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Technikgebiet
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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer organischen
Dünnschicht
einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung unter Verwendung
elektrochemischer Abscheidung, und insbesondere ein Verfahren zur
Herstellung einer organischen Dünnschicht
einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung, wobei dieses Verfahren
einen einfachen Prozess aufweist, Dank der Verwendung monomolekularer
Verbindungen, die ohne Weiteres käuflich zu erwerben und herzustellen
sind, große
Produktivität
aufweist, es erleichtert, die Dicke von herzustellenden Dünnschichten
zu steuern, und hervorragende Haftung auf Substraten aufweist, und
weiter eine Erosion beträchtlich
verbessert, die in einer als erstes ausgebildeten organischen Dünnschicht während des
Prozesses einer Ausbildung einer zweiten organischen Dünnschicht
auftreten kann, insbesondere wenn zwei oder mehr organische Dünnschichten
in OLED-Vorrichtungen hergestellt werden sollen, und hervorragende
morphologische Stabilität
aufweist, und eine organische lichtemittierende Vorrichtung, die
mittels dieses Verfahrens hergestellt wird.
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Technischer Hintergrund
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In
letzter Zeit standen auf den Gebieten von Anzeigeeinrichtungen organische
lichtemittierende Vorrichtungen (OLED) als Anzeigevorrichtungen
im Mittelpunkt des Interesses, da sie als selbst-lichtemittierende Vorrichtung
einen weiten Betrachtungswinkel und hervorragenden Kontrast sowie
schnelle Reaktionszeit aufweisen, und, im Vergleich zu anorganischen
EL-Vorrichtungen, sind sie hervorragend in Bezug auf Helligkeit, Ansteuerspannung
und Ansprechgeschwindigkeit auf, und es steht auch Vielfarbigkeit
zur Verfügung.
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Übliche organische
EL-Vorrichtungen haben eine Struktur, bestehend aus einer Anode,
die auf der Oberseite eines Substrates ausgebildet ist, einer lichtemittierenden
Schicht in Form eines organischen Dünnfilms, der auf der Anode
ausgebildet ist, und einer darauf ausgebildeten Kathode, und zwar
in dieser Abfolge. Weiter können
sie eine Löcherinjektionsschicht
oder eine Löchertransportschicht
zwischen der Anode und der lichtemittierenden Schicht aufweisen,
oder sie können
eine Elektronentransportschicht oder eine Elektroneninjektionsschicht
zwischen der lichtemittierenden Schicht und der Kathode aufweisen.
Die Löcherinjektionsschicht,
Löchertransportschicht,
Elektronentransportschicht und Elektroneninjektionsschicht sind
organische Dünnschichten,
die aus organischen Verbindungen bestehen.
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Derartige
organische Dünnschichten
werden mittels Vakuum-Wärme-Abscheidung,
Sputtern oder Rotationsbeschichten erzeugt. Jedoch erfordert die
Vakuum-Wärme-Abscheidung oder
Sputtern teure Anlagen und weist geringe Produktivität auf, und
das Rotationsbeschichten bringt das Problem mit sich, dass, wenn zwei
oder mehr organische Dünnschichten
ausgebildet werden, beim Prozess des Rotationsbeschichtens der oberen
Schicht die zuvor ausgebildete untere Schicht durch Lösungsmittel
angegriffen wird. Um dieses Problem zu lösen, wurden Versuche unternommen,
die zweite Schicht auszubilden, nachdem eine Wärmebehandlung oder einer Photopolymerisation
mittels UV-Lichtbestrahlung der zuvor erzeugten Dünnschicht
durchgeführt
wird, jedoch wurde dadurch der Prozess komplizierter, und die Produktivität wurde
ebenfalls gering.
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Offenbarung der Erfindung
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Technisches Problem
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Um
die Probleme des Stands der Technik zu lösen, ist es ein Ziel der Erfindung,
ein Verfahren zur Herstellung einer organischen Dünnschicht
einer OLED-Vorrichtung bereitzustellen, wobei dieses Verfahren einen einfachen
Prozess aufweist, Dank der Verwendung monomolekularer Verbindungen,
die ohne Weiteres käuflich
zu erwerben und herzustellen sind, große Produktivität aufweist,
es erleichtert, die Dicke von herzustellenden Dünnschichten zu steuern, und
hervorragende Haftung auf Substraten aufweist, und eine OLED-Vorrichtung,
welche die organische Dünnschicht
aufweist, die mittels dieses Verfahrens hergestellt wurde.
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Es
ist ein weiteres Ziel der Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung
einer organischen Dünnschicht einer
OLED-Vorrichtung bereitzustellen, welches eine Erosion beträchtlich
verbessert, die in einer als erstes ausgebildeten organischen Dünnschicht
während
des Prozesses einer Ausbildung einer zweiten organischen Dünnschicht
auftreten kann, wenn zwei oder mehr organische Dünnschichten unter Verwendung
monomolekularer Verbindungen hergestellt werden sollen, hervorragende
morphologische Stabilität
und eine gleichmäßige Oberfläche aufweist,
und eine OLED-Vorrichtung
bereitzustellen, welche die mittels dieses Verfahrens hergestellte
organische Dünnschicht
aufweist.
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Technische Lösung
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Um
die zuvor beschriebenen Ziele zu erreichen, stellt die Erfindung
ein Verfahren zur Herstellung einer organischen Dünnschicht
einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung bereit, die eine
oder mehrere organische Dünnschichten
zwischen Anode und Kathode aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass
die organische Dünnschicht
durch elektrochemisches Abscheiden einer Verbindung ausgebildet
wird, die eine Bis(Phenylcarbazol)-Gruppe im Molekül aufweist.
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Vorzugsweise
ist die Verbindung, die eine Bis(Phenylcarbazol)-Gruppe im Molekül aufweist,
durch Formel 1 repräsentiert: [Formel
1]
wobei X eine divalente Bindegruppe ist.
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Auch
stellt die Erfindung die organische Dünnschicht einer organischen
lichtemittierenden Vorrichtung bereit, die mittels des zuvor beschriebenen
Verfahrens hergestellt wird.
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Auch
stellt die Erfindung eine organische lichtemittierende Vorrichtung
bereit, welche die mittels des zuvor beschriebenen Verfahrens hergestellte
organische Dünnschicht
aufweist.
