DE112011103633T5 - Vorrichtungsspezifische Markierungen - Google Patents

Vorrichtungsspezifische Markierungen Download PDF

Info

Publication number
DE112011103633T5
DE112011103633T5 DE112011103633T DE112011103633T DE112011103633T5 DE 112011103633 T5 DE112011103633 T5 DE 112011103633T5 DE 112011103633 T DE112011103633 T DE 112011103633T DE 112011103633 T DE112011103633 T DE 112011103633T DE 112011103633 T5 DE112011103633 T5 DE 112011103633T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
material layer
layer
devices
pattern
defining
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE112011103633T
Other languages
English (en)
Inventor
Andreas Doebelt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Flexenable Ltd Cambridge Gb
Original Assignee
Plastic Logic Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Plastic Logic Ltd filed Critical Plastic Logic Ltd
Publication of DE112011103633T5 publication Critical patent/DE112011103633T5/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
    • H05K1/0269—Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70541—Tagging, i.e. hardware or software tagging of features or components, e.g. using tagging scripts or tagging identifier codes for identification of chips, shots or wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6835—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used as a support during build up manufacturing of active devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54413—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising digital information, e.g. bar codes, data matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54433—Marks applied to semiconductor devices or parts containing identification or tracking information
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

Herstellen einer Mehrzahl elektronischer Vorrichtungen durch ein Verfahren, das ein fotolithographisches Bemustern einer Schicht aus leitendem Material (3) und ein Definieren wenigstens einer vorrichtungsspezifischen Marke (3a) auf einer jeweiligen aus der Mehrzahl von Vorrichtungen als Teil eines fotolithographischen Bemusterns der Schicht aus leitendem Material enthält.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Bereitstellen vorrichtungsspezifischer Markierungen bzw. Markierungszeichen auf elektronischen Vorrichtungen. In einer Ausführungsform bezieht sich die vorliegende Erfindung auf das Bereitstellen vorrichtungsspezifischer Markierungen auf Vorrichtungssubstraten in einem frühen Stadium eines Herstellungsprozesses für elektronische Vorrichtungen.
  • Das Bereitstellen vorrichtungsspezifischer Markierungen auf Vorrichtungssubstraten in dem frühen Stadium der Massenproduktion von elektronischen Vorrichtungen kann zum Verfolgen von Vorrichtungen während der Produktion nützlich sein.
  • Die Erfinder haben die Herausforderung identifiziert, eine Technik zum Bereitstellen vorrichtungsspezifischer Markierungen in dem frühen Stadium des Produktionsprozesses zu entwickeln, die nicht eine örtliche Höhenzunahme erzeugen, nicht wesentliche Mengen an Bruchstücken bzw. Überbleibseln bzw. Abraum erzeugt und auf Vorrichtungen einschließlich wärmeempfindlicher Substrate wie etwa Plastiksubstrate anwendbar ist.
  • Es ist eine Zielsetzung der vorliegenden Erfindung, diese Herausforderung zu meistern.
  • Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren bereit, das enthält: Herstellen einer Mehrzahl elektronischer Vorrichtungen durch eine Technik, die ein fotolithographisches Bemustern einer Materialschicht und ein definieren wenigstens einer vorrichtungsspezifischen Marke bzw. Markierung einer jeweiligen bzw. bestimmten der Mehrzahl von Vorrichtungen als Teil des fotolithographischen Bemusterns der Materialschicht enthält.
  • Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren bereit, das enthält: Herstellen einer Mehrzahl elektronischer Vorrichtungen durch eine Technik, die ein Bemustern einer Materialschicht enthält, wobei das Verfahren ein Definieren wenigstens einer vorrichtungsspezifischen Marke bzw. Markierungen einer jeweiligen bzw. bestimmten der Mehrzahl von Vorrichtungen in der Materialschicht simultan bzw. gleichzeitig zum Definieren eines der Mehrzahl von Vorrichtungen gemeinsamen Musters in der Materialschicht enthält.
