DE112007001152T5 - Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma Download PDF

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Abstract

Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma, wobei die Vorrichtung umfasst:
ein Substrat (2, 22);
eine Antenne (3, 17, 26, 38), die auf dem Substrat angeordnet ist;
eine Gasentladungsröhre (4, 18, 28, 37), die in der Nähe der Antenne angeordnet ist;
eine Hochfrequenzleistungsversorgung (8), um der Antenne Hochfrequenzleistung im VHF-Band zuzuführen;
eine Anpassungsschaltung (7), um von der Hochfrequenzleistungsversorgung eine Hochfrequenz zu empfangen und eine Reflexionswelle einzustellen; und
eine Phasenschaltung (6), die zwischen die Anpassungsschaltung und die Antenne geschaltet ist,
wobei die Phasenschaltung eine Leitungskonstanteneinstellung in der Weise aufweist, dass eine Lage eines Maximalwerts einer Stromamplitude einer stehenden Welle in der Nähe der Antenne liegt oder dass eine Lage eines Minimalwerts einer Spannungsamplitude der stehenden Welle in der Nähe der Antenne liegt.

Description

  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und auf ein Verfahren zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma, in der einer Antenne, die auf einem Substrat angeordnet ist, Hochfrequenzleistung zugeführt wird und in eine Gasentladungsröhre, die in der Nähe der Antenne angeordnet ist, ein Gas eingeleitet wird, um unter Atmosphärendruck ein induktiv gekoppeltes Plasma zu erzeugen.
  • STAND DER TECHNIK
  • Herkömmlich waren Unterdruck-Plasmageneratoren und Atmosphärendruck-Plasmageneratoren zu groß, um in einem System, das in Roboter integriert war, genutzt zu werden und darin betrieben zu werden. Allerdings ist in den letzten Jahren eine solche kompakte Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma vorgeschlagen worden, die induktiv gekoppeltes Plasma unter Atmosphärendruck erzeugt, um es als einen Plasmastrahl zu liefern (siehe z. B. Patentdokument 1).
  • Wie in 20 gezeigt ist, nutzt diese Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma einen Plasmachip 40, der ein Substrat 41, eine wellenartige Mikroantenne 42, die auf dem Substrat 41 angeordnet ist, und eine Gasentladungsröhre 43, die in der Nähe der Mikroantenne 42 angeordnet ist, enthält. Diese Vorrichtung ermöglicht, dass das Gaszuführungsmittel 44 durch ein Ende der Gasentladungsröhre 43 ein Gas zuführt und dass eine Hochfrequenzleistungsversorgung 45 (siehe 21) der Mikro antenne 42 Hochfrequenzleistung in einem VHF-Band (30 bis 500 MHz) zuführt. Dies ermöglicht, in einem Mikroraum innerhalb der Gasentladungsröhre 43 ein Atmosphärendruckplasma P niedriger Leistung mit hoher Stabilität zu erzeugen und als einen Mikroplasmastrahl zu liefern.
  • Wie in 21 gezeigt ist, ist darüber hinaus zwischen die Mikroantenne 42 und die Hochfrequenzleistungsversorgung 45 eine Anpassungsschaltung 46 geschaltet. Die Anpassungsschaltung 46 dient dazu, Reflexionswellen von der Mikroantenne 42 so einzustellen, dass verhindert wird, dass die Eingangsleistung zu der Mikroantenne 42 wegen der Reflexionswellen verringert wird, wodurch ein Plasma effizient mit Stabilität erzeugt wird. In dem in 21 veranschaulichten Beispiel besteht die Anpassungsschaltung 46 aus einem LAST-seitigen Blindwiderstandselement 47, das zu der Hochfrequenzleistungsversorgung 45 parallelgeschaltet ist, und aus einem ABSTIMM-seitigen Blindwiderstandselement 48, das zwischen ein Ende davon und die Mikroantenne 42 geschaltet ist. In dem in 21 veranschaulichten Beispiel bestehen die Blindwiderstandselemente 47 und 48 jeweils aus einem variablen Kondensator, wobei sie aber ebenfalls aus einem Festkondensator oder einem variablen Kondensator oder aus einer Festinduktionsspule oder einer variablen Induktionsspule bestehen können. Es wird angemerkt, dass in 21 L die induktive Komponente der Mikroantenne 42 ist und R die Widerstandskomponente der Schaltung ist.
  • Außerdem ist ein in einer Plasmaverarbeitungsvorrichtung genutztes Verfahren bekannt, in dem ein Gas in eine Unterdruckprozesskammer eingeleitet wird und zwischen ein Paar gegenüberliegender Elektroden eine Hochfrequenz angelegt wird, um ein Plasma zu erzeugen und dadurch ein an einer Elektrode angeordnetes Werkstück zu ätzen. In dem Verfahren wird die Selektivität des Ätzens wie folgt sichergestellt oder wird genauer wie folgt sichergestellt, dass für eine Isolierschicht aus einer Oxidschicht, die hauptsächlich mit Ionen geätzt wird, Polysilicium, das sowohl mit Radikalen als auch mit Ionen geätzt wird, selektiv geätzt wird. Das heißt, um die Ionenenergie zu verringern, die wesentlich zu dem Ätzen der Isolierschicht beiträgt, wird die Lage der minimalen Amplitude einer in einem Hochfrequenzversorgungsweg erzeugten stehenden Welle auf die Lage der Elektroden ausgerichtet, sodass die an die Elektroden angelegte Hochfrequenzvorspannung verringert wird (siehe z. B. Patentdokument 2).
  • Es wird angemerkt, dass die verwendete Frequenz in Patentdokument 2 13,56 MHz im RF-Frequenzband ist und dass als das Verfahren zum Ausrichten der Lage der minimalen Amplitude der stehenden Welle auf die Elektrodenlage ein Verfahren offenbart ist, in dem die Länge eines Kabels zwischen einem Hochfrequenztuner und der Elektrode eingestellt wird. Dieses Verfahren wirft ein Problem auf, dass das Kabel eine Länge von einigen Metern annehmen kann, um die Amplitude der stehenden Welle einzustellen.
  • Darüber hinaus beschreibt das oben erwähnte Patentdokument 2 außerdem die Konfiguration mit einem Phaseneinsteller, der in den Hochfrequenzzuführungsweg eingeführt ist. Allerdings wirft diese Konfiguration ebenfalls ein Problem auf, dass der Phaseneinsteller zwischen der Hochfrequenzleistungsversorgung und dem Hochfrequenztuner eingefügt ist, um den Betrag der Phase des Phaseneinstellers einzustellen, was dazu führt, dass die Einstellung schwierig vorzunehmen ist.
    • [Patentdokument 1] Patentschrift des japanischen Patents Nr. 3616088
    • [Patendokument 2] Offengelegte japanische Patentanmeldung Nr. 2002-373883
  • OFFENBARUNG DER ERFINDUNG
  • DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEME
  • In dem oben erwähnten Patentdokument 1 sind ein solches Prinzip und der Inhalt von Experimenten zum Erzeugen eines Plasmastrahls niedriger Leistung mit einem Hochkonzentrationsplasma mit Stabilität offenbart. Das heißt, um in einem Mikroraum unter Atmosphärendruck ein stabiles Plasma niedriger Leistung zu erzeugen, wird dem Plasma durch das induktive Kopplungsschema effizient Leistung zugeführt. Dieses Schema verwendet ein VHF-Band, das es ermöglicht, einen Teil der Ionen und Elektronen in einer Mikrogasentladungsröhre festzuhalten, sowie ein dielektrisches Magnetfeld, das durch einen durch die Antenne fließenden Strom erzeugt wird. Allerdings hat das Patentdokument 1 noch keine ausreichende Technik zum effizienteren Erzeugen eines Plasmas bei niedrigerem Leistungsverbrauch und zum Verwirklichen einer verbesserten Kompaktheit geschaffen.
  • Zum Beispiel hat das oben erwähnte Patendokument 1 den Inhalt eines Experiments offenbart, das bei 50 W oder weniger ausgeführt wurde. Um weitere Anwendungen wie etwa eine Verarbeitung oder eine Oberflächenbehandlung zu verwirklichen, ist es aber notwendig, die Plasmakonzentration des erzeugten Mikroplasmastrahls unter Verwendung derselben Leistung weiter zu verbessern.
  • Andererseits bezieht sich die im oben erwähnten Patentdokument 2 offenbarte Technik grundsätzlich auf eine Plasmaverarbeitungsvorrichtung, die ein Schema paralleler planarer Antennen nutzt. Außerdem verwendet die Technik eine Frequenz des RF-Frequenzbands und soll sie die an die Elektroden angelegte Hochfrequenzvorspannung verringern, um die Selektivität der Verarbeitung zu verbessern, sodass nie irgendein Mittel zum Lösen der oben erwähnten Probleme vorgeschlagen worden ist. Außerdem ist das Verfahren beschrieben, in dem die Länge des Kabels eingestellt wird, um dadurch die Lage der minimalen Amplitude einer stehenden Welle einzustellen. Allerdings wirft das Verfahren ein Problem auf, dass selbst dann, wenn eine Hochfrequenz im VHF-Band verwendet wird, das Kabel eine Länge von einigen zehn Zentimetern aufweist, sodass es nicht möglich ist, die Größe der Vorrichtung ausreichend zu verringern, um sie in einem Kasten z. B. mit einer Seite von etwa 10 cm unterzubringen. Selbst wenn der Phaseneinsteller verwendet wird, ist er darüber hinaus zwischen der Hochfrequenzleistungsversorgung und dem Hochfrequenztuner eingefügt, sodass die Einstellung wie oben beschrieben schwierig vorzunehmen ist.