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Auch
weist die Erfindung eine Anzeigevorrichtung auf, welche die zuvor
beschriebene organische lichtemittierende Vorrichtung aufweist.
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Vorteilhafte Effekte
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Das
Verfahren zur Herstellung einer organischen Dünnschicht einer organischen
lichtemittierenden Vorrichtung mittels elektrochemischer Abscheidung
gemäß der Erfindung
weist einen einfachen Prozess auf, und zwar Dank der Verwendung
monomolekularer Verbindungen, die käuflich zu erwerben oder ohne
Weiteres herzustellen sind, ohne dass spezielle Anlagen erforderlich
sind, weist hohe Produktivität
auf, und kann es erleichtern, die Dicke der herzustellenden Dünnschichten
zu steuern und kann eine Erosion der zuvor erzeugten organischen
Dünnschichten
beträchtlich
verbessern, die bei Herstellung von zwei oder mehr organischen Dünnschichten
mittels Rotationsbeschichten auftrat.
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Außerdem weisen
die organischen Dünnschichten
gemäß der Erfindung
eine hervorragende Haftung an Substraten auf, weisen eine gleichmäßige Oberfläche auf,
da ihre Dicke auf molekularer Ebene angepasst werden kann, und weisen
hervorragende morphologische Stabilität auf, und speziell im Fall
von organischen Dünnschichten,
die mittels aufeinanderfolgender elektrochemischer Abscheidung von
zwei oder mehr Schichten erzeugt werden, sind die Grenzflächen zwischen
Schichten gleichmäßig, eine
Erosion bedingt durch Lösungsmittel
findet nicht statt, eine Haftung zwischen Grenzflächen ist
stark, und diese weisen feine Muster auf. Außerdem kann, da sie von den
meisten organischen Lösungsmitteln
nicht angegriffen werden, eine durch Lösungsmittel bedingte Erosion
beträchtlich
verringert werden, sogar im Fall eines Ausbildens organischer Dünnschichten
mittels bekannter Rotationsbeschichtung auf den organischen Dünnschichten
gemäß der Erfindung.
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Kurze Beschreibung der Zeichnungen
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1 ist
ein zyklisches Voltammogramm, das eine elektrochemische Abscheidung
für eine
Verbindung zeigt, die eine Bis(Phenylcarbazol)-Gruppe in einem Molekül aufweist,
gemäß einer
Ausführungsform
der Erfindung;
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2 ist
ein zyklisches Voltammogramm, das eine elektrochemische Abscheidung
für eine
Verbindung zeigt, die eine Bis(Phenylcarbazol)-Gruppe in einem Molekül aufweist,
gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung;
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3 ist
ein zyklisches Voltammogramm, das eine elektrochemische Abscheidung
für eine
Verbindung zeigt, die eine Bis(Phenylcarbazol)-Gruppe in einem Molekül aufweist,
gemäß noch einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung;
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4 ist
ein zyklisches Voltammogramm, das eine elektrochemische Abscheidung
für eine
Verbindung zeigt, die eine einzige Phenylcarbazol-Gruppe in einem
Molekül
aufweist, gemäß einem
Vergleichsbeispiel der Erfindung;
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5 ist
ein zyklisches Voltammogramm, das eine elektrochemische Abscheidung
für eine
Verbindung zeigt, die eine Bis(Phenylcarbazol)-Gruppe in einem Molekül aufweist,
gemäß einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung;
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6 ist
ein zyklisches Voltammogramm, das eine elektrochemische Abscheidung
für eine
Verbindung zeigt, die eine Bis(Phenylcarbazol)-Gruppe in einem Molekül aufweist,
gemäß noch einer
weiteren Ausführungsform
der Erfindung;
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Modus für die Erfindung
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Diese
Erfindung wird weiter detailliert beschrieben.
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Die
Erfinder haben gefunden, dass bei der Untersuchung betreffend einfache
und hochproduktive Verfahren, die fähig sind, Vakuum-Wärme-Abscheidung,
Sputtern und Rotationsbeschichten, welche teure Anlagen erfordern
oder geringe Produktivität
oder einen komplizierten Prozess mit sich bringen, zu ersetzen,
bei der Ausbildung von organischen Dünnfilmen, wie beispielsweise
einer emittierenden Schicht zwischen Anode und Kathode, organische
Dünnschichten
unter Verwendung elektrochemischer Abscheidung erzeugt werden konnten,
und zwar mittels Verbindungen, die eine Bis(Phenylcarbazol)-Gruppe
in Moleküle,
als monomolekulare Verbindungen, die geringes Molekulargewicht haben,
aufweisen, und haben somit die Erfindung bewerkstelligt.
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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer organischen
Dünnschicht
einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung, die eine oder
mehrere organische Dünnschichten
zwischen Anode und Kathode aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass
die organische Dünnschicht
durch elektrochemisches Abscheiden einer Verbindung ausgebildet
wird, die eine Bis(Phenylcarbazol)-Gruppe im Molekül aufweist.
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Vorzugsweise
ist die Verbindung eine Verbindung, die durch die zuvor beschriebene
Formel 1 repräsentiert
ist, oder eine Verbindung mit zwei direkt verbundenen Phenylcarbazolgruppen.
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In
der Formel 1 ist die divalente Bindegruppe, -X-, nicht auf spezielle
Gruppen eingeschränkt,
sofern Phenylcarbazolgruppen an ihre beiden Enden gebunden sein
können,
und -SiR2R3-, -PR4-, -NR5-, -O-, -S-, -CR6R7- oder eine substituierte
oder unsubstituierte Arylgruppe von C6-C50 sind zu bevorzugen, und -SiR2R3- ist besonders zu bevorzugen. In den zuvor
beschriebenen Bindegruppen sind R2 bis R7 in unabhängiger Weise jeweils eine substituierte
oder unsubstituierte Alkylgruppe von C1-C50, eine substituierte oder unsubstituierte Arylgruppe
von C6-C50, eine
substituierte oder unsubstituierte Heteroring-Gruppe von C6-C50, oder eine
substituierte oder unsubstituierte Heterocycloring-Gruppe von C6-C50.