  • Gemäß einer Ausführungsform definiert das der Mehrzahl von Vorrichtungen gemeinsame Muster eine Anordnung elektronisch funktionaler Elemente.
  • Gemäß einer Ausführungsform enthält die Anordnung elektronisch funktionaler Elemente einer Anordnung Elektroden für eine Anordnung von Transistoren bzw. Transistoranordnungen.
  • Gemäß einer Ausführungsform enthält das Definieren des der Mehrzahl von Vorrichtungen gemeinsamen Musters eine erste Belichtungstechnik, in der eine Maske zum Belichten ausgewählter erster Regionen bzw. Bereiche einer fotoempfindlichen Schicht auf der Materialschicht mit Strahlung verwendet wird; und bei der das Definieren der vorrichtungsspezifischen Markierungen eine zweite Belichtungstechnik enthält, mit der ausgewählte zweite Regionen, die nicht von der ersten Technik mit Strahlung belichtet werden, mit Strahlung belichtet werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform verändert das Belichten der ersten und zweiten ausgewählten Region mit Strahlung die Löslichkeit der fotoempfindlichen Schichten der Regionen, und ferner enthaltend ein Behandeln der fotoempfindlichen Schicht mit einem Lösungsmittel, um die fotoempfindliche Schicht in entweder der ersten und zweiten ausgewählten Regionen selektiv zu entfernen oder die fotoempfindliche Schicht in allen nicht belichteten Regionen selektiv zu entfernen; und dann Verwenden der so bemusterten fotoempfindlichen Schicht als eine Maske zum Bemustern der darunterliegenden Materialschicht und zum Definieren des gemeinsamen Musters und der vorrichtungsspezifischen Markierungen in der Materialschicht.
  • Gemäß einer Ausführungsform enthält das Verfahren ferner, dass die erste Belichtungstechnik vor der zweiten Belichtungstechnik durchgeführt wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform enthält das Verfahren ferner, dass die zweite Belichtungstechnik vor der ersten Belichtungstechnik ausgeführt wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform enthält das Verfahren ferner, dass die zweite Belichtungstechnik unter Verwendung eines Laserstrahlschreibers durchgeführt wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die vorrichtungsspezifische Markierung eines oder mehr, das aus der aus einem Strichcode, einem Matrixcode, Nummernzeichen und Text besteht, ausgewählt wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die Materialschicht eine Schicht aus leitendem Material.
  • Im Folgenden wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung nur im Wege des Beispiels unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, wobei:
  • 1 eine Technik gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung illustriert.
  • Unter Bezug auf 1 wird ein flexibles Substrat 2 für eine elektronische Anzeigevorrichtung bzw. Displayvorrichtung auf einem steifen Glasträger 1 gestützt bzw. abgestützt. Das flexible Substrat enthält eine organische Polymerbasis und wenigstens eine Planarisierungsschicht auf seiner oberen Oberfläche. Ein Dünnfilm bzw. eine Dünnschicht 3 aus Goldedelmetall ist auf der oberen Oberfläche des flexiblen Substrats mit einer physikalischen Dampfablagerungstechnik wie Sputtern abgelagert worden. Auf dem Golddünnfilm bzw. der Golddünnschicht 3 ist eine Deckschicht aus positiven Fotoresistmaterial bzw. Fotowiderstandsmaterial bzw. Fotolackmaterial 5 vorgesehen. Die Schicht aus positivem Fotolackmaterial 5 wird durch Ablagerung des Materials in einer aus einer Lösung löslichen Form und anschließendes Backen der so geformten Schicht, um sie in eine weniger lösliche Form umzuwandeln bzw. zu überführen, gebildet, wobei die Abnahmelöslichkeit durch Belichtung durch ultravioletter (UV) Strahlung umgekehrt werden kann.
  • Unter Bezug auf 1(a) werden ausgewählte Abschnitte 5a der Fotolackschicht 5 mit UV-Licht unter Verwendung einer Fotomaske 7 und von Linsen 6, 8 zum Projizieren eines Bildes der Fotomaske 7 auf die Fotolackschicht 5 belichtet. Die selektiv belichteten Abschnitte 5a weisen eine erhöhte Löslichkeit in einem zum späteren Bemustern der Fotolackschicht 5 verwendeten Lösungsmittel auf.