  • Darüber hinaus nimmt die Temperatur der Mikroantenne 42 zu, wenn das Mikroplasma unter Verwendung des im oben erwähnten Patentdokument 1 offenbarten Plasmachips 40 erzeugt wird. Wenn das Plasma während einer langen Dauer erzeugt wird, wird die Mikroantenne 42 von dem Substrat 41 abgehoben, wodurch sich die Wärmeableitung verschlechtert, was möglicherweise verursacht, dass der strukturierte Abschnitt der Mikroantenne 42 verbrennt. Außerdem verursacht eine Zunahme der Temperatur der Mikroantenne 42 eine Zunahme des Widerstands, was zum Verlust des Gleichgewichts in der Anpassungsschaltung führt. Dies ändert wiederum stark die Reflexionswelle von der Mikroantenne 42, was die der Mikroantenne 42 zuzuführende Leistung verringert und dadurch die Stärke des Plasmas verringert.
  • Darüber hinaus erzeugt in der mit der Anpassungsschaltung 46 versehenen Konfiguration das Blindwiderstandselement wie etwa ein induktives Element oder ein kapazitives Element, das die Schaltung bildet, Wärme, was wiederum die Leitungskonstanten der Anpassungsschaltung 46 ändert. Somit ist es unmöglich, das Plasma P effizient mit Stabilität zu erzeugen.
  • Darüber hinaus wird eine große Menge Wärme ebenfalls von der Leiterbahn erzeugt, die zwischen der Mikroantenne 42 und der Anpassungsschaltung 46 verbindet. Dies führt zu einer Änderung des Widerstands der Leiterbahn und verursacht dadurch eine Änderung der Leitungskonstanten der Anpassungsschaltung 46. Somit ist es unmöglich, das Plasma P effizient mit Stabilität zu erzeugen. Es wird angemerkt, dass die von der Leiterbahn erzeugte Wärme abgeleitet werden könnte oder dass die Leiterbahn selbst kurzgeschlossen werden kann, um die Wirkungen von von der Leiterbahn erzeugter Wärme zu verhindern. Allerdings ist eine solche Konfiguration, die diesen Verfahren gerecht wird, noch nicht verwirklicht worden.
  • In diesem Kontext ist angesichts der oben erwähnten herkömmlichen Probleme die vorliegende Erfindung entwickelt worden. Somit ist es eine Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma zum Erzeugen eines induktiv gekoppelten Plasmas unter Verwendung von Hochfrequenzleistung im VHF-Band zu schaffen. Die Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma soll Plasma effizient erzeugen und die Größe der Vorrichtung verringern. Es ist eine weitere Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma zu schaffen.
  • Außerdem ist es eine weitere Aufgabe, eine Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma zu schaffen, die verhindern kann, dass die Leitungskonstanten wegen Wärme, die von einem Blindwiderstandselement, das eine Schaltung wie etwa die Anpassungsschaltung bildet, von der Antenne und von der Leiterbahn erzeugt wird, geändert werden. Dies soll Plasma effizient mit Stabilität erzeugen und eine kompakte Struktur verwirklichen.
  • MITTEL ZUR LÖSUNG DER PROBLEME
  • Zur Lösung der oben erwähnten Aufgaben enthält eine Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma der vorliegenden Erfindung: ein Substrat; eine Antenne, die auf dem Substrat angeordnet ist; eine Gasentladungsröhre, die in der Nähe der Antenne angeordnet ist; eine Hochfrequenzleistungsversorgung, um der Antenne Hochfrequenzleistung im VHF-Band zuzuführen; eine Anpassungsschaltung, um von der Hochfrequenzleistungsversorgung eine Hochfrequenz zu empfangen und eine Reflexionswelle einzustellen; und eine Phasenschaltung, die zwischen die Anpassungsschaltung und die Antenne geschaltet ist. In der Vorrichtung weist die Phasenschaltung eine Leitungskonstanteneinstellung in der Weise auf, dass eine Lage eines Maximalwerts einer Stromamplitude einer stehenden Welle in der Nähe der Mikroantenne liegt oder dass eine Lage eines Minimalwerts einer Spannungsamplitude der stehenden Welle in der Nähe der Mikroantenne liegt.
  • Darüber hinaus enthält ein Verfahren zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß der vorliegenden Erfindung die folgenden Schritte: Zuführen einer Hochfrequenz im VHF-Band zu einer Antenne, die auf einem Substrat angeordnet ist, und Einleiten eines Gases in eine Gasentladungsröhre, die in der Nähe der Antenne angeordnet ist, um ein Plasma zu erzeugen; Zulassen, dass eine Anpassungsschaltung eine Reflexionswelle, die in eine Hochfrequenzleistungsversorgung eintritt, auf etwa 0 einstellt; und Einstellen einer Leitungskonstanten einer Phasen schaltung, die zwischen der Anpassungsschaltung und der Antenne liegt, in der Weise, dass eine Lage eines Maximalwerts einer Stromamplitude einer stehenden Welle in der Nähe der Antenne liegt oder dass eine Lage eines Minimalwerts einer Spannungsamplitude der stehenden Welle in der Nähe der Antenne liegt.
  • Gemäß der oben beschriebenen Konfiguration der vorliegenden Erfindung trägt ein durch die Antenne fließender Strom stark zu der Erzeugung des Plasmas bei. Somit ist zwischen der Anpassungsschaltung und der Antenne die Phasenschaltung eingefügt, sodass die Phasenschaltung zum Positionieren des Maximalwerts einer Stromamplitude der stehenden Welle in der Nähe der Antenne dient. Dies ermöglicht, die Eingangsleistung effizient zuzuführen, während ein Strom durch die Antenne fließt, und dadurch ein Plasma effizient zu erzeugen. Da bei einer Hochfrequenz die stehende Welle der Spannung und die stehende Welle des Stroms um 180 Grad phasenverschoben sind, kann darüber hinaus durch Positionieren des Minimalwerts der Spannungsamplitude der stehenden Welle in der Nähe der Antenne dieselbe Wirkung erhalten werden.
  • Die Phasenschaltung kann aus einem ersten Blindwiderstandselement, das zwischen einem Anschluss der Anpassungsschaltung und einem Anschluss der Antenne angeordnet ist, und/oder einem Stromführungsweg, der dazwischen verbindet, und aus einem zweiten Blindwiderstandselement, das zwischen dem anderen Anschluss der Anpassungsschaltung und dem anderen Anschluss der Antenne angeordnet ist, und/oder einem Stromführungsweg, der dazwischen verbindet, gebildet sein. Das heißt, zum Einstellen der Amplitudenlage einer stehenden Welle können die Blindwiderstandselemente und/oder der Stromführungsweg mit einer vorgegebenen Länge verwendet werden. Die Verwendung der Blindwiderstandselemente ermöglicht, eine kompaktere Konfiguration zu schaffen. Allerdings kann der Stromführungsweg mit einer vorgegebenen Länge ebenfalls so ausgelegt werden, dass er eine kompakte Anordnung schafft, wodurch dieselben Wirkungen erzielt werden.
  • Das erste Blindwiderstandselement und das zweite Blindwiderstandselement können jeweils aus einer Festinduktionsspule und/oder aus einer variablen Induktionsspule und/oder aus einem Festkondensator und/oder aus einem variablen Kondensator gebildet sein.
  • Darüber hinaus können die Elemente der Anpassungsschaltung, die zu dem ersten bzw. zu dem zweiten Blindwiderstandselement der Phasenschaltung in Reihe geschaltet sind, miteinander gekoppelt sein, um diese Blindwiderstandselemente eines Blindwiderstandselements zu bilden.
  • Darüber hinaus ermöglicht die Bereitstellung der Elemente, die die Anpassungsschaltung und die Phasenschaltung auf dem Substrat bilden, die Gesamtgröße der Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma zu verringern. Wenn das Funkgesetz eingehalten wird oder die Sicherheitsgefährdungen der Vorrichtung beseitigt sind, ist es außerdem möglich, eine solche Anwendung zu entwickeln, wie sie der Betreiber zur Verwendung mit der Hand hält.
  • Darüber hinaus ist die Antenne nicht auf eine beschränkt, die auf einem Substrat strukturiert ist, sondern kann ebenfalls so konfiguriert sein, dass sie eine dreidimensionale Spule aufweist, die auf dem Substrat angeordnet ist.
  • Darüber hinaus enthält die Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß der vorliegenden Erfindung: eine Antenne; eine Gasentladungsröhre, die in der Nähe der Antenne angeordnet ist und ein Ende aufweist, in das ein Gas zugeführt wird; eine Hochfrequenzleistungsversorgung, um der Antenne Hochfrequenzleistung zuzuführen; eine Anpassungsschaltung, die zwischen der Antenne und der Hochfrequenzleistungsversorgung liegt, um eine Reflexionswelle von der Antenne einzustellen; und eine Phasenschaltung, die zwischen der Antenne und der Anpassungsschaltung liegt, um eine Phase in der Nähe der Antenne einzustellen. In der Vorrichtung ist die Antenne auf einem Substrat angeordnet, wobei auf dem Substrat eines oder mehrere Substrate geschichtet sind, um ein geschichtetes Substrat zu bilden. Darüber hinaus ist ein planares Blindwiderstandselement, das die Anpassungsschaltung oder die Phasenschaltung bildet, auf dem geschichteten Substrat angeordnet oder liegt zwischen den Substraten des geschichteten Substrats. Darüber hinaus kann die Vorrichtung selbst in Abwesenheit der Phasenschaltung in der gleichen Weise konfiguriert sein.