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Spezielle
Beispiele der Alkylgruppe von C1-C50 beinhalten Methyl, Ethyl, Propyl, Isobutyl,
Sec-butyl, Pentyl, Iso-amyl, Hexyl etc., und eine oder mehrere Wasserstoffatome
der Alkylgruppe können
substituiert sein durch ein Halogenatom, eine Hydroxylgruppe, eine
Nitrogruppe, eine Cyanogruppe, eine Aminogruppe, eine Amidinogruppe,
Hydrazin, Hydrozon, eine Carboxylgruppe oder deren Salz, eine Sulfonsäuregruppe
oder deren Salz, Phosphorsäure
oder deren Salz, Indol, Azaindol, eine Alkylgruppe von C1-C50, eine Alkenyl-Gruppe von
C1-C50, eine Alkinylgruppe
von C1-C50, eine
Arylgruppe von C6-C50,
eine Arylalkylgruppe von C7-C50,
eine Heteroarylgruppe von C2-C50 oder
einer Heteroarylalkylgruppe von C3-C50, und zwei oder mehr von diesen können einen
gesättigten
oder ungesättigen
Ring bilden, indem sie sich miteinander verbinden oder vereinigen.
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Die
zuvor beschriebene unsubstituierte Arylgruppe bezieht sich auf ein
carbozyklisches aromatisches System von C6-C50, das einen oder mehrere Ringe enthält, allein oder
in Kombination, und die Ringe können in
seitenständiger
Weise miteinander verbunden oder vereinigt sein. Die Arylgruppe
beinhaltet aromatische Radikale, wie beispielsweise Phenyl, Naphthyl
und Tetrahydronaphthyl, und eines oder mehrere Wasserstoffatome
der Arylgruppe können
durch die gleichen Substituenten substituiert sein, wie für die Alkylgruppe
aufgeführt.
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Die
unsubstituierte Heteroring-Gruppe betrifft eine monovalente monozyklische
oder bizyklische aromatische organische Verbindung aus 6 bis 50
Ringatomen, die 1, 2 oder 3 Heteroatome enthält, die aus N, O, P oder S
gewählt
sind, und die C als übrige
Ringatome enthält.
Eines oder mehrere Wasserstoffatome der Hetero-Aryl-Gruppe können durch
die gleichen Substituenten substituiert sein, wie für die Alkylgruppe
aufgeführt.
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Die
unsubstituierte Heterocycloring-Gruppe betrifft einen Rest vom Ringtyp,
der durch Vereinigen von zwei oder mehr Ringen, welche die Arylgruppe
oder den Heteroring bilden, ausgebildet ist, wie zuvor definiert, und
eines oder mehrere Wasserstoffatome der Heterocycloring-Gruppe können durch
die gleichen Substituenten substituiert sein, wie für die Alkylgruppe
aufgeführt.
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Bevorzugte
spezielle Beispiele der Verbindung, die zur elektrochemischen Abscheidung
bei der Erfindung fähig
sind, sind folgende:
wobei n eine Ganzzahl von
1 bis 3 ist,
wobei
R in unabhängiger
Weise jeweils ein Wasserstoffatom oder Methyl ist,
wobei R
1 Methyl
oder Phenyl ist,
wobei R
1 Methyl
oder Phenyl ist,
wobei R
1 Methyl
oder Phenyl ist,
wobei R
1 Methyl
oder Phenyl ist,
wobei R
1 Methyl
oder Phenyl ist,
wobei R
1 Methyl
oder Phenyl ist,
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Wie
hier verwendet, bezieht sich der Begriff elektrochemische Abscheidung
auf ein Verfahren zur Ausbildung von organischen Dünnschichten,
dadurch, dass Substrate, die beschichtet werden sollen, in ein Reaktionsgefäß eingelegt
werden, in dem die zuvor beschriebenen Verbindungen, welche die
abzuscheidenden organischen Dünnschichten
bilden, und Elektrolyte gelöst
sind, und die abzuscheidenden Verbindungen auf den zu beschichteten
Substraten durch Anlegen von Strom abgeschieden werden.
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Die
Verbindungen, welche die organischen Dünnschichten bilden, die abgeschieden
werden sollen, können
aus den zuvor beschriebenen Verbindungen ausgewählt werden, in Abhängigkeit
von den organischen Dünnschichten,
die auf den zu beschichtenden Substraten ausgebildet werden sollen,
und die organische Dünnschicht
ist eine der organischen Schichten, die zwischen Anode und Kathode
ausgebildet sind, und kann eine Löcherinjektionsschicht (HIL),
eine Löchertransportschicht
(HTL), eine emittierende Schicht (EML), eine Löcherblockierschicht (HBL),
eine Elektronentransportschicht (ETL) oder eine Elektroneninjektionsschicht (EIL)
sein.
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Jegliche
Lösungsmittel,
die fähig
sind, die Elektrolyte und die abzuscheidenden Verbindungen zu lösen, können im
zuvor beschriebenen Reaktionsgefäß verwendet
werden, und als spezielle Beispiele werden Dichlormethan (CH2CL2), Tetrahydrofuran
(THF), Acetonitril (CH3CN), Benzonitril
(C6H5CN), Propylencarbonat (1,2-Propandiolcyclocarbonat)
und Toluol (C6H5CH3) angeführt.
Im Fall eines Ausbildens organischer Dünnschichten, die zwei oder
mehr Schichten aufweisen, wäre
es jedoch angeraten, die Verwendung von Lösungsmitteln zu vermeiden,
welche die Verbindungen der zuvor ausgebildeten organischen Dünnschichten
lösen können. Die
zu verwendende Menge der Lösungsmittel
beträgt
vorzugsweise 0,01 bis 10 mM auf Basis der Konzentration der Verbindungen.
Falls die Konzentration zu gering ist, besteht die Möglichkeit,
dass die elektrochemische Abscheidung nicht korrekt durchgeführt wird,
und wenn diese zu groß ist,
können
Probleme in Verbindung mit der Steuerung der Dicke des elektrochemischen
Abscheidungsfilms und ein Spannungsabfall auftreten.
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Die
Elektrolyte, die im Reaktionsgefäß verwendet
werden können,
werden in den zuvor beschriebenen Lösungsmitteln gelöst, und
diese sind nicht auf spezielle Lösungsmittel
eingeschränkt,
sofern sie fähig
sind, die abzuscheidenden Verbindungen zu ionisieren, wenn Strom
angelegt wird, und als spezielle Beispiele sind Me4NBF4, Et4NBF4, Pr4NBF4, Bu4NBF4, Me4NClO4, Et4NClO4, Pr4NClO4, Bu4NClO4, Me4NPF6, Et4NPF6, Pr4NPF6, Bu4NPF6, LiClO4, LiBF4, LiPF6 und LiBOB
anzuführen.