  • Dieselbe Fotomaske wird für jede Vorrichtung in der Massenproduktion der elektronischen Anzeigevorrichtungen verwendet. Die Fotomaske wird verwendet, um in der positiven Fotolackschicht 5 ein Muster zu definieren, dass in einem darauffolgenden Ätzschritt, der unten diskutiert wird, zum Definieren elektronisch-funktionaler Elemente der Anzeigevorrichtung in dem Goldfilm bzw. der Goldschicht 3, wie etwa Quellen-/Senken-Elektroden und Signalleitungen einer Anordnung von Dünnfilmtransistoren bzw. Dünnschichttransistoren, verwendet.
  • Unter Bezug auf 1(b) werden ausgewählte Abschnitte 5b der positiven Fotolackschicht 5, die nicht mit UV-Licht in dem in 1(a) illustrieren Schritt bestrahlt wurden, mit UV-Licht unter Verwendung eines Laserstrahlschreibers 10 belichtet, dessen Laserstrahl oder Gruppe von Laserstrahlen über die Fotolackschicht 5 in jeder Richtung in einer Ebene parallel zur Fotolackschicht 5 bewegt werden kann. Der Laserstrahlschreiber 10 wird auch für jede Vorrichtung in der Massenproduktion der elektronischen Anzeigevorrichtung verwendet, aber er wird verwendet, um in der Fotolackschicht 5 ein Muster zu definieren, das in einem darauf folgenden Ätzschritt, der unten diskutiert wird, in dem Goldfilm 3 eine oder mehr Markierungen, die für die jeweilige Vorrichtung eindeutig bzw. einzigartig sind, zu definieren.
  • Unter Bezug auf 1(c) wird die positive Fotolackschicht 5 dann mit einem Lösungsmittel behandelt, in dem die Löslichkeit der bestrahlten Abschnitte des Fotolackmaterials durch Belichtung mit UV-Licht erhöht worden ist. Die bestrahlten Abschnitte 5a und 5b der Fotolackschicht 5 sind löslich in dem Lösungsmittel und werden bei Behandlung mit dem Lösungsmittel aufgelöst und entfernt; und die verbleibenden nicht bestrahlten Abschnitte der Fotolackschicht sind im Wesentlichen nicht in dem Lösungsmittel löslich und verbleiben auf der Oberfläche des Goldfilms 3.
  • Unter Bezug auf 1(d) wird das Fotolackmuster dann als eine Maske zum Bemustern des darunter liegenden Goldfilms verwendet. Genauer gesagt wird die sich ergebende Struktur einem Ätzmittel/Lösungsmittel ausgesetzt, dass die verbleibenden Abschnitte der Fotolackschicht 5 nicht auflöst/entfernt, aber selektiv jene Abschnitte des Goldfilms 3 auflöst/entfernt, oberhalb von denen das Fotolackmaterial 5 in den früheren Schritten entfernt wurde.
  • Unter Bezug auf 1(e) werden die nun redundanten bzw. doppelt vorhandenen verbleibenden Abschnitte des Fotolackmaterials 5 durch Bestrahlung mit UV-Strahlung und Behandlung mit dem in 1(c) illustrieren Bemusterungsschritt verwendeten Lösungsmittel entfernt.
  • Unter Bezug auf 1(f) wird die Anzeigevorrichtung anschließend durch Ausbilden weiterer Elemente/Schichten (deren Gesamtheit als 12 in 1(f) bezeichnet wird) zum Definieren einer Anordnung von Dünnfilmtransistoren einschließlich Pixelelektrode an einer oberen Oberfläche davon vollendet bzw. fertiggestellt; und in den auf die so fertig gestellte Hinterebene bzw. Stützebene eine Vorderebene 14, die ein Anzeigemedium wie etwa ein Flüssigkristallanzeigemedium oder ein elektrophoretisches Medium enthält, aufgetragen wird. Nach Fertigstellung der Anzeigevorrichtung wird das flexible Substrat von dem steifen Träger 3 gelöst.
  • Der bemusterte Goldfilm 3 enthält (i) ein Muster 3a, das jeder Anzeigevorrichtung gemeinsam ist und elektronisch-funktionale Elemente der Anzeigevorrichtung wie etwa Quellen/Senken-Elektroden und Signalleitungen einer Anordnung von Dünnschichttransistoren definiert; und (ii) ein Muster 3b, das für die jeweilige Vorrichtung einzigartig bzw. eindeutig ist. Das eindeutige Muster 3b definiert eine Markierung, die spezifisch für die jeweilige Vorrichtung ist, und unterscheidet sie von anderen Vorrichtungen. Der Typ, die Position, die Größe und Auflösung der Vorrichtung der spezifischen Markierungen sind konfigurierbar bzw. einstellbar. Beispiele für vorrichtungsspezifische Markierungen enthalten Datenmatrix-Codes, Strichcodes, Nummernzeichen und Text. Der Lasterstrahlschreiben 10 schreibt das Muster der vorrichtungsspezifischen Markierungen in die Fotolackschicht 5 und die vorrichtungsspezifische Markierung ist in dem Goldfilm 3 nach dem in 1(d) illustrierten Ätzschritt detektierbar, weil jene Regionen, in denen der Goldfilm 3 weggeätzt worden ist und das darunter liegende flexible Substrat 2 belichtet worden ist, einen Kontrast zu den umgebenden Regionen aufweisen, in denen der Goldfilm 3 intakt bleibt. Dies ist der Fall z. B. dort, wo der Goldfilm 3 reflektiver bzw. reflektierender ist als das darunter liegende reflektierbare Substrat 2.