  • Gemäß dieser Konfiguration sind die Blindwiderstandselemente, die die Anpassungsschaltung und die Phasenschaltung bilden, in einer planaren Form gebildet, damit sie auf einem geschichteten Substrat angeordnet sind oder zwischen den Substraten des geschichteten Substrats liegen. Dies ermöglicht, dass die von den Blindwiderstandselementen erzeugte Wärme problemlos und effektiv durch die Substrate nach außen abgeleitet wird. Dies ermöglicht zu verhindern, dass die Leitungskonstanten der Anpassungsschaltung und der Phasenschaltung wegen einer Zunahme der Temperatur der Blindwiderstandselemente geändert werden. Dies ermöglicht wiederum, die Hochfrequenzleistung der Antenne effizient mit Stabilität zuzuführen, um dadurch das Plasma effizient mit Stabilität zu erzeugen. Da zwischen den Substraten des geschichteten Substrats das planare Blindwiderstandselement liegt, kann darüber hinaus eine kompakte Konfiguration verwirklicht werden.
  • Darüber hinaus ist auf dem Substrat mit der darauf angeordneten Antenne ein dreidimensionales Blindwiderstandselement angeordnet, das die Anpassungsschaltung oder die Anpassungsschaltung und die Phasenschaltung bildet. Dieses dreidimensionale Blindwiderstandselement ist mit dem Substrat in Kontakt damit bedeckt und innerhalb des geschichteten Substrats enthalten. Dies ermöglicht, dass die von den dreidimensionalen Blindwiderstandselementen erzeugte Wärme durch das Substrat, auf dem sie angeordnet sind, und durch das Substrat, das sie bedeckt, effektiv abgeleitet wird. Somit ist es möglich, in derselben Weise ein Plasma effizient mit Stabilität zu erzeugen.
  • Darüber hinaus können die Antenne, die Gasentladungsröhre, sowohl die Anpassungsschaltung als auch die Phasenschaltung oder nur die Anpassungsschaltung, die Leiterbahn, die dazwischen verbindet, und ein Koaxialverbinder zum Verbinden mit einem Leistungsversorgungs-Koaxialkabel in dem geschichteten Substrat enthalten sein. Dies ermöglicht, eine Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma zu schaffen, die eine kompakte Konfiguration aufweist, wobei die äußere Erscheinung ihres Hauptabschnitts nur aus dem blockförmigen geschichteten Substrat besteht. Mit dieser Konfiguration brauchen lediglich eine Röhre zum Zuführen eines Gases und das Koaxialkabel zum Zuführen von Hochfrequenzleistung verbunden zu werden, wodurch es ermöglicht wird, eine Plasmaverarbeitung auszuführen. Somit ist es möglich, verschiedene Arten der Plasmaverarbeitung auf vereinfachte Weise effizient mit Stabilität zu ermöglichen.
  • Darüber hinaus liegt die Planarantenne zwischen den Substraten in dem geschichteten Substrat und sind die planaren Blindwiderstandselemente auf den Substraten angeordnet, zwischen denen die Antenne liegt. Dass die Antenne zwischen den Substraten liegt ermöglicht, die von der An tenne erzeugte Wärme effizient abzuleiten und die Hochfrequenzleistung der Antenne effizient mit Stabilität zuzuführen, und ermöglicht dadurch, ein Plasma effizient mit Stabilität zu erzeugen. Da die Substrate außerdem gemeinsam genutzt werden, um die planaren Blindwiderstandselemente darauf anzuordnen, ist es darüber hinaus möglich, die Fläche und die Menge der Substrate zu verringern, um dadurch eine kompaktere Konfiguration zu schaffen.
  • Darüber hinaus liegen die Gasentladungsröhre und die mehrmals um sie gewickelte Antenne zwischen den Substraten des geschichteten Substrats und ist das planare Blindwiderstandselement auf dem Substrat angeordnet, damit die Gasentladungsröhre und die Antenne bei ihm dazwischen liegen. Dies ermöglicht, dieselben Wirkungen selbst dann zu erzielen, wenn die um die Gasentladungsröhre gewickelte Antenne genutzt wird.
  • Wenn das oben erwähnte Blindwiderstandselement ein induktives Element ist, das aus einem Leiter besteht, der in Spiralart auf dem Substrat angeordnet ist, erzeugt das induktive Element darüber hinaus leicht Wärme. Allerdings kann das induktive Element in einer planaren Form gebildet sein und zwischen den Substraten des geschichteten Substrats liegen, wodurch ermöglicht wird, dass die erzeugte Wärme problemlos und effizient durch die Substrate nach außen abgeleitet wird. Dies liefert besonders wesentliche Wirkungen.
  • Darüber hinaus liegt die auf einem Substrat vorgesehene Leiterbahn zwischen den Substraten des geschichteten Substrats. Dies ermöglicht, die von der Leiterbahn erzeugte Wärme durch die Substrate effizient abzuleiten. Außerdem ist es möglich zu verhindern, dass die Leitungskonstanten der Anpassungsschaltung und der Phasenschaltung geändert werden, und somit das Plasma effizient mit Stabilität zu erzeugen.
  • Darüber hinaus werden die Verbindungen der auf den Substraten des geschichteten Substrats gebildeten Leiterbahnen, die zu verbinden sind, so angeordnet, dass sie einander überlappen, und daraufhin miteinander verbunden, wobei die Substrate in engem Kontakt miteinander miteinander gekoppelt werden. Dies ermöglicht, elektrische Schaltungsverbindungen nur dadurch zu schaffen, dass die Substrate, die das geschichtete Substrat bilden, miteinander gekoppelt werden, während sie in engem Kontakt miteinander sind. Somit ist es möglich, eine preiswerte kompakte Konfiguration zu verwirklichen, die eine vereinfachte Konfiguration aufweist und leicht zusammengesetzt werden kann.
  • Darüber hinaus können die Substrate aus einem Material gebildet sein, das aus der Gruppe ausgewählt ist, die aus Aluminiumoxid, Saphir, Aluminiumnitrid, Siliciumnitrid, Bornitrid und Siliciumcarbid besteht, wodurch eine hohe Wärmeleitfähigkeit zu den Substraten und somit eine hohe Wärmeableitfähigkeit geschaffen werden.
  • Darüber hinaus kann die oben erwähnte Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma in dem beweglichen Kopf eines Robotersystems angeordnet werden, der in der X-, in der Y- und in der Z-Richtung verlagern kann. Dies ermöglicht, eine kompakte Plasmaverarbeitungsvorrichtung zu schaffen, die eine stark verbesserte allgemeine Vielseitigkeit aufweist.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die die Konfiguration des Hauptabschnitts einer Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • 2 ist ein schematischer Blockschaltplan der ersten Ausführungsform.
  • 3 ist ein spezifischer Blockschaltplan der ersten Ausführungsform.
  • 4 ist eine erläuternde Ansicht, die eine stehende Welle veranschaulicht.
  • 5 ist eine graphische Darstellung, die die Spannungsamplitude jedes Beispielexperiments der ersten Ausführungsform veranschaulicht.
  • 6 ist ein weiterer spezifischer Blockschaltplan der ersten Ausführungsform.
  • 7 ist ein nochmals weiterer spezifischer Blockschaltplan der ersten Ausführungsform.
  • 8 ist eine perspektivische Ansicht, die die Konfiguration des Hauptabschnitts eines geänderten Beispiels der ersten Ausführungsform veranschaulicht.
  • 9 ist eine perspektivische Ansicht, die die Konfiguration einer Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • 10 ist eine Vorderansicht, die die zweite Ausführungsform veranschaulicht.
  • 11 ist eine Draufsicht, die ein erstes Substrat der zweiten Ausführungsform veranschaulicht.
  • 12A bis 12B sind Ansichten, die ein zweites Substrat der zweiten Ausführungsform veranschaulichen, wobei 12A eine Draufsicht und 12B eine Unteransicht sind.
  • 13 ist eine perspektivische Ansicht, die die Konfiguration einer Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • 14 ist eine perspektivische Ansicht, die ein viertes Substrat der dritten Ausführungsform von unten gesehen veranschaulicht.
  • 15 ist eine Vorderansicht, die die Konfiguration einer Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht.
  • 16 ist eine Draufsicht, die ein erstes Substrat der vierten Ausführungsform veranschaulicht.
  • 17 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Gasentladungsröhre und eine Antenne der vierten Ausführungsform veranschaulicht.
  • 18 ist eine perspektivische Ansicht, die ein zweites Substrat der vierten Ausführungsform von unten gesehen veranschaulicht.
  • 19 ist eine perspektivische Ansicht, die veranschaulicht, wie die Intensität von Plasmastrahlung gemessen wird.
  • 20 ist eine perspektivische Ansicht, die die Konfi guration des Hauptabschnitts einer Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß einem herkömmlichen Beispiel veranschaulicht.
  • 21 ist ein Stromlaufplan, der eine Beispielkonfiguration einer Anpassungsschaltung veranschaulicht.
  • BESTE AUSFÜHRUNGSART DER ERFINDUNG
  • Es wird nun eine Beschreibung der Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung gegeben.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Zu Beginn wird anhand von 1 bis 8 eine Beschreibung einer Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gegeben.