Die Konzentration der Trägerelektrolyte
beträgt
vorzugsweise 50 mM bis 500 mM. Falls die Konzentration der Elektrolyte
zu gering ist, können
Probleme auftreten, wie beispielsweise ein Spannungsabfall.
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Als
Substrate, die bei der Erfindung zu beschichten sind, können jegliche
herkömmliche
Substrate verwendet werden, die verwendet werden, um organische
Dünnschichten
in OLED-Vorrichtungen auszubilden. Als spezielle Beispiele kann
es sich um ein Substrat mit darauf ausgebildeter Anode handeln;
oder ein Substrat, auf dem eine Anode und mindestens eine Schicht
der folgenden Schichten, und zwar eine Löcherinjektionsschicht (HIL),
eine Löchertransportschicht
(HTL), eine emittierende Schicht (EML), eine Löcherblockierschicht (HBL) und
einer Elektronentransportschicht (ETL) in dieser Reihenfolge abgeschieden
sind.
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Jegliche
Substrate, die in üblichen
organischen EL-Vorrichtungen verwendet werden, können als Substrate benutzt
werden, und es wird bevorzugt, organische Substrate oder durchsichtige
Kunststoffsubstrate mit hervorragender Durchsichtigkeit, Oberflächenebenheit,
leichter Handhabung und Wasserdichtigkeit zu verwenden.
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Auch
können
als Materialien zur Ausbildung einer Anode Indiumzinnoxid (ITH),
Indiumzinkoxid (IZO), Zinnoxid (SnO2), Zinkoxid
(ZnO), etc. verwendet werden, die durchsichtig sind und hervorragende
Leitfähigkeit haben.
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Die
eine oder mehreren organischen Schichten, und zwar von einer Löcherinjektionsschicht
(HIL), einer Löchertransportschicht
(HTL), einer emittierenden Schicht (EML), einer Löcherblockierschicht
(HBL) und einer Elektronentransportschicht (ETL), die auf den zu
beschichtenden Substraten auszubilden sind, können mittels bekannter Verfahren
oder der elektrochemischen Abscheidung der Erfindung ausgebildet
werden. Vorzugsweise werden die zuvor beschriebenen organischen
Schichten unter Verwendung der elektrochemischen Abscheidung der
Erfindung ausgebildet.
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Danach
können
auf der organischen Dünnschicht,
die durch das elektrochemische Abscheiden ausgebildet wird, weiter
eine oder mehrere organische Dünnschichten
mittels bekannter Verfahren zur Ausbildung organischer Schichten
oder mittels des elektrochemischen Abscheidens der Erfindung ausgebildet
werden, und zum Schluss werden organische lichtemittierende Vorrichtungen
durch Abscheiden einer Kathode auf den ausgebildeten organischen
Dünnschichten
fertiggestellt. In ähnlicher
Weise wird die elektrochemische Abscheidung vorzugsweise verwendet,
um die organischen Dünnschichten
bei diesem Schritt auszubilden.
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Selbstverständlich kann
die Kathode durch beliebige bekannte Verfahren ausgebildet werden,
und beispielsweise kann die Kathode durch eine Vakuum-Wärme-Abscheidung oder
durch Sputtern von Metallen zur Ausbildung der Kathode erzeugt werden.
Für die
Metalle zur Ausbildung der Kathode können Lithium (Li), Magnesium
(Mg), Aluminium (Al), Aluminium-lithium (Al-Li), Calcium (Ca), Magnesium-indium
(Mg-In), Magnesium-silber (Mg-Ag) und dergleichen verwendet werden.
Außerdem
können,
falls organische Elektrolumineszenzvorrichtungen des Typs, der Licht
nach vorne emittiert, erhalten werden sollen, durchsichtige Substanzen, wie
beispielsweise ITO oder IZO, als Kathode verwendet werden.
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Falls
bei der Erfindung erforderlich, ist es möglich, weiter eine oder mehrere
Zwischenschichten zwischen den gewählten Schichten von Anode,
Löcherinjektionsschicht
(HIL), Löchertransportschicht
(HTL), emittierende Schicht (EML), Löcherblockierschicht (HBL),
Elektronentransportschicht (ETL), Elektroneninjektionsschicht (EIL)
und Kathode auszubilden.
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Die
Dicke der organischen Dünnschichten,
die mittels der elektrochemischen Abscheidung gemäß der Erfindung
ausgebildet werden, kann durch eine Stromzyklussteuerung angepasst
werden, in Abhängigkeit
von der erforderlichen Höhe,
und beträgt
vorzugsweise 10 bis 1000 µm,
und stärker
bevorzugt 20 bis 150 µm.
Bei der Erfindung wird Strom vorzugsweise unter Verwendung von CV
(zyklischer Voltammetrie) angelegt. Eine Spannung wird im Spannungsbereich
innerhalb eines Potentialfensters angelegt, das keine Oxidationsreduktion
von Lösungsmitteln
oder Elektrolyten oder Elektroden zeigt, und wenn CV verwendet wird,
erfolgt, obschon es geringfügige
Schwankungen bei jeder Verbindung gibt, eine Spannungsrasterung,
beginnend von 0,30 V vs S. C. E. bis 1,65 (± 0,1) V vs S. C. E. mit einer
Spannungsrasterungsrate von 0,1 V/s und eine Rückkehr auf 0,30 V vs S. C.
E. mit der gleichen Rate, was 1 Zyklus darstellt, und vorzugsweise
werden mehrere Zyklen wiederholt. Mit Wiederholen der Zyklen und
Erhöhen
des Stroms schreitet die elektrochemische Abscheidung fort. Die
Dicke der Dünnschichten
der Verbindungen kann dadurch angepasst werden, dass man die Anzahl
der Zyklen, die Konzentration der Verbin dungen, die Spannungsrasterungsrate,
den Spannungsrasterungsbereich etc. variiert. Selbstverständlich ist
es möglich,
eine elektrochemische Abscheidung, anstatt durch zyklische Voltammetrie,
durch Anlegen einer potentiostatischen Spannung auszuführen.