  • Die vorrichtungsspezifische Markierung wie etwa eine Seriennummer kann verwendet werden für (a) visuelle Bestätigung der Substratidentifikation und (b) automatisierte Substratverfolgung während jeglicher darauffolgender Bearbeitung wie etwa Ablagerung/Auftragen der weiteren Schichten/Elemente, die benötigt werden, um jede Anzeigevorrichtung fertigzustellen. Die vorrichtungsspezifische Markierung verbleibt in dem Endprodukt und kann auch als ein eindeutiger Identifikator für das Endprodukt verwendet werden.
  • Die oben beschriebene Technik zum Bereitstellen einer vorrichtungsspezifischen Markierung hat die folgenden Vorteile. Die sich ergebende Markierung hat einen guten chemischen Widerstand gegenüber Verarbeitungschemikalien/Lösungsmitteln von der Art, die bei der Herstellung von Anzeigevorrichtungen verwendet werden, einschließlich eines oder mehrerer organischer Materialien, insbesondere organischer Halbleitermaterialien und Gate-Dielektrikummaterialien. Es besteht kein Risiko, dass die Art potentiell schädigenden Abraums bzw. Schmutzes erzeugt wird, der erzeugt werden könnte, wenn die Markierungen durch Laterablation oder mechanisches Gravieren gebildet werden würden. Die Technik kann vorrichtungsspezifische Markierungen hoher Auflösung, insbesondere vorrichtungsspezifische Markierungen höherer Auflösung, als durch mechanisches Gravieren erreicht werden könnte, bereitstellen. Die vorrichtungsspezifischen Markierungen werden einfach innerhalb der Vorrichtungen aufgenommen, weil sie dieselbe Höhe besitzen, wie das gemeinsame Metallmuster 3a auf demselben Niveau. Die Technik erzeugt nicht große Beträge an Wärme in dem Substrat, was die Verwendung von Substraten einschließlich organischer Polymergrundschichten bzw. Polymerbasisschichten ermöglicht, die ihrer Flexibilität wegen bevorzugt werden können.
  • Gemäß einer Abwandlung wird der in 1(a) illustrierte Schritt nach dem in 1(b) illustrieren Schritt ausgeführt, d. h. der Teil der fotolithographischen Technik, der den Laserstrahlschreiber 10 verwendet, wird vor dem Teil der fotolithographischen Technik, der die Fotomaske 7 verwendet wird, ausgeführt.
  • Wir haben das Beispiel des Bemusterns eines Goldfilms auf einem flexiblen Polymersubstrat verwendet, um eine Technik gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu beschreiben, aber die selbe Technik kann in der Weise auf z. B. den Einfluss vorrichtungsspezifischer Markierungen in andere Metallfilme auf organischen Polymeren oder anderen Substraten angewandt werden.
  • Auch illustrieren die Zeichnungen eine Herstellungstechnik, in der ein Goldfilm auf einem Substrat elektronisch-funktionale Elemente und eine vorrichtungsspezifische Markierung für eine einzige Vorrichtung bereitstellt. Jedoch kann die oben beschriebene Technik gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in gleicher Weise auf die Herstellungstechnik, bei der ein Goldfilm auf einem relativ großflächigem Bogen aus flexiblem Substratmaterial in derselben Weise bemustert wird, um gemeinsame elektronisch-funktionale Elemente und entsprechende vorichtungsspezifische Markierungen für eine Mehrzahl von Vorrichtungen zu definieren, und in der der Substratmaterialbogen später in eine Mehrzahl flexibler Substrate für eine Mehrzahl von Vorrichtungen aufgeteilt wird, angewandt werden.
  • Zusätzlich zu jeglichen ausdrücklich oben erwähnten Modifikationen wird es einem Fachmann offensichtlich erscheinen, dass verschiedene andere Modifikationen der beschriebenen Ausführungsform innerhalb des Bereichs der Erfindung durchgeführt werden können.

