DE112007000585T5

DE112007000585T5 - Unterdrücken elektrostatischer Entladung, die mit Radiofrequenz-Identifikations Tags zusammenhängt

Info

Publication number: DE112007000585T5
Application number: DE112007000585T
Authority: DE
Inventors: Stephen Lake Zurich Whitney
Original assignee: Littelfuse Inc
Current assignee: Littelfuse Inc
Priority date: 2006-03-10
Filing date: 2007-03-09
Publication date: 2009-01-15
Also published as: JP5235687B2; WO2007106747A2; US20070211398A1; JP2009529734A; WO2007106747A3; TW200809639A

Abstract

System zur Unterdrückung elektrostatischer Entladung, umfassend:
eine elektrische Schaltung (100) mit einer ersten Leiterspur (118) und einer zweiten Leiterspur (120), die mit der ersten Leiterspur ausgerichtet ist und ausgestaltet ist eine Lücke (128) dazwischen festzulegen;
eine elektrische Einrichtung (112) mit einem ersten Kontakt, der für ein Verbinden mit der ersten Leiterspur ausgestaltet ist, und einen zweiten Kontakt, der für ein Verbinden mit der zweiten Leiterspur ausgestaltet ist; und
ein Spannungsvariables Material (126), das an der Lücke in einer anisotropen Konfiguration benachbart angeordnet ist, um die erste Leiterspur mit der zweiten Leiterspur bei Auftreten eines elektrostatischen Entladungsereignisses direkt elektrisch zu verbinden.

Description

Hintergrund
Die Verwendung von Radiofrequenz-Identifikations ("RFID") Tags ist gut bekannt. RFID Tags werden häufig zum Ersetzen herkömmlicher Barcodes und Unterstützen bekannter Identifikationsmarkierungen verwendet. RFID Tags betreffen irgendeinen Baustein bzw. Chip oder Einrichtung, welche(r) aus einer Entfernung und durch Gegenstände oder Hindernisse mittels Radiofrequenzen erkannt oder gelesen werden kann. RFID Tags sind häufig an palettierten Gütern angebracht, um einem Benutzer die Inventur aller Güter gleichzeitig durch einfaches Abfragen deren jeweiliger Tags mit einem Lesegerät zu ermöglichen. Im Gegensatz dazu muss jede Position auf einer Palette, und die Palette selbst, einzeln gescannt werden, um die Inhalte und den Status zu verifizieren, sofern herkömmliche Barcodes eingesetzt werden. RFID Tags ermöglichen daher eine erhebliche Zeitersparnis und Effizienzvorteile.
RFID Tags können ebenso bei Verbraucheranwendungen eingesetzt werden, um Produktqualität, Status und Ort gewährzuleisten und zu verfolgen. Da die Technologie voranschreitet können RFID Tags eingesetzt werden, um interaktive oder Multimedia Produktanweisungen, Verordnungshinweise und andere nützliche Informationen bereitzustellen. RFID Tags schließen für gewöhnlich eine integrierte Schaltung ein, welche aus einem Halbleitermaterial und isolierenden Materialien aufgebaut ist. Halbleitermaterialien, beispielsweise Silizium, und isolierende Materialien, beispielsweise Siliziumdioxid sind gegenüber Schäden anfällig, die durch elektrostatische Entladung ("ESD") oder den unvermittelten und kurzzeitigen elektrischen Strom verursacht werden, der durch einen Überschuss an elektrischer Ladung verursacht wird, welche sich in einem Abschnitt des Tags aufgebaut hat, und der zu einem anderen Objekt mit einem verschiedenen elektrischen Potential fließt. ESD kann die Halbleiter- und isolierende Materialien zerstören, welche die integrierte Schaltung umfassen, was wiederum das Versagen des RFID zur Folge hat.
Da die Verwendung von RFID Tags üblicher wird und deren Funktionalität und Komplexität zunimmt, wird ein Versagen und Funktionsunfähigkeit der Tags zunehmend negative Auswirkungen aufweisen. Es ist daher von Vorteil ein System, eine Vorrichtung und/oder ein Verfahren bereitzustellen, welche RFID Tags und andere ähnliche Einrichtungen oder Schaltungen vor ungewollten und möglicherweise schädlichen ESD Ereignissen schützen.
Übersicht
Ein System und Verfahren zum Unterdrücken und Steuern elektrostatischer Entladung und Schützen vor Schaden, welcher durch elektrostatische Entladungsereignisse verursacht wird, wird hierin offenbart. Ein System zum Steuern elektrostatischer Entladungen wird offenbart, das insbesondere Spannungsvariable Materialien beinhaltet, um die elektrostatische Ladung zu kompensieren und auszugleichen, die sich zwischen Abschnitten einer nicht-kontinuierlichen elektrischen Schaltung akkumulieren kann.
Ein System zur Unterdrückung elektrostatischer Entladung beinhaltet in einer Ausführungsform eine elektrische Schaltung mit einer ersten Leiterspur bzw. Schaltungsspur und einer zweiten Leiterspur, die mit der ersten Leiterspur ausgerichtet und ausgestaltet ist eine Lücke dazwischen festzulegen. Das System beinhaltet ferner eine elektrische Einrichtung mit einem ersten Kontakt, der für eine Verbindung mit der ersten Leiterspur ausgestaltet ist, und einem zweiten Kontakt, der für eine Verbindung mit der zweiten Leiterspur ausgestaltet ist. Die Ausführungsform beinhaltet ebenso ein Spannungsvariables Material, welches zu der Lücke in einer anisotropen Konfiguration angrenzend bzw. benachbart angeordnet ist, um die erste Leiterspur mit der zweiten Leiterspur beim Auftreten eines elektrostatischen Entladungsereignisses direkt elektrisch zu verbinden.
Ein System zur Unterdrückung elektrostatischer Entladung beinhaltet in einer anderen Ausführungsform eine Antenne mit einer ersten Leiterspur und einer zweiten Leiterspur, welche mit der ersten Leiterspur ausgerichtet und ausgestaltet ist eine Lücke dazwischen festzulegen. Das System beinhaltet ferner eine RFID Einrichtung mit einem ersten Kontakt, der für eine elektrische Verbindung mit der ersten Leiterspur ausgestaltet ist, und einem zweiten Kontakt, der für eine elektrische Verbindung mit der zweiten Leiterspur ausgestaltet ist. Die Ausführungsform beinhaltet ebenso ein Spannungsvariables Material, welches zu der Lücke in einer anisotropen Konfiguration angrenzend angeordnet ist, um die erste Leiterspur mit der zweiten Leiterspur beim Auftreten eines elektrostatischen Entladungsereignisses direkt elektrisch zu verbinden.