  • Wie in 1 gezeigt ist, ist in einer Vorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma auf einem aus Aluminiumoxid hergestellten Substrat 2 eine mehrwellenförmige Antenne 3 gebildet und ist in der Nähe der Antenne 3 eine Gasentladungsröhre 4 vorgesehen. In dem veranschaulichten Beispiel besteht das Substrat 2 aus einem oberen Substrat 2u, das die Antenne 3 auf seiner oberen Oberfläche und eine Nut zum Bilden der Gasentladungsröhre 4 auf seiner unteren Oberfläche aufweist, wobei an der unteren Oberfläche des oberen Substrats 2u ein unteres Substrat 2d befestigt ist. Es wird angemerkt, dass sich die Gasentladungsröhre 4 der vorliegenden Erfindung auf eine Komponente bezieht, die einen solchen rohrförmigen Entladungsraum bildet, und somit nicht notwendig auf ein Rohr oder auf eine Röhre mit einer Innenumfangsoberfläche und einer Außenumfangsoberfläche beschränkt ist. Darüber hinaus befindet sich die Antenne 3 in der Nähe einer Seite 2a des Substrats 2 mit einem Öffnungsende der Gasentladungsröhre 4, durch die ein Plasmastrahl bereitgestellt wird.
  • Wie in 2 gezeigt ist, sind zum Eingeben von Hochfrequenzleistung in die Antenne 3 ihr Paar von Anschlüssen 5a und 5b über eine Phasenschaltung 6 und eine Anpassungsschaltung 7 mit einer Hochfrequenzleistungsversorgung 8 verbunden. Die Hochfrequenzleistungsversorgung 8 gibt hohe Frequenzen im VHF-Band, z. B. Frequenzen von etwa 30 bis 500 MHz mit einer Leistung von etwa 20 bis 100 W, aus. Darüber hinaus ist in diesem spezifischen Beispiel die Blindwiderstandskomponente L der Antenne 3 30 nH und der Innenwiderstand R der Schaltung 400 mΩ.
  • Die Anpassungsschaltung 7 ermöglicht, dass die Eingabe einer Reflexionswelle in die Hochfrequenzleistungsversorgung 8 auf etwa 0 eingestellt wird, wobei die Reflexionswelle auftritt, wenn die Hochfrequenzleistung der Antenne 3 zugeführt wird. Genauer kann die Einstellung, wie in 3 gezeigt ist, unter Verwendung eines variablen Kondensators 9, der als ein LAST-Element zu der Hochfrequenzleistungsversorgung 8 parallelgeschaltet ist, und eines variablen Kondensators 10, der als ein ABSTIMM-Element zwischen der Hochfrequenzleistungsversorgung 8 und der Mikroantenne 3 in Reihe geschaltet ist, vorgenommen werden. Selbstverständlich kann die Anpassungsschaltung 7 ebenfalls aus einer Kombination eines Kondensators und einer Induktionsspule bestehen.
  • Wie in 4 gezeigt ist, soll die Phasenschaltung 6 die Lagen des Schwingungsbauchs (oder eines Abschnitts mit dem maximalen Amplitudenwert) und des Schwingungsknotens (oder eines Abschnitts mit dem minimalen Amplitudenwert) der Amplitude einer stehenden Welle einstellen. Die stehende Welle wird in einem Hochfrequenzzuführungsweg da durch gebildet, dass die fortschreitende Welle, die von der Hochfrequenzleistungsversorgung 8 zu der Antenne 3 zugeführt wird, mit der Reflexionswelle von der Antenne 3 kombiniert wird. Wie in 3 gezeigt ist, ist in dem spezifischen Beispiel der vorliegenden Ausführungsform ein erstes Blindwiderstandselement (Element A) aus einem Festkondensator 11 gebildet, der zwischen den LAST-seitigen Anschluss der Anpassungsschaltung 7 und ein Ende der Mikroantenne 3 geschaltet ist. Ein zweites Blindwiderstandselement (Element B) ist aus einer Festinduktionsspule 12 gebildet, die zwischen den ABSTIMM-seitigen Anschluss der Anpassungsschaltung 7 und das andere Ende der Mikroantenne 3 geschaltet ist. Dieses erste Blindwiderstandselement (Element A) und das zweite Blindwiderstandselement (Element B) können jeweils aus einer Festinduktionsspule und/oder aus einer variablen Induktionsspule und/oder aus einem Festkondensator und/oder aus einem variablen Kondensator gebildet sein.
  • Um die Schaltung tatsächlich zu konfigurieren, sind darüber hinaus das LAST-Element 9 und das ABSTIMM-Element 10 der Anpassungsschaltung 7 aus einem variablen Element gebildet, während das erste Blindwiderstandselement (Element A) und das zweite Blindwiderstandselement (Element B) der Phasenschaltung 6 aus einem festen Blindwiderstandselement gebildet sind. Während das LAST-Element 9 und das ABSTIMM-Element 10 der Anpassungsschaltung 7 vorübergehend auf eine angemessene Einstellung eingestellt werden, werden das erste Blindwiderstandselement (Element A) und das zweite Blindwiderstandselement (Element B) der Phasenschaltung 6 so ausgewählt, dass der Schwingungsbauch der Stromamplitude der stehenden Welle in der Nähe der Mikroantenne 3 positioniert wird. Danach werden das LAST-Element 9 und das ABSTIMM-Element 10 der Anpassungsschaltung 7 für Feineinstellungen geändert, wodurch die Einstellung vorzugsweise erleichtert wird.
  • Wie in 1 gezeigt ist, sind das LAST-Element 9 und das ABSTIMM-Element 10 der Anpassungsschaltung 7 und das erste Blindwiderstandselement (Element A) und das zweite Blindwiderstandselement (Element B) der Phasenschaltung 6 in der vorliegenden Ausführungsform auf dem Substrat 2 angebracht. Die Elemente sind über strukturierte Schaltungen 13a, 13b und 13c, die auf dem Substrat 2 gebildet sind, miteinander verbunden.
  • In der oben erwähnten Konfiguration wird in die Gasentladungsröhre 4 durch die Öffnung am anderen Ende, auf der Seite, die der Seite 2a des Substrats 2 gegenüberliegt, ein Gas eingeleitet und wird zwischen die strukturierten Schaltungen 13a und 13b auf dem Substrat 2 von der Hochfrequenzleistungsversorgung 8 eine Hochfrequenzleistung im VHF-Band zugeführt. Da an der Phasenschaltung 6 eine Einstellung in der Weise vorgenommen wurde, dass der Maximalwert der Stromamplitude der stehenden Welle in der Nähe der Antenne 3 positioniert ist, ermöglicht dies, dass Eingangsleistung von der Hochfrequenzleistungsversorgung 8 als ein durch die Antenne 3 fließender Strom effizient zugeführt wird. Somit ist es möglich, ein Plasma effizient zu erzeugen. Darüber hinaus sind die Antenne 3, die Phasenschaltung 6 und die Anpassungsschaltung 7 auf dem Substrat 2 angeordnet. Dies ermöglicht, eine kompakte Vorrichtung, z. B. eine so kompakte Vorrichtung, dass ihre Größe ausreichend verringert ist, um sie in einem Kasten mit einer Seite von etwa 10 cm unterzubringen, zu schaffen.
  • Im Folgenden wird anhand von 5 und Tabelle 1 eine Beschreibung eines beispielhaften Experiments mit der Phasenschaltung 6 gegeben. [Tabelle 1]
    Beispielexperiment Element A Element B Spannungsamplitude am Punkt c (V) Strahlungsintensität (beliebige Einheit)
    E 10 pF 100 nH 100 V 55000
    F 22 pF 54 nH 380 V nicht gezündet
    G 120 pF 9,9 nH 110 V 60000
  • Wie in Tabelle 1 gezeigt ist, wurden der Kondensator des Elements A und die Induktionsspule des Elements B als Kombinationen von 10 pF und 100 nH (Beispielexperiment E), 22 pF und 54 nH (Beispielelement F) und 120 pF und 9,9 nH (Beispielexperiment G) eingestellt. Daraufhin wurden an jeder der Kombinationen in verschiedenen Entfernungen vom Punkt "a" (Referenzpunkt) in 1 und 3 Spannungsamplitudenmessungen vorgenommen. Die Graphen E, F und G aus 5 zeigen in dieser Reihenfolge in jeder Lage die Spannungsamplitude für die Beispielexperimente E, F und G. Darüber hinaus geben Punkt "a", Punkt "b", Punkt "c" und Punkt "d" die in 1 und 3 gezeigten Lagen an, wobei Punkt "c" eine Lage in der Nähe der Mikroantenne 3 zeigt. Wie in Tabelle 1 gezeigt ist, war die Spannungsamplitude am Punkt "c" für das Beispielexperiment E 100 V und für das Beispielexperiment G 110 V, während sie für das Beispielexperiment F so hoch wie 380 V war.
  • Darüber hinaus wurde in jeden der oben erwähnten Beispielexperimente E, F und G Hochfrequenzleistung von 50 W mit 100 MHz zugeführt und in die Gasentladungsröhre ein Argongas von 0,7 slm eingeleitet. Unter diesen Bedingungen wurden Messungen der Intensität der Plasmastrahlung vorgenommen. Im Ergebnis zeigten die Beispielexperimente E und G Strahlungsintensitäten wie 55000 bzw. 60000 beliebige Einheiten. Dagegen wurde in Beispielexperiment F keine Zündung beobachtet. Somit ist gezeigt worden, dass die Spannungsamplitude der stehenden Welle in der Nähe der Antenne 3 auf den Minimalwert eingestellt werden kann, wodurch selbst unter Verwendung niedriger Leistung ein Plasmastrahl hoher Konzentration erzeugt wird.