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Außerdem kann,
nach Ausbildung der organischen Dünnschichten, mittels der elektrochemischen
Abscheidung der Erfindung, ein Spülschritt oder ein Trocknungsschritt
weiter ausgeführt
werden, falls erforderlich. Mittels des Spülschrittes können Elektrolytsubstanzen
beseitigt werden, die auf den organischen Dünnschichten vorhanden sein
könnten,
und diejenigen, die als Lösungsmittelbestandteil
des Reaktionsgefäßes verwendet
werden, werden vorzugsweise als Spüllösung verwendet. Der Trocknungsschritt
ist nicht auf spezielle Verfahren eingeschränkt, und jegliche bekannte
Trocknungsverfahren, die nach der Ausbildung bekannter organischer
Dünnschichten
von organischen lichtemittierenden Vorrichtungen ausgeführt werden
können, können verwendet
werden.
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Das
Verfahren zur Herstellung einer organischen Dünnschicht einer organischen
lichtemittierenden Vorrichtung unter Verwendung der elektrochemischen
Abscheidung der Erfindung kann unter Verwendung der nachfolgend
dargestellten Verbindung erläutert
werden (wobei R
1 Methyl ist):
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Als
Erstes bereitet man ein Reaktionsgefäß vor, in welchem die zuvor
beschriebene Verbindung in einem Lösungsmittel, Dichlormethan,
zusammen mit einem Elektrolyten, Bu4NBF4, gelöst
ist. Die Konzentration der Verbindung mit der oben angegebenen Formel
kann 0,5 mM betragen, und die Konzentration des Elektrolyten kann
0,1 M betragen. Danach legt man ein zu beschichtendes Substrat in
das Reaktionsgefäß ein und legt
Strom an. Das zu beschichtende Substrat kann ein Glassubstrat mit
ITO als darauf abgeschiedener Anode sein, wobei ein Substrat der
Glassubstrat-ITO-Löcherinjektionsschicht
in dieser Reihenfolge laminiert wird, oder ein Substrat der Glassubstrat-ITO-Löcherinjektionsschicht-Löchertransportschicht
in dieser Reihenfolge laminiert wird. Durch Anlegen von Strom wird
die im Reaktionsgefäß gelöste Verbindung
auf dem zu beschichtenden Substrat abgeschieden, und die abzuscheidende
Dicke kann durch die Anzahl der Zyklen von CV (zyklischer Voltammetrie)
angepasst werden. Nach der Abscheidung wird das mit der zuvor angegebenen
Verbindung beschichtete Substrat weiter mit einer oder mehreren
organischen Dünnschichten
beschichtet, beispielsweise einer Elektronentransportschicht und
einer Elektroneninjektionsschicht, falls erforderlich, nach Spülen und
Trocknen, und dann wird mittels Vakuum-Wärme-Abscheidung oder Sputtern
eine Kathode auf den organischen Schichten ausgebildet, wodurch
eine organische lichtemittierende Vorrichtung fertiggestellt wird.
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Das
Verfahren zur Herstellung einer organischen Dünnschicht einer organischen
lichtemittierenden Vorrichtung mittels elektrochemischer Abscheidung
gemäß der Erfindung
weist einen einfachen Prozess auf, und zwar Dank der Verwendung
monomolekularer Verbindungen, die käuflich zu erwerben oder ohne
Weiteres herzustellen sind, ohne dass spezielle Anlagen erforderlich
sind, weist hohe Produktivität
auf, und kann es erleichtern, die Dicke der herzustellenden Dünnschichten
zu steuern und kann eine Erosion der zuvor erzeugten organischen
Dünnschichten
beträchtlich
verbessern, die bei Herstellung von zwei oder mehr organischen Dünnschichten
mittels Rotationsbeschichten auftrat.
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Außerdem stellt
die Erfindung organische Dünnschichten
einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung bereit, die mittels
elektrochemischer Abscheidung hergestellt werden, sowie auch organische
lichtemittierende Vorrichtungen, welche die organischen Dünnschichten
aufweisen. Die organischen Dünnschichten gemäß der Erfindung
weisen eine hervorragende Haftung an Substraten auf, weisen eine
gleichmäßige Oberfläche auf,
da ihre Dicke auf molekularer Ebene angepasst werden kann, und weisen
hervorragende morphologische Stabilität auf, und speziell im Fall
von organischen Dünnschichten,
die mittels aufeinanderfolgender elektrochemischer Abscheidung von
zwei oder mehr Schichten erzeugt werden, sind die Grenzflächen zwischen
Schichten gleichmäßig, eine
Erosion bedingt durch Lösungsmittel
findet nicht statt, eine Haftung zwischen Grenzflächen ist
stark, und diese weisen feine Muster auf. Außerdem kann, da die organischen
Dünnschichten
gemäß der Erfindung
von den meisten organischen Lösungsmitteln
nicht angegriffen werden, eine durch Lösungsmittel bedingte Erosion
beträchtlich
verringert werden, sogar im Fall eines Ausbildens organischer Dünnschichten
mittels bekannter Rotationsbeschichtung.
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Zum
besseren Verständnis
der Erfindung werden nachfolgend bevorzugte Ausführungsformen beschrieben. Die
folgenden Beispiele dienen lediglich einer Erläuterung der Erfindung und bedeuten
keine Einschränkung
des Schutzumfangs der Erfindung.
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BEISPIELE
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Alle
Arbeiten bei den Beispielen der Erfindung erfolgten unter Stickstoff-
oder Argon-Atmosphäre
mittels üblicher
Schlenk-Technik. Tetrahydrofuran (THF) wurde unter Verwendung von
Kaliumbenzophenon unmittelbar vor Gebrauch destilliert. 1H und 13C
NMRs wurden unter Verwendung von Varian Mercury 300 von 300,1 und
75,4 MHz bestimmt. Alle chemischen Verschiebungen von Wasserstoff
und Kohlenstoff wurden unter Verwendung des Restbenzols von Quench-Lösungsmittel
(99,5% CDCl3) auf Basis von Tetramethylsilan (Me4Si) bestimmt. Die Elementaranalyse wurde
unter Verwendung von CHNS-O EA 1108 Analysator von Carlo Erba Co.,
Ltd. ausgeführt.
Der Fluoreszenz-Quantenertrag wurde mittels Verdünnungsverfahren auf Basis von 9,10-Diphenylanthracen
ermittelt. Für
das CV-Experiment wurde das elektrochemische Analysegerät BAS 100 verwendet.