Ein Verfahren zur Unterdrückung einer elektrostatischen Entladung beinhaltet in einer weiteren Ausführungsform das Bereitstellen einer Antenne, Festlegen einer Lücke zwischen erstem und zweiten Abschnitt der Antenne, elektrisches Verbinden einer RFID Einrichtung mit dem ersten und zweiten Abschnitt der Antenne und Abscheiden eines Spannungsvariablen Materials in der Lücke, worin das Spannungsvariable Material in einer anisotropen Art abgeschieden ist, um den ersten und zweiten Abschnitt der Antenne beim Auftreten eines elektrostatischen Entladungsereignisses elektrisch zu verbinden.
Systeme und Verfahren, die gemäß der hierin bereitgestellten Offenbarung ausgestaltet sind, können eine elektrostatische Entladung vorteilhaft unterdrücken und steuern und elektronische Einrichtungen, wie beispielsweise RFID Tags, vor Schäden schützen, welche durch ein elektrostatisches Entladungsereignis hervorgerufen werden. Diese beispielhaften Systeme und Verfahren sind darüber hinaus kostengünstig und einfach herzustellen. Diese beispielhaften Systeme und Verfahren bieten ferner eine größere strukturelle Beanspruchbarkeit und Widerstandsfähigkeit gegenüber Belastungen, welche durch thermische Leitfähigkeits-Fehlanpassungen bzw. Unausgeglichenheiten zwischen den Materialien, Komponenten, usw. verursacht werden. Zusätzliche Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung sind in der nachstehend aufgeführten ausführlichen Beschreibung und den Figuren beschrieben und werden daraus ersichtlich werden.
Kurze Beschreibung der Figuren
1 zeigt ein bekanntes Radiofrequenz-Identifikationssystem.
2 zeigt eine Ausführungsform einer Radiofrequenz-Identifikationseinrichtung, welche gemäß der Lehren der vorliegenden Offenbarung ausgestaltet ist.
3 zeigt eine Explosionsansicht der in 2 gezeigten Radiofrequenz-Identifikationseinrichtung.
4 zeigt eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform der Radiofrequenz-Identifikationseinrichtung, welche entlang der in 3 gezeigten Schnittlinie III-III genommen ist.
5 zeigt eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform der Radiofrequenz- Identifikationseinrichtung, welche entlang der in 3 gezeigten Schnittlinie III-III genommen ist.
6A und 6B zeigen vergrößerte Schnittansichten der Einrichtung der Radiofrequenz-Identifikationseinrichtung, wie in Legende (call-out) V der 5 gezeigt.
7 zeigt eine Schnittansicht einer anderen Ausführungsform der Radiofrequenz-Identifikationseinrichtung, welche entlang der in 3 gezeigten Schnittlinie III-III genommen ist.
8A und 8B zeigen eine andere Ausführungsform einer Radiofrequenz-Identifikationseinrichtung, welche gemäß der Lehren der vorliegenden Offenbarung ausgestaltet ist.
9 zeigt eine Ausführungsform einer Baustein Anordnung zur Verwendung mit einer Radiofrequenz-Identifikationseinrichtung, welche gemäß der Lehren der vorliegenden Offenbarung ausgestaltet ist.
10 zeigt die Anisotropie, welche in einem Spannungsvariablen Material in Ausführungsformen eines Systems zur Steuerung elektrostatischer Entladung vorliegen können.
11 zeigt ein anderes System zur Unterdrückung elektrostatischer Entladung, in welchem zum Schutz einer elektronischen Einrichtung Anisotropie eingesetzt wird.
Ausführliche Beschreibung
Die 1 zeigt ein bekanntes Radiofrequenz-Identifikationssystem, welches ein Lesegerät 50 beinhaltet, das zum Zusammenwirken mit einem Radiofrequenz-Identifikations ("RFID") Tag 10 ausgestaltet ist. Das Lesegerät 50, das eine tragbare Einrichtung sein kann, wie beispielsweise ein Minicomputer oder Scanner, beinhaltet einen Prozessor 52, der mit einer Stromquelle 54 und einem Transceiver 56 verbunden ist. Der RFID Tag 10 beinhaltet eine Antenne 12, die mit einem integrierten Schaltungsbaustein oder Baustein 14 verbunden sein kann oder nicht, der zusätzliche Produktinformation, Verfolgungsinformation, Versandinformation oder irgendeine andere gewünschte Produktinformation speichern oder enthalten kann. Der Prozessor 52, welcher von der Stromquelle 54 betrieben wird, stellt in Betrieb ein Signal bereit, das durch den Transceiver 56 übertragen wird. Die Übertragungsenergie des durch den Transceiver 56 übertragenen Signals dient zum induktiven und kommunikativen Verbinden des RFID Tags 10 mit dem Lesegerät 50. Ein elektrischer Strom wird wiederum in der Antenne 12 induktiv erzeugt. Der elektrische Strom kann als ein "Nullbit" dienen, um die Anwesenheit oder Abwesenheit des RFID Tags 10 einfach anzuzeigen. Der elektrische Strom kann wahlweise den Baustein 14 betreiben, wodurch eine Kommunikation der zusätzlichen, darauf gespeicherten Information zwischen dem RFID Tag 10 und dem Lesegerät 50 ermöglicht wird.
Der RFID Tag 10 ist wie gezeigt ein passiver Tag, welcher keine innere Stromquelle beinhaltet und anstelle induktiv betrieben und durch das Lesegerät 50 abgefragt wird. Der RFID Tag 10 kann bei einer Anwendung mit der vorliegenden Offenbarung wahlweise eine Halb-passive Einrichtung sein, welche eine Batterie beinhaltet, die auf das Substrat gedruckt ist. Die Zufügung der gedruckten Batteriestromquelle ermöglicht der Antenne 12 eine Optimierung für eine Kommunikation im Gegensatz zur Stromerzeugung. Der RFID Tag 10 kann in einer anderen Ausführungsform ein aktiver Tag sein, der eine Batterie langer Lebensdauer, einen oder mehrere integrierte Schaltungen 14, Anzeigelemente, Speicherelemente, etc. beinhaltet.