  • Es wird angemerkt, dass, wie in 19 gezeigt ist, in den Messungen der Intensität der Atmosphärendruck-Plasmastrahlung die Strahlungsintensität des erzeugten Plasmas P über eine Lichtleitfaser 14 unter Verwendung eines Spektroskops (nicht gezeigt) gemessen wurde.
  • In den in 1 bis 5 gezeigten Beispielen wurde der Festkondensator 11 als das erste Blindwiderstandselement (Element A) verwendet, während die Festinduktionsspule 12 als das zweite Blindwiderstandselement (Element B) verwendet wurde. Wie in 6 gezeigt ist, kann allerdings ebenfalls als das erste Blindwiderstandselement (Element A) eine Festinduktionsspule 15 verwendet werden und als das zweite Blindwiderstandselement (Element B) ein Festkondensator 16 verwendet werden. Darüber hinaus kann das ABSTIMM-Element der Anpassungsschaltung 7 aus dem variablen Kondensator 10 hergestellt werden und kann das zweite Blindwiderstandselement (Element B) aus einem Kondensator oder aus einem Element desselben Typs hergestellt werden. Wie in 7 gezeigt ist, kann das ABSTIMM-Element 10 der Anpassungsschaltung 7 in diesem Fall so ausgelegt werden, dass es als das zweite Blindwiderstandselement (Element B) wirkt. Darüber hinaus kann das zweite Blindwiderstandselement (Element B) eine Induktionsspule sein. Selbst in diesem Fall kann seine Funktion durch das ABSTIMM-Element 10 ersetzt werden, falls das ABSTIMM-Element 10 (variabler Kondensator) der Abstimmungsschaltung 7 einen weiten Veränderungsbereich aufweist. Obgleich dies nicht veranschaulicht ist, können darüber hinaus das erste Blindwiderstandselement (Element A) und das zweite Blindwiderstandselement (Element B) so ausgelegt werden, dass dieselbe Funktion wie die des Stromführungswegs bereitgestellt wird, der so ersonnen wurde, dass er eine solche Länge aufweist, dass eine kompakte Konfiguration hergestellt wird. Außerdem ist es möglich, diesen Stromführungsweg und das Blindwiderstandselement gleichzeitig zu nutzen.
  • Darüber hinaus war in der Beispielkonfiguration aus 1 die gezeigte Antenne 3, die auf dem Substrat 2 vorgesehen war, auf der oberen Oberfläche des Substrats 2 strukturiert. Allerdings ist es, wie in 8 gezeigt ist, ebenfalls akzeptabel, eine Antenne 17 aus einer dreidimensionalen Spule auf dem Substrat 2 vorzusehen und die Spule 17 in eine aus einer Glasröhre oder dergleichen hergestellte Gasentladungsröhre 18 einzuführen.
  • Die Vorrichtung 1 zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß der ersten Ausführungsform kann eine kompakte Konfiguration schaffen, da die Antenne 3 auf dem Substrat 2 vorgesehen ist. Außerdem wird zwischen die Anpassungsschaltung 7 und die Antenne 3 die Phasenschaltung 6 eingefügt und daraufhin so eingestellt, dass die Stromamplitude oder die Spannungsamplitude der auftretenden stehenden Welle in der Nähe der Antenne 3 den Maximalwert oder den Minimalwert annimmt. Im Vergleich zum Fall der Einstellung der Kabellänge ermöglicht dies, eine sehr kompakte Konfiguration zu schaffen, durch die die Antenne 3 allgemein das maximale Plasma erzeugen kann. Dementsprechend ist es selbst dann, wenn das Plasma unter Verwendung derselben Eingangsleistung erzeugt wird, möglich, das Plasma in der Nähe seiner maximalen Konzentration und Strahlungsintensität zu erzeugen und dadurch Anwendungen z. B. zur Verarbeitung und Oberflächenbehandlung zu entwickeln. Darüber hinaus ermöglicht die Bereitstellung der Anpassungsschaltung 7 und der Phasenschaltung 6 auf dem Substrat 2, die Größe der Vorrichtung 1 zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma zu verringern und sie für den Betrieb in einen Roboter zu integrieren. Wenn das Funkgesetz eingehalten wird oder die Sicherheitsgefährdungen der Vorrichtung beseitigt sind, ist es außerdem möglich, eine solche Anwendung zu entwickeln, die der Betreiber zur Verwendung mit der Hand hält.
  • Darüber hinaus ist die Vorrichtung 1 zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma auf verschiedene Analysatoren auf den Gebieten der Chemie und Biochemie anwendbar. Insbesondere ist sie vorzugsweise ebenfalls z. B. auf die mikrochemischen Analysesysteme (μTAS: Micro Total Analysis System) anwendbar, die die Kombinationen von Hochgeschwindigkeits-Trenntechniken einer Spursubstanzmenge durch Gaschromatographie oder mikrokapillare Elektrophorese mit laserinduzierten Fluoreszenzerfassungen, elektrochemischen Messungen unter Verwendung von Mikroelektroden, ICP-OES (Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectroscopy) oder den ICP-Massenspektrographen enthalten. Darüber hinaus kann die Vorrichtung auf verschiedenen Gebieten, z. B. zum Schneiden durch Schmelzen eines lokalen Abschnitts eines Werkstücks wie etwa eines für Mikrovorrichtungen verwendeten Mikrochips; zur Verarbeitung und zur Oberflächenbehandlung wie etwa zum Ätzen, zur Ablagerung einer Dünnschicht, zum Reinigen, zur hydrophilen Verarbeitung oder zur hydrophoben Verarbeitung; oder zur Hochtemperaturverarbeitung gefährlicher Substanzen, genutzt werden.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Anhand von 9 bis 12B wird nun eine Beschreibung einer Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gegeben. Es wird angemerkt, dass in den Beschrei bungen der folgenden Ausführungsform hauptsächlich ihre unterschiedlichen Punkte erläutert werden, wobei dieselben Komponenten ohne irgendeine weitere Erläuterung von ihnen mit denselben Bezugszeichen bezeichnet sind.
  • Wie in 9 bis 11 gezeigt ist, enthält eine Vorrichtung 21 zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß der vorliegenden Ausführungsform ein erstes Substrat 22, das aus Aluminiumoxid hergestellt ist, eine mehrwellenförmige Antenne 26, die auf dem ersten Substrat 22 angeordnet ist, ein zweites Substrat 23, das auf einem halben Gebiet des ersten Substrats 22 angeordnet ist, wo die Antenne 26 vorgesehen ist, und ein drittes Substrat 24, das auf dem zweiten Substrat 23 angeordnet ist. Das erste Substrat 22, das zweite Substrat 23 und das dritte Substrat 24 sind unter Verwendung verschiedener Befestigungselemente wie etwa Schrauben oder Klebemittel einteilig miteinander gekoppelt, während sie in engem Kontakt miteinander sind und dadurch ein geschichtetes Substrat 25 bilden. Diese Konfiguration ermöglicht, dass die Antenne 26 in dem geschichteten Substrat 25 untergebracht ist, während sie zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 22 und 23 liegt. Jedes der Substrate, die das geschichtete Substrat 25 bilden, kann vorzugsweise aus einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit wie etwa Aluminiumoxid, Saphir, Aluminiumnitrid, Siliciumnitrid, Bornitrid und Siliciumcarbid gebildet sein.
  • Wie in 12A und 12B gezeigt ist, ist auf der unteren Oberfläche des zweiten Substrats 23, d. h. in einer Lage auf einer Oberfläche in Kontakt mit dem ersten Substrat 22 gegenüber der Mittelachsenlinie der Antenne 26, eine Lagernut 27 gebildet. Die Lagernut 27 lagert eine dielektrische Gasentladungsröhre 28, wobei in den Zwischenraum zwischen der Lagernut 27 und der Gasentladungsröhre 28 vorzugsweise ein Klebemittel oder ein Füllstoff mit einer hohen Wärmeleitfähigkeit gefüllt ist. Daraufhin wird, wie in 9 gezeigt ist, durch ein Ende der Gasentladungsröhre 28 ein Gas G zugeführt und z. B. der Antenne 26 von einer Hochfrequenzleistungsversorgung (nicht gezeigt) Hochfrequenzleistung von etwa 20 bis 100 W mit einer Frequenz im VHF-Band von 100 MHz zugeführt, wodurch ermöglicht wird, dass das Plasma P von dem anderen Ende der Gasentladungsröhre 28 geliefert wird.
