 12A bis 12D und in 13A bis 13D gezeigt sind, kombiniert werden. Ferner können diese detaillierten Spezifikationen (Formen, Größen, Gestaltungsform und dergleichen) der Struktur zur Verhinderung des Anhaftens in geeigneter Weise verändert werden. Selbstverständlich kann die vorliegende Erfindung auch als eine montierte Struktur eines Sensors umgesetzt werden, in welchem ein beliebiger Sensor der zuvor genannten Sensoren auf einem beliebigen der zuvor genannten dritten Substrate 40 montiert wird.
Bezugszeichenliste

1: Erstes Substrat
2b: Zweites Substrat
10: X-Erfassungsbereich
10a, 20a, 30a: Rechteckiger Rahmen
11: Zweite bewegliche Elektrode
12a, 12b, 22a, 22b, 32a, 32b, 32c, 32d: Auslegerteil
13a, 13b: Erste fixierte Elektrode
14a, 14b: Erste Durchgangselektrode
20Y: Erfassungsbereich
21: Dritte bewegliche Elektrode
23a, 23b: Zweite fixierte Elektrode
24a, 24b: Zweite Durchgangselektrode
30: Z-Erfassungsbereich
31: Erste bewegliche Elektrode
33a, 33b: Dritte fixierte Elektrode
34a, 34b: Dritte Durchgangselektrode
40: Drittes Substrat
50: Gebiet zur Verhinderung des Anhaftens
51, 54, 61, 64: Vertiefung
52, 62: Erster Vorsprung
53, 63: Zweite Vorsprung
55, 65: Wasserabstoßende Schicht
56, 66: Gebiete mit großer Oberflächenrauhigkeit
60: Gebiet zur Verhinderung des Anhaftens

Claims

Ein Sensor mit: einem ersten Substrat mit einer ersten beweglichen Elektrode; einem zweiten Substrat, das mit dem ersten Substrat verbunden ist und eine erste fixierte Elektrode aufweist, die der ersten beweglichen Elektrode zugewandt ist; und einem dritten Substrat, das mit dem zweiten Substrat verbunden ist, wobei das erste Substrat, das zweite Substrat und das dritte Substrat in dieser Reihenfolge übereinander geschichtet sind, und wobei das zweite Substrat und das dritte Substrat zumindest in einem Teil zwischen der ersten fixierten Elektrode und dem dritten Substrat nicht miteinander verbunden sind.
Der Sensor nach Anspruch 1, wobei das zweite Substrat oder das dritte Substrat eine Vertiefung zwischen der ersten fixierte Elektrode und dem dritten Substrat aufweisen.
Der Sensor nach Anspruch 1, der eine wasserabstoßende Schicht zwischen der ersten fixierte Elektrode und dem dritten Substrat aufweist.
Der Sensor nach Anspruch 1, wobei das erste Substrat ferner eine zweite bewegliche Elektrode und eine dritte bewegliche Elektrode aufweist, wobei eine Oberflächenrauhigkeit des zweiten Substrats oder des dritten Substrats unmittelbar unter der ersten fixierten Elektrode größer ist als eine Oberflächenrauhigkeit des zweiten Substrats oder des dritten Substrats unmittelbar unter der zweiten beweglichen Elektrode oder der dritten beweglichen Elektrode.
Der Sensor nach Anspruch 1, wobei das erste Substrat ferner eine zweite bewegliche Elektrode und eine dritte bewegliche Elektrode aufweist, wobei ein erster Verbindungsbereich zur Verbindung des zweiten Substrats und des dritten Substrats miteinander zwischen der zweiten beweglichen Elektrode und dem dritten Substrat vorgesehen ist, und wobei ein zweiter Verbindungsbereich zur Verbindung des zweiten Substrats und des dritten Substrat miteinander zwischen der dritten beweglichen Elektrode und dem dritten Substrat vorgesehen ist.
Der Sensor nach Anspruch 4 oder 5, wobei die erste bewegliche Elektrode in Reaktion auf eine Beschleunigung in einer ersten Richtung ausgelenkt wird, die zweite bewegliche Elektrode in Reaktion auf eine Beschleunigung in einer zweiten Richtung ausgelenkt wird, und die dritte bewegliche Elektrode in Reaktion auf eine Beschleunigung in einer dritten Richtung ausgelenkt wird.
Der Sensor nach Anspruch 6, wobei die erste Richtung, die zweite Richtung und die dritte Richtung zueinander senkrecht sind.
Der Sensor nach Anspruch 7, wobei die zweite bewegliche Elektrode gegenüberliegend zu der dritten beweglichen Elektrode ist, und wobei die erste bewegliche Elektrode dazwischen eingeschlossen ist.
Der Sensor nach Anspruch 1, wobei der Sensor eine Beschleunigung durch Erfassen einer Änderung einer elektrostatischen Kapazität erfasst.