Claims (12)

  1. Verfahren, enthaltend: Herstellen einer Mehrzahl elektronischer Vorrichtungen durch ein Verfahren, das ein fotolithographisches Bemustern einer Materialschicht und ein Definieren wenigstens einer vorrichtungsspezifischen Markierungen auf einer jeweiligen aus der Mehrzahl von Vorrichtungen als Teil des fotolithographischen Bemusterns der Materialschicht enthält.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, enthaltend, dass die wenigstens eine vorrichtungsspezifische Markierung in der Materialschicht simultan zum Definieren eines der Mehrzahl von Vorrichtungen gemeinsamen Musters in der Materialschicht definiert wird.
  3. Verfahren, enthaltend: Herstellen einer Mehrzahl elektronischer Vorrichtungen durch ein Verfahren bzw. Mittels eines Verfahrens, das ein Bemustern einer Materialschicht enthält, wobei das Verfahren enthält, dass in der Materialschicht wenigstens eine vorrichtungsspezifische Markierung einer jeweiligen der Mehrzahl von Vorrichtungen simultan zum Definieren eines der Mehrzahl von Vorrichtungen gemeinsamen Musters in der Materialschicht definiert wird.
  4. Verfahren gemäß Anspruch 2 oder 3, bei dem das der Mehrzahl von Vorrichtungen gemeinsame Muster eine Anordnung elektronisch-funktionaler Elemente definiert.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 4, bei dem die Anordnung elektronisch-funktionaler Elemente einer Anordnung Elektroden für eine Anordnung von Transistoren bzw. Transistoranordnung enthält.
  6. Verfahren gemäß irgendeinem der Ansprüche 2 bis 5, bei dem das Definieren des der Mehrzahl von Vorrichtungen gemeinsamen Musters eine erste Belichtungstechnik, mittels der eine Maske verwendet wird, um ausgewählte erste Regionen einer fotoempfindlichen Schicht auf der Materialschicht zu belichten, verwendet wird, enthält; und bei dem das Definieren der vorrichtungsspezifischen Markierungen eine zweite Belichtungstechnik enthält, mittels der ausgewählte zweite Regionen, die nicht mittels der ersten Technik mit Strahlung belichtet werden sollen, mit Strahlung belichtet werden.
  7. Verfahren gemäß Anspruch 6, bei dem das Belichten der ersten und zweiten ausgewählten Regionen mit Belichtung die Löslichkeit der fotoempfindlichen Schicht in den Regionen verändert, und wobei das Verfahren ferner enthält, dass die fotoempfindliche Schicht mit einem Lösungsmittel zum selektiven Entfernen der fotoempfindlichen Schicht in entweder der ersten und zweiten ausgewählten Region oder zum selektiven Entfernen der fotoempfindlichen Schicht in allen nicht belichteten Regionen behandelt wird; und wobei dann die so bemusterte fotoempfindliche Schicht als eine Maske verwendet wird, um die darunter liegende Materialschicht zu bemustern und simultan das gemeinsame Muster und die vorrichtungsspezifische Markierung in der Materiaschicht zu definieren.
  8. Verfahren gemäß Anspruch 6, enthaltend, dass die erste Belichtungstechnik vor der zweiten Belichtungstechnik durchgeführt wird.
  9. Verfahren gemäß Anspruch 6 oder Anspruch 7, enthaltend, dass die zweite Belichtungstechnik vor der ersten Belichtungstechnik durchgeführt wird.
  10. Verfahren gemäß irgendeinem der Ansprüche 6 bis 9, enthaltend, dass die zweite Belichtungstechnik unter Verwendung eines Laserstrahlschreibers durchgeführt wird.
  11. Verfahren gemäß irgendeinem vorhergehenden Anspruch, bei dem die vorrichtungsspezifische Markierung eines oder mehr ist, das aus der aus einem Strichcode, einem Matrixcode, Nummernzeichen und Text bestehenden Gruppe ausgewählt wird.
  12. Verfahren gemäß irgendeinem vorhergehenden Anspruch, bei dem die Materialschicht eine Schicht aus leitendem Material ist.
DE112011103633T 2010-11-01 2011-10-31 Vorrichtungsspezifische Markierungen Ceased DE112011103633T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB1018403.4A GB2485337A (en) 2010-11-01 2010-11-01 Method for providing device-specific markings on devices
GB1018403.4 2010-11-01
PCT/EP2011/069173 WO2012059479A1 (en) 2010-11-01 2011-10-31 Device-specific markings