  • In der Mitte des anderen Endes des anderen halben Gebiets des ersten Substrats 22, wo sich die Antenne 26 nicht befindet, ist ein substratseitiger Verbinder 31 vorgesehen, der mit der Hochfrequenzleistungsversorgung (nicht gezeigt) verbunden ist und mit dem ein kabelseitiger Verbinder 30 an einer Spitze eines Koaxialkabels 29 verbunden ist, um Hochfrequenzleistung zuzuführen. Der Verbinder 31 und die Antenne 26 sind über eine auf dem ersten Substrat 22 gebildete Leiterbahn 32 miteinander verbunden. In der Mitte der Leiterbahn 32 sind die Blindwiderstandselemente vorgesehen, die, wie in 6 gezeigt ist, die Anpassungsschaltung 7 und die Phasenschaltung 6 bilden. Die Antenne 26 und die Leiterbahn 32 werden vorzugsweise durch Stanzen oder Schneiden einer dünnen Metallplatte oder Metallfolie gebildet, die einen niedrigen spezifischen Widerstand aufweist. Dieses Metall kann z. B. Kupfer (spezifischer Widerstand 17,2 nΩm (bei 20°C), Temperaturkoeffizient 0,004/°C), Silber (spezifischer Widerstand 16,2 nΩm (bei 20°C), Temperaturkoeffizient 0,004/°C), Gold (spezifischer Widerstand 24,0 nΩm (bei 20°C), Temperaturkoeffizient 0,0034/°C) oder Aluminium (spezifischer Widerstand 28,2 nΩm (bei 20°C), Temperaturkoeffizient 0,0041°C) sein. Unter diesen Metallen ist Kupfer das am meisten bevorzugte, wobei seine Dicke das Doppelte oder mehr oder das Dreifache oder weniger als die Tiefe von der Oberfläche ist, auf der der Hochfrequenzstrom fließt. Zum Beispiel ist im Fall des Hoch frequenzstroms mit einer Frequenz von 100 MHz eine Dicke von etwa 100 μm bevorzugt.
  • In der vorliegenden Ausführungsform war die Lagernut 27 auf dem zweiten Substrat 23 vorgesehen. Allerdings ist es ebenfalls akzeptabel, die Lagernut 27 auf dem ersten Substrat 22 vorzusehen, um die Gasentladungsröhre 28 darin zu lagern.
  • In der vorliegenden Ausführungsform besteht die Anpassungsschaltung 7 aus dem LAST-seitigen variablen Kondensator 9 und aus dem ABSTIMM-seitigen variablen Kondensator 10, die beide ein dreidimensionales Blindwiderstandselement sind. Darüber hinaus besteht die Phasenschaltung 6 aus dem induktiven Element 15, das zwischen dem LAST-seitigen variablen Kondensator 9 und der Antenne 26 angeordnet ist, und dem Festkondensator 16, der zwischen dem ABSTIMM-seitigen variablen Kondensator 10 und der Antenne 26 angeordnet ist. Der Festkondensator 16 ist ein dreidimensionales Blindwiderstandselement. Allerdings ist das induktive Element 15, wie in 12A gezeigt ist, ein Spiralleiter, der in einer planaren Form auf der oberen Oberfläche des zweiten Substrats 23 angeordnet ist, bei dem die Antenne 26 dazwischen liegt, und der somit in dem geschichteten Substrat 25 enthalten ist, während er bei dem dritten Substrat 24 dazwischen liegt.
  • Wie in 12B gezeigt ist, sind die beiden Enden des spiralförmigen induktiven Elements 15, die durch Kontaktlöcher 33a und 33b nach unten verlaufen, so gebildet, dass sie das zweite Substrat 23 durchdringen und elektrisch mit Verbindungen 34a und 34b verbinden, die auf der unteren Oberfläche vorgesehen sind. Andererseits sind eine Verbindung 35a an einem Ende der Leiterbahn 32, die mit dem variablen Kondensator 9 verbunden ist, der auf dem ersten Substrat 22 angeordnet ist, und eine Verbin dung 35b, die an einem Ende der Antenne 26 vorgesehen ist, in der Weise auf die Verbindungen 34a und 34b ausgerichtet, dass sie einander überlappen, wenn das zweite Substrat 23 auf dem ersten Substrat 22 geschichtet ist. Wenn das erste Substrat 22 und das zweite Substrat 23 in engem Kontakt miteinander aufeinander geschichtet werden, werden die Verbindungen 34a und 35a bzw. 34b und 35b elektrisch miteinander verbunden.
  • Es wird angemerkt, dass die Vorrichtung 21 zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma, wie in 9 in Strichlinien gezeigt ist, so konfiguriert ist, dass das geschichtete Substrat 25 in der Weise in einem Gehäuse 21a untergebracht ist, dass nur ein Ende der Gasentladungsröhre 28 zum Zuführen des Gases G, das andere Ende der Gasentladungsröhre 28 zum Aussenden des Plasmas P dadurch und ein Endabschnitt des Verbinders 31 nach außen freiliegen.
  • Die Planarantenne 26 der wie oben beschrieben konfigurierten Vorrichtung 21 zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma liegt in dem geschichteten Substrat 25 zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 22 und 23. Somit ist es möglich, von der Antenne 26 erzeugte Wärme effektiv abzuleiten und die Hochfrequenzleistung effizient mit Stabilität in die Antenne 26 einzugeben und dadurch das Plasma P effizient mit Stabilität zu erzeugen.
  • Darüber hinaus ist das planare induktive Element 15, das aus einem Spiralleiter besteht, auf dem zweiten Substrat 23, bei dem die Antenne 26 dazwischen liegt, angeordnet und liegt damit bei dem dritten Substrat 24 dazwischen. Dies kann veranlassen, dass das induktive Element im Vergleich zu anderen Blindwiderstandselementen leichter Wärme erzeugt. Allerdings kann die von dem induktiven Element 15 erzeugte Wärme durch das zweite und durch das dritte Substrat 23 und 24 auf effektive Weise problemlos nach außen abgeleitet werden. Somit ist es möglich zu verhindern, dass die Leitungskonstanten der Anpassungsschaltung 7 und der Phasenschaltung 6 wegen einer Zunahme der Temperatur des induktiven Elements 15 geändert werden. Dies ermöglicht wiederum, die Hochfrequenzleistung mit verbesserter Effizienz stabil in die Antenne 26 einzugeben und das Plasma effizient mit Stabilität zu erzeugen. Da das planare induktive Element 15 ebenfalls auf dem zweiten Substrat 23 angeordnet ist, bei dem die Antenne 26 dazwischen liegt, ist es darüber hinaus möglich, die Fläche und die Menge der Substrate 22 bis 24, die das geschichtete Substrat 25 bilden, zu verringern und dadurch eine kompakte Konfiguration zu verwirklichen.
  • Darüber hinaus werden die Verbindungen 34a und 34b sowie 35a und 35b, die miteinander verbunden werden sollen, jeweils in der Weise auf dem ersten Substrat 22 und auf dem zweiten Substrat 23 vorgesehen, dass sie einander überlappen. Daraufhin werden das erste und das zweite Substrat 22 und 23, während sie in engem Kontakt miteinander sind, miteinander gekoppelt, wodurch ermöglicht wird, dass die Verbindungen 34a und 34b sowie 35a und 35b jeweils miteinander verbunden werden. Dies ermöglicht, elektrische Schaltungsverbindungen nur dadurch bereitzustellen, dass die Substrate 22 bis 24, die das geschichtete Substrat 25 bilden, miteinander gekoppelt werden, während sie in engem Kontakt miteinander sind. Somit ist es möglich, eine preiswerte, kompakte Konfiguration mit einer einfachen Struktur zu verwirklichen, die leicht zusammengesetzt werden kann.
  • Es wird angemerkt, dass das dritte Substrat 24 in der vorliegenden Ausführungsform mit dem induktiven Element 15 in engen Kontakt gebracht wurde. Allerdings kann das induktive Element 15 ebenfalls auf dem zweiten Substrat 23 vorgesehen sein, um dadurch Wärme abzugleiten, ohne das dritte Substrat 24 zu verwenden.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • Anhand von 13 und 14 wird nun eine Beschreibung einer Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gegeben.
  • In der vorliegenden Ausführungsform ist, wie in 13 gezeigt ist, auf einem Gebiet des ersten Substrats 22, auf dem das zweite und das dritte Substrat 23 und 24 nicht geschichtet sind, d. h. auf dem Gebiet des ersten Substrats 22, auf dem Teile wie etwa dreidimensionale Blindwiderstandselemente angeordnet sind, ein viertes Substrat 36 geschichtet. Genauer ist das vierte Substrat 36 auf dem Gebiet geschichtet, wo der LAST-seitige und der ABSTIMM-seitige variable Kondensator 9 und 10 der Anpassungsschaltung 7, der Festkondensator 16 der Phasenschaltung 6 und der Verbinder 31 des Koaxialkabels 29 angeordnet sind. Wie in 14 gezeigt ist, weist das vierte Substrat 36 ausgesparte Abschnitte 36a bis 36d auf, um in dieser Reihenfolge den Verbinder 31, die variablen Kondensatoren 9 und 10 und den Festkondensator 16 aufzunehmen, wobei es so konfiguriert ist, dass es diese Elemente in Kontakt damit bedeckt. Darüber hinaus liegt die auf dem ersten Substrat 22 vorgesehene Leiterbahn 32 ebenfalls zwischen dem ersten Substrat 22 und dem zweiten und dem vierten Substrat 23 und 36.
  • Auf diese Weise enthält das geschichtete Substrat 25, das aus dem ersten bis vierten Substrat 22, 23, 24 und 36 besteht, die Antenne 26, die Gasentladungsröhre 28, die Anpassungsschaltung 7, die Phasenschaltung 6, die Leiterbahn 32, die dazwischen verbindet, und den Verbinder 31. Somit besteht die Vorrichtung 21 zum Erzeugen von Atmo sphärendruckplasma aus dem einzelnen blockförmigen geschichteten Substrat 25, das kein Element oder keine Leiterbahn aufweist, das/die nach außen freiliegt.