Der RFID Tag 10 beinhaltet für die Zwecke der vorliegenden Offenbarung und ungeachtet seiner körperlichen Ausgestaltung irgendeine Einrichtung, die für eine Kommunikation von Information über Radiowellen ausgestaltet ist, die bei Frequenzen von ungefähr 100 kHz oder mehr übertragen werden. Die Betriebsfrequenzen der einzelnen Tags können angesichts der hohen Ähnlichkeit der Gesamtstrukturen von herkömmlichen Tags in der Tat als eine nebensächliche Erwägung erachtet werden. Die Frequenzen, bei welchen ein bestimmter Tag betrieben wird, ist daher kein elementares Anliegen, eher ist die Empfänglichkeit des herkömmlichen Tags oder Tag-struktur/aufbau gegenüber Schaden von Interesse, der durch ein ESD Ereignis verursacht wird.
Die 2 und 3 zeigen eine Ausführungsform eines Radiofrequenz-Identifikations (RFID) Tags 100, der gemäß den Lehren der vorliegenden Offenbarung ausgestaltet ist. Die 2 zeigt ein mehrschichtiges (Multipaneel) Substrat 102, das für eine Verwendung in einem Druckverfahren ausgestaltet ist. Das mehrschichtige Substrat 102 beinhaltet Öffnungen für eine Werkzeugsbereitstellung oder Bezugspunkte 104 zur körperlichen und/oder visuellen Ausrichtung mit einem Siebdrucker oder Drucker (nicht gezeigt). Das mehrschichtige Substrat 102 beinhaltet ferner mehrere einzelne Paneele 106, die in einer gemeinsamen Matrix gehalten werden. Jedes einzelne Paneel 106 auf dem mehrschichtigen Substrat 102 kann in dieser Anordnung unter Verwendung metallisierter Tinte oder Paste gleichzeitig ge druckt werden, um beispielsweise eine Antenne 108, eine Batterie (nicht gezeigt), eine organische Lichtemittierende Dioden ("OLED") Matrix (nicht gezeigt), einen Prozessor, etc., festzulegen. Diese Anordnung ermöglicht eine Hochgeschwindigkeitsherstellung der mehreren RFID Tags, was aufgrund der zunehmenden Nachfrage für diese Einrichtungen von Vorteil ist.
Die 3 zeigt eine Explosionsansicht der Schichten des RFID Tags 100, welche als ein Element des mehrschichtigen Substrats 102 hergestellt werden können. In dieser beispielhaften Ausführungsform ist das Paneel 106 beispielsweise von dem mehrschichtigen Substrat 102 getrennt und trägt bzw. stützt eine Druck-Haftmittel Schicht 110 auf der unteren Oberfläche. Das Paneel 106 kann beispielsweise ein vorgeritztes Panel sein, welches eine einfache mechanische Trennung von dem mehrschichtigen Substrat 102 ermöglicht. Das Paneel 106 kann wahlweise aus dem mehrschichtigen Substrat 102 auf irgendeine bekannte Art ausgestanzt oder weggeschnitten werden. Unbeachtlich auf welche Weise die einzelnen Paneele 106 von der durch das mehrschichtige Substrat 102 gebildeten Matrix entfernt werden, stellt die Haftmittel Schicht 110 einen Mechanismus bereit, durch den eine mechanische Bindung zwischen dem RFID Tag 100 und einem anderen Gegenstand gebildet werden kann. Es wird klar sein, dass das Paneel 106 ein aktives Substrat, ein festes Substrat, wie beispielsweise FR-4, Keramik, Glas, ein flexibles Substrat oder irgendeine Variation dazwischen, beruhend auf der Anwendung in welcher der RFID Tag 100 eingesetzt werden soll, sein könnte.
Die Antenne 108 kann auf der oberen Oberfläche des Paneels 106 durch beispielsweise ein Tintendrucker Verfahren abgeschieden bzw. aufgebracht werden. Die Antenne 108 beinhaltet einen ersten Antennenabschnitt 114 und einen zweiten Antennenabschnitt 116. Der erste Antennenabschnitt 114 beinhaltet eine erste Leiterspur 118 und ein erstes Auflager bzw. Block 122. Der zweite Antennenabschnitt 116 beinhaltet eine zweite Leiterspur 120 und ein zweites Auflager 124. Das erste und zweite Auflager 122, 124 kann für ein Tragen oder Verbinden mit einem Siliziumbaustein 112 ausgestaltet sein, der eine integrierte Schaltung, wie beispielsweise der Baustein 14, sein kann oder nicht. Der Siliziumbaustein 112 kann für ein Durchführen mehrerer Aufgaben, wie beispielsweise einem Speichern von Produktinformationen, Produktstatus, Ortsangabe des Produkts, Anweisungen für eine Verwendung des Produkts, etc., ausgestaltet oder programmiert sein. Der Baustein 112 kann, wie vor stehend in Zusammenhang mit dem integrierten Schaltungsbaustein 14 erörtert, durch Energie mit Strom versorgt werden, die von dem Lesegerät 50 in der Form eines induktiven Stroms erhalten wird, der durch die Antenne 108 erzeugt wird. Der Baustein 112 kann wahlweise durch eine Batterie 111, die einen Teil der Schaltung darstellt, mit Strom versorgt werden. Die Batterie 111 kann eine getrennt vorliegende Batterie sein, die auf dem Substrat platziert ist, oder kann eine kostengünstige Batterie sein, die auf dem Substrat als Teil der RFID Schaltung gedruckt ist. Die Schaltung kann darüber hinaus eine Beleuchtungsquelle 113, wie beispielsweise eine OLED, beinhalten, die zumindest mit der integrierten Schaltung 112 verbunden ist.
Ein Spannungsvariables Material 126 wird in der gezeigten Ausführungsform über eine Lücke 128 abgeschieden, welche zwischen dem ersten und zweiten Auflager 122, 124 festgelegt ist. Das Spannungsvariable Material kann einen isolierenden Binder beinhalten, der seinerseits eine oder mehrere oder alle der bestimmten Typen von Teilchen, wie beispielsweise isolierenden Teilchen, halbleitenden Teilchen, dotierte halbleitende Teilchen, leitende Teilchen und verschiedene Kombinationen derselben, trägt und sichert. Der isolierende Binder kann intrinsische Haftmittel Eigenschaften aufweisen und auf Oberflächen, wie beispielsweise eine leitende, metallische Oberfläche oder eine nichtleitende, isolierende Oberfläche, selbsthaftend sein. Der isolierende Binder kann ferner ein selbsthärtender Binder sein, so dass das Spannungsvariable Material 126 auf die Lücke 128 und erste und zweite Auflager 122, 124 aufgebracht werden und anschließend ohne Erhitzen oder anderweitiges Aushärten verwendet werden kann. Es sollte jedoch klar sein, dass das den Binder beinhaltende Spannungsvariable Material 126 erhitzet oder ausgehärtet werden kann, um den Härtungsvorgang zu beschleunigen. Andere Ausführungsformen des Spannungsvariablen Materials sind in dem gemeinsam übertragenen US Patent 7,183,891 mit dem Titel "Direct Application Woltage Variable Material, Devices Employing Same and Methods of Manufacturing such Devices" offenbart, dessen gesamter Inhalt durch Bezug für alle Zwecke aufgenommen ist. Das Spannungsvariable Material kann auf die Auflager und in die Lücke siebgedruckt, Schablonen- bzw. Matrizengedruckt, von einer unter Druck stehenden Quelle des Materials auf eine gesteuerte und direkte Art verteilt, oder Bestückungs- bzw. Beschickungs- verteilt werden.
