DE112008003845T5 - System und Verfahren für einen Mikroringlaser - Google Patents
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Abstract
Ein elektrisch gepumptes Hybrid-III–V-Gruppe-und-Silizium-Lasersystem, das Folgendes umfasst:
einen Silizium-Mikroringresonator 405;
eine Quanten 412-Mulde, die aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet und mit dem Silizium-Mikroringresonator 405 optisch gekoppelt ist, um eine optische Verstärkung zu liefern;
einen trapezförmigen Puffer 414, der aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet ist, das mit einem ersten Trägertyp dotiert ist, wobei der trapezförmige Puffer 414 mit der Quantenmulde 412 optisch gekoppelt ist;
eine mit dem trapezförmigen Puffer 414 gekoppelte Ringelektrode 410, wobei der trapezförmige Puffer 414 ermöglicht, dass die Ringelektrode 410 von einer optischen Mode des Mikroringresonators 405 im Wesentlichen isoliert ist.
einen Silizium-Mikroringresonator 405;
eine Quanten 412-Mulde, die aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet und mit dem Silizium-Mikroringresonator 405 optisch gekoppelt ist, um eine optische Verstärkung zu liefern;
einen trapezförmigen Puffer 414, der aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet ist, das mit einem ersten Trägertyp dotiert ist, wobei der trapezförmige Puffer 414 mit der Quantenmulde 412 optisch gekoppelt ist;
eine mit dem trapezförmigen Puffer 414 gekoppelte Ringelektrode 410, wobei der trapezförmige Puffer 414 ermöglicht, dass die Ringelektrode 410 von einer optischen Mode des Mikroringresonators 405 im Wesentlichen isoliert ist.
Description
- HINTERGRUND
- Da die Rechenleistung und Datenspeicherkapazitäten in den letzten Jahrzehnten exponentiell zugenommen haben, ist auch eine entsprechende Menge an gespeicherten Daten exponentiell gewachsen. Computer, die einst die Domäne von Textdateien und einigen wenigen Bildern geringer Auflösung waren, werden nun oft dazu verwendet, Tausende von hochauflösenden Bildern und Videoaufnahmen von mehreren Stunden zu speichern. Fernseher werden aufgerüstet, um hochauflösendes Video zu zeigen. Neue Generationen optischer Platten wurden entwickelt, um das hochauflösende Video zu fassen. Die Platten können auf jeder Seite ganze 50 Gigabytes fassen. Dies reicht aus, um mehrere Stunden Video in einem hochauflösenden Format zu speichern. Es werden immer dichtere Speicherformate entwickelt, um die zunehmenden Mengen an Informationen zu speichern.
- Es wird schwieriger, die riesigen Mengen an digitalen Informationen zu bewegen und zu übertragen. Jedes Jahr stehen mehr elektronische Vorrichtungen zur Verfügung, die mit anderen Vorrichtungen digital kommunizieren können. Elektronik, einschließlich Computern, hochauflösenden Fernsehens, hochauflösenden Funks, digitaler Musikabspielgeräte, tragbarer Computer und vieler anderer Arten von Vorrichtungen, wurde dahin gehend entworfen, große Mengen an Informationen zu senden und zu empfangen. Heutzutage empfangen viele Computer Breitband-Internet, das im gesamten Privatbereich gesendet wird. Fernseher empfangen Mehrfach-Hochauflösung-Signale von Kabel- und Faseroptik.
- Um die in Computern gespeicherten riesigen Datenmengen zu übertragen und an Fernseher und andere Elektronikvorrichtungen rundzusenden, werden die Daten mit immer höheren Geschwindigkeiten übertragen. Jedoch halten die Übertragungsraten mit der Explosion an Daten nicht Schritt. Um beispielsweise einen typischen hochauflösenden Film von 15 Gigabyte von einer optischen Platte an ein Heimunterhaltungssystem zu übertragen, müssen zwanzig Minuten lang 100 Megabits pro Sekunde übertragen werden. Für viele Nutzer kann es lästig sein, zum Übertragen eines Films 20 Minuten zu brauchen.
- Desgleichen ist zwischen Prozessoren, Speicher, sonstigen Chips und Computerkarten in einem Computersystem eine Kommunikation höherer Bandbreite erforderlich. Eine Möglichkeit, die zum Bewegen großer Mengen digitaler Informationen zwischen Computerchips benötigte Zeit zu reduzieren, besteht darin, die Informationen mit höheren Geschwindigkeiten zu senden. Übertragungsgeschwindigkeiten, die große Datenvolumina in angemessener Zeit bewegen können, sind bisher jedoch zu teuer, um in der Unterhaltungselektronik umfassend eingesetzt zu werden.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 veranschaulicht eine Querschnittsansicht eines elektrisch gepumpten Hybrid-III–V-Silizium-Mikroringlasersystems gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
2 veranschaulicht eine Querschnittsansicht einer simulierten optischen Mode unter Verwendung der in1 veranschaulichten Struktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
3 veranschaulicht eine Draufsicht eines elektrisch gepumpten Mikroringlasersystems, das mit einem optischen Wellenleiter evaneszent gekoppelt ist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
4 veranschaulicht eine Querschnittsansicht eines elektrisch gepumpten Mikroringlasersystems, das einen trapezförmigen Puffer aufweist, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; -
5 veranschaulicht eine Querschnittsansicht einer simulierten optischen Mode unter Verwendung der in4 veranschaulichten Struktur gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und -
6 veranschaulicht ein Flussdiagramm, das ein Verfahren zum Bilden eines elektrisch gepumpten Lasers zum Stimulieren von Licht einer ausgewählten Wellenlänge zeigt, gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. - AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG EXEMPLARISCHER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
- Optoelektronische Integration auf Silizium ist eine Technologie, die zum Bauen optischer Verbindungssysteme und anderer umfassender photonischer Systeme auf einem Chip verwendet wird. Integrierte photonische Systeme verwenden üblicherweise eine kostengünstigere und leicht zu integrierende elektrisch gepumpte Laserquelle. Jedoch ist Silizium durch seine grundlegenden Materialeigenschaften eingeschränkt und kann somit die beim Laserbetrieb verwendete elektrisch gepumpte optische Verstärkung nicht auf effiziente Weise bereitstellen. Deshalb kann eine Hybridintegration von Verstärkungsmaterial, z. B. auf einer Siliziumplattform befindlichen Halbleitern der Gruppe III–V, dazu verwendet werden, einen chipinternen elektrisch gepumpten Laser zu bauen.