Es wurde ein Drei-Elektroden-System
verwendet – amorpher
Kohlenstoff als Arbeitselektrode, Platindraht als Gegenelektrode
und Silberdraht als Referenzelektrode. Sauberes, destilliertes und
entgastes Methylenchlorid wurde als Lösungsmittel verwendet, und
0,1 M Tetra-n-Butylammoniumhexafluorphosphat wurde als Elektrolyt
verwendet. n-Butyllithium,
gelöst
in 1,4-Dibrombenzol 2,5 M Hexan, wurde von Aldrich Co. Ltd. käuflich erworben
und ohne weitere Reinigung verwendet.
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Synthese 1
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Synthese von 9,9'-Bis(Phenylcarbazol)-Derivaten, die
einen Silizium-Ring enthalten (Verbindungen a-d)
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9.9'-Bis(Phenylcarbazol),
das einen Silizium-Ring enthält
(Verbindungen a-d) wurden gemäß der nachfolgend
angegebenen Reaktionsformel 1 synthetisiert. 1,4-Dibrombenzol und Carbazol wurden unter
Verwendung einer Ullmann-Reaktion zur Reaktion gebracht, um Verbindung
1 herzustellen, und dieser wurde n-Butyllithium und Silancyclodichlorid
zugesetzt und dann zur Reaktion gebracht, um 9,9'-Bis(Phenylcarbazol)-Derivatverbindungen
a-d zu synthetisieren. Jedoch war im Fall einer 4-CBP-Verbindung
a der Ringkopplungswinkel instabil, so das sich ein Viereck-Ring
binnen Kurzem gelöst
hat. Alle 9,9'-Bis(Phenylcarbazol)-Derivate,
die einen Silizium-Ring enthielten, außer dem Viereck-Ring, konnten
mit Erträgen
von 40–50%
mittels Säulen
separiert werden.
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Synthese von 9-(4-Bromphenyl)carbazol
(Verbindung a)
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Ein
teflonbeschichteter magnetischer Rührstab, 1,4-Dibrombenzol (25,184
g, 200 mmol), Carbazol (8,36 g, 50 mmol), K2CO3 (13,82 g, 100 mmol) und CuSO4 (7,98
g, 50 mmol) wurden in einen Einhalskolben von 100 ml eingebracht
und bei 210°C 16
Stunden lang ohne Lösungsmittel
gerührt.
Nach Abschluss der Reaktion wurde das Gemisch mit Methylenchlorid
verdünnt
und gefiltert, und dann wurde die gefilterte Lösung mit destilliertem Wasser
und Salzlösung
gespült.
Die auf diese Weise erhaltene organische Schicht wurde unter Verwendung
von MgSO4 dehydriert.
1H NMR (CDCl3): δ 8.21
(d, 2H), 7.40 (d, 2H), 7.25 (t, 2H), 7,13 (t, 2H), 7.35 (d, 2H),
7.16 (d, 2H) 13C NMR (CDCl3): 111.1, 122.5, 125.7, 128.1, 130.2,
133.3
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Synthese von 9,9'-Bis(Phenylcarbazol), das einen Fünfeck-Siliziumring
enthält
(Verbindung b)
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Nachdem
9-(4-Bromphenyl)carbazol (1) (2,25 g, 12,5 mmol) in destilliertem
Tetrahydrofuran (THF) (10 ml) gelöst wurde, wurde diesem 2,5
M n-Butyllithium tropfenweise bei –78°C zugesetzt. Es wurde ein Rühren bei
der gleichen Temperatur 30 min lang ausgeführt, und dann wurde Dichlorcyclopentylsilan
(2 mmol) diesem tropfenweise langsam zugesetzt. Nach Abschluss des
tropfenweisen Zusetzens wurde die Reaktionstemperatur auf Raumtemperatur
erhöht,
und das Gemisch wurde wiederum 3 Stunden lang gerührt. Nach
Eliminieren der Lösungsmittel
wurden die Rückstände mittels
einer Silicagelsäule
unter Verwendung von Ethylacetat/Hexan (Volumenverhältnis 1:10)
als Entwickler separiert, und der Ertrag betrug 43%.
1H NMR
(CDCl3): δ 8.055,
7.753. 7.320, 7.215 (m, 16H, Cz), 7.536, 7.408 (m, 8H Ph), 1.839
(m, 4H, CH2), 1.198 (t, 4H, CH2). 13C NMR (CDCl3):
12.741, 28.158 (C H2), 110.098, 120.265, 120.538, 123.695, 126.145, 126.555,
135.963, 136.464, 139.05, 140.811 (CH).
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Synthese von 9,9'-Bis(Phenylcarbazol), das einen Silizium-Ring
mit Fünfeck-Doppelbindung enthält (Verbindung
c)
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Diese
Verbindung wurde gemäß dem gleichen
Verfahren synthetisiert, das für
die zuvor beschriebene Verbindung b verwendet wurde, und zwar unter
Verwendung von Dichlorpentenylsilan anstelle von Dichlorcyclopentylsilan
bei der Synthese von Verbindung b, und wurde mit einem Ertrag von
74% separiert.
1H NMR (CDCl3): 8.152,
7.877, 7.414, 7.297 (m, 16H, Cz), 7.654, 7.501 (m, 8H, Ph), 6.145
(m, H, CH2), 2.027 (d, 4H, CH). 13C NMR (CDCl3):
0.359, 17.361 (CH2) 110.038, 120.265, 120.516, 123.672. 126.130,
126.600, 131.229, 134.787. 136.464, 140.743 (CH).
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Synthese von 9,9'-Bis(Phenylcarbazol), das einen ein
Sechseck aufweisenden Silizium-Ring enthält (Verbindung d)
-
Diese
Verbindung wurde gemäß dem gleichen
Verfahren synthetisiert, das für
die zuvor beschriebene Verbindung b verwendet wurde, und zwar unter
Verwendung von Dichlorhexylsilan anstelle von Dichlorcyclopentylsilan
bei der Synthese von Verbindung b, und wurde mit einem Ertrag von
50% separiert.
1H NMR (CDCl3): 8.125,
7.805, 7.380, 7.266 (m, 16H, Cz), 7.588, 7.474 (m, 8H Ph), 1.890
(m, 4H, CH2), 1.614 (m, 2H, CH2), 1.334 (t, 4H, CH2). 13C NMR (CDCl3): 12.073, 24.789, 30.305 (CH2), 110.159,
120.273, 120.561, 123.710, 126.168, 126.585, 135.902, 136.236, 138.930,
140.81 (CH).