Leitende Teilchen werden in Ausführungsformen des Systems zur Unterdrückung elektro statischer Entladung wirksam verwendet. Leitende Teilchen können Teilchen aus Aluminium, Messing, schwarzem Kohlenstoff, Kupfer, Graphit, Gold, Eisen, Nickel, Palladium, Platin, Silber, rostfreiem Stahl, Zinn, Titan, Wolfram, Zink und Legierungen davon ebenso wie andere Metalllegierungen beinhalten. Die Teilchen weisen in einer Ausführungsform vorzugsweise eine Teilchengröße von weniger als 60 Micron (Mikrometern) auf. Andere Ausführungsformen weisen Teilchengrößen von weniger als 20 Micron, oder weniger als 10 Micron auf. Leitende Teilchen werden in einer anderen Ausführungsform mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von weniger als 1 Micron, bis zum Nanometerbereich hin, verwendet.
Halbleitende oder isolierende Teilchen können ebenso verwendet werden, um eine elektrostatische Entladung zu unterdrücken und zu steuern. Halbleitende Teilchen beinhalten in einer Ausführungsform Teilchen aus pyrogener Kieselsäure ("Cab-O-Sil"), Siliziumcarbid, Oxide von Wismut, Kupfer, Zink, Calcium, Vanadium, Eisen, Magnesium, Calcium und Titan; Carbide von Silizium, Aluminium, Chrom, Titan, Molybdän, Beryllium, Bor, Wolfram und Vanadium; Sulfide von Cadmium, Zink, Blei, Molybdän, und Silber; Nitride, wie beispielsweise Bornitrid, Siliziumnitrid und Aluminumnitrid; Bariumtitanat und Eisentitanat; Silizide von Molybdän und Chrom; und Boride von Chrom, Molybdän, Niob und Wolfram. Die halbleitenden Teilchen beinhalten in einer anderen Ausführungsform ein Teilchen von einem oder mehr von Siliziumcarbid, Bariumtitanat, Bornitrid, Borphosphid, Cadmiumphosphid, Cadmiumsulfid, Galliumnitrid, Galliumphosphid, Germanium, Indiumphosphid, Magnesiumoxid, Silizium, Zinkoxid, und Zinksulfid, ebenso wie elektrisch einigermaßen leitende Polymere, wie beispielsweise Polypyrol oder Polyanilin. Diese Materialien sind mit geeigneten Elektronendonoren, wie beispielsweise Phosphor, Arsen, oder Antimon, oder Elektronenakzeptoren, wie beispielsweise Eisen, Aluminum, Bor, oder Gallium, dotiert, um ein gewünschtes Niveau einer elektrischen Leitfähigkeit zu erhalten. Isolierende Teilchen können etwas kleiner sein als jene der leitenden Teilchen, mit bevorzugten Größen im Bereich von 200 bis ungefähr 1000 Angström (Å), und einer Haupt- bzw. Mengen- bzw. Massen-Leitfähigkeit von weniger als 1 Siemens/m. Halbleitende Teilchen können etwas größere Teilchendurchmesser, von beispielsweise ungefährt 0,1 Micron bis ungefähr 5 Micron, aufweisen.
Isolierende Teilchen können in einigen Ausführungsformen ebenso Teilchen der nachstehend aufgeführten Materialien beinhalten: Glas, Glaskugeln, Calciumcarbonat, Calciumsulfat, Bariumsulfat, Aluminumtrihydrat, Kaolin, Kaolinit, Kunststoffe, wie beispielsweise sehr kleine Teilchen von thermoplastischen oder duroplastischen Polymeren. Die isolierenden Materialien können ebenso Oxide von Eisen, Aluminum, Zink, Titan, Kupfer und Tonerde, wie beispielsweise Tonerde vom Montmorillonit- oder Bentonit-Typ enthalten.
Eine sehr dünne Schicht aus Glas oder Polymer, welche unter gewöhnlichen Betriebsbedingungen als Isolator wirkt, kann in anderen Ausführungsformen als ein Spannungsvariables Material eingesetzt werden. Diese Materialien beinhalten dünne Unterlagen oder Schichten aus Glas- oder Polymerfasern, wie beispielsweise Aramidfasern, die ebenso als Nomex^® oder Kevlar^® Fasern bekannt sind. Polymere können ebenso Siliziumgummi und Elastomer, natürlichen Gummi, Organopolysiloxan, Polyethylen, Polypropylen, Polystyrol, Poly(methylmethacrylat), Polyacrylnitril, Polyacetal, Polycarbonat, Polyamid, Polyester, Phenol-formaldehyd, Epoxy, Alkyd, Polyurethan, Polyimid, Phenoxy, Polysulfid, Polyphenylenoxid, Polyvinylchlorid, Fluorpolymer und Chlorfluorpolymer beinhalten. Diese Materialien, insbesondere Unterlagen aus sehr dünnem, d. h. Fasern mit einem geringen Denierwert, können mit einer Flüssigkeit oder Paste Haftmittel Matrix verwendet werden, um an Schichten zu haften, zwischen welchen ein Spannungsvariables Material erwünscht ist. Falls ein elektrostatisches Entladungsereignis auftritt kann eine Leitung über oder durch das Material erfolgen, wobei die Schaltung dessen Teil sie bildet geschützt wird. Eine derartige Schicht oder Unterlage kann beispielsweise in eine Richtung für eine höhere Spannungsentladung verwendet werden, wohingegen wechselnde Materialien in einer anderen Richtung für eine geringere Spannungsentladung verwendet werden können, oder sogar für eine Leitung unter gewöhnlichem Betrieb, wie nachstehend erörtert. Diese Materialien stellen daher einen Weg bereit, um einen anisotropen Schutz gegen elektrostatische Entladung zu erhalten, was ebenso nachstehend erörtert wird.