- Damit die integrierte elektrisch gepumpte Laserquelle vermarktbar ist, muss der Vorgang des Integrierens des Verstärkungsmaterials der Gruppe III–V auf das Silizium relativ kostengünstig und einfach zu implementieren sein. Bei einem Ausführungsbeispiel liefert die vorliegende Erfindung ein System und Verfahren zum Herstellen eines Mikroringresonators, der als relativ kleine chipinterne Laserquelle verwendet werden kann, die bei Geschwindigkeiten von mehr als einem Gigahertz direkt moduliert werden kann. Eine einen Ringmodulator verwendende elektrisch gepumpte Laserquelle kann dazu verwendet werden, Informationen über einen Chip und anschließend chipextern an Wellenleiter und benachbarte elektronische Vorrichtungen zu senden. Die einen Ringmodulator verwendende elektrisch gepumpte Laserquelle kann relativ kostengünstig implementiert werden, da sie sich auf Waferbonding stützt, das keine kritische Ausrichtung bei dem Bondingschritt erfordert, wie dies üblicherweise beim Chipbonden erforderlich ist.
-
1 veranschaulicht eine Querschnittsansicht eines elektrisch gepumpten Hybrid-III–V-Silizium-Mikroringlasersystems100 . Bei diesem Beispiel ist ein Siliziumsubstrat102 dahin gehend veranschaulicht, das Lasersystem zu halten. Andere Arten von Substraten, die bei Halbleiterherstellungsprozessen verwendet werden, werden als in dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung enthalten angesehen. Eine untere Ummantelung104 kann auf dem Siliziumsubstrat gebildet sein. Ein Silizium-Mikroringresonator105 kann auf der Oberfläche der unteren Ummantelung aufgebaut sein. Die untere Ummantelung wird dazu verwendet, Licht in dem Silizium-Mikroringresonator im Wesentlichen einzuschränken. - Die untere Ummantelung kann aus einem Material aufgebaut sein, das einen Brechungsindex aufweist, der geringer ist als der Brechungsindex des Silizium-Mikroringresonators, und das bei der Wellenlänge von in den Resonator eingekoppeltem Licht im Wesentlichen transparent ist. Beispielsweise kann die untere Ummantelung unter Verwendung von Siliziumdioxid gebildet werden. Alternativ dazu kann die untere Ummantelung aus einem Material wie z. B. Siliziumnitrid oder einem anderen Material, das die obigen Anforderungen erfüllt, gebildet sein. Der Bereich innerhalb
120 und außerhalb106 des Mikroringresonators kann ebenfalls aus einem Material gebildet sein, das einen Brechungsindex aufweist, der geringer ist als der Brechungsindex des Resonators, und das bei der Wellenlänge von in den Resonator eingekoppeltem Licht im Wesentlichen transparent ist. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der Bereich innerhalb und außerhalb des Mikroringresonators aus Luft oder einem Vakuum gebildet sein. Alternativ dazu kann eine andere Substanz wie z. B. Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid verwendet werden. - Der Silizium-Mikroringresonator
105 kann einen Radius aufweisen, der ungefähr proportional zu einer oder etwas kleiner als eine Wellenlänge des Lichts ist, das seitens des Mikroringresonators getragen wird. Alternativ dazu kann der Radius des Silizium-Mikroringresonators größer sein als die Wellenlänge des Lichts. Beispielsweise kann die Wellenlänge des Lichts 1,54 Mikrometer betragen, und der Radius des zum Tragen des Lichts konfigurierten Mikroringresonators kann etwa 3 Mikrometer betragen. Übliche Abmessungen für den Silizium-Mikroringresonator können von 2,5 Mikrometer bis zu mehreren zehn Mikrometern variieren, je nach der Wellenlänge des Lichts und anderen Entwurfsüberlegungen. Andere Wellenlängen von Licht können ebenfalls verwendet werden, z. B. die in der Telekommunikation gebräuchliche Wellenlänge von 1,31 Mikrometern. Der Silizium-Mikroringresonator kann dahin gehend entworfen sein, Wellenlängen von Licht zu führen, das von tiefem Infrarot bis zu ultraviolettem Licht reicht. - Ein PN-Übergang kann über eine Quantenmulde
112 , die mit dem Mikroringresonator105 optisch gekoppelt ist, hinweg gebaut sein. Eine Quantenmulde ist eine Potentialmulde, die Träger, die sich ursprünglich in drei Dimensionen frei bewegen konnten, auf zwei Dimensionen beschränkt, wodurch sie sie zwingt, eine planare Region zu belegen. Aufgrund ihrer quasi zweidimensionalen Beschaffenheit weisen Elektronen in Quantenmulden eine schärfere Zustandsdichte auf als Vollmaterialien. Die Quantenmuldenstruktur wird dazu verwendet, die Zustandsdichte des Halbleiters zu verändern, und führt zu einem verbesserten Halbleiterlaser, der weniger Träger (Elektronen und Löcher) erfordert, um eine Laserschwelle zu erreichen, als andere Arten von Strukturen, beispielsweise eine herkömmliche Doppelheterostruktur. Die Quantenmulde kann aus einem Material der Gruppe III–V gebildet sein, beispielsweise Indiumphosphid, Indiumgalliumarsenidphosphid und dergleichen. Bei den offenbarten Ausführungsbeispielen kann bzw. können eine einzelne oder mehrere Quantenmulden verwendet werden, wie einleuchten wird. Die Quantenmulde112 kann mit einer Pufferschicht108 wafergebondet sein. Ein Waferbonden der Quantenmulde mit der Pufferschicht kann für niedrigere Toleranzen bei der Hersteller der Vorrichtung sorgen, wie zuvor erörtert wurde. - Der durch die zwei Kontakte