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Synthese 2
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Synthese von Mono-, Bis-, Tris-(9-Phenylcarbazol)
(Verbindungen 4–6),
und 9-Phenylcarbazol
(7)
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Mono-,
Bis-, Tris-(9-Phenylcarbazol) (Verbindungen 4–6) und 9-Phenylcarbazol (7)
wurden gemäß der nachfolgend
angegebenen Formel 2 hergestellt. Bromphenylcarbazol wurde in eine
organische Lithium-Verbindung in Tetrahydrofuran-(THF)-Lösungsmittel unter Verwendung
von n-Butyllithium bei –78°C umgewandelt und
dann mittels Wasser hydriert, um 9-Phenylcarbazol (Verbindung 7)
zu synthetisieren. Bromphenylcarbazol wurde in eine organische Lithium-Verbindung
in Tetrahydrofuran-(THF)-Lösungsmittel
mittels n-Butyllithium bei –78°C umgewandelt
und dann mit Trichlorsilan, Dimethyldichloridsilan und Trichlormethylsilan
zur Reaktion gebracht, um Mono-, Bis-, Tris-(9-Phenylcarbazol))
(Verbindung 4–6)
zu synthetisieren, jeweils mit Ertragen von 40 bis 75%. Verbindung
5 und Verbindung 6 wurden mittels Silica-Gel-Säule separiert, und Verbindung
4 konnte durch Rekristallisieren mittels Ether ohne Säulenseparation
erzielt werden.
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Synthese von 9-(4-Trimethylsilyl)phenyl)carbazol
(Verbindung 4)
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Diese
Verbindung wurde gemäß dem gleichen
Verfahren synthetisiert, das für
die zuvor beschriebene Verbindung b verwendet wurde, und zwar unter
Verwendung von Trimethylchlorsilan anstelle von Dichlorcyclopentylsilan
bei der Synthese von Verbindung b, und wurde mit einem Ertrag von
75% separiert.
1H NMR (CDCl3): 8.122,
7.719. 7.376, 7.262 (m, 8H, Cz), 7.527, 7.434 (m, 4H, Ph), 0.348
(s, 9H, CH3), 13C NMR (CDCl3): -0.605 (CH3),
110.136, 120.136, 120.516, 123.619, 126.115, 126.396, 135.045, 138.360, 139.984,
140.955 (CH).
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Synthese von Bis-(4-(Carbatol-9-yl)phenyl)dimethylsilan
(Verbindung 5)
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Diese
Verbindung wurde gemäß dem gleichen
Verfahren synthetisiert, das für
die zuvor beschriebene Verbindung b verwendet wurde, und zwar unter
Verwendung von Dichlordimethylsilan anstelle von Dichlorcyclopentylsilan
bei der Synthese von Verbindung b, und wurde mit einem Ertrag von
60% separiert.
1H NMR (CDCl3): 8.148,
7.829, 7.409, 7.290 (m, 16H, Cz), 7,625, 7.492 (m, 8H Ph), 0.734
(s, 6H, CH3), 13C NMR (CDCl3): -1.842 (CH3),
110.068, 120.197, 120.500, 123.626, 126.100, 126.487, 135.879, 137.260, 138.854,
140.796 (CH).
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Synthese von 9,9',9''-(4,4',4''-(Methylsilantriyl)tris(4,1-phenyl))tris(carbazol)
(Verbindung 6)
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Diese
Verbindung wurde gemäß dem gleichen
Verfahren synthetisiert, das für
die zuvor beschriebene Verbindung b verwendet wurde, und zwar unter
Verwendung von Trichlormethylsilan anstelle von Dichlorcyclopentylsilan
bei der Synthese von Verbindung b, und wurde mit einem Ertrag von
42% separiert.
1H NMR (CDCl3): 8.141,
7.897, 7.410, 7.288 (m, 24H, Cz), 7.683, 7.534 (m, 12H, Ph), 1.086
(s, 3H, CR3), 13C NMR (CDCl3): -2.600 (CH3), 110.129, 120.394, 120.607,
123.786, 126.214, 126.646, 134.795, 137.055, 193.430, 140.766 (CH).
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Synthese von 9-Phenylcarbazol (Verbindung
7)
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Nach
Lösen von
9-(4-Bromphenyl)carbazol (1) (2,25 g, 12,5 mmol) in destilliertem
Tetrahydrofuran (THF) (10 ml) wurde 2,5 M n-Butyllithium diesem
tropfenweise bei –78°C zugesetzt.
Bei der gleichen Temperatur wurde das Rühren 30 min lang fortgeführt, und
die Reaktion wurde unter Verwendung von destilliertem Wasser beendet.
Die organische Schicht wurde mittels Ether extrahiert und mittels
MgSO4 hydratisiert. Nach Eliminieren der
Lösungsmittel
wurde der Rückstand
aus der Etherphase rekristallisiert, was 13,8 g eines weißen Feststoffes
lieferte (Ertrag 93%).
1H NMR (CDCl3):
8.27 (d, 2H), 7.51 (d, 2H), 7.33 (t, 2H), 7.23 (t, 2H), 7.18 (d,
2H) 13C NMR (CDCl3): 111.8, 122.9, 125.7,
128.5, 130.8. 133.9
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Um
die elektrochemischen Eigenschaften und die HOMO- und LUMO-Niveaus
der zuvor erläuterten Verbindungen
b–d und
der Verbindungen 4–7
zu untersuchen, wurden CV-Versuche durchgeführt, und zwar unter Verwendung
einer Pt- Arbeitselektrode,
einer Pt-Gegenelektrode und einer Ag/Ag+(0,1 M)-Elektrode als Referenzelektrode.
Ein CV wurde mit Variieren mehrerer Messgeschwindigkeiten mittels
Lösen von
0,1 M Tetrabutylammoniumtetrafluorborat (Bu4NBF4) als Elektrolyt in Methylenchlorid-Lösungsmittel
und Einblasen von Stickstoffgas bei Raumtemperatur durchgeführt. Die
gemessenen Werte wurden auf Basis von Ferrocen untersucht. Die elektrochemische
Abscheidung unter Verwendung von CV wurde mit einer Rate von 100
mV/s ausgeführt.