Das Spannungsvariable Material 126 schützt gegen elektrische Überbeanspruchungstransienten, die elektrische Felder hoher Stärke und eine ungewöhnlich hohe Spitzenleistung erzeugen. Diese elektrischen Überbeanspruchungstransienten oder Entladungen können wie vorstehend erörtert den Baustein 112 oder andere hochempfindliche elektrische Komponenten in den Schaltungen zeitlich begrenzt oder andauernd funktionsunfähig machen. Ein elektrischer Transient kann auftreten, falls sich eine überschüssige Ladung auf beispielsweise dem ersten Antennenabschnitt 114 entwickelt oder darauf ansammelt und sich durch den Baustein 112 auf den zweiten Antennenabschnitt 116 entlädt. Die elektrische Entladung oder der Transient kann in einer Zeitspanne von Subnanosekunden bis Mikrosekunden zu seiner maximalen Amplitude ansteigen und sich wiederholende Amplitudenspitzen aufweisen.
Das über der Lücke 128 platzierte Spannungsvariable Material 126 weist eine hohen elektrischen Impedanzzustand bei geringen oder gewöhnlichen Betriebsspannungen auf. Das Spannungsvariable Material schaltet sehr schnell zu einem geringen Impedanzzustand, falls eine elektrische Entladung oder Ausbau bzw. Anstieg auftritt. Die in dem ersten Antennenabschnitt 114 akkumulierte Ladung entlädt sich daher in dem vorstehend beschriebenen Beispiel durch das Spannungsvariable Material 126 in den zweiten Antennenabschnitt 116, anstelle durch den Baustein 112. Das Spannungsvariable Material 126 kehrt zu seinem hohen Widerstandszustand zurück, falls sich der elektrische Transient abbaut. Das Spannungsvariable Material 126 schützt auf diese Art den Baustein 112 während dieser Transientenereignisse durch Ausgleichen des elektrischen Potentials oder Ladung zwischen dem ersten und zweiten Antennenabschnitt 114, 116. Die Ladung oder das elektrische Potential, welche auf dem ersten und zweiten Antennenabschnitt 114, 116 der Antenne 108 gespeichert ist, kann anschließend kapazitiv verbunden und zur Erde entladen werden. Das Paneel 106 oder das gesamte mehrschichtige Substrat 102 kann wahlweise aus dem Spannungsvariablen Material 126 hergestellt sein, wodurch der Bedarf vermieden wird, zusätzliches Material auf der Lücke 128 und dem ersten und zweiten Auflager 122, 124 abzuscheiden. Der erste und zweite Antennenabschnitt 114, 116 und das erste und zweite Auflager 122, 124 sind in dieser Anordnung auf dem Spannungsvariablen Material 126 abgeschieden und nur dann elektrisch verbunden, falls ein elektrostatisches Entladungsereignis auftritt.
Der RFID Tag 110 kann weiterhin wie aus 3 ersichtlich eine Markierungsschicht 130 beinhalten. Die Markierungsschicht 130 kann eine statische Markierung sein, welche Produktinformationen 132, ein Logo 134 und irgendeine andere erwünschte Information enthält. Die Markierungsschicht 130 könnte wahlweise eine aktive Markierung, wie beispielsweise eine OLED Markierung, sein, die sich ändernde Informationen anzeigt. Die aktive Markierung kann durch den Baustein 112 gesteuert werden oder seinen eigenen Prozessor oder Controller beinhalten. Das Spannungsvariable Material 126 kann in einer anderen Ausführungsform als eine kontinuierliche Schicht über oder unter der Antenne 108 gedruckt sein. Die 4 zeigt eine Schnittansicht, welche entlang der in 3 gezeigten Schnittlinie III-III genommen ist, welche den Baustein 112 an das erste und zweite Auflager 122, 124 angrenzend angeordnet zeigt. Der Baustein 112 ist in dieser beispielhaften Ausführungsform durch Spannungsvariables Material 126 über (in der angezeigten z-Richtung) der Lücke 128 und Auflagern 122, 124 gesichert. Das Spannungsvariable Material 126 stellt, wie es in dieser Ausführungsform ausgestaltet ist, eine Anzahl von Vorteilen bereit. Das Spannungsvariable Material 126 beinhaltet beispielsweise einen isolierenden Binder, der ein selbsthärtender Binder sein kann oder nicht, der den Baustein 112 an die Auflagern 122, 124 und angrenzend zu der Lücke 128 bindet. Das Spannungsvariable Material 126 ist in diesem Beispiel durch das Bezugszeichen 126' gekennzeichnet und nimmt anisotrope Eigenschaften an, falls zwischen dem Baustein 112 und den Auflager 122, 124 zusammengedrückt, was eine elektrische Leitung während gewöhnlichem Betrieb nur in die z-Richtung ermöglicht. Dies ist der Fall, da die Starke bzw. Dicke des Materials in die z-Richtung, zwischen dem Baustein und den Auflagern viel geringer ist als in einer zu der z-Richtung senkrechten Richtung, wie beispielsweise die horizontale Richtung zwischen dem Auflager 122 und 124. Mit anderen Worten fördert das Spannungsvariable Material 126' eine elektrische Kommunikation ausschließlich zwischen dem Baustein 112 und den Auflagern 122, 124 und inhibiert oder hindert eine elektrische Kommunikation zwischen den Auflagern 122, 124, sobald der RFID Tag 100 zusammengebaut ist. Das Spannungsvariable Material 126' unterdrückt und schützt daher eine elektrische Kommunikation zwischen dem Baustein 112 und dem ersten und zweiten Antennenabschnitt 114, 116 beim Auftreten eines elektrostatischen Entladungsereignis. In diesem Beispiel ist es die Ausgestaltung oder der Aufbau der Schaltung, die den anisotropen Aspekt zu der Schaltung hinzufügt. Die Materialien können in anderen Ausführungsformen selbst Eigenschaften aufweisen, die in verschiedenen Richtungen verschieden sind, d. h. sie sind inhärent anisotrop. Systeme zur Unterdrückung oder Steuerung elektrostatischer Entladung können eines von beiden oder beide Verfahren einsetzen, um den Schaltungsschutz zu erzielen.