108 ,114 gebildete PN-Übergang kann auch aus einem Material der Gruppe III–V gebildet sein, wobei das Material mit einem Träger dotiert ist. Bei einem Ausführungsbeispiel kann ein n-dotierter Kontakt108 direkt auf dem Silizium-Mikroringresonator105 platziert werden. Halter118 können dazu verwendet werden, den n-dotierten Kontakt zu tragen. Die Quantenmulde112 kann auf dem n-dotierten Kontakt platziert und kollinear mit dem Mikroringresonator ausgerichtet werden, um zu ermöglichen, dass die Quantenmulde mit dem Mikroringresonator optisch gekoppelt wird. Ein p-dotierter Kontakt114 kann auf der dem n-dotierten Kontakt gegenüberliegenden Seite der Quantenmulde platziert werden, um einen PN-Übergang zu bilden. Bei einem Ausführungsbeispiel kann die Quantenmulde als intrinsische Schicht angesehen werden. Der p-Kontakt, der n-Kontakt und die Quantenmulde können dann als PIN-Übergang angesehen werden. - Elektroden
116 und110 können gemäß der Darstellung in1 positioniert werden, um den PN-Übergang in Durchlassrichtung vorzuspannen, um Träger in der Quantenmulde112 zu liefern. Bei einem Ausführungsbeispiel können die Elektroden aus einem metallischen Material gebildet sein. Alternativ dazu kann ein im Wesentlichen leitfähiges, nicht-metallisches Material oder ein Verbundwerkstoff dazu verwendet werden, Strom in die Quantenmulde zu injizieren. Die Mittelelektrode116 kann mit dem p-Kontakt114 gekoppelt und koaxial mit der Quantenmulde und Mikroringresonator105 positioniert sein. Ein Abstand117 zwischen dem Außenrand der Mittelelektrode und dem Innenrand des Mikroringresonators kann etwa 0,3 bis 1,0 Mikrometer betragen. Eine Außenelektrode110 kann sich außerhalb des Mikroringresonators befinden. Die Außenelektrode kann einen Abstand113 von 0,5 bis 1,0 Mikrometer von der Quantenmulde aufweisen. Die kombinierte Dicke115 des n-Kontakts108 , der Quantenmulde112 und des p-Kontakts kann ungefähr 0,2 bis 0,4 Mikrometer betragen. Die Elektroden können dazu verwendet werden, den PN-Übergang in Durchlassrichtung vorzuspannen und Strom in die Quantenmulde zu injizieren. Natürlich können der n- und der p-dotierte Kontakt umgeschaltet werden, und die Vorspannung kann umgekehrt werden, um dasselbe Ergebnis zu erzielen. - Bei früheren elektrisch gepumpten Diodenlasern weisen die Elektroden, die das Halbleitermaterial berühren, hohe optische Verluste auf. Deshalb sind die Elektroden üblicherweise von der optischen Mode des Resonators isoliert. Dies bedeutet, dass die Elektroden mehrere Mikrometer von der Mitte des optischen Resonators entfernt platziert werden müssen. Bei dem in
1 veranschaulichten elektrisch gepumpten Lasersystem100 ist das Quantenmulde112 -Verstärkungsmedium auf dem siliziumbasierten Mikroringresonator105 gebondet. - Eine Modenisolierung von einer oberen Elektrode verwendet üblicherweise eine relativ dicke Pufferschicht zwischen der Quantenmulde und der Mittelelektrode. Diese Pufferschicht weist einen Brechungsindex auf, der nahe bei dem von Silizium liegt. Das Vorliegen dieser dicken Pufferschicht kann die Fähigkeit, Licht in einem Mikroringresonator zu beschränken, beträchtlich einschränken, da sich die optische Mode in diese Pufferschicht hinein ausbreitet, statt dem stark gebogenen Pfad des Mikroringresonators zu folgen. Frühere Versuche, dieses Problem zu überwinden, beinhalteten ein Bauen eines Ringresonators mit einem Umfang von über 2 Millimetern. Ein Ringresonator dieser Größe ist für eine Integration in einen Mikrochip ziemlich groß. Außerdem kann ein großer Ringresonator üblicherweise nicht bei einer ausreichend hoher Geschwindigkeit moduliert werden, die für chipinterne und -externe Kommunikationen benötigt wird.
- Die in
1 veranschaulichte Struktur befähigt die Mittelelektrode116 , von der Quantenmulde112 isoliert zu werden, indem die Elektroden in der horizontalen Richtung verschoben werden. Eine der Kontaktelektroden (die p-Elektrode116 in1 ) wird in den Siliziumring platziert. Die andere Elektrode wird außerhalb des Rings platziert, wie zuvor erörtert wurde. Beide Elektroden sind in einem Abstand von ungefähr 0,3 bis 1,0 Mikrometern von dem Siliziumring105 , wo die optische Mode geführt wird, angeordnet. Dies ermöglicht, dass eine relativ dünne Schicht aus einem Material der Gruppe III–V auf dem Siliziumring angeordnet ist, um sich mit der optischen Mode zu überlappen und um die optische Verstärkung zu liefern, die zum Erzielen eines Lasers nötig ist. Diese dünne Verstärkungsschicht beeinflusst die Fähigkeit der optischen Mode, sich zu biegen und in Mikroringhohlräumen eingeschlossen zu bleiben, nicht beträchtlich. Modellbildung und Simulation haben gezeigt, dass der Mikroringresonator mit der in1 veranschaulichten Struktur einen Radius von 2,5 Mikrometern oder weniger aufweisen kann. -
2 veranschaulicht eine Querschnittsansicht einer simulierten optischen Mode unter Verwendung der in1 veranschaulichten Struktur. Eine erste Seite des Silizium-Mikroringresonators105 ist dahin gehend gezeigt, dass die optische Mode202 im Wesentlichen in dem Silizium-Mikroringresonator getragen wird. Die tatsächliche Größe der optischen Mode hängt von der Art der Mode, die durch den Mikroringresonator gehalten wird, und von der Wellenlänge des Lichts in dem Resonator ab. Ein Teil der optischen Mode kann sich durch den n-Kontakt108 und in die Quantenmulde112 hinein erstrecken. Wie zuvor erörtert wurde, kann die Quantenmulde eine Einzel- oder Mehrfach-Quantenmuldenkonfiguration sein. Der Teil der optischen Mode, der sich in die Quantenmulde hinein erstreckt, kann verstärkt werden, während der PN-Übergang in Durchlassrichtung vorgespannt wird, um Strom in die Quantenmulde zu leiten und den Teil der optischen Mode, der mit der Quantenmulde gekoppelt ist, elektrisch zu pumpen. Das Licht in der Quantenmulde wird verstärkt und zu dem Resonator zurückgeleitet. Die optische Mode kann mit der Quantenmulde evaneszent gekoppelt werden. -