Als Erstes wurden die elektrochemischen Eigenschaften von 9,9-Bis(Phenylcarbazol)-Derivaten untersucht,
die einen Silizium-Ring enthielten. Im Verlauf der Analyse der elektrochemischen
Eigenschaften wurde gefunden, dass ein gewisses Ausmaß an Filmen
auf der Arbeitselektrode ausgebildet war. Um Bedingungen zu untersuchen,
unter denen eine elektrochemische Abscheidung auftrat, wurde 1/2CBP
(Verbindung 7) und Verbindungen 4, 5 und 6 synthetisiert, und CBP
wurde von Gracel Co., Ltd. käuflich
erworben, und diese wurden CV-Prüfungen
unter den gleichen Versuchsbedingungen unterzogen. Die CV-Bilder
von CBP-Derivaten (Verbindungen b–d und Verbindungen 4–7), die
mit Silizium und CBP verbunden sind, sind in 1 bis 6 dargestellt.
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Wie
aus
1 bis
6 zu ersehen, erfolgte bei allen
CBP-Derivaten außer
1/2 CBP eine elektrochemische Abscheidung. Basierend auf diesem
Versuch kann verifiziert werden, dass mindestens zwei 9-Phenylcarbazol-Derivate
für eine
elektrochemische Abscheidung erforderlich sind. Weiter konnte verifiziert
werden, dass alle CBP-Derivate,
die mit Silizium verbunden sind, sehr ähnliche elektrochemische Eigenschaften
haben, aufgrund des in ihrer Mitte vorhandenen Siliziumatoms. Außerdem konnte,
da ein Van-der-Waals-Radius um das mittlere Siliziumatom herum klein
wurde, wenn eine elektrochemische Abscheidung erfolgte, und da die
Anzahl von zu substituierenden CBP-Derivaten zunahm, eine elektrochemische
Abscheidung ohne Weiteres erfolgen, und die Ergebnisse sind in Tabelle
1 zusammengefasst. Tabelle 1
Posten | Verbindung | Oxidation
(Einheit: 10–8 mol
1/2 CBP (cm2) | Reduktion
(Einheit: 10–8 mol
1/2 CBP (cm2) |
1 | CBP | 8,0
(420 Schichten) | 8,6
(460 Schichten) |
2 | Verbindung
b | 5,2
(280 Schichten) | 5,4
(310 Schichten) |
3 | Verbindung
c | 2,1
(110 Schichten) | 2,4
(130 Schichten) |
4 | Verbindung
d | 1,3
(70 Schichten) | 1,4
(70 Schichten) |
5 | Verbindung
5 | 3,0
(160 Schichten) | 3,6
(190 Schichten) |
6 | Verbindung
6 | 23,1
(1220 Schichten) | 23,7
(1250 Schichten) |
- *Platin-Elektrode wurde verwendet, die
Anzahl der Schichten wurde auf Basis der Tatsache berechnet, dass für eine monomolekulare
Schicht von 9,10-Phenanthachinon
(PAQ) ein Wert von 1,9 × 10–10 mol
PAQ/cm2 gilt.
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Industrielle Anwendbarkeit
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Das
Verfahren zur Herstellung einer organischen Dünnschicht einer organischen
lichtemittierenden Vorrichtung mittels elektrochemischer Abscheidung
gemäß der Erfindung
weist einen einfachen Prozess auf, und zwar Dank der Verwendung
monomolekularer Verbindungen, die käuflich zu erwerben oder ohne
Weiteres herzustellen sind, ohne dass spezielle Anlagen erforderlich
sind, weist hohe Produktivität
auf, und kann es erleichtern, die Dicke der herzustellenden Dünnschichten
zu steuern, und kann eine Erosion der zuvor erzeugten organischen
Dünnschichten
beträchtlich
verbessern, die bei Herstellung von zwei oder mehr organischen Dünnschichten
mittels Rotationsbeschichten auftrat.
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Außerdem weisen
die organischen Dünnschichten
gemäß der Erfindung
eine hervorragende Haftung an Substraten auf, weisen eine gleichmäßige Oberfläche auf,
da ihre Dicke auf molekularer Ebene angepasst werden kann, und weisen
hervorragende morphologische Stabilität auf, und speziell im Fall
von organischen Dünnschichten,
die mittels aufeinanderfolgender elektrochemischer Abscheidung von
zwei oder mehr Schichten erzeugt werden, sind die Grenzflächen zwischen
Schichten gleich mäßig, eine
Erosion bedingt durch Lösungsmittel
findet nicht statt, eine Haftung zwischen Grenzflächen ist
stark, und diese weisen feine Muster auf. Außerdem kann, da sie von den
meisten organischen Lösungsmitteln
nicht angegriffen werden, eine durch Lösungsmittel bedingte Erosion
beträchtlich
verringert werden, sogar im Fall eines Ausbildens organischer Dünnschichten
mittels bekannter Rotationsbeschichtung auf den organischen Dünnschichten
gemäß der Erfindung.
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ZUSAMMENFASSUNG:
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Diese
Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung einer organischen
Dünnschicht
einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung unter Verwendung
elektrochemischer Abscheidung bereit, und insbesondere stellt sie
ein Verfahren zur Herstellung einer organischen Dünnschicht
einer organischen lichtemittierenden Vorrichtung bereit, die eine
oder mehrere organische Dünnschichten
zwischen Anode und Kathode aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass
die organische Dünnschicht
durch elektrochemisches Abscheiden einer Verbindung ausgebildet
wird, die eine Bis(Phenylcarbazol)-Gruppe im Molekül aufweist.
Das Verfahren zur Herstellung der organischen Dünnschichten von OLED-Vorrichtungen
gemäß der Erfindung
weist einen einfachen Prozess auf, Dank der Verwendung monomolekularer
Verbindungen, die ohne Weiteres käuflich zu erwerben und herzustellen
sind, weist große
Produktivität
auf, erleichtert es, die Dicke von herzustellenden Dünnschichten
zu steuern, und weist hervorragende Haftung auf Substraten auf,
und verbessert weiter eine Erosion beträchtlich, die in einer als erstes
ausgebildeten organischen Dünnschicht
während
des Prozesses einer Ausbildung einer zweiten organischen Dünnschicht
auftreten kann, insbesondere wenn zwei oder mehr organische Dünnschichten
in OLED-Vorrichtungen hergestellt werden sollen, und weist hervorragende
morphologische Stabilität
auf.