Die 5 zeigt eine andere Schnittansicht, welche entlang der in 3 gezeigten Schnittlinie III-III des Bausteins 112 genommen ist, der an das erste und zweite Auflager 122, 124 angrenzend angeordnet ist. Der Baustein 112 kann in dieser Ausführungsform an das erste und zweite Auflager 122, 124 unter Verwendung eines leitenden Elements gesichert sein, das allgemein durch das Referenzzeichen 136 angezeigt ist. Das leitende Element 136 stellt eine elektrische Kommunikation zwischen dem ersten und zweiten Auflager 122, 124 und den entsprechenden Kontakten auf dem Baustein 112 bereit. Spannungsvariables Material 126 wird als Unterfüllungsmaterial verwendet, um den Baustein 112 nach Befestigung zu stützten und zu sichern. Die Verwendung von Spannungsvariablem Material 126 als Unterfüllung dient zum Ausgleich von Unterschieden im thermischen Expansionskoeffizienten zwischen dem Paneel 110 und dem Baustein 112. Falls nicht verwendet können diese Unterschiede bei dem Paneel 110 und dem Baustein 112 eine Ausdehnung und/oder Zusammenziehen mit verschiedenen Raten verursachen, was den leitenden Elementen 136 wiederum eine periodische Beanspruchung auferlegt. Im Lauf der Zeit kann die auf den leitenden Elementen lastende Beanspruchung einen Bruch oder ein Trennen des Bausteins von dem ersten und zweiten Auflager 122, 124 verursachen, wodurch die Funktionalität des RFID Bausteins 100 verringert oder zerstört wird. Das Spannungsvariable Material 126 ist daher in dieser beispielhaften Ausführungsform ausgestaltet den Baustein 112 von körperlichen, beispielsweise periodischen, Beanspruchungen und elektrostatischen Entladungsereignissen elektrisch und mechanisch zu schützen.
Die 6A zeigt eine vergrößerte Schnittansicht, welche allgemein durch Legende V in 5 gezeigt wird. Das leitende Element 136 ist in einer Ausführungsform eine Lötkugel, welche allgemein durch das Referenzzeichen 136' angezeigt wird und metallurgisch mit dem zweiten Auflager 124 verbunden ist. Die metallurgische Bindung wird beispielsweise durch Erhitzen der Lötkugel 136' und des zweiten Auflagers 124 an einem Punkt gebildet, an dem die beiden Materialien zusammenschmelzen.
Die 6B zeigt eine andere vergrößerte Schnittansicht, welche allgemein durch die Legende V in 5 gezeigt wird. Das leitende Element 136 ist in dieser Ausführungsform eine Erhebung bzw. Höcker aus Gold, welche allgemein durch das Referenzzeichen 136'' angezeigt wird. Die Erhebung aus Gold 136'' ist auf den Baustein 112 mechanisch verbunden oder angeschlossen und an das zweite Auflager 124, beispielsweise durch ein isotrop leitendes Haftmittel 138, verbunden. Das leitende Haftmittel 138 kann auf der Oberfläche des zweiten Auflagers 124 abgeschieden werden, um eine körperliche Verbindung zwischen der Erhebung aus Gold 136'' und dem zweiten Auflager 124 zu bilden, was auf dem Paneel 110 gebildet ist. Unbeachtlich des in 6A und 6B verwendeten leitenden Elements 136, 136' und 136'' unterfüllt und trägt das Spannungsvariable Material 126 den Baustein 112 und unterdrückt elektrostatische Entladungsereignisse zwischen dem ersten und zweiten Antennenabschnitt 114, 116, welche an dem ersten und zweiten Auflager 122, 124 und Lücke 128 terminieren.
7 zeigt eine weitere Schnittansicht, welche entlang der in 3 gezeigten Schnittlinie III-III des Bausteins 112 genommen ist, die sich wiederum in der z-Richtung über erstem und zweitem Auflager 122, 124 befindet. Der Baustein 112 kann in dieser Ausführungsform an das erste und zweite Auflager 122, 124 auf eine bekannte Art, beispielsweise durch leitende Elemente 136, gesichert und mit Spannungsvariable Material 126 umhüllt sein. Eine Umhüllung schützt den Baustein 112, die Auflager 122, 124 und Abschnitte der Leiterspuren 118, 120 (nicht gezeigt) vor zufällig auftretendem Schaden und Aussetzung gegenüber Verunreinigungen. Die Umhüllung bedeckt wie gezeigt das Spannungsvariable Material 126 vollständig und unterfüllt den Baustein 112 und die Auflager 122, 124. In dieser Ausgestaltung schützt das Spannungsvariable Material 126: (i) vor elektrischen Entladungen über die Lücke 128; (ii) vor thermischen Belastungen, wie in Verbindung mit 6A und 6B erörtert wird; und erhöht (iii) die körperliche Widerstandsfähigkeit des gesamten RFID Tags 100. Die 8A und 8B zeigen eine andere Ausführungsform eines RFID Tags 150, welcher ebenso einen elektrostatischen Entladungsschutz beinhaltet. Der RFID Tag 150 ist ein Flip-Chip mit gedruckten Antennenabschnitten. Der Tag beinhaltet einen Baustein oder Rohchip 152 mit Kontakterhebungen 154, 156, 158 und 160, die über dem Umfang des Rohchips angeordnet sind. Die Kontakterhebungen 154, 156, 158 und 160 können mittels irgendeinem bekannten Verfahren zur Erzeugung von Erhebungen (bumping process) aus einer Vielzahl elektrisch leitender Materialien, beispielsweise leitendem Haftmittel, Gold und Lötmetallen, wie beispielsweise Zinn-Blei, Zinn-Silber-Kupfer, Zinn-Wismut, oder Zinn-Silber Lötmetall, gebildet sein. Der gezeigte RFID Tag 150 beinhaltet ferner gedruckte Antennenabschnitte 162, 164, 166 und 168. Die gedruckten Antennenabschnitte 162, 164, 166 und 168 stehen in Kontakt und überschichten die Kontakterhebungen 154, 156, 158 und 160 des Rohchips 152. Diese Anordnung ermöglicht eine elektrische Verbindung, die zwischen dem Rohchip 152 und der Antenne erstellt werden soll.
Die 8B zeigt den RFID Tag 150, der mit einem Spannungsvariablen Material 126 zusammenwirkt. Das Spannungsvariables Material 126 kann auf dem Rohchip 152 abgeschieden sein. Das Spannungsvariable Material 126 steht ebenso mit gedruckten Antennenabschnitten 162, 164, 166, 168 in Kontakt. Ein elektrostatischer Aufbau auf irgend einem der Antennenabschnitte 162, 164, 166, 168 kann in dieser Ausgestaltung zwischen den anderen Antennenabschnitten 162, 164, 166, 168 verteilt und ausgeglichen werden, bevor der Rohchip 152 durch die Entladung beschädigt wird. Die ausgeglichene Ladung auf jedem der Antennenabschnitten 162, 164, 166, 168 kann wie vorstehend erörtert kapazitiv verbunden und zur Erde entladen werden.