3 veranschaulicht eine Draufsicht auf das elektrisch gepumpte Hybrid-III–V-Silizium-Mikroringlasersystem100 . Die Mittelelektrode116 ist in der Mitte des Mikroringresonators105 gezeigt. Ein Teil des n-Kontakts108 ist zwischen der Mittelelektrode116 und der Außenelektrode110 gezeigt. Ein optischer Wellenleiter302 kann in der Nähe des Lasersystems angeordnet sein, um dem verstärkten Licht in dem Mikroringresonator zu ermöglichen, evaneszent in den Wellenleiter eingekoppelt zu werden. Bei einem Ausführungsbeispiel kann ein Umwicklungswellenleiter dazu verwendet werden, die Menge an Licht, das sich von dem Lasersystem in den Wellenleiter evaneszent einkoppelt, zu erhöhen. Der Wellenleiter kann in einem Abstand306 von weniger als einem Drittel der Wellenlänge des Lichts platziert sein. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der Wellenleiter in einem Abstand von 0,200 Mikrometer (200 Nanometer) von dem Mikroringresonator105 platziert sein. Die Breite304 des Wellenleiters kann in der Größenordnung von 0,450 bis 0,500 Mikrometern liegen. Der Wellenleiter kann dazu verwendet werden, Licht weg308 von dem Laserresonator zu anderen Teilen einer integrierten Schaltung oder zu nahegelegenen Chips oder anderen Komponenten auf einer Schaltungsplatine zu tragen. - Die Struktur des elektrisch gepumpten Hybrid-III–V-Silizium-Mikroringlasersystems
100 liefert mehrere Vorteile gegenüber früheren Hybridlasersystemen. Erstens ermöglicht die kompakte Größe des Lasers eine umfassende Integration einer großen Anzahl der Laser-auf-Chip-Systeme, ohne dass sehr viel Platz auf dem Chip eingenommen wird. Zweitens kann der Silizium-Mikroringresonator105 unter Verwendung von CMOS-kompatiblen Techniken der Industrienorm hergestellt werden. Drittens ermöglicht das geringe Volumen des Mikroringresonators eine leistungsarme, direkte Modulation des Lasers mit hoher Geschwindigkeit (> 1 GHz), indem ein moduliertes Signal an den die Quantenmulde umgebenden PN-Übergang angelegt wird. Dadurch können Daten auf kostengünstige Weise mit relativ hohen Raten übertragen werden, wodurch Bandbreitenengpässe, die bei integrierten elektrischen Systemen auftreten, verringert oder eliminiert werden. Viertens liefert der Mikroringresonator105 eine viel größere Longitudinalmode-Beabstandung als andere Hybridsiliziumlaserkonfigurationen wie z. B. die Rennbahnkonfiguration. Die Longitudinalmodenbeabstandung ist umgekehrt proportional zu der Länge des Mikroringresonators. Die größere Modenbeabstandung kann ein Einfach-Longitudinalmode-Lasern ermöglichen, was zu einer viel höheren Qualität des aus dem Mikroringresonator ausgegebenen Laserlichts führt. - Bei einem anderen Ausführungsbeispiel ist in
4 eine zusätzliche Struktur für ein elektrisch gepumptes Hybrid-III–V-Silizium-Mikroringlasersystem400 veranschaulicht. Das bei der Querschnittsveranschaulichung der4 veranschaulichte Ausführungsbeispiel umfasst ein Substrat402 , das mit einer unteren Ummantelung404 gekoppelt ist, die mit einem Silizium-Mikroringresonator405 optisch gekoppelt ist. Die untere Ummantelungsschicht ist aus einem Material gebildet, das einen Brechungsindex aufweist, der geringer ist als der Brechungsindex des Silizium-Mikroringresonators, und das bei einer Wellenlänge von Laserlicht in dem Mikroringresonator im Wesentlichen optisch transparent ist. Bezüglich des Resonators sind ein innerer Zwischenraum420 und ein äußerer Zwischenraum406 gezeigt. Der innere und der äußere Zwischenraum können aus einem Material gebildet sein, das einen Brechungsindex aufweist, der geringer ist als der Brechungsindex des Silizium-Mikroringresonators, und das bei einer Wellenlänge von Laserlicht in dem Resonanzhohlraum im Wesentlichen optisch transparent ist, z. B. Luft, Vakuum, Siliziumdioxid, Siliziumnitrid und dergleichen. - Es ist ein trapezförmiger Puffer
414 gezeigt, der aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet und mit einem ersten Trägertyp dotiert ist. Der Träger kann entweder ein Träger vom n-Typ oder ein Träger vom p-Typ sein. Der trapezförmige Puffer414 ist mit der Quantenmulde412 optisch gekoppelt. Ein aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildeter und mit einem zweiten Träger, der eine zu dem ersten Träger entgegengesetzte Ladung aufweist, dotierter zweiter Puffer408 ist zwischen einer Quantenmulde412 und dem Silizium-Mikroringresonator405 angeordnet. Der zweite Puffer weist eine ausreichende Länge auf, um mit beiden Seiten des Silizium-Mikroringresonators eine Schnittstelle zu bilden. - Der trapezförmige Puffer
414 und der zweite Puffer408 sind dazu konfiguriert, einen PN-Übergang zu bilden, wobei die Quantenmulde412 zwischen dem trapezförmigen Puffer und dem zweiten Puffer angeordnet ist. Der PN-Übergang liefert Träger, die in die Quantenmulde injiziert werden sollen, um für Licht in dem Silizium-Mikroringresonator405 eine optische Verstärkung zu liefern. - Eine Ringelektrode