  • Gemäß dieser Konfiguration sind die dreidimensionalen Blindwiderstandselemente 9, 10 und 16, die die Anpassungsschaltung 7 und die Phasenschaltung 6 bilden, auf dem ersten Substrat 22 angeordnet, auf dem die Antenne 26 angeordnet ist. Diese Blindwiderstandselemente sind mit dem vierten Substrat 36 in Kontakt damit bedeckt und in dem geschichteten Substrat 25 enthalten. Die von diesen Blindwiderstandselementen erzeugte Wärme kann ebenfalls durch das erste Substrat 22 und durch das vierte Substrat 36 effektiv abgeleitet werden, wodurch ein Plasma effizient mit Stabilität erzeugt wird.
  • Darüber hinaus wird die von der Antenne 26, von der Gasentladungsröhre 28, von der Anpassungsschaltung 7, von der Phasenschaltung 6, von der Leiterbahn 32 und von dem Verbinder 31 erzeugte Wärme durch das erste bis vierte Substrat 22, 23, 24 und 36, die das geschichtete Substrat 25 bilden, von der Außenoberfläche des geschichteten Substrats 25 problemlos nach außen abgeleitet. Somit ist sichergestellt, dass verhindert wird, dass die Leitungskonstanten wegen einer Zunahme der Temperatur nicht nur der Blindwiderstandselemente, die die Anpassungsschaltung 7 und die Phasenschaltung 6 und die Antenne 26 bilden, sondern auch des Verbinders 31 und der Leiterbahn 32 geändert werden. Dies ermöglicht, ein Plasma effizient mit Stabilität zu erzeugen.
  • Darüber hinaus sind die Antenne 26, die Gasentladungsröhre 28, die Anpassungsschaltung 7 und die Phasenschaltung 6, die Leiterbahn 32, die dazwischen verbindet, und der Verbinder 31 in dem geschichteten Substrat 25 enthalten. Somit ist es möglich, die Vorrichtung 21 zum Erzeu gen von Atmosphärendruckplasma zu schaffen, die eine kompakte Konfiguration aufweist, wobei die äußere Erscheinung ihres Hauptabschnitts nur aus dem blockförmigen geschichteten Substrat 25 besteht. Mit dieser Konfiguration brauchen lediglich die Röhre (nicht gezeigt) zum Zuführen eines Gases und das Koaxialkabel 29 zum Zuführen von Hochfrequenzleistung verbunden zu werden, wodurch es möglich wird, die Plasmaverarbeitung auszuführen. Somit ist es möglich, verschiedene Arten der Plasmaverarbeitung auf vereinfachte Weise effizient mit Stabilität zu ermöglichen.
  • (Vierte Ausführungsform)
  • Anhand von 15 bis 18 wird nun eine Beschreibung einer Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung gegeben.
  • In der oben beschriebenen zweiten Ausführungsform war ein solches Beispiel gezeigt worden, in dem die wellenartige flach geformte Antenne 26 auf dem ersten Substrat 22 in der Weise angeordnet ist, dass sie zwischen dem ersten Substrat 22 und dem zweiten Substrat 23 liegt. In der vierten Ausführungsform, wie sie in 15 bis 18 gezeigt ist, wird ein dünner Leiterstreifen wie etwa eine Kupferfolie mehrmals spiralförmig um eine Gasentladungsröhre 37 gewickelt, die einen allgemein quadratischen Querschnitt aufweist, um die Antenne 38 zu bilden. Daraufhin werden die Gasentladungsröhre 37 und die Antenne 38 auf dem ersten Substrat 22 angeordnet und zwischen es und das zweite Substrat 23 gelegt. Das planare induktive Element 15 ist auf der Fläche des zweiten Substrats 23 angeordnet, die einer anderen Fläche, die dem ersten Substrat 22 gegenübersteht, gegenüberliegt, sodass das induktive Element 15 zwischen dem zweiten Substrat 23 und dem dritten Substrat 24 liegt. Diese Konfiguration ist dieselbe wie die der oben beschriebenen ersten Ausführungsform.
  • Die beiden Endabschnitte der Antenne 38 sind so angeordnet, dass sie sich mit einer Verbindung 32a der auf dem ersten Substrat 22 vorgesehenen Leiterbahn 32 und mit der Verbindung 35b für das induktive Element 15 überlappen, und liegen zwischen dem zweiten Substrat 23 in engem Kontakt damit und sind dadurch mit der Leiterbahn 32 und dem induktiven Element 15 elektrisch verbunden. Wie in 18 gezeigt ist, weist das zweite Substrat 23 eine Lagernut 39 auf, die einen quadratischen Querschnitt aufweist und darin gebildet ist, um die Gasentladungsröhre 37 mit der um sie gewickelten Antenne 38 in engem Kontakt damit aufzunehmen. Nach Bedarf ist zwischen die Lagernut 39 und die Gasentladungsröhre 37 mit der um sie gewickelten Antenne 38 ein Füllstoff oder ein Klebemittel mit hoher Wärmeleitfähigkeit gefüllt. Wenn auf diese Weise ein Füllstoff oder ein Klebemittel mit hoher Wärmeleitfähigkeit eingefüllt ist, brauchen die Gasentladungsröhre 37 und die Lagernut 39 keinen quadratischen Querschnitt aufzuweisen und können somit einen kreisförmigen Querschnitt aufweisen. In der vorliegenden Ausführungsform sind die Gasentladungsröhre 37 und die Lagernut 39 auf dem zweiten Substrat 23 vorgesehen. Allerdings kann das erste Substrat 22 mit der Lagernut 39 zum Aufnehmen der Gasentladungsröhre 37 versehen sein. Es ist ebenfalls akzeptabel, dass die Gasentladungsröhre 37 kreisförmig ist und das erste und das zweite Substrat 22 und 23 jeweils mit einer halbkreisförmigen Lagernut versehen sind.
  • Gemäß der vorliegenden Ausführungsform liegen die Gasentladungsröhre 37 und die mehrmals um sie gewickelte Antenne 38 zwischen dem ersten und dem zweiten Substrat 22 und 23 des geschichteten Substrats 25. Das planare induk tive Element 15 ist auf dem zweiten Substrat 23 angeordnet, damit die Gasentladungsröhre 37 und die Antenne 38 dazwischen liegen. Somit ist es möglich, unter Verwendung der um die Gasentladungsröhre 37 gewickelten Antenne 38 dieselben Wirkungen wie in der oben beschriebenen ersten Ausführungsform zu erzielen.
  • Es wird angemerkt, dass in den oben beschriebenen Ausführungsformen solche Beispiele gezeigt worden sind, in denen die drei Substrate, das erste bis dritte Substrat 22 bis 24, in der Weise geschichtet sind, dass sie das geschichtete Substrat 25 bilden, und das vierte Substrat 36 in der Weise auf dem ersten Substrat 22 geschichtet ist, dass das geschichtete Substrat 25 gebildet ist. Allerdings kann die Anzahl der Substrate, die das geschichtete Substrat 25 bilden, je nach Anordnung der Antennen 26 und 37, der Gasentladungsröhren 28 und 37 und jedes Blindwiderstandselements, das die Anpassungsschaltung 7 und die Phasenschaltung 6 bildet, beliebig ausgelegt sein.
  • In den obigen Beschreibungen jeder der Ausführungsformen ist ein solches Beispiel erläutert worden, das die Anpassungsschaltung 7 und die Phasenschaltung 6 aufweist. Allerdings kann die vorliegende Erfindung selbst in Anwesenheit nur der Anpassungsschaltung 7 ohne die Phasenschaltung 6 auf einen Fall angewendet werden, in dem die Anpassungsschaltung 7 ein flach geformtes Blindwiderstandselement aufweist, wodurch dieselben Wirkungen erzielt werden. Darüber hinaus ist in den oben beschriebenen Ausführungsformen ein solches Beispiel gezeigt worden, in dem nur die variablen Kondensatoren 9 und 10 als Blindwiderstandselemente verwendet sind, die die Anpassungsschaltung 7 bilden. Allerdings kann selbstverständlich auch eine solche Konfiguration genutzt werden, die einen Festkondensator oder ein induktives Element verwen det. In diesem Fall erzeugt insbesondere das induktive Element leicht Wärme und liegt somit vorzugsweise zwischen den Substraten, wobei es als ein flach geformtes induktives Element dient, das dadurch in dem geschichteten Substrat enthalten ist.
  • Darüber hinaus kann die oben erwähnte Vorrichtung 21 zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma in den beweglichen Kopf eines Robotersystems eingebaut werden, der in der X-, in der Y- und in der Z-Richtung verlagern kann. Dies ermöglicht, eine kompakte Plasmaverarbeitungsvorrichtung zu schaffen, die eine äußerst verbesserte allgemeine Vielseitigkeit aufweist.
  • Darüber hinaus ist in jeder der oben beschriebenen Ausführungsformen nur ein solches Beispiel erläutert worden, das Hochfrequenzleistung in einem VHF-Band (30 bis 500 MHz) bereitstellt. Allerdings ist die Erfindung darauf nicht beschränkt. Die Erfindung ist ebenfalls auf ein Mikrowellenband (500 MHz oder höher) anwendbar und die zweite bis vierte Ausführungsform können ebenfalls auf ein RF-Band (13 bis 30 MHz) angewendet werden.