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112011103633T5 true DE112011103633T5 (de) 2013-08-01

Family

ID=43401599

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112011103633T Ceased DE112011103633T5 (de) 2010-11-01 2011-10-31 Vorrichtungsspezifische Markierungen

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20130235363A1 (de)
DE (1) DE112011103633T5 (de)
GB (2) GB2485337A (de)
WO (1) WO2012059479A1 (de)

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59206705A (ja) * 1983-05-11 1984-11-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd パタ−ン検査方法
DE59208900D1 (de) * 1992-12-12 1997-10-16 Ibm Leiterplatten mit lokal erhöhter Verdrahtungsdichte und Herstellungsverfahren für solche Leiterplatten
JP2002075817A (ja) * 2000-08-24 2002-03-15 Tdk Corp ウエハ識別情報記入方法ならびにウエハ識別情報記入用露光方法および装置
US7316934B2 (en) * 2000-12-18 2008-01-08 Zavitan Semiconductors, Inc. Personalized hardware
US7455955B2 (en) * 2002-02-27 2008-11-25 Brewer Science Inc. Planarization method for multi-layer lithography processing
WO2006064921A2 (en) * 2004-12-13 2006-06-22 Tokyo Electron Limited Semiconductor chip with identification codes, manufacturing method of the chip and semiconductor chip management system
JP2006351772A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Fujifilm Holdings Corp 半導体チップの識別情報記録方法及び撮像装置
TWI311369B (en) * 2006-03-24 2009-06-21 Advanced Semiconductor Eng Method for fabricating identification code on a substrate
KR20080042423A (ko) * 2006-11-10 2008-05-15 삼성전자주식회사 셀 아이디 생성 방법 및 상기 셀 아이디를 포함하는 표시장치
US8187897B2 (en) * 2008-08-19 2012-05-29 International Business Machines Corporation Fabricating product chips and die with a feature pattern that contains information relating to the product chip