410 ist mit einem schmalen Ende des trapezförmigen Puffers414 elektrisch gekoppelt. Die Ringelektrode kann aus Metall oder einem sonstigen äußerst leitfähigen Material oder Verbundwerkstoff gebildet sein. Das breite Ende des trapezförmigen Puffers befindet sich in direktem Kontakt mit der Quantenmulde412 . Die Quantenmulde, der trapezförmige Puffer und die Ringelektrode bilden allesamt einen Ring oberhalb des Silizium-Mikroringresonators405 . Eine Mittelelektrode416 ist in der Nähe einer Mitte des Mikroringresonators platziert und berührt den oben auf dem Resonator befindlichen zweiten Puffer408 . Die Position der Mittelelektrode ermöglicht, dass Träger in die Quantenmulde injiziert werden, indem zwischen der Mittelelektrode und der Ringelektrode ein Vorspannungspotential angelegt wird. - Der trapezförmige Puffer
414 kann eine Trapez- oder Dreiecksform aufweisen. Der Puffer kann unter Verwendung beispielsweise eines schwach anisotropen Ätzvorgangs gebildet werden. Bei einem Ausführungsbeispiel kann der Puffer geätzt werden, um eine Mehrzahl von Ebenen zu bilden, wobei jede ansteigende Ebene eine abnehmende Länge aufweist, um einen pyramidenförmigen Puffer zu bilden. -
5 veranschaulicht eine Querschnittsansicht einer simulierten optischen Mode unter Verwendung der in4 veranschaulichten Struktur. Eine Seite des Silizium-Mikroringresonators405 ist dahin gehend dargestellt, dass ein Teil der optischen Mode502 in dem Silizium-Mikroringresonator getragen wird. Die tatsächliche Größe der optischen Mode hängt von der Art der Mode, die durch den Mikroringresonator gehalten wird, und der Wellenlänge des Lichts in dem Resonator ab. Ein Teil der optischen Mode kann sich durch den n-Kontakt408 hindurch in die Quantenmulde412 und in den trapezförmigen Puffer414 hinein erstrecken. Man sollte beachten, dass der trapezförmige Puffer unter Verwendung einer Mehrzahl geätzter Stufen erzeugt werden kann, um einen pyramidenförmigen Puffer zu bilden. - Wie in
5 veranschaulicht ist, liefert das in4 gezeigte System bezüglich der Menge der optischen Mode502 , die sich in der Quantenmulde412 befindet, eine beträchtliche Verbesserung gegenüber dem in1 gezeigten System. Die Dicke des Mikroringresonators405 , des zweiten Puffers408 und der Quantenmulde412 zusammen mit der Höhe und der Form des trapezförmigen Puffers414 können ermöglichen, dass der Bereich der optischen Mode, der die größte Menge an elektromagnetischer Energie aufweist, in der Quantenmulde positioniert wird. Ein Aufbauen des Systems derart, dass die höchste Dichte der optischen Mode in der Quantenmulde angeordnet ist, liefert eine beträchtliche Verbesserung der Effizienz des Lasers. Der Beschränkungsfaktor der Fundamentalmode in der Quantenmulde liegt bei etwa 35%, beträchtlich höher als bei anderen Arten von Gruppe-III–V-Silizium-Hybridlasersystemen. Die Form der in5 veranschaulichten Struktur ermöglicht, dass die optische Mode direkt mit der Quantenmulde412 und dem trapezförmigen Puffer414 gekoppelt wird. Die direkte optische Kopplung liefert eine optische Mode mit wesentlich höherer Leistung, als sie mittels einer evaneszenten Kopplung zwischen dem Silizium-Mikroringresonator405 und der Quantenmulde erzielt werden kann. - Die Form des trapezförmigen Puffers
414 kann dahin gehend ausgewählt werden, den Beschränkungsfaktor der optischen Mode zu maximieren. Ein trapezförmiger Puffer mit einem schmaleren oberen Ende bewegt die Fundamentalmode nach unten. Umgekehrt ermöglicht ein trapezförmiger Puffer mit einem breiteren oberen Ende, dass die Fundamentalmode innerhalb des trapezförmigen Puffers höher positioniert wird. Außerdem liefert die in5 veranschaulichte Struktur lediglich eine einzelne verlustarme Mode, die transversal-elektrische Fundamentalmode (TE-Fundamentalmode). Aufgrund der Form des trapezförmigen Puffers geht an dem Puffer-Elektrode-Übergang eine beträchtlich verringerte Menge an Licht verloren. Tests haben gezeigt, dass ein Verlust bei einer Mittelelektrode410 aus Aluminium etwa 0,4 dB/cm beträgt. - Die TE-Polarisierung weist eine hohe optische Verstärkung aus der Quantenmulde auf. Die transversal-magnetische (TM-)Mode und Moden höherer Ordnung weisen Verluste auf, die zwei Größenordnungen höher sind als bei der TE-Fundamentalmode. Deshalb lasen nur die TE-Fundamentalmode. Im Wesentlichen der gesamte Quantenmuldenbereich weist eine effektive Interaktion mit der optischen Mode auf. Deshalb wird eine beträchtliche Menge des in die Quantenmulde injizierten Pumpstroms dazu verwendet, Photonen zu stimulieren, was zu einer im Wesentlichen hohen Pumpeffizienz führt. Der Beschränkungsfaktor der optischen Mode
502 in der Quantenmulde412 kann mehr als 35 Prozent betragen. Üblichere Beschränkungspegel können von 20 Prozent bis nahe 40 Prozent variieren. Stimuliertes Licht von dem in4 und5 veranschaulichten Silizium-Mikroringresonator kann durch evaneszentes Koppeln mit einem Wellenleiter gekoppelt werden, wie zuvor in3 erörtert und gezeigt wurde. - Bei einem anderen Ausführungsbeispiel ist ein Verfahren