Die 9 zeigt eine andere Ausführungsform einer Radiofrequenz-Identifikationseinrichtung, in welcher der Baustein 112 in einem Offline Arrayvorgang an Strukturen angebracht wird, die wirksam in Hochgeschwindigkeits-Graphikdruckvorgänge integriert werden können. Der Baustein 112 ist beispielsweise an einem ersten und zweiten Leiter 140, 142 unter Verwendung eines leitenden Haftmittel Punkts bzw. Dot 144 angebracht, der zwischen dem ersten und zweiten Leiter 140, 142 angeordnet ist. Der erste und zweite Leiter 140, 142 kann auf einem Streifen oder Band 146 hergestellt werden und Rolle-zu-Rolle bzw. im Durchlauf gewickelt werden, um dem leitenden Haftmittel 144 und dem Siliziumbaustein 112 zu ermöglichen angebracht zu werden. Es wird klar sein, dass das leitende Haftmittel 144 ein Spannungsvariables Material sein kann, wie beispielsweise ein selbsthärtendes Material. Der Baustein 112 könnte umhüllt sein, gestützt oder anderweitig and dem ersten und zweiten Leiter 140, 142 über das Spannungsvariable Material angebracht sein. Der erhaltene Baustein und Leiteranordnung kann von dem Band 146 entfernt werden und an die Auflager 122, 124 unter Verwendung von beispielsweise einem Spannungsvariablen Material 126 leitend gesichert werden.
Es wird erkannt werden, dass die Komponenten deines Spannungsvariablen Materials eine Matrix, oder die Majorität des Materials, wie beispielsweise ein Haftmittel oder ein anderes Material vom organischen Typ, und einen Füllstoff, wie beispielsweise ein leitendes Metall, beinhalten können. Die 10 zeigt ein derartiges Material 90, in welchem eine Haftmittel Matrix 92 leitende Wolfram Teilchen 96 mit einer durchschnittlichen Größe von ungefähr 100 nm (Nanometern) umgibt. Einige der Teilchen weisen ein Längenverhältnis auf, d. h. sind in einer Richtung länger als in den anderen zwei Richtungen. Das Längenverhältnis der Teilchen kann zu anisotropen elektrischen Eigenschaften führen, d. h. das Material wird in eine Richtung besser leiten als in eine andere.
Das Material wird in dem vorliegenden Beispiel Elektrizität in die Richtung der längeren Achse der leitenden Teilchen besser leiten, d. h. von Seite zu Seite in 10, eher als von der Oberseite zur Unterseite. Die Anisotropie wird erhöht werden, falls das Material während seiner Anwendung oder einem Drucken fließt und die Teilchen richten sich in der bevorzugten Richtung aus. Die bevorzugte Richtung für eine Leitfähigkeit ist in diesem Fall die z-Richtung, sprich die Leitfähigkeit ist zwischen der Antenne oder den Auflagern der RFID Einrichtung und dem Siliziumbaustein oder integrierten Schaltungsabschnitt erwünscht. Eine derartige Leitfähigkeit in z-Richtung kann durch Verwenden einer dünnen Schicht eines Spannungsvariablen Materials zwischen der Antenne oder den Auflagern und dem Baustein erleichtert werden. Wahlweise können verschiedene Materialien mit einem Spannungsvariablen Material niedriger Leitfähigkeit in der Lücke verwendet werden, in welcher die elektrostatische Entladung unterstützt werden wird, und ein Material höherer Leitfähigkeit auf dem Material niedriger Leitfähigkeit und zwischen der Antenne oder den Auflagern und dem Baustein. Die vorstehend erörterten Fasern und Polymere können beispielsweise in die Lücke eingeschoben werden, um einen Schutz gegen elektrostatische Entladung bereitzustellen, während dünne Schichten eines haftvermittelnden-Paste Spannungsvariablen Materials verwendet werden kann, um die Unterlage oder das Polymer hier zu sichern und um ebenso etwas Leitvermögen zwischen der Antenne und dem RFID Baustein, oder andern Leitern in anderen Anwendungen, bereitzustellen.
Ein Beispiel eines derartigen Schutzzsystems wird in 11 gezeigt. Ein System zur elektrostatischen Entladung 170 beinhaltet ein Schaltungssubstrat 171, wie beispielsweise ein polymeres oder Verbund-Substrat. Das Substrat 171 beinhaltet Leiter 172, 173, die Abschnitte einer RFID Antenne sein können, oder die andere Teile einer elektronischen Schaltung sein können. Ein erstes Spannungsvariables Material 177 kann in der Lücke 176 zwischen den Leitern platziert werden. Das Material 177 ist wie vorstehend beschrieben Glas oder Polymer, und ist zwischen Schichten eines zweiten Spannungsvariablen Materials 174 eingeschoben. Das zweite Material 174 kann ein adhäsives, flüssiges oder Pasten-artiges Material mit partikulären Füllstoffen sein. Das Material 174 füllt den Rest der Lücke 176 aus und kann ebenso die Oberseiten der Leiter 172, 173 in einer sehr dünnen Schicht 175 überschichten, die ausreichend dünn ist, dass eine elektrische Leitung bei gewöhnlichem Betrieb zwischen den Leitern 172, 173 und der elektronischen Einrichtung 179 auftreten kann. Zusätzliche leitende Elemente 178a, 178b können in einigen Ausführungsformen zwischen die dünnen Schichten 175 und der elektronischen Einrichtung 179 platziert werden. Elektrischer Storm oder Signale leiten unter herkömmlichen Bedingungen zwischen dem Leiter 172, ersten Element 178a und Einrichtung 179, und ebenso getrennt, zwischen der Einrichtung 179, zweiten Element 178b und zweitem Leiter 173. Das erste Spannungsvariable Material 177 und zweite Spannungsvariable Material 174 leiten über die Lücke 176, um die elektrostatische Ladung auf eine anisotrope Art zu entladen, falls ein elektrostatisches Entladungsereignis auftritt.
Es sollte klar sein, dass mehrere Änderungen und Modifikationen an den hierin beschriebenen, gegenwärtig bevorzugten Ausführungsformen dem Fachmann offensichtlich sein werden. Derartige Änderungen und Modifikationen können vorgenommen werden ohne vom Geist und Bereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen und ohne deren beabsichtigte Vorteile zu verringern. Es ist daher beabsichtigt, dass derartige Änderungen und Modifikationen von den beigefügten Ansprüchen gedeckt werden.