Also Published As

Publication number Publication date
US20130235363A1 (en) 2013-09-12
GB201309408D0 (en) 2013-07-10
GB201018403D0 (en) 2010-12-15
GB2499160A (en) 2013-08-07
GB2485337A (en) 2012-05-16
WO2012059479A1 (en) 2012-05-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102015114918B4 (de) Verfahren zum Durchführen einer OPC
DE212017000157U1 (de) Ausgehöhlte elektronische Anzeige
DE60313705T2 (de) Methode zur Erzeugung einer Struktur mittels eines lithographisch hergestellten Musters
DE102005028489B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines Flachtafeldisplays
DE102006028325B4 (de) Druckvorrichtung für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung, ein Strukturbildungsverfahren, sowie ein Herstellungsverfahren einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
DE102004024924B4 (de) Verfahren zum Herstellen polykristallinen Siliciums, Verfahren zum Herstellen einer Ausrichtungsmarkierung, sowie Verfahren zum Herstellen eines Schaltelements
DE102009025575A1 (de) Halbleiterchip mit Identifizierungsmarkierungen
DE102009052788A1 (de) Elektrophoretische Anzeigevorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
DE102010016729A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Markieren von Objekten
DE102005028240A1 (de) Abdecklack zum Ausbilden eines Musters und Verfahren zum Ausbilden des Musters unter Verwendung desselben
DE102009030299A1 (de) Fotomaskenherstellungsverfahren
CN107121890A (zh) 一种纳米压印模板及其制备方法
DE2809359C2 (de) Verfahren zum Markieren von fehlerhaften Stellen in integrierten Schaltkreisen bzw. auf ihrem Träger
DE2443077B2 (de) Verfahren zum herstellen einer nachbildungsmatrize sowie die matrize selbst
DE202004021967U1 (de) Metall-Kennzeichnungsplättchen
DE102016114521B4 (de) Lithografische Substratmarkierungseinrichtung, lithografische Wafermarkierungseinrichtung und Verfahren zum Herstellen von Substratcodierungsmarken
DE112012006298T5 (de) Flüssigkristallpaneel sowie Farbfiltersubstrat und Herstellungsverfahren desselben
DE102015109358A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum belichten einer struktur auf einem substrat
DE102011053390B4 (de) Verfahren zum Prozessieren eines Substrats
DE112011103633T5 (de) Vorrichtungsspezifische Markierungen
EP1219417B1 (de) Maskenerstellung zur Herstellung einer Druckform
DE4447264A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbton-Phasenverschiebungsmaske
DE102012018635A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer 3D-Struktur
DE69403576T2 (de) Methode zur Herstellung eines Substrats mit darauf in einer Fenster/Rahmen-Struktur aufgetragenen Filmen
DE1521800A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Mustern nach dem Photoaetzverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
R081 Change of applicant/patentee

Owner name: FLEXENABLE LIMITED, CAMBRIDGE, GB

Free format text: FORMER OWNER: PLASTIC LOGIC LTD., CAMBRIDGE, GB

R082 Change of representative

Representative=s name: SCHWABE SANDMAIR MARX, DE

Representative=s name: SCHWABE SANDMAIR MARX PATENTANWAELTE RECHTSANW, DE

Representative=s name: PAGE, WHITE & FARRER GERMANY LLP, DE

R012 Request for examination validly filed
R082 Change of representative

Representative=s name: PAGE, WHITE & FARRER GERMANY LLP, DE

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0021683000

Ipc: H01L0023544000

R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final