600 zum Bilden eines elektrisch gepumpten Lasers zum Stimulieren von Licht einer ausgewählten Wellenlänge offenbart, wie in6 gezeigt ist. Das Verfahren umfasst den Vorgang des Bildens610 eines Silizium-Mikroringresonators auf einer unteren Ummantelung, die einen Brechungsindex aufweist, der geringer ist als ein Brechungsindex des Silizium-Mikroringresonators. Das Verfahren umfasst ferner den Vorgang des Aneinanderfügens620 einer ersten Pufferschicht und des Silizium-Mikroringresonators. Die erste Pufferschicht wird aus einem mit einem ersten Trägertyp dotierten Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet. Ein zusätzlicher Vorgang beinhaltet ein Befestigen630 einer Quantenmulde an der ersten Pufferschicht, wobei die Quantenmulde mit dem Silizium-Mikroringresonator optisch gekoppelt ist. - Das Verfahren
600 beinhaltet ferner ein Verbinden640 einer zweiten Pufferschicht mit der Quantenmulde. Die zweite Pufferschicht kann aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet sein, das mit einem zweiten Trägertyp dotiert ist, der eine zu dem ersten Trägertyp entgegengesetzte Ladung aufweist. Die zweite Pufferschicht kann eine trapezförmige Form aufweisen, die einen mit der Quantenmulde gekoppelten breiten Bereich und einen dem breiten Bereich gegenüberliegenden schmalen Bereich aufweist. Das Verfahren umfasst ferner ein Aneinanderfügen650 einer Ringelektrode und des schmalen Bereichs der trapezförmigen zweiten Pufferschicht. Ein zusätzlicher Vorgang sieht ein Aufnehmen660 einer Mittelelektrode um eine Mitte des Silizium-Mikroringresonators vor, um zu ermöglichen, dass Träger in die Quantenmulde zwischen der Mittelelektrode und der Ringelektrode injiziert werden, um eine Verstärkung des Lichts der ausgewählten Wellenlänge zu liefern. - Obwohl die vorstehenden Beispiele die Prinzipien der vorliegenden Erfindung bei einer oder mehreren bestimmten Anwendungen veranschaulichen, wird Fachleuten einleuchten, dass ohne die Ausübung einer erfinderischen Fähigkeit und ohne von den Prinzipien, und Konzepten der Erfindung abzuweichen, zahlreiche Modifikationen bezüglich Form, Nutzung und Einzelheiten der Implementierung vorgenommen werden können. Demgemäß ist nicht beabsichtigt, dass die Erfindung auf andere Weise eingeschränkt werde als durch die nachstehend dargelegten Patentansprüche.
- ZUSAMMENFASSUNG DER OFFENBARUNG
- Es wird ein System und Verfahren für ein elektrisch gepumptes Lasersystem offenbart. Das System umfasst einen Silizium-Mikroringresonator
405 . Eine aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildete Quantenmulde412 ist mit dem Mikroringresonator405 optisch gekoppelt, um eine optische Verstärkung zu liefern. Ein trapezförmiger Puffer414 , der aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet ist und mit einem ersten Trägertyp dotiert ist, ist mit der Quantenmulde412 optisch gekoppelt. Eine Ringelektrode410 ist mit dem trapezförmigen Puffer414 gekoppelt. Der trapezförmige Puffer414 ermöglicht, dass die Ringelektrode410 von einer optischen Mode des Mikroringresonators405 im Wesentlichen isoliert ist.
Claims (15)
- Ein elektrisch gepumptes Hybrid-III–V-Gruppe-und-Silizium-Lasersystem, das Folgendes umfasst: einen Silizium-Mikroringresonator
405 ; eine Quanten412 -Mulde, die aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet und mit dem Silizium-Mikroringresonator405 optisch gekoppelt ist, um eine optische Verstärkung zu liefern; einen trapezförmigen Puffer414 , der aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet ist, das mit einem ersten Trägertyp dotiert ist, wobei der trapezförmige Puffer414 mit der Quantenmulde412 optisch gekoppelt ist; eine mit dem trapezförmigen Puffer414 gekoppelte Ringelektrode410 , wobei der trapezförmige Puffer414 ermöglicht, dass die Ringelektrode410 von einer optischen Mode des Mikroringresonators405 im Wesentlichen isoliert ist. - Das System gemäß Anspruch 1, das ferner einen zweiten Puffer
408 umfasst, der aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet ist, das mit einem zweiten Trägertyp dotiert ist, der eine zu dem ersten Trägertyp entgegengesetzte Ladung aufweist, wobei der zweite Puffer408 zwischen der Quantenmulde412 und dem Silizium-Mikroringresonator405 angeordnet ist. - Das System gemäß Anspruch 2, bei dem eine Höhe des Silizium-Mikroringresonators
405 , des zweiten Puffers408 , der Quantenmulde412 und des trapezförmigen Puffers414 dahin gehend ausgewählt ist, zu ermöglichen, dass sich eine einzelne transversal-elektrische (TE-)Fundamentalmode eines Laserlichts in dem Resonator405 ausbreitet, wobei sich eine maximale Menge an elektromagnetischer Energie in der TE-Mode in der Quantenmulde412 befindet, um eine erhöhte Verstärkung von Laserlicht in der Quantenmulde412 zu liefern. - Das System gemäß Anspruch 2, das ferner eine Mittelelektrode
416 umfasst, die mit dem zweiten Puffer408 gekoppelt ist und sich in dem Silizium-Mikroringresonator405 befindet, um zu ermöglichen, dass Träger in die Quantenmulde412 injiziert werden, indem zwischen der Mittelelektrode416 und der Ringelektrode405 ein Vorspannungspotential angelegt wird. - Das System gemäß Anspruch 1, bei dem der trapezförmige Puffer
414 aus einer Mehrzahl von Ebenen gebildet ist, wobei jede ansteigende Ebene eine abnehmende Länge aufweist, um einen pyramidenförmigen Puffer zu bilden. - Das System gemäß Anspruch 5, bei dem der pyramidenförmigen Puffer durch Ätzen einer Mehrzahl von Stufen gebildet wird, um die Mehrzahl von Ebenen zu bilden.