Zusammenfassung
In einem System und einer Schaltung zur Steuerung elektrostatischer Entladung wird ein Spannungsvariables Material eingesetzt, um eine elektrische Schaltung, wie beispielsweise einen Radiofrequenz-Identifikations (RFID) Tag, zu schützen. Die Schaltung beinhaltet zwei getrennte elektrische Leiterspuren mit einer Lücke zwischen den Spuren. Die Schaltung beinhaltet und schützt eine elektrische Einrichtung, wie beispielsweise eine integrierte Schaltung, die zwischen den Spuren verbunden ist. Die Schaltung beinhaltet ein Spannungsvariables Material, das angrenzend zu der Lücke angeordnet ist und ausgestaltet ist, die erste Leiterspur mit der zweiten Leiterspur bei Auftreten eines elektrostatischen Entladungsereignisses direkt elektrisch zu verbinden. Das Spannungsvariable Material kann anisotrop sein.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

- US 7183891 [0026]

Claims

System zur Unterdrückung elektrostatischer Entladung, umfassend: eine elektrische Schaltung (100) mit einer ersten Leiterspur (118) und einer zweiten Leiterspur (120), die mit der ersten Leiterspur ausgerichtet ist und ausgestaltet ist eine Lücke (128) dazwischen festzulegen; eine elektrische Einrichtung (112) mit einem ersten Kontakt, der für ein Verbinden mit der ersten Leiterspur ausgestaltet ist, und einen zweiten Kontakt, der für ein Verbinden mit der zweiten Leiterspur ausgestaltet ist; und ein Spannungsvariables Material (126), das an der Lücke in einer anisotropen Konfiguration benachbart angeordnet ist, um die erste Leiterspur mit der zweiten Leiterspur bei Auftreten eines elektrostatischen Entladungsereignisses direkt elektrisch zu verbinden.
System nach Anspruch 1, worin die elektrische Schaltung eine Antenne (108) für einen RFID Tag (100) ist.
System nach Anspruch 1, worin die elektrische Einrichtung eine integrierte Schaltung (112) ist.
System nach Anspruch 1, worin das Spannungsvariable Material anisotrop (177) ist.
System nach Anspruch 1, worin das Spannungsvariable Material ein leitendes Haftmittel (144) ist.
System nach Anspruch 1, ferner ein flexibles Substrat oder ein festes Substrat (102) umfassend.
System nach Anspruch 1, worin das Spannungsvariable Material zumindest einen Abschnitt der elektrischen Einrichtung unterfüllt.
System zur Unterdrückung elektrostatischer Entladung, umfassend: eine Antenne (108) mit einer ersten Leiterspur (118) und einer zweiten Leiterspur (120), die mit der ersten Leiterspur ausgerichtet ist und ausgestaltet ist eine Lücke (128) dazwischen festzulegen; eine RFID Einrichtung (112) mit einem ersten Kontakt, der für ein elektrisches Verbinden mit der ersten Leiterspur ausgestaltet ist, und einen zweiten Kontakt, der für ein elektrisches Verbinden mit der zweiten Leiterspur ausgestaltet ist; und ein Spannungsvariables Material (126, 126'), das an der Lücke auf eine anisotrope Art benachbart angeordnet ist und ausgestaltet ist, um die erste Leiterspur mit der zweiten Leiterspur bei Auftreten eines elektrostatischen Entladungsereignisses direkt elektrisch zu verbinden.
System nach Anspruch 8, worin das Spannungsvariable Material die RFID Einrichtung unterfüllt.
System nach Anspruch 8, ferner eine Batterie (111) umfassend, die für eine Verbindung mit der Schaltung in der Schaltung platziert ist oder gedruckt ist.
System nach Anspruch 8, ferner ein Substrat (102), das zumindest die Antenne und die RFID Einrichtung trägt, und eine Batterie umfassend, die zumindest mit der RFID Einrichtung verbunden ist.
System nach Anspruch 8, worin das Spannungsvariable Material für ein Ermöglichen einer elektrischen Leitfähigkeit zwischen der RFID Einrichtung und der Antenne bei gewöhnlichem Betrieb ausgestaltet ist und ausgestaltet ist die erste Leiterspur mit der zweiten Leiterspur bei Auftreten eines elektrostatischen Entladungsereignisses direkt elektrisch zu verbinden.
System nach Anspruch 8, ferner eine leitende Einrichtung (136, 136', 136'') zwischen zumindest einem der ersten und der zweiten Leiterspur und dem ersten und zweiten Kontakt umfassend.
Verfahren zum Unterdrücken elektrostatischer Entladung, wobei das Verfahren umfasst: Bereitstellen einer Antenne; Festlegen einer Lücke zwischen ersten und zweiten Abschnitten der Antenne; elektrisches Verbinden einer RFID Einrichtung mit dem ersten und zweiten Abschnitt der Antenne; und Abscheiden eines Spannungsvariablen Materials in der Lücke, worin das Spannungsvariable Material in einer anisotropen Art abgeschieden ist, um den ersten und zweiten Abschnitt der Antenne bei Auftreten eines elektrostatischen Entladungsereignisses direkt elektrisch zu verbinden.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei ein Bereitstellen der Antenne Drucken eines elektrisch leitenden Materials umfasst, um die Antenne festzulegen.
Verfahren nach Anspruch 14, ferner ein Bereitstellen einer Stromquelle oder einer Lichtquelle umfassend, die mit der RFID Einrichtung verbunden ist.
Verfahren nach Anspruch 14, ferner ein Abscheiden einer leitenden Einrichtung auf der Antenne vor einem elektrischen Verbinden der RFID Einrichtung mit der Antenne umfassend.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Schritt eines Bereitstellens des Spannungsvariablen Materials ein Bereitstellen von zumindest einer dünnen Schicht des Spannungsvariablen Materials zwischen der RFID Einrichtung und der Antenne derart umfasst, dass dort elektrische Leitfähigkeit zwischen der RFID Einrichtung und der Antenne bei gewöhnlichem Betrieb vorliegt.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei das Spannungsvariable Material selbst ein anisotropes Material ist.
Verfahren nach Anspruch 14, wobei der Schritt eines Abscheidens ausgewählt ist aus der Gruppe Bestückungsverteilt, direkt verteilt, gedruckt, siebgedruckt, oder schablonengedruckt.