  • INDUSTRIELLE ANWENDBARKEIT
  • Wie oben beschrieben wurde, liegt die Phasenschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung zwischen der Anpassungsschaltung und der Mikroantenne, wobei die Phasenschaltung so eingestellt wird, dass in der Nähe der Mikroantenne die Stromamplitude einer stehenden Welle den Maximalwert annimmt oder die Spannungsamplitude der stehenden Welle den Minimalwert annimmt. Dies ermöglicht, einen Mikroplasmastrahl mit niedriger Leistung effizient zu erzeugen und die Konzentration und die Strahlungsintensität des mit derselben Eingangsleistung erzeugten Plasmas nahezu bis zu der maximal möglichen Grenze zu verbessern. Somit ist es möglich, die Erfindung vorzugsweise nicht nur auf die mikrochemische Analyse unter Verwendung mikrokapillarer Elektrophorese anzuwenden, sondern außerdem hohe Verarbeitungsfähigkeiten für die Entwicklung von Anwendungen wie etwa verschiedenen Arten der Verarbeitung und Oberflächenbehandlung bereitzustellen. Darüber hinaus sind die Blindwiderstandselemente der Anpassungsschaltung und der Phasenschaltung in einer planaren Form gebildet und liegen zwischen den Substraten des geschichteten Substrats, wodurch ermöglicht wird, dass die Wärme von den Blindwiderstandselementen effektiv nach außen abgeleitet wird. Dies ermöglicht zu verhindern, dass die Leitungskonstanten wegen einer Zunahme der Temperatur der Blindwiderstandselemente geändert werden, und die Hochfrequenzleistung effizient mit Stabilität in die Antenne einzugeben und dadurch das Plasma effizient mit Stabilität zu erzeugen. Außerdem ist es möglich, eine kompakte Konfiguration zu verwirklichen und somit vorzugsweise die Erfindung für verschiedene Arten von Vorrichtungen zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma, insbesondere für eine kompakte Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma, die in Systeme verschiedener Typen integriert werden soll, zu verwenden.
  • Zusammenfassung
  • Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma
  • Eine Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma enthält: ein Substrat (2, 22); eine Antenne (3, 17, 26, 38), die auf dem Substrat (2, 22) angeordnet ist; eine Gasentladungsröhre (4, 18, 28, 37), die in der Nähe der Antenne (3, 17, 26, 38) angeordnet ist; eine Hochfrequenzleistungsversorgung (8), um der Antenne (3, 17, 26, 38) Hochfrequenzleistung im VHF-Band zuzuführen; und eine Anpassungsschaltung (7), um von der Hochfrequenzleistungsversorgung (8) eine Hochfrequenz zu empfangen und eine Reflexionswelle einzustellen. In dieser Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma ist zwischen die Anpassungsschaltung (7) und die Antenne (3, 17, 26, 38) eine Phasenschaltung (6) geschaltet, wobei die Phasenschaltung (6) eine Leitungskonstanteneinstellung in der Weise aufweist, dass eine Lage eines Maximalwerts der Stromamplitude einer stehenden Welle oder dass eine Lage eines Minimalwerts einer Spannungsamplitude einer stehenden Welle in der Nähe der Antenne liegt. Diese Konfiguration kann ein Plasma effizient erzeugen und die Größe der Vorrichtung verringern.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 3616088 [0007]
    • - JP 2002-373883 [0007]

Claims (8)

  1. Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma, wobei die Vorrichtung umfasst: ein Substrat (2, 22); eine Antenne (3, 17, 26, 38), die auf dem Substrat angeordnet ist; eine Gasentladungsröhre (4, 18, 28, 37), die in der Nähe der Antenne angeordnet ist; eine Hochfrequenzleistungsversorgung (8), um der Antenne Hochfrequenzleistung im VHF-Band zuzuführen; eine Anpassungsschaltung (7), um von der Hochfrequenzleistungsversorgung eine Hochfrequenz zu empfangen und eine Reflexionswelle einzustellen; und eine Phasenschaltung (6), die zwischen die Anpassungsschaltung und die Antenne geschaltet ist, wobei die Phasenschaltung eine Leitungskonstanteneinstellung in der Weise aufweist, dass eine Lage eines Maximalwerts einer Stromamplitude einer stehenden Welle in der Nähe der Antenne liegt oder dass eine Lage eines Minimalwerts einer Spannungsamplitude der stehenden Welle in der Nähe der Antenne liegt.
  2. Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma nach Anspruch 1, bei der die Phasenschaltung (6) gebildet ist aus: einem ersten Blindwiderstandselement (11, 15), das zwischen einem Anschluss der Anpassungsschaltung (7) und einem Anschluss der Antenne (3, 17, 26, 38) angeordnet ist, und/oder einem Stromführungsweg, der dazwischen verbindet, und einem zweiten Blindwiderstandselement (12, 16), das zwischen dem anderen Anschluss der Anpassungsschaltung und dem anderen Anschluss der Antenne angeordnet ist, und/oder einem Stromführungsweg, der dazwischen verbindet.
  3. Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma, wobei die Vorrichtung umfasst: eine Antenne (3, 17, 26, 38); eine Gasentladungsröhre (4, 18, 28, 37), die in der Nähe der Antenne angeordnet ist und ein Ende aufweist, in das ein Gas zugeführt wird; eine Hochfrequenzleistungsversorgung (8), um der Antenne Hochfrequenzleistung zuzuführen; eine Anpassungsschaltung (7), die zwischen der Antenne und der Hochfrequenzleistungsversorgung liegt, um eine Reflexionswelle von der Antenne einzustellen; und eine Phasenschaltung (6), die zwischen der Antenne und der Anpassungsschaltung liegt, um eine Phase in der Nähe der Antenne einzustellen, wobei die Antenne auf einem Substrat (2, 22) angeordnet ist, wobei auf dem Substrat eines oder mehrere Substrate (23, 24, 36) geschichtet sind, um ein geschichtetes Substrat (25) zu bilden, und wobei ein planares Blindwiderstandselement (15), das die Anpassungsschaltung oder die Phasenschaltung bildet, auf dem geschichteten Substrat angeordnet ist oder zwischen den Substraten des geschichteten Substrats liegt.
  4. Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma, wobei die Vorrichtung umfasst: eine Antenne (3, 17, 26, 38); eine Gasentladungsröhre (4, 18, 28, 37), die in der Nähe der Antenne angeordnet ist und ein Ende aufweist, in das ein Gas zugeführt wird; eine Hochfrequenzleistungsversorgung (8), um der Antenne Hochfrequenzleistung zuzuführen; und eine Anpassungsschaltung (7), die zwischen der Antenne und der Hochfrequenzleistungsversorgung liegt, um eine Reflexionswelle von der Antenne einzustellen; wobei die Antenne auf einem Substrat (2, 22) an geordnet ist, wobei auf dem Substrat eines oder mehrere Substrate (23, 24, 36) geschichtet sind, um ein geschichtetes Substrat (25) zu bilden, und wobei ein planares Blindwiderstandselement, das die Anpassungsschaltung bildet, auf dem geschichteten Substrat angeordnet ist oder zwischen den Substraten des geschichteten Substrats liegt.
  5. Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma nach Anspruch 3 oder 4, wobei auf dem Substrat (2, 22) mit der darauf angeordneten Antenne (3, 17, 26, 38) ein dreidimensionales Blindwiderstandselement (9, 10, 11, 12, 16) angeordnet ist, das die Anpassungsschaltung (7) oder die Anpassungsschaltung und die Phasenschaltung (6) bildet; und wobei dieses dreidimensionale Blindwiderstandselement mit dem Substrat (36) in Kontakt damit bedeckt ist und innerhalb des geschichteten Substrats (25) enthalten ist.
  6. Vorrichtung zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma nach Anspruch 3 oder 4, bei der die Antenne (3, 17, 26, 38), die Gasentladungsröhre (4, 18, 28, 37), sowohl die Anpassungsschaltung (7) als auch die Phasenschaltung (6) oder nur die Anpassungsschaltung, eine Leiterbahn (32), die dazwischen verbindet, und ein Koaxialverbinder (31) zum Verbinden mit einem Leistungsversorgungs-Koaxialkabel (29) in dem geschichteten Substrat (25) enthalten sind.
  7. Verfahren zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Zuführen einer Hochfrequenz im VHF-Band zu einer Antenne (3, 17, 26, 38), die auf einem Substrat (2, 22) angeordnet ist, und Einleiten eines Gases in eine Gasentladungsröhre (4, 18, 28, 37), die in der Nähe der Antenne angeordnet ist, um ein Plasma zu erzeugen; Zulassen, dass eine Anpassungsschaltung (7) eine Reflexionswelle, die in eine Hochfrequenzleistungsversorgung (8) eintritt, auf etwa 0 einstellt; und Einstellen einer Leitungskonstanten einer Phasenschaltung (6), die zwischen der Anpassungsschaltung und der Antenne liegt, in der Weise, dass eine Lage eines Maximalwerts einer Stromamplitude einer stehenden Welle in der Nähe der Antenne liegt.
  8. Verfahren zum Erzeugen von Atmosphärendruckplasma, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: Zuführen einer Hochfrequenz im VHF-Band zu einer Antenne (3, 17, 26, 38), die auf einem Substrat (2, 22) angeordnet ist, und Einleiten eines Gases in eine Gasentladungsröhre (4, 18, 28, 37), die in der Nähe der Antenne angeordnet ist, um ein Plasma zu erzeugen; Zulassen, dass eine Anpassungsschaltung (7) eine Reflexionswelle, die in eine Hochfrequenzleistungsversorgung (8) eintritt, auf etwa 0 einstellt; und Einstellen einer Leitungskonstanten einer Phasenschaltung (6), die zwischen der Anpassungsschaltung und der Antenne liegt, in der Weise, dass eine Lage eines Minimalwerts einer Spannungsamplitude einer stehenden Welle in der Nähe der Antenne liegt.
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