- Das System gemäß Anspruch 1, das ferner eine unter dem Silizium-Mikroringresonator
405 angeordnete untere Ummantelungsschicht404 umfasst, wobei die untere Ummantelungsschicht404 aus einem Material gebildet ist, das einen Brechungsindex aufweist, der geringer ist als der Brechungsindex des Silizium-Mikroringresonators405 , und das bei einer Wellenlänge von Laserlicht in dem Mikroringresonator405 im Wesentlichen optisch transparent ist. - Das System gemäß Anspruch 1, das ferner einen optischen Wellenleiter
302 umfasst, der nahe genug bei dem Silizium-Mikroringresonator405 angeordnet ist, um zu ermöglichen, dass Laserlicht aus dem Mikroringresonator405 evaneszent mit dem optischen Wellenleiter302 gekoppelt wird. - Ein Verfahren zum Bilden eines elektrisch gepumpten Hybrid-III–V-Gruppe-und-Silizium-Lasers zum Stimulieren von Licht einer ausgewählten Wellenlänge, umfassend: Bilden eines Silizium-Mikroringresonators
405 auf einer unteren Ummantelung404 , die einen Brechungsindex aufweist, der geringer ist als ein Brechungsindex des Silizium-Mikroringresonators405 ; Aneinanderfügen einer ersten Pufferschicht408 und des Silizium-Mikroringresonators405 , wobei die erste Pufferschicht408 aus einem mit einem erster Trägertyp dotierten Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet ist; Befestigen einer Quantenmulde412 an der ersten Pufferschicht408 , wobei die Quantenmulde mit dem Silizium-Mikroringresonator405 optisch gekoppelt ist; Verbinden einer zweiten Pufferschicht414 mit der Quantenmulde412 , wobei die zweite Pufferschicht414 aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet ist, das mit einem zweiten Trägertyp dotiert ist, der eine zu dem ersten Trägertyp entgegengesetzte Ladung aufweist, und die zweite Pufferschicht414 eine Trapezform aufweist, die einen mit der Quantenmulde412 gekoppelten breiten Bereich und einen schmalen Bereich aufweist; Aneinanderfügen einer Ringelektrode410 und des schmalen Bereichs der trapezförmigen zweiten Pufferschicht414 ; und Aufnehmen einer Mittelelektrode416 in der Nähe einer Mitte des Silizium-Mikroringresonators405 , um zu ermöglichen, dass Träger in die Quantenmulde412 zwischen der Mittelelektrode416 und der Ringelektrode410 injiziert werden, um eine Verstärkung des Lichts der ausgewählten Wellenlänge zu liefern. - Ein Verfahren gemäß Anspruch 9, das ferner ein Bilden der Trapezform der zweiten Pufferschicht
414 durch Ätzen einer Mehrzahl von Ebenen umfasst, wobei jede ansteigende Ebene eine abnehmende Länge aufweist, um einen pyramidenförmigen Puffer zu bilden. - Ein Verfahren gemäß Anspruch 9, das ferner ein Bilden der Trapezform der zweiten Pufferschicht
414 umfasst, die mit einem schmaleren oberen Abschnitt gebildet ist, um eine einzelne TE-Fundamentalmode derart zu leiten, dass sich die maximale Menge elektromagnetischer Energie in der einzelnen TE-Fundamentalmode in der Quantenmulde412 befindet, um eine erhöhte Verstärkung des Lichts in der Quantenmulde412 zu liefern. - Ein Verfahren gemäß Anspruch 9, das ferner ein Positionieren eines optischen Wellenleiters
302 nahe genug bei dem Silizium-Mikroringresonator405 umfasst, um zu ermöglichen, dass das Licht in dem Silizium-Mikroringresonator405 evaneszent mit dem optischen Wellenleiter302 gekoppelt wird, um zu ermöglichen, dass Laserlicht aus dem Silizium-Mikroringresonator405 geleitet wird. - Ein elektrisch gepumptes Hybrid-III–V-Gruppe-und-Silizium-Lasersystem, das Folgendes umfasst: einen Silizium-Mikroringresonator
15 ; eine Quantenmulde112 , die aus einem Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet und mit dem Silizium-Mikroringresonator105 optisch gekoppelt ist, um eine optische Verstärkung zu liefern; einen ersten Puffer114 , der aus einem mit einem ersten Trägertyp dotierten Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet ist, wobei der erste Puffer114 mit der Quantenmulde112 gekoppelt ist; einen zweiten Puffer108 , der aus einem mit einem zweiten Trägertyp dotierten Halbleitermaterial der Gruppe III–V gebildet ist, wobei sich der zweite Puffer108 zwischen der Quantenmulde112 und dem Silizium-Mikroringresonator105 befindet; eine Mittelelektrode116 , die sich an einer Mitte des Silizium-Mikroringresonators105 befindet und mit dem ersten Puffer114 gekoppelt ist, wobei der erste Puffer114 ermöglicht, dass die Mittelelektrode116 von einer optischen Mode des Mikroringresonators105 im Wesentlichen isoliert ist. - Das System gemäß Anspruch 13, das ferner eine Außenelektrode
110 umfasst, die mit dem zweiten Puffer108 gekoppelt ist und in einem ausgewählten Abstand von dem Mikroringresonator105 angeordnet ist. - Das System gemäß Anspruch 13, das ferner einen optischen Wellenleiter
302 umfasst, der nahe genug bei dem Silizium-Mikroringresonator105 angeordnet ist, um zu ermöglichen, dass Laserlicht aus dem Mikroringresonator105 evaneszent mit dem optischen Wellenleiter302 gekoppelt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2008/062791 WO2009136913A1 (en) | 2008-05-06 | 2008-05-06 | System and method for a micro ring laser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE112008003845T5 true DE112008003845T5 (de) | 2011-04-07 |
DE112008003845B4 DE112008003845B4 (de) | 2017-02-09 |
Family
ID=41264819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE112008003845.7T Active DE112008003845B4 (de) | 2008-05-06 | 2008-05-06 | System und Verfahren für einen Mikroringlaser |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8891577B2 (de) |
