DE112013001888B4 - Hochspannungstreiber - Google Patents

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9660642B2 (en) * 2015-07-07 2017-05-23 Hong Fu Jin Precision Industry (Shenzhen) Co., Ltd. Expansion control circuit
US20190326900A1 (en) * 2018-04-24 2019-10-24 Infineon Technologies Ag Driver circuit for a device circuit
EP3847739A4 (en) * 2018-09-05 2022-07-06 Efficient Power Conversion Corporation GAN-BASED ADJUSTABLE CURRENT DRIVER CIRCUIT

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110163797A1 (en) * 2009-06-30 2011-07-07 Decicon, Inc. Power switch with reverse current blocking capability

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07249740A (ja) * 1994-03-09 1995-09-26 Mitsubishi Electric Corp 昇圧回路およびこれを利用した電圧駆動型半導体素子の駆動回路
DE4446327A1 (de) * 1994-12-23 1996-07-04 Siemens Ag Schaltungsanordnung zum Ansteuern eines Leistungs-MOSFET
DE19655180C2 (de) 1995-04-11 2001-05-03 Int Rectifier Corp Spannungsseitiger Schalterkreis
GB9525638D0 (en) * 1995-12-15 1996-02-14 Philips Electronics Nv Matrix display devices
EP0887931A1 (en) * 1997-06-24 1998-12-30 STMicroelectronics S.r.l. Protection circuit for controlling the gate voltage of a high voltage LDMOS transistor
US6100868A (en) * 1997-09-15 2000-08-08 Silicon Image, Inc. High density column drivers for an active matrix display
CN1146305C (zh) * 1998-12-17 2004-04-14 个人化学第-乌普萨拉有限公司 进行化学反应的微波装置和方法
DE19950023A1 (de) * 1999-10-09 2001-04-12 Bosch Gmbh Robert Ansteuervorrichtung für einen Schalter zum elektronischen Schalten eines Verbrauchers
GB0109971D0 (en) * 2001-04-24 2001-06-13 Harvey Geoffrey P Electronic logic driver circuit utilizing mutual induction between coupled inductors to drive capacitive loads with low power consumption
US6661276B1 (en) 2002-07-29 2003-12-09 Lovoltech Inc. MOSFET driver matching circuit for an enhancement mode JFET
US6972973B2 (en) * 2003-01-09 2005-12-06 Denso Corporation Voltage booster having noise reducing structure
JP3675457B2 (ja) * 2003-06-19 2005-07-27 セイコーエプソン株式会社 昇圧クロック生成回路及び半導体装置
TWI224869B (en) 2004-03-25 2004-12-01 Richtek Techohnology Corp Apparatus for driving depletion type junction field effect transistor
TW200642246A (en) * 2005-05-20 2006-12-01 Richtek Technology Corp DC buck/boost converter
JP2011101209A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Toyota Motor Corp レベルシフタ誤動作防止回路
JP5263317B2 (ja) 2011-02-15 2013-08-14 株式会社デンソー 半導体スイッチング素子の駆動回路
JP2013013044A (ja) 2011-05-31 2013-01-17 Sanken Electric Co Ltd ゲートドライブ回路
JP5587253B2 (ja) * 2011-06-27 2014-09-10 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 昇圧回路
JP2013099123A (ja) 2011-11-01 2013-05-20 Sanken Electric Co Ltd ゲート駆動回路

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110163797A1 (en) * 2009-06-30 2011-07-07 Decicon, Inc. Power switch with reverse current blocking capability

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