JP (1) | JP5179654B2 (de) |
KR (1) | KR20110007617A (de) |
CN (1) | CN102017336B (de) |
DE (1) | DE112008003845B4 (de) |
WO (1) | WO2009136913A1 (de) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2539979B1 (de) * | 2010-02-24 | 2018-05-23 | Universiteit Gent | Laserlicht Einkopplung in eine SOI CMOS photonische integrierte Schaltung |
JP5764875B2 (ja) * | 2010-06-02 | 2015-08-19 | 富士通株式会社 | 半導体光装置 |
US8693509B2 (en) * | 2010-06-30 | 2014-04-08 | The Regents Of The University Of California | Loss modulated silicon evanescent lasers |
WO2012173620A1 (en) | 2011-06-15 | 2012-12-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Micro-ring resonator |
KR101401920B1 (ko) * | 2013-02-21 | 2014-05-30 | 고려대학교 산학협력단 | 그래핀 전극을 이용한 나노레이저 발생장치 및 이의 제조방법 |
TWI552234B (zh) * | 2013-08-29 | 2016-10-01 | 財團法人工業技術研究院 | 基板、其製造方法及其應用 |
US11239634B2 (en) * | 2016-02-29 | 2022-02-01 | Unm Rainforest Innovations | Ring laser integrated with silicon-on-insulator waveguide |
US10511143B2 (en) * | 2017-08-31 | 2019-12-17 | Globalfoundries Inc. | III-V lasers with on-chip integration |
US10374385B2 (en) * | 2017-09-15 | 2019-08-06 | Uchicago Argonne, Llc | Hybrid silicon lasers and amplifiers with 2D phosphorene film |
KR102661948B1 (ko) | 2018-01-19 | 2024-04-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 레이저 장치 및 그 제조 방법 |
JP7259699B2 (ja) * | 2019-10-29 | 2023-04-18 | 住友電気工業株式会社 | 半導体光素子 |
WO2022015085A1 (ko) * | 2020-07-15 | 2022-01-20 | 고려대학교 산학협력단 | 광 집적회로 결합을 위한 전사인쇄된 마이크로 패치 레이저 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5652556A (en) | 1994-05-05 | 1997-07-29 | Hewlett-Packard Company | Whispering gallery-type dielectric resonator with increased resonant frequency spacing, improved temperature stability, and reduced microphony |
US5825799A (en) * | 1995-05-25 | 1998-10-20 | Northwestern University | Microcavity semiconductor laser |
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US6044098A (en) * | 1997-08-29 | 2000-03-28 | Xerox Corporation | Deep native oxide confined ridge waveguide semiconductor lasers |
US6052495A (en) | 1997-10-01 | 2000-04-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Resonator modulators and wavelength routing switches |
JP3658194B2 (ja) * | 1998-07-10 | 2005-06-08 | キヤノン株式会社 | リング共振器型レーザ |
WO2003023824A2 (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-20 | California Institute Of Technology | Modulator based on tunable resonant cavity |
US7894418B2 (en) | 2002-08-15 | 2011-02-22 | The Boeing Company | Mixed analog and digital chip-scale reconfigurable WDM network |
US7057250B2 (en) | 2003-04-09 | 2006-06-06 | University Of Delaware | Terahertz frequency band wavelength selector |
US7242705B2 (en) * | 2003-12-17 | 2007-07-10 | Palo Alto Research Center, Incorporated | Grating-outcoupled cavity resonator having uni-directional emission |
US7106448B1 (en) * | 2004-02-17 | 2006-09-12 | Sandia Corporation | Integrated resonant micro-optical gyroscope and method of fabrication |
WO2006016453A1 (ja) | 2004-08-13 | 2006-02-16 | Nec Corporation | 半導体レーザ、半導体光アンプ、及び光通信装置 |
CN1645173A (zh) * | 2005-01-20 | 2005-07-27 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 玻璃有源波导耦合微环形谐振腔及其动态控制装置 |
JP2006278770A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Nec Corp | 波長可変レーザ |
US20070051963A1 (en) * | 2005-09-06 | 2007-03-08 | Yifan Chen | Semiconductor light source |
US8106379B2 (en) * | 2006-04-26 | 2012-01-31 | The Regents Of The University Of California | Hybrid silicon evanescent photodetectors |
US8110823B2 (en) * | 2006-01-20 | 2012-02-07 | The Regents Of The University Of California | III-V photonic integration on silicon |
JP2007266260A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Nec Corp | 位相制御機能を有する光半導体装置 |
US7257283B1 (en) | 2006-06-30 | 2007-08-14 | Intel Corporation | Transmitter-receiver with integrated modulator array and hybrid bonded multi-wavelength laser array |
-
2008
- 2008-05-06 KR KR1020107027371A patent/KR20110007617A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-05-06 WO PCT/US2008/062791 patent/WO2009136913A1/en active Application Filing
- 2008-05-06 CN CN2008801290343A patent/CN102017336B/zh active Active
- 2008-05-06 DE DE112008003845.7T patent/DE112008003845B4/de active Active
- 2008-05-06 JP JP2011508460A patent/JP5179654B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-05-06 US US12/990,940 patent/US8891577B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110007617A (ko) | 2011-01-24 |
JP2011520282A (ja) | 2011-07-14 |
DE112008003845B4 (de) | 2017-02-09 |
JP5179654B2 (ja) | 2013-04-10 |
WO2009136913A1 (en) | 2009-11-12 |
CN102017336A (zh) | 2011-04-13 |
US20110064106A1 (en) | 2011-03-17 |
CN102017336B (zh) | 2012-07-04 |
US8891577B2 (en) | 2014-11-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP, HOU, US Free format text: FORMER OWNER: HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P., HOUSTON, TEX., US |
|
R082 | Change of representative |
Representative=s name: SCHOPPE, ZIMMERMANN, STOECKELER, ZINKLER, SCHE, DE |
|
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R082 | Change of representative |
Representative=s name: FLEUCHAUS & GALLO PARTNERSCHAFT MBB - PATENT- , DE Representative=s name: FLEUCHAUS & GALLO PARTNERSCHAFT MBB PATENTANWA, DE |